JP2684677B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、成形
後の残留応力が低減される半導体装置の製造方法に関す
る。
後の残留応力が低減される半導体装置の製造方法に関す
る。
［従来の技術］ 従来、半導体プラスチックパッケージは、次のように
して製造されている。これを第８図を参照して説明す
る。
して製造されている。これを第８図を参照して説明す
る。
先ず、レジンタブレット１を170〜250℃程度に加熱し
た金型4,5で形成されたポット２の中に投入する（第８
図（ａ）参照）。そして、同図（ｂ）に示すように、プ
ランジャ３によりレジンタブレット１を押圧し、レジン
を型内へ注入する。溶融したレジン12は、ランナ６、ゲ
ート７を通って上型４と下型５で形成されたキャビティ
９に流入する。この際、リードフレーム10は、予め金型
４と５の間に挿入しておく。次に、同図（ｃ）のよう
に、レジン12がキャビティ９内に完全充填し、モールド
完了となる。その後、この状態に20〜180sec保持し加熱
硬化をさせ、つぎに、同図（ｄ）に示すように、上型４
と下型５を分離し、突出しピン11によって、金型４およ
び５から離型して最終的に成形品13を得る。
た金型4,5で形成されたポット２の中に投入する（第８
図（ａ）参照）。そして、同図（ｂ）に示すように、プ
ランジャ３によりレジンタブレット１を押圧し、レジン
を型内へ注入する。溶融したレジン12は、ランナ６、ゲ
ート７を通って上型４と下型５で形成されたキャビティ
９に流入する。この際、リードフレーム10は、予め金型
４と５の間に挿入しておく。次に、同図（ｃ）のよう
に、レジン12がキャビティ９内に完全充填し、モールド
完了となる。その後、この状態に20〜180sec保持し加熱
硬化をさせ、つぎに、同図（ｄ）に示すように、上型４
と下型５を分離し、突出しピン11によって、金型４およ
び５から離型して最終的に成形品13を得る。
この成形品を室温まで冷却する。この時の冷却は自然
放冷である。その後、室温まで冷えた成形品を多数まと
めて、再びバッチ処理により高温（180℃程度）まで上
昇させ、５〜6hr保持し、２次キュア加熱をし、その
後、自然放冷を行なっている。
放冷である。その後、室温まで冷えた成形品を多数まと
めて、再びバッチ処理により高温（180℃程度）まで上
昇させ、５〜6hr保持し、２次キュア加熱をし、その
後、自然放冷を行なっている。
［発明が解決しようとする課題］ このようにして作製されたレジンモールド半導体パッ
ケージは、熱的、機械的性質の異なるリードフレーム、
レジン等の異種材料から構成されているために、機械的
ストレスや熱的ストレスといった外部環境により、パッ
ケージ内にクラックやリードフレーム界面の剥離が生じ
るなどの不良が発生するという問題があった。
ケージは、熱的、機械的性質の異なるリードフレーム、
レジン等の異種材料から構成されているために、機械的
ストレスや熱的ストレスといった外部環境により、パッ
ケージ内にクラックやリードフレーム界面の剥離が生じ
るなどの不良が発生するという問題があった。
この原因は、リードフレームとレジンの性質の違い、
すなわちリードフレームとレジンの線膨張係数や縦弾性
係数など熱的・機械的性質が異なるためである。
すなわちリードフレームとレジンの線膨張係数や縦弾性
係数など熱的・機械的性質が異なるためである。
すなわち、従来技術は、プラスチック半導体パッケー
ジを金型から取り出す工程において、その温度変化に従
って生じる熱ストレス等が考慮されておらず、パッケー
ジ内の残留応力等が大きくなっていた。これによりパッ
ケージクラック、変形等の不良が発生するという問題が
あった。
ジを金型から取り出す工程において、その温度変化に従
って生じる熱ストレス等が考慮されておらず、パッケー
ジ内の残留応力等が大きくなっていた。これによりパッ
ケージクラック、変形等の不良が発生するという問題が
あった。
また、室温まで冷却した成形品を多数まとめてバッチ
処理による高温処理（２次キュア）を長時間行なうた
め、成形後の後工程の一貫自動化の面で著しく不便であ
った。
処理による高温処理（２次キュア）を長時間行なうた
め、成形後の後工程の一貫自動化の面で著しく不便であ
った。
なお、パッケージの残留応力については、「電子部品
トラブルと防止対策−総合技術資料集」（ソフト技研出
版部，昭和58年,P235〜P243）にもわずかに記載されて
るが、上記問題点の解決には十分なものではない。
トラブルと防止対策−総合技術資料集」（ソフト技研出
版部，昭和58年,P235〜P243）にもわずかに記載されて
るが、上記問題点の解決には十分なものではない。
近年、半導体プラスチックパッケージは、チップが大
型化する反面、小型・薄肉化の傾向にある。このため、
パッケージ強度が弱くなり、わずかな外力や熱ストレス
によってレジンクラック等の不良が生じやすい。従っ
て、上記した従来の製造方法では、この点がより大きな
問題となってくるため、解決が急がれる課題となってい
る。
型化する反面、小型・薄肉化の傾向にある。このため、
パッケージ強度が弱くなり、わずかな外力や熱ストレス
によってレジンクラック等の不良が生じやすい。従っ
て、上記した従来の製造方法では、この点がより大きな
問題となってくるため、解決が急がれる課題となってい
る。
本発明の目的は、成形後の残留応力の低減を図ること
ができ、また、成形時間の短縮を図ることができる、半
導体装置の製造方法を提供することにある。
ができ、また、成形時間の短縮を図ることができる、半
導体装置の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 発明者らは、熱粘弾性応力解析手法（特開昭62−1826
29号公報参照）を用い、リードフレームとレジンの界面
に生じる残留応力を、鋭意研究の結果、第２図に示すご
とく、ガラス転移温度が高くなるにしたがい、リードフ
レーム界面に生じる残留応力は減少する、という結論を
得た。
29号公報参照）を用い、リードフレームとレジンの界面
に生じる残留応力を、鋭意研究の結果、第２図に示すご
とく、ガラス転移温度が高くなるにしたがい、リードフ
レーム界面に生じる残留応力は減少する、という結論を
得た。
すなわち、本発明者らは、パッケージ内に生じる残留
応力を低減させるには、加熱を行なうことにより、レジ
ンのガラス転移温度の適正化を図ればよいことに想致し
た。
応力を低減させるには、加熱を行なうことにより、レジ
ンのガラス転移温度の適正化を図ればよいことに想致し
た。
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様によれ
ば、半導体装置の製造方法において、チップをレジンモ
ールドして成形した後、その成形品を加熱しながら収納
装置へ移送し、前記収納装置に一定時間収納することを
特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
ば、半導体装置の製造方法において、チップをレジンモ
ールドして成形した後、その成形品を加熱しながら収納
装置へ移送し、前記収納装置に一定時間収納することを
特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の第２の態様によれば、半導体装置の製造方法
において、チップをレジンモールドして成形した後、そ
の成形品をレジンのガラス転移温度より高い温度で加熱
しながら収納装置へ移送し、前記収納装置に一定時間収
納することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供さ
れる。
において、チップをレジンモールドして成形した後、そ
の成形品をレジンのガラス転移温度より高い温度で加熱
しながら収納装置へ移送し、前記収納装置に一定時間収
納することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供さ
れる。
また第３の態様によれば、半導体装置の製造方法にお
いて、チップをレジンのガラス転移温度より高い温度で
レジンモールドして成形した後、その成形品を前記レジ
ンモールドされた温度より高い温度で加熱しながら収納
装置へ移送し、前記収納装置に一定時間収納することを
特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
いて、チップをレジンのガラス転移温度より高い温度で
レジンモールドして成形した後、その成形品を前記レジ
ンモールドされた温度より高い温度で加熱しながら収納
装置へ移送し、前記収納装置に一定時間収納することを
特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の第４の態様によれば、チップをレジン
モールドする第一の工程と、前記レジンモールドされた
成形品を後段の工程に移送する第二の工程と、前記移送
された成形品を収容してレジンを硬化させる第三の工程
とを含む半導体製造方法であって、前記第一、第二およ
び第三の工程で前記成形品の温度管理して半導体装置を
製造することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供
される。
モールドする第一の工程と、前記レジンモールドされた
成形品を後段の工程に移送する第二の工程と、前記移送
された成形品を収容してレジンを硬化させる第三の工程
とを含む半導体製造方法であって、前記第一、第二およ
び第三の工程で前記成形品の温度管理して半導体装置を
製造することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供
される。
上記第４の態様において、前記第一および第二の工程
での成形品の温度は、例えば、レジンのガラス転移温度
より高くなるように管理する。
での成形品の温度は、例えば、レジンのガラス転移温度
より高くなるように管理する。
また、前記第一の工程での成形品の温度は、例えば、
レジンのガラス転移温度より高くなるように管理し、前
記第二の工程での成形品の温度を、前記第一の工程で管
理する温度より高くなるように管理する。
レジンのガラス転移温度より高くなるように管理し、前
記第二の工程での成形品の温度を、前記第一の工程で管
理する温度より高くなるように管理する。
さらに、前記第三の工程での成形品の温度は、例え
ば、レジンのガラス転移温度より高い温度に維持した
後、室温に下げるように管理する。
ば、レジンのガラス転移温度より高い温度に維持した
後、室温に下げるように管理する。
なお、上記各態様において、前記レジンモールドして
成形した後の加熱は、例えば、赤外線、熱風、高周波加
熱、マイクロ波加熱、電子ビーム加熱のうちの少なくと
も１つを用いることができる。
成形した後の加熱は、例えば、赤外線、熱風、高周波加
熱、マイクロ波加熱、電子ビーム加熱のうちの少なくと
も１つを用いることができる。
本発明の製造方法を実現するために用いられる製造装
置としては、成形機、搬送機構および加熱収納機構を有
する製造装置が挙げられる。この製造装置は、チップを
搭載したリードフレームをレジンモールドする成形機
と、成形品を加熱して、モールドされたレジンを反応さ
せる加熱収納機構と、該成形機で成形された成形品を加
熱収納機構に搬送する搬送機構とを備えることを特徴と
する。
置としては、成形機、搬送機構および加熱収納機構を有
する製造装置が挙げられる。この製造装置は、チップを
搭載したリードフレームをレジンモールドする成形機
と、成形品を加熱して、モールドされたレジンを反応さ
せる加熱収納機構と、該成形機で成形された成形品を加
熱収納機構に搬送する搬送機構とを備えることを特徴と
する。
搬送機構および加熱収納機構における加熱方式は、上
述した種々の加熱方式が採用できる。
述した種々の加熱方式が採用できる。
レジンのガラス転移温度は、示差走査熱量測定法によ
り求めることができる。
り求めることができる。
本発明で用いられるレジンは、特に限定はしないが、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、さら
には溶融石英フィラ50〜80vol％入りのフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂が好ましい。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、さら
には溶融石英フィラ50〜80vol％入りのフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂が好ましい。
本発明における半導体プラスチックパッケージが、レ
ジンモールドし、型開き後、成形（カル・ランナ分離）
されるにあたって、成形品ゲート部近傍のみを局部的に
瞬時に冷却し、プレス加圧等によってゲート切断する。
ゲート部近傍を冷却するにあたって、液体窒素、冷媒ガ
ス等を用いることが好ましい。
ジンモールドし、型開き後、成形（カル・ランナ分離）
されるにあたって、成形品ゲート部近傍のみを局部的に
瞬時に冷却し、プレス加圧等によってゲート切断する。
ゲート部近傍を冷却するにあたって、液体窒素、冷媒ガ
ス等を用いることが好ましい。
本発明における搬送機構は、レジンをモールドした
後、ハンドラーによって成形品を配列することが好まし
く、また、加熱方式としては、熱風加熱が好ましく、さ
らに、成形品のストック機構を有することが好ましい。
後、ハンドラーによって成形品を配列することが好まし
く、また、加熱方式としては、熱風加熱が好ましく、さ
らに、成形品のストック機構を有することが好ましい。
［作用］ 本発明によれば、レジンモールド後の成形品を、収納
装置に移送する際にも、成形品を加熱したり、また、温
度管理を行なうことにより、成形品の残留応力の低減を
図っている。
装置に移送する際にも、成形品を加熱したり、また、温
度管理を行なうことにより、成形品の残留応力の低減を
図っている。
また、連続製造工程は、成形機、搬送装置、加熱収納
装置を組合せ、温度を管理し、制御することにより、高
温処理時間を著しく短かくすることが可能となり、いわ
ゆる後工程の短納期化、生産合理化が実現される。
装置を組合せ、温度を管理し、制御することにより、高
温処理時間を著しく短かくすることが可能となり、いわ
ゆる後工程の短納期化、生産合理化が実現される。
［実施例］ 以下、本発明を実施例にて明らかにするが、これによ
って本発明が限定されるものではない。
って本発明が限定されるものではない。
本発明の実施に用いた装置を第１図に示す。
ゾーンＩは、レジンモールド半導体を成形するための
トランスファ成形機21である。ゾーンIIは、モールドさ
れた成形品（パッケージ22）の取り出しおよび搬送を自
動的に行なう搬送装置23である。この搬送装置23では、
成形品（パッケージ22）が搬送路面24を通過する過程に
おいて搬送路面上下に設置した加熱装置25で成形品（パ
ッケージ22）は高温に保持される。加熱方式は遠赤外加
熱を用いた。ゾーンIIIは搬送されてきた成形品（パッ
ケージ22）を多数同時に収納し、硬化促進のための加熱
収納装置26である。加熱方式は、熱風加熱方式である。
トランスファ成形機21である。ゾーンIIは、モールドさ
れた成形品（パッケージ22）の取り出しおよび搬送を自
動的に行なう搬送装置23である。この搬送装置23では、
成形品（パッケージ22）が搬送路面24を通過する過程に
おいて搬送路面上下に設置した加熱装置25で成形品（パ
ッケージ22）は高温に保持される。加熱方式は遠赤外加
熱を用いた。ゾーンIIIは搬送されてきた成形品（パッ
ケージ22）を多数同時に収納し、硬化促進のための加熱
収納装置26である。加熱方式は、熱風加熱方式である。
次に、第４図を用いて本発明の半導体プラスチックパ
ッケージの製造プロセスを説明する。
ッケージの製造プロセスを説明する。
すなわち、レジンをタブレット状に形成した後、金型
のポット内に投入し、モールドすることによってレジン
が加熱・硬化（現状では175℃×1.5分程度で行ってい
る）した後、リードフレームを装填した半導体パッケー
ジを金型から突出し離型し、不要なランナ、カル部を分
離・除去する。以上のような工程で半導体パッケージが
製造される。
のポット内に投入し、モールドすることによってレジン
が加熱・硬化（現状では175℃×1.5分程度で行ってい
る）した後、リードフレームを装填した半導体パッケー
ジを金型から突出し離型し、不要なランナ、カル部を分
離・除去する。以上のような工程で半導体パッケージが
製造される。
次に、このパッケージを自動搬送機構を用いて加熱し
ながら次の加熱槽の中へ収納する。この加熱槽は180℃
程度にて加熱保持されており、この中へ約1h程度収納す
ることによって、パッケージを完全に硬化させる。以上
のプロセスが完了した後、次の工程へ移動する。
ながら次の加熱槽の中へ収納する。この加熱槽は180℃
程度にて加熱保持されており、この中へ約1h程度収納す
ることによって、パッケージを完全に硬化させる。以上
のプロセスが完了した後、次の工程へ移動する。
次に本発明の実施例について、比較例と共に説明す
る。なお、比較例および実施例−1,2,3についての温度
履歴を第3A〜3D図に示す。
る。なお、比較例および実施例−1,2,3についての温度
履歴を第3A〜3D図に示す。
以下において用いたレジンは、無機フイラ充填エポキ
シ樹脂であって、溶融石英フィラ50〜80voi％入りのフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂である。この樹脂の
ガラス転移温度（Tg）は、135〜158℃である。
シ樹脂であって、溶融石英フィラ50〜80voi％入りのフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂である。この樹脂の
ガラス転移温度（Tg）は、135〜158℃である。
（比較例） トランスファ成形機21を用いて、成形時間（tm＝30〜
90秒）、成形温度（Tm＝170〜250℃）にて成形したパッ
ケージを、金型より取り出し、冷却温度Tc（10〜30℃程
度）まで自然放冷する。この時の冷却温度は、パッケー
ジの熱伝導率h1が500〜10,000kcal/m2h℃の範囲となっ
ている。このように室温まで冷却されたパッケージを数
ショット分まとめて、すなわち、tA〜tB間にt1＝１〜2h
経過後、tB〜tC間にT2（150〜250℃）まで加熱し、tC〜
tD間にt2＝５〜6h保持し２次硬化をして、レジン物性を
安定させた後、再び熱伝導率h1で自然放冷した。
90秒）、成形温度（Tm＝170〜250℃）にて成形したパッ
ケージを、金型より取り出し、冷却温度Tc（10〜30℃程
度）まで自然放冷する。この時の冷却温度は、パッケー
ジの熱伝導率h1が500〜10,000kcal/m2h℃の範囲となっ
ている。このように室温まで冷却されたパッケージを数
ショット分まとめて、すなわち、tA〜tB間にt1＝１〜2h
経過後、tB〜tC間にT2（150〜250℃）まで加熱し、tC〜
tD間にt2＝５〜6h保持し２次硬化をして、レジン物性を
安定させた後、再び熱伝導率h1で自然放冷した。
（実施例−１） 金型内にレジンタブレットを投入し、成形機21におい
て成形時間（tm＝30〜90秒）、成形金型温度（Tm＝170
〜230℃）にて成形したパッケージを、金型より取り出
し、成形金型温度に保持して搬送装置13により加熱収納
装置26まで移動した。
て成形時間（tm＝30〜90秒）、成形金型温度（Tm＝170
〜230℃）にて成形したパッケージを、金型より取り出
し、成形金型温度に保持して搬送装置13により加熱収納
装置26まで移動した。
パッケージを、加熱収納装置26内で成形金型温度のま
ま0.5〜1h収納保持した後、熱伝達率h1＝500〜10,000kc
al/m2h℃でレジンのガラス転移温度（Tg）より５〜10℃
高い温度まで冷却した。さらにh3＝0.1/50kcal/m2h℃で
ガラス転移点（Tg）より５〜10℃低い温度まで徐冷し
た。
ま0.5〜1h収納保持した後、熱伝達率h1＝500〜10,000kc
al/m2h℃でレジンのガラス転移温度（Tg）より５〜10℃
高い温度まで冷却した。さらにh3＝0.1/50kcal/m2h℃で
ガラス転移点（Tg）より５〜10℃低い温度まで徐冷し
た。
その後、室温までh4＝500〜20,000kcal/m2h℃と冷却
速度を上げて冷却した。
速度を上げて冷却した。
（実施例−２） パッケージを、実施例−１と同様なプロセスを経て成
形し、ガラス転移点（Tg）より５〜10℃高い温度まで冷
却した。
形し、ガラス転移点（Tg）より５〜10℃高い温度まで冷
却した。
その後、加熱収納装置26で、この温度にて0.5〜1h程
度保持した後に、実施例−１と同様に室温へ冷却した。
度保持した後に、実施例−１と同様に室温へ冷却した。
（実施例−３） 実施例−１と同様にして作られたパッケージの成形
後、パッケージを、搬送装置23内で金型より取り出し、
熱伝達率h1で成形金型温度（Tm）より５〜10℃高い温度
で加熱した。搬送装置23によりパッケージを加熱収納装
置26に移動した後、加熱収納装置26にても、成形金型温
度より５〜10℃高い温度で加温し、0.5〜1h程度保持し
た。さらに、加熱収納装置26内でガラス転移温度（Tg）
より５〜10℃高い温度まで熱伝達率h1で冷却後、0.5〜1
h程度保持した。その後、実施例−１と同様に室温まで
冷却した。
後、パッケージを、搬送装置23内で金型より取り出し、
熱伝達率h1で成形金型温度（Tm）より５〜10℃高い温度
で加熱した。搬送装置23によりパッケージを加熱収納装
置26に移動した後、加熱収納装置26にても、成形金型温
度より５〜10℃高い温度で加温し、0.5〜1h程度保持し
た。さらに、加熱収納装置26内でガラス転移温度（Tg）
より５〜10℃高い温度まで熱伝達率h1で冷却後、0.5〜1
h程度保持した。その後、実施例−１と同様に室温まで
冷却した。
（実施例−４） パッケージの成形後、パッケージは金型より取り出さ
れることなく、金型温度にて加熱された後、加熱を行な
わずに搬送装置を移動、加熱収納装置に収納された。パ
ッケージは加熱収納装置内で金型温度にて0.5〜1h程度
収納保持された。その後、実施例−１と同様にして冷却
された。
れることなく、金型温度にて加熱された後、加熱を行な
わずに搬送装置を移動、加熱収納装置に収納された。パ
ッケージは加熱収納装置内で金型温度にて0.5〜1h程度
収納保持された。その後、実施例−１と同様にして冷却
された。
実施例−４についても実施例−1,2,3と同様な性能解
析を行い、同様な結果を得た。
析を行い、同様な結果を得た。
以上説明した、比較例および実施例−1,2,3につい
て、 第５図にパッケージ内残留応力を、第６図にモールド
工程からの処理時間を、第７図に成形品の温度サイクル
試験の結果を示した。
て、 第５図にパッケージ内残留応力を、第６図にモールド
工程からの処理時間を、第７図に成形品の温度サイクル
試験の結果を示した。
これらより明らかなように、本発明は20〜30％程度の
パッケージの低応力化が図れ、工程時間は1/8程度短縮
され、20〜30％程度の不良率が低下される。従って、生
産工程の合理化、連続化ならびに製品の高信頼化が図れ
る。
パッケージの低応力化が図れ、工程時間は1/8程度短縮
され、20〜30％程度の不良率が低下される。従って、生
産工程の合理化、連続化ならびに製品の高信頼化が図れ
る。
［発明の効果］ 本発明によれば、パッケージ内に生ずる残留応力を従
来より20〜30％程度低減する効果がある。また、工程時
間の短縮および後工程の連続化が可能となる効果があ
る。これらよりハイサイクル成形が可能となる。以上の
ことより、製品の信頼性も大幅に向上する。
来より20〜30％程度低減する効果がある。また、工程時
間の短縮および後工程の連続化が可能となる効果があ
る。これらよりハイサイクル成形が可能となる。以上の
ことより、製品の信頼性も大幅に向上する。
第１図は本発明を実施するために用いる製造装置を示す
正面図、第２図は熱粘弾性応力解析結果を示すグラフ、
第3A〜3D図は比較例および実施例−1,2,3についての温
度履歴を示すグラフ、第４図は本発明半導体プラスチッ
クパッケージの製造工程を示すフローチャート、第５図
〜第７図は、各実施例および比較例についての比較を示
し、第５図はパッケージ内残留応力の比較を示すグラ
フ、第６図はモールド工程からの処理時間の比較を示す
グラフ、第７図は成形品の温度サイクル試験結果の比較
を示すグラフ、第８図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）
は半導体プラスチックパッケージの製造工程を示す断面
図である。 １……タブレット ２……ポット ３……プランジャ ４……上型 ５……下型 ６……ランナ ７……ゲート ９……キャビティ 10……リードフレーム 21……トランスファ成形機 22……パッケージ（成形品） 23……搬送装置 24……搬送路面 25……加熱装置 26……加熱収納装置 27……次工程搬送路
正面図、第２図は熱粘弾性応力解析結果を示すグラフ、
第3A〜3D図は比較例および実施例−1,2,3についての温
度履歴を示すグラフ、第４図は本発明半導体プラスチッ
クパッケージの製造工程を示すフローチャート、第５図
〜第７図は、各実施例および比較例についての比較を示
し、第５図はパッケージ内残留応力の比較を示すグラ
フ、第６図はモールド工程からの処理時間の比較を示す
グラフ、第７図は成形品の温度サイクル試験結果の比較
を示すグラフ、第８図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）
は半導体プラスチックパッケージの製造工程を示す断面
図である。 １……タブレット ２……ポット ３……プランジャ ４……上型 ５……下型 ６……ランナ ７……ゲート ９……キャビティ 10……リードフレーム 21……トランスファ成形機 22……パッケージ（成形品） 23……搬送装置 24……搬送路面 25……加熱装置 26……加熱収納装置 27……次工程搬送路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷部 昭男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 三谷 正男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−1234（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−86714（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】半導体装置の製造方法において、チップを
レジンモールドして成形した後、その成形品をレジンの
ガラス転移温度より高い温度で加熱しながら収納装置へ
移送し、前記収納装置に一定時間収納することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記レジンモールドして成形した後の加熱
を、赤外線、熱風、高周波加熱、マイクロ波加熱および
電子ビーム加熱のうちの少なくとも１つを用いて行なう
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】チップをレジンモールドする第一の工程
と、前記レジンモールドされた成形品を後段の工程に移
送する第二の工程と、前記移送された成形品を収容して
レジンを硬化させる第三の工程とを含む半導体製造方法
であって、 前記第一および第二の工程での成形品の温度を、レジン
のガラス転移温度より高くなるように管理することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】チップをレジンモールドする第一の工程
と、前記レジンモールドされた成形品を後段の工程に移
送する第二の工程と、前記移送された成形品を収容して
レジンを硬化させる第三の工程とを含む半導体製造方法
であって、 前記第一の工程での成形品の温度を、レジンのガラス転
移温度より高くなるように管理し、前記第二の工程での
成形品の温度を、前記第一の工程で管理する温度より高
くなるように管理することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】前記第三の工程での成形品の温度を、レジ
ンのガラス転移温度より高い温度に維持した後、室温に
下げるように管理することを特徴とする請求項３および
４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128077A JP2684677B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/353,256 US5110515A (en) | 1988-05-25 | 1989-05-16 | Method of encapsulating semiconductor chips |
| KR1019890006716A KR920009914B1 (ko) | 1988-05-25 | 1989-05-19 | 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법 |
| DE3916785A DE3916785C2 (de) | 1988-05-25 | 1989-05-23 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128077A JP2684677B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297831A JPH01297831A (ja) | 1989-11-30 |
| JP2684677B2 true JP2684677B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=14975860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128077A Expired - Fee Related JP2684677B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5110515A (ja) |
| JP (1) | JP2684677B2 (ja) |
| KR (1) | KR920009914B1 (ja) |
| DE (1) | DE3916785C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2504607B2 (ja) * | 1990-06-14 | 1996-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び製造方法 |
| DE4314284A1 (de) * | 1993-04-30 | 1994-11-03 | Telefunken Microelectron | Verfahren zum Bestimmen von mechanischen Grenzflächeneigenschaften bei integrierten Schaltkreisen |
| TW257745B (ja) * | 1993-07-22 | 1995-09-21 | Towa Kk | |
| US6007316A (en) * | 1993-07-22 | 1999-12-28 | Towa Corporation | Apparatus for molding resin to seal electronic parts |
| US5622731A (en) * | 1993-09-10 | 1997-04-22 | Fierkens; Richard H. J. | Automatic post mold curing apparatus for use in providing encapsulated semiconductor chips and method therefor |
| US5478517A (en) * | 1994-02-28 | 1995-12-26 | Gennum Corporation | Method for molding IC chips |
| KR100377981B1 (ko) * | 1994-06-07 | 2003-05-27 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 성형화합물큐어링방법 |
| ATE208706T1 (de) | 1997-03-14 | 2001-11-15 | Dow Chemical Co | Nachhärtungsverfahren für reaktionseinspritzgeformte polyurethane |
| US6306331B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-10-23 | International Business Machines Corporation | Ultra mold for encapsulating very thin packages |
| US20090022875A1 (en) * | 2004-08-11 | 2009-01-22 | Koji Asama | Fat-and-oil compositions for inhibiting the migration of water in food and foods made by using the same |
| JP4687273B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 電子部品の実装方法 |
| NL2000356C2 (nl) * | 2006-12-05 | 2008-06-06 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het omhullen van elektronische componenten waarbij het omhulmateriaal wordt gekoeld. |
| JP2010179401A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP5652027B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2015-01-14 | 株式会社リコー | プラスチック成形品、プラスチック成形品の成形方法、および該プラスチック成形品を有する光走査装置 |
| JP5693160B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 複合光学素子の製造方法、製造装置、及び応力除去方法 |
| US9662812B2 (en) * | 2012-02-14 | 2017-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for molding integrated circuits |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4017495A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Encapsulation of integrated circuits |
| JPS571234A (en) * | 1980-06-04 | 1982-01-06 | Hitachi Ltd | Method for resin molding |
| DE3163054D1 (en) * | 1980-06-05 | 1984-05-17 | Toshiba Kk | Resin encapsulation type semiconductor device |
| JPS5717153A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Asahi Glass Co Ltd | Sealing method of electronic parts |
| JPS5886714A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
| JPS6153321A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0643924B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1994-06-08 | 株式会社日立製作所 | 複合材料の熱応力の測定方法 |
| US4842800A (en) * | 1987-10-01 | 1989-06-27 | General Electric Company | Method of encapsulating electronic devices |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63128077A patent/JP2684677B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-16 US US07/353,256 patent/US5110515A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 KR KR1019890006716A patent/KR920009914B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-05-23 DE DE3916785A patent/DE3916785C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890017786A (ko) | 1989-12-18 |
| JPH01297831A (ja) | 1989-11-30 |
| KR920009914B1 (ko) | 1992-11-06 |
| DE3916785C2 (de) | 1995-11-16 |
| US5110515A (en) | 1992-05-05 |
| DE3916785A1 (de) | 1989-11-30 |
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