JPH10189643A - タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法 - Google Patents
タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスのボンディング工程の改良。
【解決手段】 ２ミクロンより大きく０．５ミクロンよ
り小さい熱エネルギーに関連して約０．５から約２ミク
ロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非焦
点熱源（２８）は、第１及び第２の構造に同時に熱を送
り、第２の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第２の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
り小さい熱エネルギーに関連して約０．５から約２ミク
ロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非焦
点熱源（２８）は、第１及び第２の構造に同時に熱を送
り、第２の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第２の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路パッケー
ジ・アセンブリの選択された部分を高速に加熱する装置
に関し、更に詳細には、領域全体が熱源からの熱発生放
射を受ける間、領域の所定の部分を選択的に加熱するこ
との可能な熱源を用いるこのような加熱に関連し、この
熱源はタングステン・ハロゲン光源であることが好まし
い。
ジ・アセンブリの選択された部分を高速に加熱する装置
に関し、更に詳細には、領域全体が熱源からの熱発生放
射を受ける間、領域の所定の部分を選択的に加熱するこ
との可能な熱源を用いるこのような加熱に関連し、この
熱源はタングステン・ハロゲン光源であることが好まし
い。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】半導体デバイス及び特に集
積回路の製造において、半導体チップは、ボンディング
工程を改良するためワイヤ・ボンディング前に、約２０
０℃から３００℃の範囲の温度まで加熱されることが望
ましい。更に、ボンディングが成されるリードフレーム
は、チップよりずっと低い温度に保たれ、このより低い
温度は、一般的に銅であるリードフレームの酸化を最低
限にするよう充分低いことが望ましい。通常、リードフ
レームの酸化は、そのはんだのぬれ性（wet solderabil
ity ）を低下させ、それによる問題が生じることが明ら
かである。半導体チップの加熱に用いられるメカニズ
ム、一般的にヒーター・ブロック又はホット・プレート
は、リード・フレームもサポートし非熱選択的であるた
め、この問題は先行技術において存在していた。そのた
め、チップとリードフレームの両方は単一ユニットとし
てほぼ同じ高温、つまりチップへのボンディングに必要
とされる温度まで共に加熱される。従って、チップ及び
リードフレームが互いに接触したまま、リードフレーム
に比較して半導体チップが選択的に加熱される装置が非
常に望ましいことは明らかである。
積回路の製造において、半導体チップは、ボンディング
工程を改良するためワイヤ・ボンディング前に、約２０
０℃から３００℃の範囲の温度まで加熱されることが望
ましい。更に、ボンディングが成されるリードフレーム
は、チップよりずっと低い温度に保たれ、このより低い
温度は、一般的に銅であるリードフレームの酸化を最低
限にするよう充分低いことが望ましい。通常、リードフ
レームの酸化は、そのはんだのぬれ性（wet solderabil
ity ）を低下させ、それによる問題が生じることが明ら
かである。半導体チップの加熱に用いられるメカニズ
ム、一般的にヒーター・ブロック又はホット・プレート
は、リード・フレームもサポートし非熱選択的であるた
め、この問題は先行技術において存在していた。そのた
め、チップとリードフレームの両方は単一ユニットとし
てほぼ同じ高温、つまりチップへのボンディングに必要
とされる温度まで共に加熱される。従って、チップ及び
リードフレームが互いに接触したまま、リードフレーム
に比較して半導体チップが選択的に加熱される装置が非
常に望ましいことは明らかである。
【０００３】
【課題を達成するための手段及び作用】本発明に従っ
て、先行技術の上述の問題点は最小化され、領域内のあ
る部品が領域の残りよりずっと速い速度で選択的に加熱
される全体領域上に、焦点外し又は非焦点（unfocused
）熱誘導放射を送る装置及び工程が提供される。非焦
点熱誘導放射を用いることにより、焦点合わせ装置の必
要性が減少し、放射を受ける材料の性質がその加熱の温
度を決定するため、放射は正確なポジショニングを必要
とせず全体領域を横切ることを可能にする。例えば、ワ
イヤ・ボンディング前に半導体チップが銅ベースのリー
ドフレームよりずっと速く温度上昇すると、それによ
り、リードフレームが過度に温度上昇することなく、チ
ップとリードフレームの間のワイヤ・ボンディングが可
能となる。同じタイプのオペレーションは、標準テープ
自動ボンディング（ＴＡＢ）のためリードフレームをそ
の上に導電体を備えたテープで置き換えるときにも有効
であり、テープは通常のワイヤ・ボンディング温度で劣
化し、テープの電気的特性に影響するため、テープ自体
を除外してチップに隣接するテープ上の金属リード部分
及びチップを加熱することが最も良い。テープはチップ
と回路基板の間にあって良い。
て、先行技術の上述の問題点は最小化され、領域内のあ
る部品が領域の残りよりずっと速い速度で選択的に加熱
される全体領域上に、焦点外し又は非焦点（unfocused
）熱誘導放射を送る装置及び工程が提供される。非焦
点熱誘導放射を用いることにより、焦点合わせ装置の必
要性が減少し、放射を受ける材料の性質がその加熱の温
度を決定するため、放射は正確なポジショニングを必要
とせず全体領域を横切ることを可能にする。例えば、ワ
イヤ・ボンディング前に半導体チップが銅ベースのリー
ドフレームよりずっと速く温度上昇すると、それによ
り、リードフレームが過度に温度上昇することなく、チ
ップとリードフレームの間のワイヤ・ボンディングが可
能となる。同じタイプのオペレーションは、標準テープ
自動ボンディング（ＴＡＢ）のためリードフレームをそ
の上に導電体を備えたテープで置き換えるときにも有効
であり、テープは通常のワイヤ・ボンディング温度で劣
化し、テープの電気的特性に影響するため、テープ自体
を除外してチップに隣接するテープ上の金属リード部分
及びチップを加熱することが最も良い。テープはチップ
と回路基板の間にあって良い。
【０００４】熱源が約０．５ミクロンから約２ミクロン
の範囲の非焦点熱エネルギー放射を供給するとき、ある
材料、例えばチップなどは、他の材料、例えばリードフ
レーム材料などよりずっと速い速度で温度上昇すること
が測定されている。これは、一般的に銅であるリードフ
レームは、熱エネルギー放射が２ミクロンより大きいと
き高速に温度上昇し、熱エネルギーが約０．５ミクロン
から約２ミクロンの範囲であるときゆっくり温度上昇す
るが、一般的にシリコン、ゲルマニウム又はIII −Ｖ族
又はII−VI族化合物であるチップ材料は、熱エネルギー
が約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲であると
き、高速に温度上昇するためである。従って、約０．５
ミクロンから約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
少なくとも実質的な部分を供給する熱源は、リードフレ
ームに比較して半導体材料を選択的に加熱する。必要と
される約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のエネ
ルギーの量は、必要とされる加熱温度差、及びこの温度
差がどの速さで達成されるかに依る。従って、約０．５
ミクロンから約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
実質的な部分を供給する熱源が本発明に従って必要とさ
れる。標準タングステン・ハロゲン光源は一般的に、約
０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のその熱エネル
ギーの実質的な部分を供給する。
の範囲の非焦点熱エネルギー放射を供給するとき、ある
材料、例えばチップなどは、他の材料、例えばリードフ
レーム材料などよりずっと速い速度で温度上昇すること
が測定されている。これは、一般的に銅であるリードフ
レームは、熱エネルギー放射が２ミクロンより大きいと
き高速に温度上昇し、熱エネルギーが約０．５ミクロン
から約２ミクロンの範囲であるときゆっくり温度上昇す
るが、一般的にシリコン、ゲルマニウム又はIII −Ｖ族
又はII−VI族化合物であるチップ材料は、熱エネルギー
が約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲であると
き、高速に温度上昇するためである。従って、約０．５
ミクロンから約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
少なくとも実質的な部分を供給する熱源は、リードフレ
ームに比較して半導体材料を選択的に加熱する。必要と
される約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のエネ
ルギーの量は、必要とされる加熱温度差、及びこの温度
差がどの速さで達成されるかに依る。従って、約０．５
ミクロンから約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
実質的な部分を供給する熱源が本発明に従って必要とさ
れる。標準タングステン・ハロゲン光源は一般的に、約
０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のその熱エネル
ギーの実質的な部分を供給する。
【０００５】簡単に言えば、上述はリードフレーム及び
チップに関連し、ベースを提供し、リードフレーム及び
その上のチップを互いに標準の関係に配置することによ
って達成される。上述のタイプの熱源は、放射のほとん
どを所望の領域に向け、その後その熱をリードフレーム
及びチップに向けるリフレクタを有することが望まし
い。チップは必要とされるボンディング温度まで加熱さ
れ、その後それにボンディングが行われ、一方、その間
リードフレームはチップの温度より低く過度の酸化を避
けるよう充分低い温度に保たれる。熱源は、ボンディン
グが行われた後ターンオフされる。
チップに関連し、ベースを提供し、リードフレーム及び
その上のチップを互いに標準の関係に配置することによ
って達成される。上述のタイプの熱源は、放射のほとん
どを所望の領域に向け、その後その熱をリードフレーム
及びチップに向けるリフレクタを有することが望まし
い。チップは必要とされるボンディング温度まで加熱さ
れ、その後それにボンディングが行われ、一方、その間
リードフレームはチップの温度より低く過度の酸化を避
けるよう充分低い温度に保たれる。熱源は、ボンディン
グが行われた後ターンオフされる。
【０００６】
【実施例】図面は、本発明に従った半導体ダイ及び関連
するリードフレームのための加熱装置を概念的に示す。
するリードフレームのための加熱装置を概念的に示す。
【０００７】図面は、半導体チップ上のパッドとリード
フレームとの間のワイヤのボンディングに関連して用い
られる新規の光学加熱装置及び方法を概念的に示す図で
ある。図１において、シリコン半導体ダイ２０は、リー
ドフレーム２４と一緒にチップパッド２６上に置かれ
る。リードフレーム材料の例には、銅アロイ、アロイ４
２、パラジウムめっき銅、及びニッケルめっき銅が含ま
れる。典型的に上述の適用に記述されたような熱源であ
る光学熱源２８がここで用いることができ、この熱源を
参照のためここに引用する。光学熱源２８は、０．５か
ら２ミクロンの範囲の実質的な放射を発生し、このエネ
ルギーはリードフレーム２４及びダイ２０を加熱するた
めに用いられる。
フレームとの間のワイヤのボンディングに関連して用い
られる新規の光学加熱装置及び方法を概念的に示す図で
ある。図１において、シリコン半導体ダイ２０は、リー
ドフレーム２４と一緒にチップパッド２６上に置かれ
る。リードフレーム材料の例には、銅アロイ、アロイ４
２、パラジウムめっき銅、及びニッケルめっき銅が含ま
れる。典型的に上述の適用に記述されたような熱源であ
る光学熱源２８がここで用いることができ、この熱源を
参照のためここに引用する。光学熱源２８は、０．５か
ら２ミクロンの範囲の実質的な放射を発生し、このエネ
ルギーはリードフレーム２４及びダイ２０を加熱するた
めに用いられる。
【０００８】銅ベースのリードフレーム及び通常のダイ
の大きさにおいて、この加熱装置は、ダイ加熱中にリー
ドフレーム２４がダイ２０よりずっと低温のままである
ため特に利点がある。例えば、光学熱源２８に１分さら
すと、ダイ２０は約２００℃まで加熱されるが、リード
フレーム２４は約１２５℃までしか加熱されない。この
ように、光学熱源２８はダイ２０を選択的に加熱する。
主な熱転移は放射によって起こり、ダイの温度応答は好
都合に緩やかな過渡応答である。温度プロファイルは、
ランプ２８を通る電流を変えることによってキュア中に
容易に制御され得る。しかし先行技術のヒーター・ブロ
ック方法において、熱転移は伝導によるものであり、温
度応答のようなステップ関数となる。ヒーター・ブロッ
クに残った熱は高速な冷却を妨げ、それによりリードフ
レーム材料のさらなる酸化を起こす。高速な光学加熱に
より高速な熱応答となり得る。
の大きさにおいて、この加熱装置は、ダイ加熱中にリー
ドフレーム２４がダイ２０よりずっと低温のままである
ため特に利点がある。例えば、光学熱源２８に１分さら
すと、ダイ２０は約２００℃まで加熱されるが、リード
フレーム２４は約１２５℃までしか加熱されない。この
ように、光学熱源２８はダイ２０を選択的に加熱する。
主な熱転移は放射によって起こり、ダイの温度応答は好
都合に緩やかな過渡応答である。温度プロファイルは、
ランプ２８を通る電流を変えることによってキュア中に
容易に制御され得る。しかし先行技術のヒーター・ブロ
ック方法において、熱転移は伝導によるものであり、温
度応答のようなステップ関数となる。ヒーター・ブロッ
クに残った熱は高速な冷却を妨げ、それによりリードフ
レーム材料のさらなる酸化を起こす。高速な光学加熱に
より高速な熱応答となり得る。
【０００９】光学熱源２８は、近赤外光を放射するタイ
プのランプであることが好ましい。模範的なランプの例
には、タングステン型及びキセノン型の白熱ハロゲン・
ランプが含まれる。近赤外光の波長は約０．５ミクロン
から約２．０ミクロンまでの範囲である。シリコン・チ
ップ２０は、近赤外スペクトルにおいて良好な吸収性を
有する。例えば、タングステン・ハロゲン光のエネルギ
ーは、チップ２０より高い反射発生率を有するリードフ
レーム２４によってよりも、シリコン・チップ２０によ
ってより多く吸収される。シリコン・チップ２０は、選
択的加熱によりリードフレーム２４より高い温度にまで
放射によって加熱される。その後、チップがリードフレ
ームに比較して加熱されている間ワイヤ・ボンディング
が行われる。
プのランプであることが好ましい。模範的なランプの例
には、タングステン型及びキセノン型の白熱ハロゲン・
ランプが含まれる。近赤外光の波長は約０．５ミクロン
から約２．０ミクロンまでの範囲である。シリコン・チ
ップ２０は、近赤外スペクトルにおいて良好な吸収性を
有する。例えば、タングステン・ハロゲン光のエネルギ
ーは、チップ２０より高い反射発生率を有するリードフ
レーム２４によってよりも、シリコン・チップ２０によ
ってより多く吸収される。シリコン・チップ２０は、選
択的加熱によりリードフレーム２４より高い温度にまで
放射によって加熱される。その後、チップがリードフレ
ームに比較して加熱されている間ワイヤ・ボンディング
が行われる。
【００１０】リフレクタ３０は、非焦点放射をランプ２
８からリードフレーム２４へ送るのを助ける。この放射
は均一の熱が発生するようリードフレームの幅にわたっ
て送られることが好ましい。光は、半導体チップ上に焦
点合わせされたのと相対してリードフレーム領域上に広
がる。任意に、リードフレーム２４のリード・フィンガ
ー・カットアウト（図示せず）を介し、多孔性チップ・
パッド２６を介し、排気口３４を出るドライエア３２が
ダイ２０上を流れていてもよい。パージ・エア３２は、
ダイ２０上を流れることが可能であり、ダイ２０の端に
より近いリードフレーム２４を介し、ガス放出又は同様
の排出効果を実質的に増大させる。ランプ２８の強度
（パワー）は、順にコンピュータによって制御され得る
加減抵抗器（rheostat）３６又はＳＣＲによって制御さ
れてもよく、このコンピュータは任意にプログラム制御
される。これが、その熱質量のためスナップ・キュア中
は効果的なプロファイルが不可能な先行技術のヒーター
・ブロックとは異なり、ランプ・パワーを即時エネルギ
ー応答でプロファイルするかターン・オンおよびオフす
ることを有利に可能とする。瞬間的ランプ・パワー調整
は、エネルギー・プロファイルを助ける。
８からリードフレーム２４へ送るのを助ける。この放射
は均一の熱が発生するようリードフレームの幅にわたっ
て送られることが好ましい。光は、半導体チップ上に焦
点合わせされたのと相対してリードフレーム領域上に広
がる。任意に、リードフレーム２４のリード・フィンガ
ー・カットアウト（図示せず）を介し、多孔性チップ・
パッド２６を介し、排気口３４を出るドライエア３２が
ダイ２０上を流れていてもよい。パージ・エア３２は、
ダイ２０上を流れることが可能であり、ダイ２０の端に
より近いリードフレーム２４を介し、ガス放出又は同様
の排出効果を実質的に増大させる。ランプ２８の強度
（パワー）は、順にコンピュータによって制御され得る
加減抵抗器（rheostat）３６又はＳＣＲによって制御さ
れてもよく、このコンピュータは任意にプログラム制御
される。これが、その熱質量のためスナップ・キュア中
は効果的なプロファイルが不可能な先行技術のヒーター
・ブロックとは異なり、ランプ・パワーを即時エネルギ
ー応答でプロファイルするかターン・オンおよびオフす
ることを有利に可能とする。瞬間的ランプ・パワー調整
は、エネルギー・プロファイルを助ける。
【００１１】本発明は特定の好ましい実施例を参照して
説明されたが、当業者であれば種々の変形及び組合せは
明らかである。したがって、添付の特許請求の範囲はあ
らゆるこれらの変形及び組合せを包含することを意図す
る。
説明されたが、当業者であれば種々の変形及び組合せは
明らかである。したがって、添付の特許請求の範囲はあ
らゆるこれらの変形及び組合せを包含することを意図す
る。
【００１２】以上の説明の関して更に次の項を開示す
る。 （１） ワイヤ・ボンディング工程中リードフレームに
比較して半導体ダイを選択的に加熱する装置であって、
リードフレームに隣接して配置される半導体ダイと、前
記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したまま
ワイヤ・ボンディングのために十分に高い温度まで前記
半導体ダイを加熱するよう、前記半導体ダイ及び前記リ
ードフレームに前記熱を同時に向けるため、２ミクロン
より大きく０．５ミクロンより小さい熱エネルギーに関
連して約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のその
熱エネルギーの大部分を供給する熱源と、ワイヤを前記
ダイにボンディングするためのワイヤ・ボンディング手
段と、を含む装置。
る。 （１） ワイヤ・ボンディング工程中リードフレームに
比較して半導体ダイを選択的に加熱する装置であって、
リードフレームに隣接して配置される半導体ダイと、前
記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したまま
ワイヤ・ボンディングのために十分に高い温度まで前記
半導体ダイを加熱するよう、前記半導体ダイ及び前記リ
ードフレームに前記熱を同時に向けるため、２ミクロン
より大きく０．５ミクロンより小さい熱エネルギーに関
連して約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のその
熱エネルギーの大部分を供給する熱源と、ワイヤを前記
ダイにボンディングするためのワイヤ・ボンディング手
段と、を含む装置。
【００１３】（２） 第１項に記載の装置であって、熱
源は非焦点ランプを含む装置。 （３） 第１項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 （４） 第２項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 （５） 第１項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。 （６） 第２項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。
源は非焦点ランプを含む装置。 （３） 第１項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 （４） 第２項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 （５） 第１項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。 （６） 第２項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。
【００１４】（７） ワイヤ・ボンディング工程中リー
ドフレームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する方
法であって、リードフレームに隣接して配置される半導
体ダイを配置し、２ミクロンより大きく０．５ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して、約０．５ミクロン
から約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を
有する熱を供給し、前記リードフレームを実質的に非酸
化状態に維持したまま、ワイヤ・ボンディングのため充
分高い温度まで前記半導体ダイを加熱するよう、前記熱
を前記半導体ダイ及び前記リードフレームに同時に向
け、前記加熱したダイにワイヤをボンディングする工程
を含む方法。
ドフレームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する方
法であって、リードフレームに隣接して配置される半導
体ダイを配置し、２ミクロンより大きく０．５ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して、約０．５ミクロン
から約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を
有する熱を供給し、前記リードフレームを実質的に非酸
化状態に維持したまま、ワイヤ・ボンディングのため充
分高い温度まで前記半導体ダイを加熱するよう、前記熱
を前記半導体ダイ及び前記リードフレームに同時に向
け、前記加熱したダイにワイヤをボンディングする工程
を含む方法。
【００１５】（８） 第７項に記載の方法であって、光
学熱源は非焦点ランプを含む方法。 （９） 第７項に記載の方法であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 （１０） 第８項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 （１１） 第７項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。 （１２） 第８項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。
学熱源は非焦点ランプを含む方法。 （９） 第７項に記載の方法であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 （１０） 第８項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 （１１） 第７項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。 （１２） 第８項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。
【００１６】（１３） 第１１項に記載の方法であっ
て、前記コンピュータによる制御はプログラムされた制
御である方法。 （１４） 第１２項に記載の方法であって、前記コンピ
ュータによる制御はプログラムされた制御である方法。
て、前記コンピュータによる制御はプログラムされた制
御である方法。 （１４） 第１２項に記載の方法であって、前記コンピ
ュータによる制御はプログラムされた制御である方法。
【００１７】（１５） ０．５から２ミクロンの範囲の
熱放射を吸収能力がずっと少ない隣接する構造に比較し
て、０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な構造を選択的に加熱する方法であって、０．
５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収する能力が第1
の構造よりずっと少ない第２の構造に隣接して配置され
る０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収すること
が可能な第1 の構造を提供し、２ミクロンより大きく
０．５ミクロンより小さい熱エネルギーに関連して、約
０．５から約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大
部分を供給する熱源を提供し、前記熱を第１及び第２の
構造に同時に送り、第１の構造を十分高く及び前記第２
の構造よりずっと高い温度まで加熱して、第２の構造を
所定の温度より低く保ったまま前記第１の構造と共に所
定の機能が実行されることを可能にし、前記機能を実行
する工程を含む方法。
熱放射を吸収能力がずっと少ない隣接する構造に比較し
て、０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な構造を選択的に加熱する方法であって、０．
５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収する能力が第1
の構造よりずっと少ない第２の構造に隣接して配置され
る０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収すること
が可能な第1 の構造を提供し、２ミクロンより大きく
０．５ミクロンより小さい熱エネルギーに関連して、約
０．５から約２ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大
部分を供給する熱源を提供し、前記熱を第１及び第２の
構造に同時に送り、第１の構造を十分高く及び前記第２
の構造よりずっと高い温度まで加熱して、第２の構造を
所定の温度より低く保ったまま前記第１の構造と共に所
定の機能が実行されることを可能にし、前記機能を実行
する工程を含む方法。
【００１８】（１６） 第１５項に記載の方法であっ
て、光学熱源は非焦点ランプを含む方法。 （１７） 第１５項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 （１８） 第１６項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 （１９） 第１５項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。 （２０） 第１６項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。
て、光学熱源は非焦点ランプを含む方法。 （１７） 第１５項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 （１８） 第１６項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 （１９） 第１５項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。 （２０） 第１６項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。
【００１９】（２１） 隣接する構造２４に比較して
０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収することが
可能な構造２０を選択的に加熱する方法及び装置であっ
て、０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な第１の構造は、０．５から２ミクロンの範囲
の熱放射を吸収する能力がより少ない第２の構造に隣接
して配置される。２ミクロンより大きく０．５ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して約０．５から約２ミ
クロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非
焦点熱源２８は、第１及び第２の構造に同時に熱を送
り、第２の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第２の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収することが
可能な構造２０を選択的に加熱する方法及び装置であっ
て、０．５から２ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な第１の構造は、０．５から２ミクロンの範囲
の熱放射を吸収する能力がより少ない第２の構造に隣接
して配置される。２ミクロンより大きく０．５ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して約０．５から約２ミ
クロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非
焦点熱源２８は、第１及び第２の構造に同時に熱を送
り、第２の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第２の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
【関連出願】本発明は、１９９４年６月７日に出願され
た米国特許出願番号０８／２５５，１９７号に関連し、
その出願及びそこに記述された先行技術はすべて参照の
ためここに引用する。
た米国特許出願番号０８／２５５，１９７号に関連し、
その出願及びそこに記述された先行技術はすべて参照の
ためここに引用する。
【図１】本発明に従って半導体ダイ及び関連するリード
フレームの加熱装置を概念的に示す図。
フレームの加熱装置を概念的に示す図。
２０ 半導体ダイ ２４ リードフレーム ２６ チップ・パッド ２８ 光学熱源 ３０ リフレクタ ３２ ドライエア ３４ 排気口 ３６ 加減抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロボ ワン 台湾台北タン ファ エス．ロード セク ション ２，23エフ，216
Claims (2)
- 【請求項１】 ワイヤ・ボンディング工程中リードフレ
ームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する装置であ
って、 リードフレームに隣接して配置される半導体ダイと、 前記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したま
まワイヤ・ボンディングのために十分に高い温度まで前
記半導体ダイを加熱するよう、前記半導体ダイ及び前記
リードフレームに前記熱を同時に向けるため、２ミクロ
ンより大きく０．５ミクロンより小さい熱エネルギーに
関連して約０．５ミクロンから約２ミクロンの範囲のそ
の熱エネルギーの大部分を供給する熱源と、 ワイヤを前記ダイにボンディングするためのワイヤ・ボ
ンディング手段と、 を含む装置。 - 【請求項２】 ワイヤ・ボンディング工程中リードフレ
ームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する方法であ
って、 リードフレームに隣接して配置される半導体ダイを配置
し、 ２ミクロンより大きく０．５ミクロンより小さい熱エネ
ルギーに関連して、約０．５ミクロンから約２ミクロン
の範囲のその熱エネルギーの大部分を有する熱を供給
し、 前記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したま
ま、ワイヤ・ボンディングのため充分高い温度まで前記
半導体ダイを加熱するよう、前記熱を前記半導体ダイ及
び前記リードフレームに同時に向け、 前記加熱したダイにワイヤをボンディングする工程を含
む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US3340296P | 1996-12-18 | 1996-12-18 | |
| US033402 | 1996-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189643A true JPH10189643A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=21870211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34970997A Pending JPH10189643A (ja) | 1996-12-18 | 1997-12-18 | タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6234374B1 (en) * | 1994-06-07 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source |
| JP2004503939A (ja) * | 2000-06-12 | 2004-02-05 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34970997A patent/JPH10189643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6234374B1 (en) * | 1994-06-07 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source |
| JP2004503939A (ja) * | 2000-06-12 | 2004-02-05 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング |
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