KR100377981B1 - 성형화합물큐어링방법 - Google Patents

성형화합물큐어링방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100377981B1
KR100377981B1 KR1019950014791A KR19950014791A KR100377981B1 KR 100377981 B1 KR100377981 B1 KR 100377981B1 KR 1019950014791 A KR1019950014791 A KR 1019950014791A KR 19950014791 A KR19950014791 A KR 19950014791A KR 100377981 B1 KR100377981 B1 KR 100377981B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
die
cure
bonding
lamp
Prior art date
Application number
KR1019950014791A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960002709A (ko
Inventor
밍황
레슬리이.스타크
가일하이넨
레오림필로
Original Assignee
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Publication of KR960002709A publication Critical patent/KR960002709A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100377981B1 publication Critical patent/KR100377981B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/1403—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation characterised by the type of electromagnetic or particle radiation
    • B29C65/1412—Infrared [IR] radiation
    • B29C65/1416—Near-infrared radiation [NIR]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/7526—Polychromatic heating lamp
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/8323—Polychromatic or infrared lamp heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83805—Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83868—Infrared [IR] curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01054—Xenon [Xe]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/1576—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장치 어셈블리 동작시, 다이 접착 물질 및 성형 화합물을 큐어링하기 위해 오븐 및 가열기 블럭 텅스텐 할로겐 램프 모듈과 같은 광 가열원을 사용하여 시간, 비용, 풋프린트 및 오염을 감소시키는 반도체 다이 접착 방법에 관한 것이다.

Description

성형 화합물 큐어링 방법{Optical Curing Process for Integrated Circuit Packge Assembly}
관련 출원
본 출원은 본원과 동시 출원된 특허원 제______호, TI-18715호에 관련된다.
발명의 분야
본 발명은 전체적으로는 반도체 제조 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 "백 엔드(back end)" 어셈블리, 특히 칩(다이) 접착(attach) 및 캡슐화(encapsulation)에 관한 것이다,
발명의 배경
패키지된 집적 반도체 장치들(packaged integrated semiconductor devices)은 일반적으로 "프론트 엔드(front end)" 처리와 "백 엔드(back end)" 처리로 알려진 두단계로 제조되어진다. "프론트 엔드" 처리는 반도체 웨이퍼 상에 트랜지스터, 저항 및 캐패시터와 같은 여러 소자(devices)들을 형성하는데 관계하고, "백 엔드" 처리는 어셈블리 및 테스트(test)에 관계한다. 반도체 웨이퍼 상에 여러 소자들을 형성시킨 후, 웨이퍼를 반도체 다이들로 분할하고, 이들 다이들을 패키지들로 어셈블하고, 패키지된 다이들을 테스트한다. 여러 패키징 기술들이 존재하지만, 주 기술은 세라믹 패키징(ceramic packaging)과 플라스틱 패키징(plastic packaging) 기술이다. 이들기술은 저작권자인 Rao R. Tummala씨와 Eugene J. Rymaszewski씨에 의한 1989년Microelectronics Packaging Handbook중 특히 제6 내지 8장 및 10장에서 상세히 기술되어 있다.
비록 여러 세라믹 패키지들이 존재하지만, 일반적인 세라믹 패키지로서는 뚜껑 밀봉형 패키지(lid sealed package)가 있다. 반도체 칩은 칩 접착 물질에 의해세라믹 기제에 접착되어지고, 다음에 반도체 칩은 와이어 본딩에 의해 세라믹 기제상의 금속선에 접속되어진다. 다음에 외부와의 접속을 제공하기 위해 리드(leads)를 세라믹 기재에 납땜시켜 금속선과 접속시킨다. 마지막으로, 반도체 다이를 커버하며 세라믹 패키지를 밀폐시키는 뚜껑을 밀봉제에 의해 접착시킨다. 플라스틱 패키지된 장치들은 통상 반도체 칩을 칩 다이 접착 물질에 의해 리드 프레임(a lead frame)에 접착시킴으로써 형성된다. 리드 프레임은 전형적으로는 금속으로서(반도체 다이가 접착되어지는) 다이 지지대와 리드 핑거(lead fingers)를 포함하고 있다. 다음에 리드 프레임 핑거가 반도체 다이 상의 접착대에 접속되는 곳에서 와이어 본딩이 행해진다. 본딩 와이어들은 전형적으로 리드 핑거들을 접착대에 접속시킨다. 접착제는 와이어 본딩 처리 중에 반도체 다이를 제위치에 유지시킨다. 이 후에, 리드 프레임과 다이를 플라스틱 성형 화합물로 캡슐화시켜 캡슐화 처리를 행한다. 이 성형 화합물은 큐어(cure) 되어 있으며 리드 프레임은 트리밍(trim)하여 형성된다.
상술한 바로 부터, 세라믹 패키지된 장치들과 플라스틱 패키지된 장치들은 칩을 기부의 구조체에 접착하기 위한 칩 접착 물질을 필요로 한다는 것을 알 수 있다. 기존의 칩 다이 접착 물질을 크게 분류하면 땜납(solders), 유기 접착제와 은 충진된 유리(glass silver-fill) 3가지이다. 땜납의 예로서는 Au-Si, Au-Sn, Au-Ge, Ph-Ag-In 및 Ph-Sn 금속 조성물이 있다. 세라믹 패키지에서는 땜납을 가장 많이 사용한다. 유기 접착제의 예로서는 에폭시, 폴리이미드(흔히 은이 충진되어 있음) 및 아크릴류, 폴리에스터 또는 금속 충진된 폴리아미드와 같은 열가소성 물질이 있다.Microelectronics Packaging Handbook의 페이지 556 및 557의 표 8 내지 5에서는 에폭시와 폴리이미드 칩 중합체 본딩 접착제의 목록을 나타내고 있다. 플라스틱 패키징은 땜납 또는 유기 접착 물질을 사용할 수 있다, 은 충진된 특정의 유리 물질들이 유리 물질들의 표본으로서, Shukla와 Mancinger에 의한 1985년 7월Solid State Technology의 67쪽에 기재된 "A critical Review of VLSI Die-Attachment in High Reliability Applications" 및 이하 참조 문헌에서 기술되어 있다. 패키지형에는 관계없이 칩 물질을 가열시켜 칩을 견고하게 접착시킨다.
Microelectronics Packaging Handbook의 554쪽에는 플라스틱 패키징에서의 칩(다이) 접착에 대하여 기술되어 있다. 땜납 본딩의 경우, 리드 프레임들이 연료실 보유기(magazine holders)로부터 트랙을 따라 가열기 블럭(heater black)으로 제공되어 있다. (6% Si, 94 Au와 같은) 작은 사각형의 물질은 공급 리본(feed ribbon)으로부터 절단되어 리드 프레임의 칩 지지대로 이송되어진다. 칩은 콜릿(collet)에 의해 가열된 칩 지지대에 위치된다. 칩과 공융합금(eutectic)을 함께 콜릿에 의해 스크러브(scrub)시킴으로써 경질 합금 본딩을 형성한다. 가열기의 온도는 약 420℃이며 공융 합금 본딩 시간은 약 6 내지 8초이다. 열 전달 메카니즘은 전도에 의한 것이다. 중합체 본딩의 경우에는 전형적으로 금속 충진된 에폭시 또는 폴리이미드 페이스트(paste)를 프린트 헤드(print head)에 의해 리드 프레임 다이 지지대에 도포시킨다. 프린팅 후에 페이스트에 다이를 압착시킨다. 다음에 페이스트를 큐어시켜 반도체 다이에 리드 프레임을 견고하게 접착시킨다. 에폭시와 폴리이미드들은 다이본딩을 완성시키기 위해 상승된 온도에서 큐어해야만 하는 유기 열경화성 중합체들이다. 수년동안, 산업 표준 에폭시 큐어 프로세스에서는 수지(resin)를 큐어하기 위해서는 통상 적어도 약 1시간이 걸리는 가열식 오븐 내로 (다이가 장착되어진) 리드 프레임들을 위치시켜 왔다. 전형적인 스케줄은 에폭시 수지의 경우 150℃에서 1시간과 150℃에서 30분이며, 폴리이미드 수지의 경우 275℃에서 30분이다. 오븐 큐어 프로세스의 경우, 열전달은 대류(convection)에 의해 이루어지며 반도체 다이, 에폭시 수지 및 리드 프레임은 오븐의 온도로 모두 균일하게 가열되어진다.
비교적 새로운 에폭시 스냅(snap) 큐어 프로세스에서는 실제로 중합체 다이접착 물질의 큐어링 속도를 약 1시간에서 약 1분으로 증가시켰다. 이러한 스냅 큐어 프로세스를 종래 기술인 제1도에서 전반적으로 도시하고 있다. 제1도에서, 반도체 다이(4)는 에폭시 수지(6)에 의해 금속 리드 프레임(8)에 접착된다. 에폭시 수지(6)는 약 0.001인치 두께 정도이다. 리드 프레임 트랙 레일(10)은 리그 프레임(8)을 가열기 블럭(12) 상의 위치에서 안내(guide)하고 파지(hold)시킨다. 가열기 블럭(12)은 이 블럭(12)을 에폭시 수지(6)를 큐어하는데 필요한 희망 온도인 약 200℃까지 가열하는 필라멘트(도시 않됨)를 포함하고 있다. 열은 가열기 블럭(12)으로부터 리드 프레임(8), 에폭시 수지막(6)과 다이(4)로 전도에 의해 전달된다. 다이(4), 에폭시 수지막(6) 및 리드 프레임(8)은 모두 블럭(12)의 온도로 가열되어진다. 가열 중에 건조한 공기(dry air, 16)가 다이(4) 상에 유입되고 리드 프레임(8)의 표면 전체를 횡단하고, 리드 프레임(8)의 리드 핑거 컷아웃(도시 않됨)을 꿰뚫고 지나가서 가열기블럭(12)의 주변으로 흘러 들어가 배기(18)를 통해배출되어진다. 이 공기의 흐름에 의해 다이 접착 큐어링동안 다이 접착에 의해 방출되는 기체의 해로운 방출물을 감소시킬 수 있다. 기체의 방출은 다이(4)의 접착대 상에 오염 물질을 생성시킴으로써 와이어 본딩의 신뢰성 문제를 유발시킬 수 있다. 대형의 체바퀴형 전자 기계 AC 모터(A large squirrel cage electromechanical AC motor)는 배기 진공(18)을 제공한다. Hitachi Tokyo Electronics Co, Ltd.에서는 이러한 큐어 프로세스를 "AC-050 In Line Epoxy Curing System"으로 명명된 반도체 제조 장비의 일부분으로 판매한다. AC-050은 약 4 또는 5개의 가열기 블럭 플랫폼(platforms)들을 포함하고 있으며, 각각의 가열기 블럭(12)은 약 10인치의 길이를 갖는다. Syncrite와 Moia에서 제조한 가열기 블럭 기술을 이용한 다른 시판 중의 스냅 큐어 장치도 있다.
종래 기술인 제1도에서 도시된 AC-050형 장치가 비록 에폭시 수지막(6)을 큐어하는데 필요한 시간을 약 1시간에서 약 1분으로 감소시켰지만, 이 장치는 여러가지의 단점을 갖고 있다. AC-050 장치는 폭이 약 3피트이며, 깊이가 3피트이며, 높이 4피트인 대형의 한 세트로서 매우 값비싼 제조 면적을 차지한다. 리드 프레임과 가열기 블럭의 접촉으로 인해 리드 프레임 다이 접착대가 싸여지게(wrap)되어 오염될 수 있다. 칩 상의 접착대와 리드 프레임은 다이 접착 물질로부터의 기체 방출과 리드 프레임의 높은 온도로 인해 오염될 수 있다. 따라서, 새로운 신속한 다이 접착 방법이 필요로 된다.
Microelectronics Packaging Handbook의 555쪽 및 이하 참조 문헌에서는 플라스틱 캡슐화와 플라스틱 캡슐화 기술에서 사용되는 성형 화합물(moldingcompounds)에 대해 광범위하게 기술되어 있다. 일반적으로, 성형 화합물은 재융용(remelt)될 수 없는 열경화성 종류(thermoset variety) 또는 재융용될 수 있는 열가소성 종류(thermoplastic variety)의 중합체들이다. 예를 들면 에폭시 노볼락-기제(novolac-based)의 성형 화합물(주로 현재 사용됨), 폴리에스터, 페놀(phenolic) 및 실리콘이 포함된다. 산업 표준 플라스틱 캡슐화 기술은 이송 성형(transfer molding) 기술이다. 칩과 리드 프레임 어셈블리를 캡슐화하기 위해 이 어셈블리에 성형 화합물을 도포시킨 후, 성형 화합물을 큐어시켜야 한다. 칩 접착에서와 같이, 성형 화합물 큐어의 산업 표준 방법은 캡슐화된 칩과 리드 프레임 어셈블리를 오븐에 위치시키는 것이다. 성형 화합물을 큐어하기 위해 약 175℃에서 캡슐화된 장치를 수시간동안 가열시킨다. 포스트 성형 큐어(post mold cure)의 속도를 증가시키기 위해서는 새로운 포스트 성형 큐어 방법들이 필요로 된다.
발명의 요약
본 발명의 급속 큐어 다이 접착 방법은 다이 접착 물질을 가열하기 위해 텅스텐 할로겐 램프 모듈(a tungsten halogen lamp module)과 같은 광 가열원을 사용한다. 광 가열원은 이송 성형된(transfer molded) 반도체 패키지들에서 사용된 성형화합물을 큐어하는데 사용될 수 있다.
바람직한 실시예의 상세한 설명
제2도는 본 발명의 광 급속 큐어 다이 접착 장치 및 방법을 개념적으로 도시하고 있다. 제2도에서, 반도체 다이(20)는 다이 접착 물질(22)에 의해 리드 프레임(24)에 접착되어진다. 다이 접착 물질(22)는 다이 접착 물질들을 대표하는것으로, 땜납, 유기 접착제 및 유리 특정 물질을 포함한다. 리드 프레임 물질들의 예로서는 구리, 합금 42, 파라듐/구리 및 니켈 구리가 있다. 리드 프레임 트랙 레일(26)은 광가열원(28) 아래의 위치에서 리드 프레임(24)를 안내하고 파지하고 있다. 리드 프레임 트랙 레일(26)은 여러 크기의 리드 프레임을 파지하도록 조정될 수 있다. 한 열의 다이를 보유하는 전형적인 리드 프레임(24)의 폭은 약 1.25인치일 수 있다. MATRIX 리드 프레임과 같은 고밀도 리드 프레임은 여러 열의 다이를 보유할 수 있으며 보다 넓은 폭을 갖는다. 광 가열원(28)은 다이 접착 물질(22)을 가열하는데 사용되는 에너지를 발생시킨다. 중합체 본딩은, 예를 들어, 광 가열원(28)에 약 1분동안 노출되는 것과 같이 매우 신속하게 달성될 수 있으며, 실리콘/금 공융 본딩 (eutectic bonding)과 같은 무기 본딩도 또한 신속하게 달성될 수 있다. 다이(20)에서 다이 접착 물질(22)로 그리고 리드 프레임(24)의 다이 지지대로 열이 전달된다. 다이 접착 물질(22)과 다이(20)에 의해 커버되지 않은 리드 프레임(24)의 부분은 광 가열원(28)으로부터 광 조사(light radiation)를 거의 반사시킨다. 구리 기제의 리드 프레임과 통상의 다이 크기에 대해 유기 다이 접착 물질을 사용한 경우에는 다이의 류어링동안 리드 프레임의 레일들과 핑거들이 다이(20)의 온도보다 훨씬 낮은 상태를 유지한다는 특히 유리한 점이 있다. 예를 들어, 광 가열원(28)에 1분간 노출되면 다이(20)는 약 200℃로 가열되고 리드 프레임(24)은 단지 약 125℃로 가열된다. 이와 같이, 광 가열원(28)은 선택적으로 다이(20)를 가열시킨다. 대부분의 열전달은 조사에 의해 이루어지고 다이 접착의 온도 응답은 유리하게도 평활한 천이(smooth transient)를 나타낸다. 온도 프로화일(profiles)은 큐어 중에 램프(ramp)를 통과하는 전류를 변화시킴으로써 신속하게 제어될 수 있다. 그러나, 종래 기술의 가열기 블럭 방법에서는 열전달이 전도에 의해 이루어지므로 온도 응답과 같은 계단 함수(step function)를 나타낸다. 가열기 블럭에 존재하는 열로 인해 열가소성 다이 접착에 필요한 급속 냉각을 할 수 없게 된다. 광 급속 가열은 신속한 역적 응답을 가능케 하며 열가소성 다이 접착 물질에서 사용될 수 있다.
제2도의 광 가열원(28)에 대해서 제3도와 관련하여 상세히 기술될 것인데, 광 가열원(28)은 근적외선 광(near infrared right)을 조사하는 형태의 램프인 것이 적합한 것으로 여겨진다. 램프에 대한 예로서는 텅스텐형과 크세논형의 백열 할로겐 램프가 포함된다. 적외선 광 파장은 실제 0.8 미크론 미만부터 약 2.8 미크론까지이다. 실리콘 칩(20)은 근적외선 스펙트럼에서 양호한 흡수성를 갖는 것으로 여겨진다. 예를 들어, 텅스텐 할로겐 광의 에너지는 칩(20)보다 높은 반사각을 갖는 리드 프레임(24)에서 보다 실리콘 칩(20)에서 더 많이 흡수된다. 다이 접착 물질(22)을 갖는 실리콘 칩(20)은 선택적 가열로 인해 리드 프레임(24)보다 높은 온도로 조사에 의해 가열되어진다.
제2도를 계속해서 참조해 보면, 반사기(30)는 램프(28)로부터 리드 프레임(24)으로의 직접 반사를 도와준다. 적합하게도 반사는 리드 프레임의 폭 위에 전달되어 가열이 균일하게 된다. 이 광은 반도체 칩 상에는 집속되지만 리드 프레임 영역 상에서는 확산(spread)되어진다. 건조한 공기(32)가 다이(20) 상에 유입하고, 그리고 리드 프레임(24)의 리드 핑거 컷아웃(도시 않됨)을 꿰뚫고 지나가 배기 출구(34)를 통해 배출된다. 제1도의 가열기 블럭(12)과는 다르게, 제2도의 리드 프레임 아래에는 공기의 흐름을 차단하는 방해물은 존재하지 않는다. 건조한 정화 공기(purge air, 32)가 다이(20) 상에 유입하고 다이(20)의 엣지에 보다 밀접하게 리드 프레임(24)을 꿰뚫고 지나갈 수 있으므로 기체 방출에 의한 해로운 방출물과 에폭시 파편들(fragments)의 배출을 사실상 증가시킨다. 램프(28)의 강도(전력)는 컴퓨터로 제어될 수 있는 가감 저항기(rheostat, 36) 또는 SCR에 의해 제어될 수 있다. 이 때문에 램프의 전력이 열적 질량(thermal mass) 때문에 스냅 큐어동안 실제로 언프로화일한(unprofilable) 종래 기술인 제1도의 가열기 블럭과는 대조적으로 즉시 에너지응답에 따라 프로화일이거나 또는 턴온 및 턴오프 될 수 있다는 장점이 있다. 순간적으로 램프 전력을 조정하는 것은, 일부 다이 접착 물질들이 휘발 성분을 배출하기 위해서 최종 큐어 온도에 도달하는 데 시간이 필요한 경우에 바람직 할 수 있는 에너지 프로화일링(energy profiling)에 도움이 된다.
지금부터 제3도를 참조해 보면, 광 급속 큐어 장치(40)에 대한 바람직한 실시예가 도시되어 있다. 장치(40)는 반사기 하우징(44) 내에 부착된 광 가열원(42) [램프(42a) 및 램프(42b)로 도시]을 포함하고 있다. 반사기 하우징(44)에는 또한 기체 샤우어(gas shower, 46)도 부착되어 있다. 리드 프레임 트랙 레일(48)은 광 가열원(42) 아래에서 리드 프레임(50)을 파지하고 안내한다. 리드 프레임(50) 아래에 디퓨져 스크린(screen diffusers, 54)을 갖는 배기 매니폴드(exhaust manifold, 52)가 위치된다. 배기 매니폴드(52)는 호스들(hoses, 56)에 의해 증폭기 매니폴드(58)에 연결되고, 이 증폭기 매니폴드(58)에는 공기 증폭기 진공발생기(60)가 연결된다. 안전을 위해 반사기 하우징(44)을 덮개(Shroud, 62)로 덮을 수 있다. 리드 프레임 인덱스 메카니즘(lead frame index mechanism, 도시 않됨)이 제공될 수 있으며, 다이 본딩 장비 또는 와이어 본딩 장비, 또는 컴퓨터 및 프로세스 제어 장비에 의해 제어될 수 있다. 비록 광 급속 큐어 장치(40)가 백 엔드 제조 장비의 독립 부분으로서 구성되더라도, 어셈블리의 크기를 소형으로 한다는 것이 주요한 장점이다. 반사기(44)와 배기 매니폴드(52)의 어셈블리는 길이가 약 10.5인치, 너비가 3인치, 높이가 3인치 정도이다. 이와 같은 소형의 크기에 의해 장치가 다이 본더(die bonder) 상에 구성될 수 있다. 장치는 이 본더 헤드의 상향으로 위치될 수 있다. 이 때문에, 장치는 기존의 제조 면적에서 효율적으로 사용될 수 있으며 다이 본딩 또는 와이어 본딩 장비에 상주하는 제어기들을 이용할 수 있다. 또한 다이 본딩 장비 및 와이어 본딩 장비를 연결하는 데도 사용될 수 있다.
제3도에서, 광 가열원(42)은 적합하게는 에너지를 금속 리드 프레임(50)에 의해 반사하는 형태의 램프이다. 이 램프의 예로서는 텅스텐 할로겐 램프가 있다. 이러한 램프들은 General Electronic, Osram-Sylvania 및 Ushio사에서 제조한 것으로 구매 가능하다. 이용 가능한 오프 쉘프(off the shelf)는 와트수가 약 1000 내지 2000와트, 120 또는 240 VAC, 길이가 12인치, 직경이 약 0.4인치이다. 10인치 길이, 600 내지 800와트, 110 VAC인 통상의 벌브(bulb)가 이용 가능하며, 리프 프레임과 장비 길이상 필요하다면 다른 원하는 길이 구성도 가능하다. 반사기(44)의 단부에 있는 벌브 장착 플레이트는 반사기 내에 벌브를 위치시킨다. 장착된 벌브는 리드 프레임(50) 상으로 연장된다. 리드 프레임(50) 상에 장착된 벌브들의 높이는광 강도에 의해 제어된 결과에 따라 조절될 수 있다. 리드 프레임의 폭 전체에 대해 온도를 균일하게 하기 위해서는 반사기 하우징(44) 내에 벌브를 배치하는 것이 바람직하다. 벌브(42)와 리드 프레임(50) 간의 거리는 약 0.78인치이다. 광 가열원(42)이 비록 2개의 램프를 갖는 것으로 도시되었지만, 단일의 램프원만으로도 충분하다. 리드 프레임(50)의 폭은 단일 또는 다수의 램프들이 적합한지를 결정할 수 있다. 리드 프레임(50)의 폭이 넓은 경우에는 다수의 램프가 보다 양호하며, 약 1.25인치 폭의 전형적인 리드 프레임의 경우에는 단일 램프가 보다 양호하다.
제3도에서, 반사기 하우징(44)은 램프(42)를 배치하기 위한 리세스(44a)가 형성되어 있는 금속 블럭으로 형성될 수 있다. 반사기 하우징(44)의 금속으로서는 그 반사도 때문에 알루미늄이 적합하다. 램프(42)에서부터 리드 프레임(50)에 접착되어 있는 반도체 칩(51)까지 보다 양호한 반사를 행하기 위해 연마용 리세스(polishing recess, 44a)가 형성되어 있다. 비록 도시하지는 않았지만, 반사기 하우징은 상단부에 냉각 원조용 슬릿(slits)을 가질 수 있다. 반사기 하우징(44)은 또한 기체 샤우어(46)도 보유하고 있다. 기체 샤우어(46)는 기체가 다이 접착 큐어동안 리드 프레임(50) 상에 산포될 수 있도록 구멍이 형성되어 있는 관(tube)이다. 이 관은 알루미늄과 같은 금속일 수 있으며, 도시된 장치에서는 직경이 약 0.25인치이고, 길이가 약 8.5인치이며, 약 0.10인치 간격으로 이격되어 있는 구멍들을 갖고 있다. 기체 샤우어(46)는 장착용 브래킷(도시되지 않음)을 가지며 반사기 하우징(44) 내로 나사 결합된다. 건조한 공기는 산포를 하기 위해 적합한 기체로서 질소이다. 기체 산포율은 사용된 배기 압력량에 따라 최적화되어진다.일반적으로, 사용된 배기 압력이 적을수록, 필요한 산포율은 감소된다. 1.5인치 H2O의 배기 진공으로 20scfh의 기체 흐름이 적합하게 작용한다. 기체 샤우어는 도시된 바와 같이 중심에 배치될 수 있거나 다이 표면과 리드 프레임의 접착 영역의 부근에서 기체의 교란(turbulence)을 제공하기 위한 각도로 배치될 수 있다.
제3도를 계속해서 참조해 보면, 리드 프레임 트랙 레일(48)은 리드 프레임(50)을 파지하고 있다. 도시된 리드 프레임(50)은 약 2.00인치의 폭을 갖는 MATRIX형으로서, 3개의 반도체 칩(51)이 리드 프레임의 폭 전체에 배치되어 있다. 상술된 바와 같이, 광 큐어 장치(40)의 중요한 장점은 Texas Instruments Incorporated에서 제조한 구매 가능한 ABACUS III 와이어 본더와 같은 와이어 본딩 기계 내에 직접 장착될 수 있는 소형의 크기를 갖는다는 것이다. 본더 헤드의 상향에 광 큐어 장치(40)를 배치시킴으로써 어셈블리 공정시 자동화율이 더 높아진다. 리드 프레임은 본더 이송체(transport)와 광 큐어 장치(40) 내로 공급된다. 금속 중합체 큐어링을 약 1분간 행하여 반도체 다이(51)을 리드 프레임(50)에 접착시킨다. 본더 이송체는 리드 프레임(50)을 장치(40)에서 와이어 본딩이 행해지는 본더 헤드로 이송시킨다.
제3도를 계속해서 참조해 보면, 배기 매니폴드(52)는 리드 프레임(50) 아래에 배치되어 있다. 제1도의 가열기 블럭(12)을 제거시킴으로써, 제3도의 리드 프레임(50) 아래로의 배기는 방해를 받지 않으므로 훨씬 더 양호하게 기체 방출물을 제거시킬 수 있다. 배기 매니폴드(52)는 디퓨저 스크린들(54)을 제 위치에 보유시킨다. 이들 스크린 내에는 구멍이 형성되어 있다. 스크린들(54)은 적합하게는 스테인레스강과 같은 견고한 물질로 형성되어 온도와 배기 진공에 견뎌낼 수 있다. 배기 매니폴드(52)의 하부에는 배기 제거를 위한 구멍들이 형성되어 있다. 이들 구멍은 직경이 약 0.25인치이며 매니폴드(52)의 길이 전체에 걸쳐 균등하게 이격되어 있다. 바람직한 실시예에서는 6개의 구멍을 사용하였다. 이들 구멍은 호스들(56)에 의해 증폭기 매니폴드(58)에 연결되어 있다. 이들 호스는 적합하게는 동일한 크기와 동일한 길이로 되어 있으므로 호스 각각에서는 동일량의 공기가 흐르게 된다. 약 20인치 길이의 실리콘 관으로 형성된 0.25인치 직경을 갖는 호스들은 고온 배기에도 견뎌낼 수 있다. 매니폴드(58)는 약 3인치 길이로서 약 3인치의 내부 직경을 갖는다. 매니폴드(58)에 의해 매니폴드(52) 내의 다수의 배기 구멍들이 공기 증폭기(60)에 연결될 수 있다.
제3도에서, 공기 증폭기(60)는 증폭기 매니폴드(58)에 연결되어 있다. 공기 증폭기(60)는 약 2.5인치 길이와 약 2인치 외측 직경을 갖고 있다. 공기 증폭기는 예를 들어 Exair Corporation에서 제조한 것과 같은 구매 가능한 장치들이다. 제4도를 참조해 보면, 공기 증폭기(60)의 동작에 대해 설명되어 있다. 압축된 공기(63)가 입구(64)를 통해 환형 챔버(annular chamber, 66) 내로 유입된다. 다음에 소형의 링 노즐(68)을 통해 고속으로 트로틀된다(throttle), 이러한 주요 공기 스트림이 Coanda 프로화일(70)을 따르게 되고, 이 프로화일(70)은 이 공기 스트림을 출구(72)로 향하게 한다. 많은 량의 공기 흐름을 배기 공기 스트림으로 유도하는 입구 중심부(74)에서는 저압력 영역이 생성된다, 호스(78)에 의해 증폭기 매니폴드(58)에 연결된 Magnehelic 압력 모니터(76, 제3도)에 의해 압력을 모니터할 수 있다. Dwyer Instruments에서 적합한 압력 모니터를 제조한다. 배기 압력은 공기 증폭기(60) 내로 유입하는 압축된 공기(63)의 양을 변화시킴으로써 조절할 수 있다. 기체 방출물을 효율적으로 제거하기 위해서는 H2O의 1 내지 3인치의 배기 압력이 양호하게 작용한다. 공기 증폭기는 소형으로서 독립적으로 정확한 진공 제어를 제공한다. 진공이 연결된 사용자의 수에 따라 변화할 수 있는 경우에는 공통의 제조 면적 진공 훅업(a common manufacturing space vacuum hookup)은 바람직하지 않을 수 있다.
제3도를 다시 참조해 보면, 공기 증폭기(60)는 증폭기 매니폴드(58)를 통해 리드 프레임(50) 상에서의 흐름을 얻기에 충분한 저압력을, 그리고 배기 매니폴드(52)를 통해 고압력을 발생시킨다. 배기 매니폴드(52) 내의 스크린들(54)은 배기 흐름에 저항을 부가시켜 리드 프레임(50)의 폭 전체에 걸쳐 배기 매니폴드(52)의 하부내의 구멍들로부터 공기 흐름을 확산시키도록 작용한다. 배기 매니폴드(52)의 하부에 보다 근접한 스크린 전체에 걸친 공기 흐름은 구멍들쪽으로 이동할 때, 집중하려는 경향을 나타낸다. 다수의 스크린을 제공하면 공기 흐름이 확장되어 배기 매니폴드(52)의 상부에서 공기 흐름이 리드 프레임(50)의 폭 전체에 걸쳐 충분히 동일하게 된다. 본원에서는 4개의 스크린이 도시되어 있다. 디퓨저(52)를 보존하는 것은 단순히 스크린(54)을 제거하고, 세척/교체시킴으로써 용이해진다.
지금부터 제5도를 참조해 보면, 본 발명의 광 급속 큐어 성형 화합물 장치 및 방법을 개념적으로 도시하고 있다. 제2도에서와 같이, 제5도의 성형 화합물 큐어 장치는 반사기(20) 내에 수용되어 있는 램프(28)를 포함하고 있다. 램프의 전력은 컴퓨터로 제어할 수 있는 가감 저항기(rheostat, 36)에 의해 공급된다. 리드 프레임 트랙(26)은 리드 프레임(24)을 램프(28) 아래에서 보유시킨다. 리드 프레임(24)은 성형 화합물(80)로 캡슐화된 반도체 칩(도시 않됨)을 포함하고 있다. 일반적으로 성형 화합물은 재용융될 수 없는 열경화성 종류나 재용융될 수 있는 열가소성 종류의 중합체이다. 이들의 예로서는 에폭시 노볼락-기제의 성형 화합물, 폴리에스터, 페놀 및 실리콘이 포함된다, 전형적으로, 반도체 칩은 이송 성형에 의해 성형 화합물(80)로 캡슐화 된다. 램프(28)로부터 성형 화합물(80)을 향해 리드 프레임(24) 내의 슬릿을 통해 배면으로 이동하는 방사를 전달하기 위해 리드 프레임(24)의 하측 상에는 다른 반사기(30a)가 제공된다. 정화 공기(32)가 상부로부터 리드 프레임(24)으로 전달되며 다른 정화 공기(32a)가 하부로부터 리드 프레임으로 전달되어진다. 배기(82)는 반사기(30)와 리드 프레임 트랙(26) 사이의 측부를 통해 전달된다.
제5도를 계속 참조해 보면, 성형 화합물(80)을 큐어하기 위해서는 약 200℃의 온도에서 1시간 이하동안 램프원(28)에 성형 화합물(80)을 노출하는 것으로 충분하여 종래 기술의 오븐 큐어 방법에 비해 큐어링 프로세스의 속도가 사실상 증가되는 것으로 여겨진다. 물론, 성형 화합물(80)의 형태(type)와 두께에 따라 온도와 시간을 조절할 수 있다. 좌우간, 성형 화합물 램프 큐어링은 오븐 큐어링보다 훨씬신속하다. 반사기(30 및 30a)는 램프(28)로부터 성형 화합물(80)로의 직접 방사를 도와준다. 정화 공기(32 및 32a)는 배기(82)와 결합하여 성형 화합물(80)로부터 나온 해로운 기체 방출물 및 파편들을 제거시킨다. 성형 화합물 큐어 장치는 어셈블리 라인공정시 백 엔드 제조 장비의 독립 부분으로서 구성될 수 있다.
지금부터 제6도를 참조해 보면, 광 성형 화합물 큐어 장치의 다른 실시예에대한 개념을 도시하고 있다, 이 장치는 리드 프레임(24)의 각 측상에 제공된 두개의 램프(28 및 28a)를 갖고 있다. 이러한 두 램프 시스템에 의해 리드 프레임의 하측 상에 있는 성형 화합물은 충분히 가열되어 적절하게 큐어된다. 리드 프레임(24)의 하측 상에는 다른 배기 출구(82a)가 제공된다.
본원에서 기술된 광 가열 큐어 프로세스에 의한 다이 접착 및 성형 화합물은 다수의 장점을 갖고 있다. 스냅 큐어 다이 접착시에 이용되는 대부분의 중합체들은 약 1분동안 큐어될 수 있다. 실리콘 칩과 리드 프레임 물질간에서의 열적 부정합이 최소로 되기 때문에 다이 접착으로 인한 비틀림(warpage)이 저에너지 흡수에 의해 리드 프레임 온도가 낮아지고 가열기 블럭 스냅 큐어 또는 오븐 큐어보다 산화가 덜 일어나며, 선택적 가열이 가능하다. 다이 표면은 리드 프레임을 직접 통하는 효율적인 기체 방출 배기 제거에 의해 청정(clean)된다. 리드 프레임의 다이 접착대의 후면측은 열판(hot plate)과 접착하지 않게 되므로 청정된다. 램프 큐어 후에 다이접착의 저항은 종래의 오븐 큐어에서 보다 훨씬 낮고 가열기 블럭 큐어와 거의 동일하다. 다이 접착 및 성형 화합물 큐어용 광 급속 큐어 장치는 비교적 단순하고, 작은 풋프린트(a small footprint)를 가지며, 작동 및 보존이 용이하며 자동화된 집적회로 패키징 공정 흐름에서 구현하기에 용이하다.
비록 지금까지는 다이 접착 램프 장치 및 프로세스를 반도체 칩이 금속 리드 프레임에 접착되는 것에 대해서 기술하였더라도, 이러한 기술에만 국한되지 않고 램프 큐어 프로세스는 반도체 다이를 세라믹 패키지로 본딩하는 것에도 적용 가능하다. 상술된 바와 같이, 램프 프로세스는 공융 합금 본딩 및 중합체 본딩을 포함한 모든 형의 칩 본딩에 적합하다.
비록 본 발명이 예시된 실시예에 대해서만 기술되어졌더라도, 이러한 기술에만 국한되는 것은 아니다. 본 기술 분야에 숙련된 사람은 이러한 기술로부터 여러가지의 변형 실시예를 실시할 수 있을 것이다. 따라서, 첨부된 특허 청구의 범위는 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않는 한 모든 변형 실시예를 포함한다는 것에 주목할 필요가 있다.
제1도는 가열기 블럭 스냅 큐어 중합체 본딩 방법을 나타내는 종래 기술.
제2도는 본 발명의 광 급속 다이 접착 큐어 장치 및 방법을 나타내는 개념도.
제3도는 바람직한 실시예의 광 급속 다이 접착 큐어 장치를 나타내는 부분적인 사시도.
제4도는 제3도의 공기 증폭기를 나타내는 도면.
제5도는 본 발명의 광 급속 큐어 성형 화합물 장치 및 방법을 도시하는 개념도.
제6도는 다른 광 급속 큐어 성형 화합물 장치 및 방법을 나타내는 개념도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : 다이 24, 50 : 리드 프레임
40 : 광 급속 큐어 장치 42 : 광 가열원

Claims (1)

  1. 반도체 장치를 캡슐화하는데 사용되는 성형 화합물을 큐어링하는 방법에 있어서,
    상기 반도체 장치를 이송 성형(transfer molding)에 의해 성형 화합물로 캡슐화하는 단계와,
    상기 캡슐화된 반도체 장치를, 큐어링 중 램프를 통과하는 전류가 변동될 때, 0.8 미크론에서 2.8 미크론 사이의 파장을 갖는 광을 발광하는 비집속 근적외선 램프(unfocused near infrared lamp)에 노광시킴으로써 상기 성형 화합물을 큐어링하는 단계를 포함하는 성형 화합물 큐어링 방법.
KR1019950014791A 1994-06-07 1995-06-05 성형화합물큐어링방법 KR100377981B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25520094A 1994-06-07 1994-06-07
US08/255,200 1994-06-07
US08/255200 1994-06-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960002709A KR960002709A (ko) 1996-01-26
KR100377981B1 true KR100377981B1 (ko) 2003-05-27

Family

ID=22967277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950014791A KR100377981B1 (ko) 1994-06-07 1995-06-05 성형화합물큐어링방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5846476A (ko)
EP (2) EP0723289A3 (ko)
JP (1) JPH08340013A (ko)
KR (1) KR100377981B1 (ko)
SG (1) SG71753A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049369B1 (ko) * 2009-03-10 2011-07-14 오성엘에스티(주) 인라인 타입 큐어장치
KR20200104426A (ko) * 2018-01-25 2020-09-03 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 본딩 기계용 본딩 툴, 반도체 요소를 본딩하기 위한 본딩 기계, 및 관련 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6041994A (en) * 1994-06-07 2000-03-28 Texas Instruments Incorporated Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source
US5783025A (en) * 1994-06-07 1998-07-21 Texas Instruments Incorporated Optical diebonding for semiconductor devices
TW312045B (en) 1995-04-25 1997-08-01 Texas Instruments Inc Radiant chamber and method for lid seal in ceramic packaging
TW315493B (en) * 1996-02-28 1997-09-11 Tokyo Electron Co Ltd Heating apparatus and heat treatment apparatus
US5993591A (en) * 1996-12-18 1999-11-30 Texas Instruments Incorporated Coring of leadframes in carriers via radiant heat source
US6730541B2 (en) * 1997-11-20 2004-05-04 Texas Instruments Incorporated Wafer-scale assembly of chip-size packages
ID21876A (id) * 1998-02-26 1999-08-05 Sumitomo Wiring Systems Pembawa angkutan, sistem pemanasan untuk penggunaan bersamanya dan metoda untuk menutup bagian sambungan kawat
US6299804B1 (en) * 1999-09-16 2001-10-09 Husky Injection Molding Systems Ltd. Air cooling system for preform molding
DE10147789B4 (de) * 2001-09-27 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verlöten von Kontakten auf Halbleiterchips
JP3786097B2 (ja) * 2002-03-25 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイスの蓋封止方法及び圧電デバイスの製造方法並びに圧電デバイスの蓋封止装置
JP4421218B2 (ja) * 2003-05-21 2010-02-24 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7288472B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-30 Intel Corporation Method and system for performing die attach using a flame
DE102005029407B4 (de) * 2005-06-24 2008-06-19 Mühlbauer Ag Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Verbinden integrierter Schaltungen mit einem Substrat
US7826724B2 (en) * 2006-04-24 2010-11-02 Nordson Corporation Electronic substrate non-contact heating system and method
DE102006054357A1 (de) * 2006-11-17 2008-05-21 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Sockel für eine Reflektor-Lampenanordnung
US20130256281A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Tatsumi Tsuchiya Solder-jet nozzle, laser-soldering tool, and method, for lasersoldering head-connection pads of a head-stack assembly for a hard-disk drive
JP6266167B2 (ja) * 2015-11-05 2018-01-24 古河電気工業株式会社 ダイボンディング装置およびダイボンディング方法
JP6419256B1 (ja) * 2017-04-28 2018-11-07 株式会社 後島精工 ボンディング装置の不活性ガスフローシステム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930470A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 Hitachi Ltd 配線基板のハンダ付方法
JPS6442136A (en) * 1987-08-07 1989-02-14 Nitto Denko Corp Manufacture of semiconductor device

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2388042A (en) * 1943-02-17 1945-10-30 Gen Motors Corp Method of sealing storage batteries
US2638633A (en) * 1949-09-08 1953-05-19 United Shoe Machinery Corp Molding of resin dispersions
US2941934A (en) * 1957-01-16 1960-06-21 Gen Aniline & Film Corp Polymerization by temperature controlled irradiation
US4167669A (en) * 1971-09-09 1979-09-11 Xenon Corporation Apparatus for rapid curing of resinous materials and method
JPS5475065A (en) * 1977-11-28 1979-06-15 Asahi Chemical Ind Preparation of film circuit substrate
JPS562646A (en) * 1979-06-22 1981-01-12 Hitachi Ltd Removal and reinstallation of silicon chip
US4460537A (en) * 1982-07-26 1984-07-17 Motorola, Inc. Slot transfer molding apparatus and methods
EP0114258A1 (en) * 1982-11-30 1984-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin encapsulation type photo-semiconductor devices
US4699888A (en) * 1985-09-16 1987-10-13 Technology Glass Corporation Die/attach composition
FR2592221B1 (fr) * 1985-12-20 1988-02-12 Radiotechnique Compelec Procede d'encapsulation d'un composant electronique au moyen d'une resine synthetique
JPH0674479B2 (ja) * 1986-10-09 1994-09-21 スカイアルミニウム株式会社 リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料
JPS63283054A (ja) * 1987-03-11 1988-11-18 Fuji Plant Kogyo Kk ピン保持部付リードフレームの製造方法
JPS6451619A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Dainippon Screen Mfg Heat treatment equipment for substrate
DE3871044D1 (de) * 1987-09-16 1992-06-17 Siemens Ag Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe.
DE3739333C2 (de) * 1987-11-20 1995-04-20 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung von Klebeverbindungen für Elektronik- und Mikroelektronikanwendungen
DE3806738C1 (ko) * 1988-03-02 1989-09-07 Espe Stiftung & Co Produktions- Und Vertriebs Kg, 8031 Seefeld, De
JP2684677B2 (ja) * 1988-05-25 1997-12-03 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US4913930A (en) * 1988-06-28 1990-04-03 Wacker Silicones Corporation Method for coating semiconductor components on a dielectric film
KR0157844B1 (ko) * 1988-07-15 1998-10-15 모리나카 마사미 수지봉지형 반도체장치 및 제조방법
JPH0322543A (ja) * 1989-06-05 1991-01-30 Siemens Ag 電子デバイスの被覆方法及び装置
JPH0482215A (ja) * 1990-07-25 1992-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd ランプアニール装置
US4996170A (en) * 1990-07-30 1991-02-26 Motorola, Inc. Molding process for encapsulating semiconductor devices using a thixotropic compound
DE4127009C2 (de) * 1991-08-16 1994-07-28 Brkljacic Silva Geb Marjanovic Verfahren zum Prüfen von fotopolymeren Lötabdeckmasken, die auf Leiterplatten aus glasfaserverstärktem Epoxidharz aufgetragen sind und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP3175979B2 (ja) * 1992-09-14 2001-06-11 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930470A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 Hitachi Ltd 配線基板のハンダ付方法
JPS6442136A (en) * 1987-08-07 1989-02-14 Nitto Denko Corp Manufacture of semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049369B1 (ko) * 2009-03-10 2011-07-14 오성엘에스티(주) 인라인 타입 큐어장치
KR20200104426A (ko) * 2018-01-25 2020-09-03 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 본딩 기계용 본딩 툴, 반도체 요소를 본딩하기 위한 본딩 기계, 및 관련 방법
CN111656505A (zh) * 2018-01-25 2020-09-11 库利克和索夫工业公司 用于焊接机的焊接工具、用于焊接半导体元件的焊接机及相关方法
CN111656505B (zh) * 2018-01-25 2024-01-30 库利克和索夫工业公司 用于焊接机的焊接工具、用于焊接半导体元件的焊接机及相关方法
KR102658356B1 (ko) * 2018-01-25 2024-04-18 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 본딩 기계용 본딩 툴, 반도체 요소를 본딩하기 위한 본딩 기계, 및 관련 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5846476A (en) 1998-12-08
KR960002709A (ko) 1996-01-26
EP0723289A3 (en) 1997-04-09
EP0723289A2 (en) 1996-07-24
SG71753A1 (en) 2000-04-18
JPH08340013A (ja) 1996-12-24
EP0691679A2 (en) 1996-01-10
EP0691679A3 (en) 1996-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5783025A (en) Optical diebonding for semiconductor devices
KR100377981B1 (ko) 성형화합물큐어링방법
US5117279A (en) Semiconductor device having a low temperature uv-cured epoxy seal
US6602740B1 (en) Encapsulation of microelectronic assemblies
US20040169024A1 (en) Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US20070095280A1 (en) Method and apparatus for attaching a workpiece to a workpiece support
KR100370986B1 (ko) 와이어본딩장치 및 방법
US20150243534A1 (en) Copper Wire Bonding Apparatus Using A Purge Gas to Enhance Ball Bond Reliability
US6041994A (en) Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source
US8444044B2 (en) Apparatus and methods for forming wire bonds
JP3303832B2 (ja) フリップチップボンダー
KR20030011887A (ko) 적외선 가열에 의한 솔더 범프 및 와이어 본딩
US6107606A (en) Method and apparatus for measuring temperatures during electronic package assembly
JPS63228728A (ja) 半導体チツプのダイボンデイング装置
KR19980064248A (ko) 방사 열원을 통한 캐리어 내의 리드프레임의 경화
KR100338018B1 (ko) Ic다이와기판간의본딩을위한다이부착물을설비없이큐어하는방법
US6226452B1 (en) Radiant chamber for simultaneous rapid die attach and lead frame embed for ceramic packaging
US6318622B1 (en) High power hybrid modules assembly using vacuum oven for permanent electrical connections
JPH10340914A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3216314B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置
JPH11251335A (ja) 半導体素子の実装装置及びその実装方法
US20030194831A1 (en) Adhesive die attachment method for a semiconductor die and arrangement for carrying out the method
JPH0951162A (ja) 電子部品搭載装置
JPH10189643A (ja) タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法
JPH07193100A (ja) ボンディング方法およびボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110225

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee