JPH10189643A - タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法 - Google Patents
タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法Info
- Publication number
- JPH10189643A JPH10189643A JP34970997A JP34970997A JPH10189643A JP H10189643 A JPH10189643 A JP H10189643A JP 34970997 A JP34970997 A JP 34970997A JP 34970997 A JP34970997 A JP 34970997A JP H10189643 A JPH10189643 A JP H10189643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- microns
- heat
- die
- heat source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスのボンディング工程の改良。
【解決手段】 2ミクロンより大きく0.5ミクロンよ
り小さい熱エネルギーに関連して約0.5から約2ミク
ロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非焦
点熱源(28)は、第1及び第2の構造に同時に熱を送
り、第2の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第2の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
り小さい熱エネルギーに関連して約0.5から約2ミク
ロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非焦
点熱源(28)は、第1及び第2の構造に同時に熱を送
り、第2の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第2の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路パッケー
ジ・アセンブリの選択された部分を高速に加熱する装置
に関し、更に詳細には、領域全体が熱源からの熱発生放
射を受ける間、領域の所定の部分を選択的に加熱するこ
との可能な熱源を用いるこのような加熱に関連し、この
熱源はタングステン・ハロゲン光源であることが好まし
い。
ジ・アセンブリの選択された部分を高速に加熱する装置
に関し、更に詳細には、領域全体が熱源からの熱発生放
射を受ける間、領域の所定の部分を選択的に加熱するこ
との可能な熱源を用いるこのような加熱に関連し、この
熱源はタングステン・ハロゲン光源であることが好まし
い。
【0002】
【従来の技術及びその課題】半導体デバイス及び特に集
積回路の製造において、半導体チップは、ボンディング
工程を改良するためワイヤ・ボンディング前に、約20
0℃から300℃の範囲の温度まで加熱されることが望
ましい。更に、ボンディングが成されるリードフレーム
は、チップよりずっと低い温度に保たれ、このより低い
温度は、一般的に銅であるリードフレームの酸化を最低
限にするよう充分低いことが望ましい。通常、リードフ
レームの酸化は、そのはんだのぬれ性(wet solderabil
ity )を低下させ、それによる問題が生じることが明ら
かである。半導体チップの加熱に用いられるメカニズ
ム、一般的にヒーター・ブロック又はホット・プレート
は、リード・フレームもサポートし非熱選択的であるた
め、この問題は先行技術において存在していた。そのた
め、チップとリードフレームの両方は単一ユニットとし
てほぼ同じ高温、つまりチップへのボンディングに必要
とされる温度まで共に加熱される。従って、チップ及び
リードフレームが互いに接触したまま、リードフレーム
に比較して半導体チップが選択的に加熱される装置が非
常に望ましいことは明らかである。
積回路の製造において、半導体チップは、ボンディング
工程を改良するためワイヤ・ボンディング前に、約20
0℃から300℃の範囲の温度まで加熱されることが望
ましい。更に、ボンディングが成されるリードフレーム
は、チップよりずっと低い温度に保たれ、このより低い
温度は、一般的に銅であるリードフレームの酸化を最低
限にするよう充分低いことが望ましい。通常、リードフ
レームの酸化は、そのはんだのぬれ性(wet solderabil
ity )を低下させ、それによる問題が生じることが明ら
かである。半導体チップの加熱に用いられるメカニズ
ム、一般的にヒーター・ブロック又はホット・プレート
は、リード・フレームもサポートし非熱選択的であるた
め、この問題は先行技術において存在していた。そのた
め、チップとリードフレームの両方は単一ユニットとし
てほぼ同じ高温、つまりチップへのボンディングに必要
とされる温度まで共に加熱される。従って、チップ及び
リードフレームが互いに接触したまま、リードフレーム
に比較して半導体チップが選択的に加熱される装置が非
常に望ましいことは明らかである。
【0003】
【課題を達成するための手段及び作用】本発明に従っ
て、先行技術の上述の問題点は最小化され、領域内のあ
る部品が領域の残りよりずっと速い速度で選択的に加熱
される全体領域上に、焦点外し又は非焦点(unfocused
)熱誘導放射を送る装置及び工程が提供される。非焦
点熱誘導放射を用いることにより、焦点合わせ装置の必
要性が減少し、放射を受ける材料の性質がその加熱の温
度を決定するため、放射は正確なポジショニングを必要
とせず全体領域を横切ることを可能にする。例えば、ワ
イヤ・ボンディング前に半導体チップが銅ベースのリー
ドフレームよりずっと速く温度上昇すると、それによ
り、リードフレームが過度に温度上昇することなく、チ
ップとリードフレームの間のワイヤ・ボンディングが可
能となる。同じタイプのオペレーションは、標準テープ
自動ボンディング(TAB)のためリードフレームをそ
の上に導電体を備えたテープで置き換えるときにも有効
であり、テープは通常のワイヤ・ボンディング温度で劣
化し、テープの電気的特性に影響するため、テープ自体
を除外してチップに隣接するテープ上の金属リード部分
及びチップを加熱することが最も良い。テープはチップ
と回路基板の間にあって良い。
て、先行技術の上述の問題点は最小化され、領域内のあ
る部品が領域の残りよりずっと速い速度で選択的に加熱
される全体領域上に、焦点外し又は非焦点(unfocused
)熱誘導放射を送る装置及び工程が提供される。非焦
点熱誘導放射を用いることにより、焦点合わせ装置の必
要性が減少し、放射を受ける材料の性質がその加熱の温
度を決定するため、放射は正確なポジショニングを必要
とせず全体領域を横切ることを可能にする。例えば、ワ
イヤ・ボンディング前に半導体チップが銅ベースのリー
ドフレームよりずっと速く温度上昇すると、それによ
り、リードフレームが過度に温度上昇することなく、チ
ップとリードフレームの間のワイヤ・ボンディングが可
能となる。同じタイプのオペレーションは、標準テープ
自動ボンディング(TAB)のためリードフレームをそ
の上に導電体を備えたテープで置き換えるときにも有効
であり、テープは通常のワイヤ・ボンディング温度で劣
化し、テープの電気的特性に影響するため、テープ自体
を除外してチップに隣接するテープ上の金属リード部分
及びチップを加熱することが最も良い。テープはチップ
と回路基板の間にあって良い。
【0004】熱源が約0.5ミクロンから約2ミクロン
の範囲の非焦点熱エネルギー放射を供給するとき、ある
材料、例えばチップなどは、他の材料、例えばリードフ
レーム材料などよりずっと速い速度で温度上昇すること
が測定されている。これは、一般的に銅であるリードフ
レームは、熱エネルギー放射が2ミクロンより大きいと
き高速に温度上昇し、熱エネルギーが約0.5ミクロン
から約2ミクロンの範囲であるときゆっくり温度上昇す
るが、一般的にシリコン、ゲルマニウム又はIII −V族
又はII−VI族化合物であるチップ材料は、熱エネルギー
が約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲であると
き、高速に温度上昇するためである。従って、約0.5
ミクロンから約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
少なくとも実質的な部分を供給する熱源は、リードフレ
ームに比較して半導体材料を選択的に加熱する。必要と
される約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のエネ
ルギーの量は、必要とされる加熱温度差、及びこの温度
差がどの速さで達成されるかに依る。従って、約0.5
ミクロンから約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
実質的な部分を供給する熱源が本発明に従って必要とさ
れる。標準タングステン・ハロゲン光源は一般的に、約
0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のその熱エネル
ギーの実質的な部分を供給する。
の範囲の非焦点熱エネルギー放射を供給するとき、ある
材料、例えばチップなどは、他の材料、例えばリードフ
レーム材料などよりずっと速い速度で温度上昇すること
が測定されている。これは、一般的に銅であるリードフ
レームは、熱エネルギー放射が2ミクロンより大きいと
き高速に温度上昇し、熱エネルギーが約0.5ミクロン
から約2ミクロンの範囲であるときゆっくり温度上昇す
るが、一般的にシリコン、ゲルマニウム又はIII −V族
又はII−VI族化合物であるチップ材料は、熱エネルギー
が約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲であると
き、高速に温度上昇するためである。従って、約0.5
ミクロンから約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
少なくとも実質的な部分を供給する熱源は、リードフレ
ームに比較して半導体材料を選択的に加熱する。必要と
される約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のエネ
ルギーの量は、必要とされる加熱温度差、及びこの温度
差がどの速さで達成されるかに依る。従って、約0.5
ミクロンから約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの
実質的な部分を供給する熱源が本発明に従って必要とさ
れる。標準タングステン・ハロゲン光源は一般的に、約
0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のその熱エネル
ギーの実質的な部分を供給する。
【0005】簡単に言えば、上述はリードフレーム及び
チップに関連し、ベースを提供し、リードフレーム及び
その上のチップを互いに標準の関係に配置することによ
って達成される。上述のタイプの熱源は、放射のほとん
どを所望の領域に向け、その後その熱をリードフレーム
及びチップに向けるリフレクタを有することが望まし
い。チップは必要とされるボンディング温度まで加熱さ
れ、その後それにボンディングが行われ、一方、その間
リードフレームはチップの温度より低く過度の酸化を避
けるよう充分低い温度に保たれる。熱源は、ボンディン
グが行われた後ターンオフされる。
チップに関連し、ベースを提供し、リードフレーム及び
その上のチップを互いに標準の関係に配置することによ
って達成される。上述のタイプの熱源は、放射のほとん
どを所望の領域に向け、その後その熱をリードフレーム
及びチップに向けるリフレクタを有することが望まし
い。チップは必要とされるボンディング温度まで加熱さ
れ、その後それにボンディングが行われ、一方、その間
リードフレームはチップの温度より低く過度の酸化を避
けるよう充分低い温度に保たれる。熱源は、ボンディン
グが行われた後ターンオフされる。
【0006】
【実施例】図面は、本発明に従った半導体ダイ及び関連
するリードフレームのための加熱装置を概念的に示す。
するリードフレームのための加熱装置を概念的に示す。
【0007】図面は、半導体チップ上のパッドとリード
フレームとの間のワイヤのボンディングに関連して用い
られる新規の光学加熱装置及び方法を概念的に示す図で
ある。図1において、シリコン半導体ダイ20は、リー
ドフレーム24と一緒にチップパッド26上に置かれ
る。リードフレーム材料の例には、銅アロイ、アロイ4
2、パラジウムめっき銅、及びニッケルめっき銅が含ま
れる。典型的に上述の適用に記述されたような熱源であ
る光学熱源28がここで用いることができ、この熱源を
参照のためここに引用する。光学熱源28は、0.5か
ら2ミクロンの範囲の実質的な放射を発生し、このエネ
ルギーはリードフレーム24及びダイ20を加熱するた
めに用いられる。
フレームとの間のワイヤのボンディングに関連して用い
られる新規の光学加熱装置及び方法を概念的に示す図で
ある。図1において、シリコン半導体ダイ20は、リー
ドフレーム24と一緒にチップパッド26上に置かれ
る。リードフレーム材料の例には、銅アロイ、アロイ4
2、パラジウムめっき銅、及びニッケルめっき銅が含ま
れる。典型的に上述の適用に記述されたような熱源であ
る光学熱源28がここで用いることができ、この熱源を
参照のためここに引用する。光学熱源28は、0.5か
ら2ミクロンの範囲の実質的な放射を発生し、このエネ
ルギーはリードフレーム24及びダイ20を加熱するた
めに用いられる。
【0008】銅ベースのリードフレーム及び通常のダイ
の大きさにおいて、この加熱装置は、ダイ加熱中にリー
ドフレーム24がダイ20よりずっと低温のままである
ため特に利点がある。例えば、光学熱源28に1分さら
すと、ダイ20は約200℃まで加熱されるが、リード
フレーム24は約125℃までしか加熱されない。この
ように、光学熱源28はダイ20を選択的に加熱する。
主な熱転移は放射によって起こり、ダイの温度応答は好
都合に緩やかな過渡応答である。温度プロファイルは、
ランプ28を通る電流を変えることによってキュア中に
容易に制御され得る。しかし先行技術のヒーター・ブロ
ック方法において、熱転移は伝導によるものであり、温
度応答のようなステップ関数となる。ヒーター・ブロッ
クに残った熱は高速な冷却を妨げ、それによりリードフ
レーム材料のさらなる酸化を起こす。高速な光学加熱に
より高速な熱応答となり得る。
の大きさにおいて、この加熱装置は、ダイ加熱中にリー
ドフレーム24がダイ20よりずっと低温のままである
ため特に利点がある。例えば、光学熱源28に1分さら
すと、ダイ20は約200℃まで加熱されるが、リード
フレーム24は約125℃までしか加熱されない。この
ように、光学熱源28はダイ20を選択的に加熱する。
主な熱転移は放射によって起こり、ダイの温度応答は好
都合に緩やかな過渡応答である。温度プロファイルは、
ランプ28を通る電流を変えることによってキュア中に
容易に制御され得る。しかし先行技術のヒーター・ブロ
ック方法において、熱転移は伝導によるものであり、温
度応答のようなステップ関数となる。ヒーター・ブロッ
クに残った熱は高速な冷却を妨げ、それによりリードフ
レーム材料のさらなる酸化を起こす。高速な光学加熱に
より高速な熱応答となり得る。
【0009】光学熱源28は、近赤外光を放射するタイ
プのランプであることが好ましい。模範的なランプの例
には、タングステン型及びキセノン型の白熱ハロゲン・
ランプが含まれる。近赤外光の波長は約0.5ミクロン
から約2.0ミクロンまでの範囲である。シリコン・チ
ップ20は、近赤外スペクトルにおいて良好な吸収性を
有する。例えば、タングステン・ハロゲン光のエネルギ
ーは、チップ20より高い反射発生率を有するリードフ
レーム24によってよりも、シリコン・チップ20によ
ってより多く吸収される。シリコン・チップ20は、選
択的加熱によりリードフレーム24より高い温度にまで
放射によって加熱される。その後、チップがリードフレ
ームに比較して加熱されている間ワイヤ・ボンディング
が行われる。
プのランプであることが好ましい。模範的なランプの例
には、タングステン型及びキセノン型の白熱ハロゲン・
ランプが含まれる。近赤外光の波長は約0.5ミクロン
から約2.0ミクロンまでの範囲である。シリコン・チ
ップ20は、近赤外スペクトルにおいて良好な吸収性を
有する。例えば、タングステン・ハロゲン光のエネルギ
ーは、チップ20より高い反射発生率を有するリードフ
レーム24によってよりも、シリコン・チップ20によ
ってより多く吸収される。シリコン・チップ20は、選
択的加熱によりリードフレーム24より高い温度にまで
放射によって加熱される。その後、チップがリードフレ
ームに比較して加熱されている間ワイヤ・ボンディング
が行われる。
【0010】リフレクタ30は、非焦点放射をランプ2
8からリードフレーム24へ送るのを助ける。この放射
は均一の熱が発生するようリードフレームの幅にわたっ
て送られることが好ましい。光は、半導体チップ上に焦
点合わせされたのと相対してリードフレーム領域上に広
がる。任意に、リードフレーム24のリード・フィンガ
ー・カットアウト(図示せず)を介し、多孔性チップ・
パッド26を介し、排気口34を出るドライエア32が
ダイ20上を流れていてもよい。パージ・エア32は、
ダイ20上を流れることが可能であり、ダイ20の端に
より近いリードフレーム24を介し、ガス放出又は同様
の排出効果を実質的に増大させる。ランプ28の強度
(パワー)は、順にコンピュータによって制御され得る
加減抵抗器(rheostat)36又はSCRによって制御さ
れてもよく、このコンピュータは任意にプログラム制御
される。これが、その熱質量のためスナップ・キュア中
は効果的なプロファイルが不可能な先行技術のヒーター
・ブロックとは異なり、ランプ・パワーを即時エネルギ
ー応答でプロファイルするかターン・オンおよびオフす
ることを有利に可能とする。瞬間的ランプ・パワー調整
は、エネルギー・プロファイルを助ける。
8からリードフレーム24へ送るのを助ける。この放射
は均一の熱が発生するようリードフレームの幅にわたっ
て送られることが好ましい。光は、半導体チップ上に焦
点合わせされたのと相対してリードフレーム領域上に広
がる。任意に、リードフレーム24のリード・フィンガ
ー・カットアウト(図示せず)を介し、多孔性チップ・
パッド26を介し、排気口34を出るドライエア32が
ダイ20上を流れていてもよい。パージ・エア32は、
ダイ20上を流れることが可能であり、ダイ20の端に
より近いリードフレーム24を介し、ガス放出又は同様
の排出効果を実質的に増大させる。ランプ28の強度
(パワー)は、順にコンピュータによって制御され得る
加減抵抗器(rheostat)36又はSCRによって制御さ
れてもよく、このコンピュータは任意にプログラム制御
される。これが、その熱質量のためスナップ・キュア中
は効果的なプロファイルが不可能な先行技術のヒーター
・ブロックとは異なり、ランプ・パワーを即時エネルギ
ー応答でプロファイルするかターン・オンおよびオフす
ることを有利に可能とする。瞬間的ランプ・パワー調整
は、エネルギー・プロファイルを助ける。
【0011】本発明は特定の好ましい実施例を参照して
説明されたが、当業者であれば種々の変形及び組合せは
明らかである。したがって、添付の特許請求の範囲はあ
らゆるこれらの変形及び組合せを包含することを意図す
る。
説明されたが、当業者であれば種々の変形及び組合せは
明らかである。したがって、添付の特許請求の範囲はあ
らゆるこれらの変形及び組合せを包含することを意図す
る。
【0012】以上の説明の関して更に次の項を開示す
る。 (1) ワイヤ・ボンディング工程中リードフレームに
比較して半導体ダイを選択的に加熱する装置であって、
リードフレームに隣接して配置される半導体ダイと、前
記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したまま
ワイヤ・ボンディングのために十分に高い温度まで前記
半導体ダイを加熱するよう、前記半導体ダイ及び前記リ
ードフレームに前記熱を同時に向けるため、2ミクロン
より大きく0.5ミクロンより小さい熱エネルギーに関
連して約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のその
熱エネルギーの大部分を供給する熱源と、ワイヤを前記
ダイにボンディングするためのワイヤ・ボンディング手
段と、を含む装置。
る。 (1) ワイヤ・ボンディング工程中リードフレームに
比較して半導体ダイを選択的に加熱する装置であって、
リードフレームに隣接して配置される半導体ダイと、前
記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したまま
ワイヤ・ボンディングのために十分に高い温度まで前記
半導体ダイを加熱するよう、前記半導体ダイ及び前記リ
ードフレームに前記熱を同時に向けるため、2ミクロン
より大きく0.5ミクロンより小さい熱エネルギーに関
連して約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のその
熱エネルギーの大部分を供給する熱源と、ワイヤを前記
ダイにボンディングするためのワイヤ・ボンディング手
段と、を含む装置。
【0013】(2) 第1項に記載の装置であって、熱
源は非焦点ランプを含む装置。 (3) 第1項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 (4) 第2項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 (5) 第1項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。 (6) 第2項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。
源は非焦点ランプを含む装置。 (3) 第1項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 (4) 第2項に記載の装置であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する前記非焦点熱源に結合さ
れる加減抵抗器を更に含む装置。 (5) 第1項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。 (6) 第2項に記載の装置であって、前記熱源への電
流を制御する前記熱源に結合されるコンピュータを更に
含む装置。
【0014】(7) ワイヤ・ボンディング工程中リー
ドフレームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する方
法であって、リードフレームに隣接して配置される半導
体ダイを配置し、2ミクロンより大きく0.5ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して、約0.5ミクロン
から約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を
有する熱を供給し、前記リードフレームを実質的に非酸
化状態に維持したまま、ワイヤ・ボンディングのため充
分高い温度まで前記半導体ダイを加熱するよう、前記熱
を前記半導体ダイ及び前記リードフレームに同時に向
け、前記加熱したダイにワイヤをボンディングする工程
を含む方法。
ドフレームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する方
法であって、リードフレームに隣接して配置される半導
体ダイを配置し、2ミクロンより大きく0.5ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して、約0.5ミクロン
から約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を
有する熱を供給し、前記リードフレームを実質的に非酸
化状態に維持したまま、ワイヤ・ボンディングのため充
分高い温度まで前記半導体ダイを加熱するよう、前記熱
を前記半導体ダイ及び前記リードフレームに同時に向
け、前記加熱したダイにワイヤをボンディングする工程
を含む方法。
【0015】(8) 第7項に記載の方法であって、光
学熱源は非焦点ランプを含む方法。 (9) 第7項に記載の方法であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 (10) 第8項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 (11) 第7項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。 (12) 第8項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。
学熱源は非焦点ランプを含む方法。 (9) 第7項に記載の方法であって、前記熱源によっ
て発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 (10) 第8項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量を制御する工程を更に含む方法。 (11) 第7項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。 (12) 第8項に記載の方法であって、前記熱源によ
って発生される熱の量をコンピュータで制御する工程を
更に含む方法。
【0016】(13) 第11項に記載の方法であっ
て、前記コンピュータによる制御はプログラムされた制
御である方法。 (14) 第12項に記載の方法であって、前記コンピ
ュータによる制御はプログラムされた制御である方法。
て、前記コンピュータによる制御はプログラムされた制
御である方法。 (14) 第12項に記載の方法であって、前記コンピ
ュータによる制御はプログラムされた制御である方法。
【0017】(15) 0.5から2ミクロンの範囲の
熱放射を吸収能力がずっと少ない隣接する構造に比較し
て、0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な構造を選択的に加熱する方法であって、0.
5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収する能力が第1
の構造よりずっと少ない第2の構造に隣接して配置され
る0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収すること
が可能な第1 の構造を提供し、2ミクロンより大きく
0.5ミクロンより小さい熱エネルギーに関連して、約
0.5から約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大
部分を供給する熱源を提供し、前記熱を第1及び第2の
構造に同時に送り、第1の構造を十分高く及び前記第2
の構造よりずっと高い温度まで加熱して、第2の構造を
所定の温度より低く保ったまま前記第1の構造と共に所
定の機能が実行されることを可能にし、前記機能を実行
する工程を含む方法。
熱放射を吸収能力がずっと少ない隣接する構造に比較し
て、0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な構造を選択的に加熱する方法であって、0.
5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収する能力が第1
の構造よりずっと少ない第2の構造に隣接して配置され
る0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収すること
が可能な第1 の構造を提供し、2ミクロンより大きく
0.5ミクロンより小さい熱エネルギーに関連して、約
0.5から約2ミクロンの範囲のその熱エネルギーの大
部分を供給する熱源を提供し、前記熱を第1及び第2の
構造に同時に送り、第1の構造を十分高く及び前記第2
の構造よりずっと高い温度まで加熱して、第2の構造を
所定の温度より低く保ったまま前記第1の構造と共に所
定の機能が実行されることを可能にし、前記機能を実行
する工程を含む方法。
【0018】(16) 第15項に記載の方法であっ
て、光学熱源は非焦点ランプを含む方法。 (17) 第15項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 (18) 第16項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 (19) 第15項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。 (20) 第16項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。
て、光学熱源は非焦点ランプを含む方法。 (17) 第15項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 (18) 第16項に記載の方法であって、前記熱源に
よって発生される熱の量を制御する工程を更に含む方
法。 (19) 第15項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。 (20) 第16項に記載の方法であって、前記熱源を
制御するコンピュータを提供する工程を更に含む方法。
【0019】(21) 隣接する構造24に比較して
0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収することが
可能な構造20を選択的に加熱する方法及び装置であっ
て、0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な第1の構造は、0.5から2ミクロンの範囲
の熱放射を吸収する能力がより少ない第2の構造に隣接
して配置される。2ミクロンより大きく0.5ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して約0.5から約2ミ
クロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非
焦点熱源28は、第1及び第2の構造に同時に熱を送
り、第2の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第2の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収することが
可能な構造20を選択的に加熱する方法及び装置であっ
て、0.5から2ミクロンの範囲の熱放射を吸収するこ
とが可能な第1の構造は、0.5から2ミクロンの範囲
の熱放射を吸収する能力がより少ない第2の構造に隣接
して配置される。2ミクロンより大きく0.5ミクロン
より小さい熱エネルギーに関連して約0.5から約2ミ
クロンの範囲のその熱エネルギーの大部分を供給する非
焦点熱源28は、第1及び第2の構造に同時に熱を送
り、第2の構造を所定の温度より低く保ったまま、第1
の構造と共に所定の機能が為されることが可能になるよ
うに、第1 の構造を十分高く、第2の構造より更に高い
温度まで加熱する。機能はその後実行される。熱源は、
非焦点タングステン・ハロゲン・ランプを含むことが望
ましい。
【関連出願】本発明は、1994年6月7日に出願され
た米国特許出願番号08/255,197号に関連し、
その出願及びそこに記述された先行技術はすべて参照の
ためここに引用する。
た米国特許出願番号08/255,197号に関連し、
その出願及びそこに記述された先行技術はすべて参照の
ためここに引用する。
【図1】本発明に従って半導体ダイ及び関連するリード
フレームの加熱装置を概念的に示す図。
フレームの加熱装置を概念的に示す図。
20 半導体ダイ 24 リードフレーム 26 チップ・パッド 28 光学熱源 30 リフレクタ 32 ドライエア 34 排気口 36 加減抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロボ ワン 台湾台北タン ファ エス.ロード セク ション 2,23エフ,216
Claims (2)
- 【請求項1】 ワイヤ・ボンディング工程中リードフレ
ームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する装置であ
って、 リードフレームに隣接して配置される半導体ダイと、 前記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したま
まワイヤ・ボンディングのために十分に高い温度まで前
記半導体ダイを加熱するよう、前記半導体ダイ及び前記
リードフレームに前記熱を同時に向けるため、2ミクロ
ンより大きく0.5ミクロンより小さい熱エネルギーに
関連して約0.5ミクロンから約2ミクロンの範囲のそ
の熱エネルギーの大部分を供給する熱源と、 ワイヤを前記ダイにボンディングするためのワイヤ・ボ
ンディング手段と、 を含む装置。 - 【請求項2】 ワイヤ・ボンディング工程中リードフレ
ームに比較して半導体ダイを選択的に加熱する方法であ
って、 リードフレームに隣接して配置される半導体ダイを配置
し、 2ミクロンより大きく0.5ミクロンより小さい熱エネ
ルギーに関連して、約0.5ミクロンから約2ミクロン
の範囲のその熱エネルギーの大部分を有する熱を供給
し、 前記リードフレームを実質的に非酸化状態に維持したま
ま、ワイヤ・ボンディングのため充分高い温度まで前記
半導体ダイを加熱するよう、前記熱を前記半導体ダイ及
び前記リードフレームに同時に向け、 前記加熱したダイにワイヤをボンディングする工程を含
む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3340296P | 1996-12-18 | 1996-12-18 | |
US033402 | 1996-12-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10189643A true JPH10189643A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=21870211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34970997A Pending JPH10189643A (ja) | 1996-12-18 | 1997-12-18 | タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10189643A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6234374B1 (en) * | 1994-06-07 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source |
JP2004503939A (ja) * | 2000-06-12 | 2004-02-05 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34970997A patent/JPH10189643A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6234374B1 (en) * | 1994-06-07 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source |
JP2004503939A (ja) * | 2000-06-12 | 2004-02-05 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 赤外線加熱によるはんだバンプおよびワイヤボンディング |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6234374B1 (en) | Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source | |
US6353202B1 (en) | Apparatus and method for producing a chip-substrate connection | |
US6833289B2 (en) | Fluxless die-to-heat spreader bonding using thermal interface material | |
KR100977886B1 (ko) | 열처리 장치 및 기억 매체 | |
JP3330037B2 (ja) | チップ部品の接合方法および装置 | |
US6491202B1 (en) | Wire bonding apparatus and method | |
KR100377981B1 (ko) | 성형화합물큐어링방법 | |
US6041994A (en) | Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source | |
US8444044B2 (en) | Apparatus and methods for forming wire bonds | |
JPH10189643A (ja) | タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法 | |
JP2017092386A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7389903B2 (en) | Device and method for soldering contacts on semiconductor chips | |
KR100529863B1 (ko) | 플립칩 본더장치 | |
JPH05109808A (ja) | ワイヤボンデイング方法およびその装置 | |
JP2004193533A (ja) | ダイボンディング装置 | |
JP2004193539A (ja) | 半導体素子の接合方法および装置 | |
JPH0951162A (ja) | 電子部品搭載装置 | |
KR100518978B1 (ko) | 플립칩 본더장치 | |
US7681775B2 (en) | Multi-layer thermal insulation for a bonding system | |
JP2002158390A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 | |
JP2003188523A (ja) | 面的にはんだ付けする方法とそのための装置 | |
JPH07176549A (ja) | ダイボンド装置 | |
JPS58159340A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS58186943A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09232386A (ja) | ワイヤボンダ |