JPH11251335A - 半導体素子の実装装置及びその実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装装置及びその実装方法Info
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- JPH11251335A JPH11251335A JP5160198A JP5160198A JPH11251335A JP H11251335 A JPH11251335 A JP H11251335A JP 5160198 A JP5160198 A JP 5160198A JP 5160198 A JP5160198 A JP 5160198A JP H11251335 A JPH11251335 A JP H11251335A
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- semiconductor element
- mounting
- die
- collet
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- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期のダイボンディング時に熱硬化性樹脂を
半硬化状態にすることにより、半導体素子のずれを防
ぎ、半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要
がある場合であっても、所定の位置に正確に配置するこ
とができる半導体素子の実装装置及びその実装方法を提
供する。 【解決手段】 基板１１上に供給した熱硬化性接着剤１
２を、半導体素子１３搭載毎に半導体素子１３を介して
コレット１４から供給される熱により半硬化状態にし、
その後、オーブン又はリフロー炉１５により熱硬化性接
着剤１２を硬化させる。
半硬化状態にすることにより、半導体素子のずれを防
ぎ、半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要
がある場合であっても、所定の位置に正確に配置するこ
とができる半導体素子の実装装置及びその実装方法を提
供する。 【解決手段】 基板１１上に供給した熱硬化性接着剤１
２を、半導体素子１３搭載毎に半導体素子１３を介して
コレット１４から供給される熱により半硬化状態にし、
その後、オーブン又はリフロー炉１５により熱硬化性接
着剤１２を硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板上へ接着
樹脂を用いて半導体素子をダイボンディングする半導体
素子の実装装置及びその実装方法に関するものである。
樹脂を用いて半導体素子をダイボンディングする半導体
素子の実装装置及びその実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】文献名：ＶＬＳＩパッケージング技術
（下） 日経ＢＰ社 ｐｐ．１７〜２０従来、接着樹脂
を用いるダイボンディング方法としては、以下に示すよ
うなものがあった。図６はかかる従来のＩＣチップ搭載
工程断面図である。
（下） 日経ＢＰ社 ｐｐ．１７〜２０従来、接着樹脂
を用いるダイボンディング方法としては、以下に示すよ
うなものがあった。図６はかかる従来のＩＣチップ搭載
工程断面図である。
【０００３】（１）まず、図６（ａ）に示すように、熱
硬化性樹脂であるダイボンペースト５２を、ＩＣチップ
５３を搭載する基板５１の所定の位置にディスペンス
法、スタンピング法、スクリーン印刷法等により予め供
給しておく。ＩＣチップ５３は、ダイボンコレット５４
により真空吸着し、画像認識等を用いて基板５１と位置
合わせする。
硬化性樹脂であるダイボンペースト５２を、ＩＣチップ
５３を搭載する基板５１の所定の位置にディスペンス
法、スタンピング法、スクリーン印刷法等により予め供
給しておく。ＩＣチップ５３は、ダイボンコレット５４
により真空吸着し、画像認識等を用いて基板５１と位置
合わせする。
【０００４】（２）次に、図６（ｂ）に示すように、ダ
イボンコレット５４により、所定の荷重を加え、ＩＣチ
ップ５３を基板５１上へ搭載する。 （３）順次、ＩＣチップ５３を基板５１上へ搭載してい
き、図６（ｃ）に示すように、全てのＩＣチップ５３を
搭載させる。 （４）その後、図６（ｄ）に示すように、オーブン又は
リフロー炉５５を用いダイボンペースト５２を加熱し硬
化させる。
イボンコレット５４により、所定の荷重を加え、ＩＣチ
ップ５３を基板５１上へ搭載する。 （３）順次、ＩＣチップ５３を基板５１上へ搭載してい
き、図６（ｃ）に示すように、全てのＩＣチップ５３を
搭載させる。 （４）その後、図６（ｄ）に示すように、オーブン又は
リフロー炉５５を用いダイボンペースト５２を加熱し硬
化させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＩＣチップの搭載方法では、ＩＣチップを複数
個基板に搭載する間、または、ダイボンペーストを硬化
させるためにオーブンまたはリフロー炉への搬送中に位
置ずれを起こす。このため、特に、ＬＥＤプリントヘッ
ドのようにＩＣチップを非常に密着させてボンディング
する必要のあるものでは、発光点のずれによる白ぬけ印
刷やＩＣチップ同士の接触が生じ、ＩＣチップクラック
の原因となっていた。
た従来のＩＣチップの搭載方法では、ＩＣチップを複数
個基板に搭載する間、または、ダイボンペーストを硬化
させるためにオーブンまたはリフロー炉への搬送中に位
置ずれを起こす。このため、特に、ＬＥＤプリントヘッ
ドのようにＩＣチップを非常に密着させてボンディング
する必要のあるものでは、発光点のずれによる白ぬけ印
刷やＩＣチップ同士の接触が生じ、ＩＣチップクラック
の原因となっていた。
【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、初期のダ
イボンディング時に熱硬化性樹脂を半硬化状態にするこ
とにより、半導体素子のずれを防ぎ、半導体素子を微小
間隔でダイボンディングする必要がある場合であって
も、所定の位置に正確に配置することができる半導体素
子の実装装置及びその実装方法を提供することを目的と
する。
イボンディング時に熱硬化性樹脂を半硬化状態にするこ
とにより、半導体素子のずれを防ぎ、半導体素子を微小
間隔でダイボンディングする必要がある場合であって
も、所定の位置に正確に配置することができる半導体素
子の実装装置及びその実装方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体素子の実装方法において、半導体素子を真
空吸着し、コレットの押圧で基板上へ熱硬化性接着剤を
用いて半導体素子をダイボンディングするとともに、加
熱手段で前記熱硬化性接着剤を半硬化状態にする工程
と、前記半導体素子が搭載された基板を加熱炉に移し、
前記熱硬化性接着剤を硬化する工程とを施すようにした
ものである。
成するために、 〔１〕半導体素子の実装方法において、半導体素子を真
空吸着し、コレットの押圧で基板上へ熱硬化性接着剤を
用いて半導体素子をダイボンディングするとともに、加
熱手段で前記熱硬化性接着剤を半硬化状態にする工程
と、前記半導体素子が搭載された基板を加熱炉に移し、
前記熱硬化性接着剤を硬化する工程とを施すようにした
ものである。
【０００８】〔２〕上記〔１〕記載の半導体素子の実装
方法において、前記加熱手段は、加熱する機構を有する
コレットであり、予め半導体素子を加熱するようにした
ものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体素子の実装方法におい
て、前記加熱手段は、加熱されたステージであり、前記
半導体素子に予め付着されている熱硬化性接着剤を加熱
するようにしたものである。
方法において、前記加熱手段は、加熱する機構を有する
コレットであり、予め半導体素子を加熱するようにした
ものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体素子の実装方法におい
て、前記加熱手段は、加熱されたステージであり、前記
半導体素子に予め付着されている熱硬化性接着剤を加熱
するようにしたものである。
【０００９】〔４〕上記〔１〕記載の半導体素子の実装
方法において、前記加熱手段は、前記ダイボンディング
部を外部より加熱するホットエアーであり、前記半導体
素子に予め付着されている前記熱硬化性接着剤を加熱す
るようにしたものである。 〔５〕上記〔３〕又は〔４〕記載の半導体素子の実装方
法において、前記半導体素子にはトレイに溜められた熱
硬化性接着剤を付着させるようにしたものである。
方法において、前記加熱手段は、前記ダイボンディング
部を外部より加熱するホットエアーであり、前記半導体
素子に予め付着されている前記熱硬化性接着剤を加熱す
るようにしたものである。 〔５〕上記〔３〕又は〔４〕記載の半導体素子の実装方
法において、前記半導体素子にはトレイに溜められた熱
硬化性接着剤を付着させるようにしたものである。
【００１０】〔６〕上記〔３〕又は〔４〕記載の半導体
素子の実装方法において、ダイボンペースト供給ステー
ジ上に熱硬化性接着剤を一定量排出させ、供給量と供給
位置を制御し、前記半導体素子に前記熱硬化性接着剤を
付着させるようにしたものである。 〔７〕半導体素子の実装装置において、半導体素子の真
空吸着手段及び加熱手段を有するコレットと、熱硬化性
接着剤が形成される半導体素子のステージとを具備する
ようにしたものである。
素子の実装方法において、ダイボンペースト供給ステー
ジ上に熱硬化性接着剤を一定量排出させ、供給量と供給
位置を制御し、前記半導体素子に前記熱硬化性接着剤を
付着させるようにしたものである。 〔７〕半導体素子の実装装置において、半導体素子の真
空吸着手段及び加熱手段を有するコレットと、熱硬化性
接着剤が形成される半導体素子のステージとを具備する
ようにしたものである。
【００１１】〔８〕上記〔７〕記載の半導体素子の実装
装置において、前記コレットはパルスヒート電源に接続
されるパルスヒートコレットである。
装置において、前記コレットはパルスヒート電源に接続
されるパルスヒートコレットである。
〔９〕半導体素子の実装装置において、半導体素子の真
空吸着手段を具備するコレットと、このコレットに吸着
された半導体素子に熱硬化性接着剤を供給する手段と、
コンスタントヒート上に配置される半導体素子のステー
ジとを具備するようにしたものである。
空吸着手段を具備するコレットと、このコレットに吸着
された半導体素子に熱硬化性接着剤を供給する手段と、
コンスタントヒート上に配置される半導体素子のステー
ジとを具備するようにしたものである。
【００１２】〔１０〕半導体素子の実装装置において、
半導体素子の真空吸着手段を具備するコレットと、この
コレットに吸着された半導体素子に熱硬化性接着剤を供
給する手段と、初期のダイボンディング時にホットエア
ーを吹き出すエアー供給部とダイボンディング部を加熱
するノズルを具備するようにしたものである。
半導体素子の真空吸着手段を具備するコレットと、この
コレットに吸着された半導体素子に熱硬化性接着剤を供
給する手段と、初期のダイボンディング時にホットエア
ーを吹き出すエアー供給部とダイボンディング部を加熱
するノズルを具備するようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すＩ
Ｃチップ搭載工程断面図、図２はそこで用いるコレット
の構成図であり、図２（ａ）はその全体模式図、図２
（ｂ）はそのコレットの底面図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すＩ
Ｃチップ搭載工程断面図、図２はそこで用いるコレット
の構成図であり、図２（ａ）はその全体模式図、図２
（ｂ）はそのコレットの底面図である。
【００１４】この実施例のダイボンディング装置には、
図示しないが、前述の従来方法と同様に、ダイボンペー
スト供給部が設置され、基板（回路基板）１１上にエポ
キシ樹脂等からなる熱硬化性のダイボンペースト１２を
供給する。次に、ＩＣチップ（半導体素子）１３をピッ
クアップし、基板１１に搭載するダイボンコレット１４
は、電流を流すことによりダイボンコレット１４自体の
電気抵抗により発熱することができるものであり、図２
に示すように、パルスヒートが可能な直流電源（パルス
ヒート電源）１４Ａに接続されている。さらに、真空吸
着可能な開口部１４Ｂが設けられており、真空ポンプに
つながっている。
図示しないが、前述の従来方法と同様に、ダイボンペー
スト供給部が設置され、基板（回路基板）１１上にエポ
キシ樹脂等からなる熱硬化性のダイボンペースト１２を
供給する。次に、ＩＣチップ（半導体素子）１３をピッ
クアップし、基板１１に搭載するダイボンコレット１４
は、電流を流すことによりダイボンコレット１４自体の
電気抵抗により発熱することができるものであり、図２
に示すように、パルスヒートが可能な直流電源（パルス
ヒート電源）１４Ａに接続されている。さらに、真空吸
着可能な開口部１４Ｂが設けられており、真空ポンプに
つながっている。
【００１５】また、基板１１とＩＣチップ１３の位置合
わせについては、図示しないが、一般的な画像認識が行
えるように、カメラ及び照明が設置されている。以上、
各部はパルスモータ等により水平方向、垂直方向に稼動
可能で制御されるものである。以下、第１実施例のＩＣ
チップ搭載方法について図１を参照しながら説明する。
わせについては、図示しないが、一般的な画像認識が行
えるように、カメラ及び照明が設置されている。以上、
各部はパルスモータ等により水平方向、垂直方向に稼動
可能で制御されるものである。以下、第１実施例のＩＣ
チップ搭載方法について図１を参照しながら説明する。
【００１６】（１）まず、図１（ａ）に示すように、例
えば、前述の従来方法と同様に、ディスペンス法や、ス
タンピング法、スクリーン印刷法によりダイボンペース
ト１２が供給された基板１１を、ダイボンディング装置
の所定の位置に固定させる。ＩＣチップ１３は、トレイ
または、ウエハよりパルスヒートコレット１４で真空吸
着によりピックアップする。
えば、前述の従来方法と同様に、ディスペンス法や、ス
タンピング法、スクリーン印刷法によりダイボンペース
ト１２が供給された基板１１を、ダイボンディング装置
の所定の位置に固定させる。ＩＣチップ１３は、トレイ
または、ウエハよりパルスヒートコレット１４で真空吸
着によりピックアップする。
【００１７】（２）次に、基板１１の搭載位置とＩＣチ
ップ１３を画像認識（図示なし）等により位置合わせす
る。位置合わせ終了後、図１（ｂ）に示すように、パル
スヒートコレット１４により、ＩＣチップ１３に所定の
荷重をかけ、基板１１にＩＣチップ１３を搭載する。同
時に、パルスヒートコレット１４に電流を流し、発熱さ
せ、ダイボンペースト１２を半硬化状態にする。
ップ１３を画像認識（図示なし）等により位置合わせす
る。位置合わせ終了後、図１（ｂ）に示すように、パル
スヒートコレット１４により、ＩＣチップ１３に所定の
荷重をかけ、基板１１にＩＣチップ１３を搭載する。同
時に、パルスヒートコレット１４に電流を流し、発熱さ
せ、ダイボンペースト１２を半硬化状態にする。
【００１８】（３）続いて、他のＩＣチップ１３も同様
にダイボンドし、図１（ｃ）に示すように、全てのＩＣ
チップ１３を搭載する。 （４）次に、図１（ｄ）に示すように、オーブン又はリ
フロー炉１５に入れ、ダイボンペースト１２を硬化させ
る。このように、第１実施例によれば、他のＩＣチップ
をダイボンドする間や、ダイボンペーストを硬化させる
ための搬送中においても、画像認識で得られた所定の位
置からの半導体素子のずれを解消することができる。ま
た、ＬＥＤプリントヘッドのようにＩＣチップを微小間
隔でダイボンディングする必要があるものに対しては、
発光点のずれやチップかけなどの不良が無くなる。
にダイボンドし、図１（ｃ）に示すように、全てのＩＣ
チップ１３を搭載する。 （４）次に、図１（ｄ）に示すように、オーブン又はリ
フロー炉１５に入れ、ダイボンペースト１２を硬化させ
る。このように、第１実施例によれば、他のＩＣチップ
をダイボンドする間や、ダイボンペーストを硬化させる
ための搬送中においても、画像認識で得られた所定の位
置からの半導体素子のずれを解消することができる。ま
た、ＬＥＤプリントヘッドのようにＩＣチップを微小間
隔でダイボンディングする必要があるものに対しては、
発光点のずれやチップかけなどの不良が無くなる。
【００１９】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図３は本発明の第２実施例を示すＩＣチップ搭載工
程断面図である。この実施例のダイボンディング装置
は、常時加熱されたステージヒータ２５が設けられてお
り、基板２１をそのステージヒータ２５上に配置し、一
定の温度に昇温させている。また、ダイボンコレット２
４には、ＩＣチップ２３を真空吸着するための開口部が
設けられており（図示せず）、この開口部は真空ポンプ
につながりＩＣチップ２３をピックアップできるものと
する。
る。図３は本発明の第２実施例を示すＩＣチップ搭載工
程断面図である。この実施例のダイボンディング装置
は、常時加熱されたステージヒータ２５が設けられてお
り、基板２１をそのステージヒータ２５上に配置し、一
定の温度に昇温させている。また、ダイボンコレット２
４には、ＩＣチップ２３を真空吸着するための開口部が
設けられており（図示せず）、この開口部は真空ポンプ
につながりＩＣチップ２３をピックアップできるものと
する。
【００２０】また、ダイボンペースト２２は、熱硬化性
の接着剤からなりトレイ２０に収納されている。ダイボ
ンペースト供給部は、ＩＣチップ２３に直接ダイボンペ
ースト２２を供給する機構として、ＩＣチップ２３の裏
面にダイボンペースト２２を接触させる機構が設けられ
ている。基板２１とＩＣチップ２３の位置合わせについ
ては、図示しないが、一般的な画像認識が行えるよう
に、カメラ及び照明が設置されている。
の接着剤からなりトレイ２０に収納されている。ダイボ
ンペースト供給部は、ＩＣチップ２３に直接ダイボンペ
ースト２２を供給する機構として、ＩＣチップ２３の裏
面にダイボンペースト２２を接触させる機構が設けられ
ている。基板２１とＩＣチップ２３の位置合わせについ
ては、図示しないが、一般的な画像認識が行えるよう
に、カメラ及び照明が設置されている。
【００２１】以上、各部はパルスモータ等により水平方
向、垂直方向に稼動可能で制御されるものである。以
下、第２実施例のＩＣチップ搭載方法について図３を参
照しながら説明する。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、基板２１を一定
の温度に制御させたステージヒータ２５に固定し加熱す
る。
向、垂直方向に稼動可能で制御されるものである。以
下、第２実施例のＩＣチップ搭載方法について図３を参
照しながら説明する。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、基板２１を一定
の温度に制御させたステージヒータ２５に固定し加熱す
る。
【００２２】（２）次に、図３（ｂ）に示すように、Ｉ
Ｃチップ２３を、トレイまたはウエハ（図示なし）より
ダイボンコレット２４で真空吸着しピックアップする。
その後、トレイ（ダイボンペースト溜め）２０に入って
いるダイボンペースト２２に接触させダイボンペースト
２２をＩＣチップ裏面に供給する。 （３）次に、図３（ｃ）に示すように、ピックアップさ
れたＩＣチップ２３の裏面にはダイボンペースト２２が
付着する。
Ｃチップ２３を、トレイまたはウエハ（図示なし）より
ダイボンコレット２４で真空吸着しピックアップする。
その後、トレイ（ダイボンペースト溜め）２０に入って
いるダイボンペースト２２に接触させダイボンペースト
２２をＩＣチップ裏面に供給する。 （３）次に、図３（ｃ）に示すように、ピックアップさ
れたＩＣチップ２３の裏面にはダイボンペースト２２が
付着する。
【００２３】（４）そこで、基板２１の搭載位置とＩＣ
チップ２３を画像認識（図示なし）等により位置合わせ
する。位置合わせ終了後、図３（ｄ）に示すように、ダ
イボンコレット２４により、ＩＣチップ２３に所定の荷
重をかけ、基板２１にＩＣチップ２３を搭載する。この
時、基板２１は、前記ステージヒータ２５によって所定
の温度に加熱されているため、ダイボンペースト２２を
半硬化状態にすることができる。
チップ２３を画像認識（図示なし）等により位置合わせ
する。位置合わせ終了後、図３（ｄ）に示すように、ダ
イボンコレット２４により、ＩＣチップ２３に所定の荷
重をかけ、基板２１にＩＣチップ２３を搭載する。この
時、基板２１は、前記ステージヒータ２５によって所定
の温度に加熱されているため、ダイボンペースト２２を
半硬化状態にすることができる。
【００２４】（５）続いて、他のＩＣチップも同様にダ
イボンドし、全て搭載後、オーブン又はリフロー炉２６
に入れ、ダイボンペースト２２を硬化させる。このよう
に、第２実施例によれば、ＩＣチップをダイボンドする
間やダイボンペーストを硬化させるための搬送中におい
ても、画像認識で得られた所定の位置からの半導体素子
のずれを解消することができる。
イボンドし、全て搭載後、オーブン又はリフロー炉２６
に入れ、ダイボンペースト２２を硬化させる。このよう
に、第２実施例によれば、ＩＣチップをダイボンドする
間やダイボンペーストを硬化させるための搬送中におい
ても、画像認識で得られた所定の位置からの半導体素子
のずれを解消することができる。
【００２５】また、ＬＥＤプリントヘッドのようにＩＣ
チップを微小間隔でダイボンディングする必要があるも
のに対しては、発光点のずれやチップかけなどの不良が
無くなる。さらに、この実施例では、第１実施例に示し
たパルスヒート電源のような大きな電源が不要となる。
次に、本発明の第３実施例について説明する。
チップを微小間隔でダイボンディングする必要があるも
のに対しては、発光点のずれやチップかけなどの不良が
無くなる。さらに、この実施例では、第１実施例に示し
たパルスヒート電源のような大きな電源が不要となる。
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００２６】図４は本発明の第３実施例を示すＩＣチッ
プ搭載工程断面図である。この実施例のダイボンディン
グ装置は、ダイボンペースト供給部として、ダイボンペ
ースト３２をシリンジ３７中に収納し、そのシリンジ３
７は、ダイボンペースト供給ステージ３８の下部より一
定量を押し出すポンプに接続されている。ダイボンペー
スト供給ステージ３８には、押し出されたダイボンペー
スト３２が排出される開口部が設けてある。その開口部
より排出されたダイボンペースト３２をＩＣチップ３３
裏面に接触させ供給する構成とする。他の構成は、第２
実施例と同様である。
プ搭載工程断面図である。この実施例のダイボンディン
グ装置は、ダイボンペースト供給部として、ダイボンペ
ースト３２をシリンジ３７中に収納し、そのシリンジ３
７は、ダイボンペースト供給ステージ３８の下部より一
定量を押し出すポンプに接続されている。ダイボンペー
スト供給ステージ３８には、押し出されたダイボンペー
スト３２が排出される開口部が設けてある。その開口部
より排出されたダイボンペースト３２をＩＣチップ３３
裏面に接触させ供給する構成とする。他の構成は、第２
実施例と同様である。
【００２７】以下、第３実施例のＩＣチップ搭載方法に
ついて図４を参照しながら説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、基板３１を、一
定の温度に制御させたステージヒータ３５に固定し加熱
する。 （２）次に、図４（ｂ）に示すように、ＩＣチップ３３
を、トレイまたは、ウエハよりダイボンコレット３４で
真空吸着しピックアップする。ピックアップされたＩＣ
チップ３３は、ダイボンペースト供給ステージ３８下部
のダイボンペースト３２の入ったシリンジ３７よりダイ
ボンペースト３２の一定量を、例えば、気体の圧力で押
し出し、排出されたダイボンペースト３２をＩＣチップ
３３の裏面に接触させ供給する。
ついて図４を参照しながら説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、基板３１を、一
定の温度に制御させたステージヒータ３５に固定し加熱
する。 （２）次に、図４（ｂ）に示すように、ＩＣチップ３３
を、トレイまたは、ウエハよりダイボンコレット３４で
真空吸着しピックアップする。ピックアップされたＩＣ
チップ３３は、ダイボンペースト供給ステージ３８下部
のダイボンペースト３２の入ったシリンジ３７よりダイ
ボンペースト３２の一定量を、例えば、気体の圧力で押
し出し、排出されたダイボンペースト３２をＩＣチップ
３３の裏面に接触させ供給する。
【００２８】（３）次に、図４（ｃ）に示すように、基
板３１のＩＣチップ３３の搭載位置とＩＣチップ３３を
画像認識等により位置合わせする。位置合わせ終了後、
ダイボンコレット３４は、ＩＣチップ３３から基板３１
に対して所定の荷重をかける。この時、基板３１は、前
記ステージヒータ３５により所定の温度に加熱させてい
るため、ダイボンペースト３２を半硬化状態にする。
板３１のＩＣチップ３３の搭載位置とＩＣチップ３３を
画像認識等により位置合わせする。位置合わせ終了後、
ダイボンコレット３４は、ＩＣチップ３３から基板３１
に対して所定の荷重をかける。この時、基板３１は、前
記ステージヒータ３５により所定の温度に加熱させてい
るため、ダイボンペースト３２を半硬化状態にする。
【００２９】（４）次に、図４（ｄ）に示すように、他
のＩＣチップ３３も同様にダイボンドし、全てＩＣチッ
プ３３を搭載後、オーブン又はリフロー炉３６に入れ、
ダイボンペースト３２を硬化させる。このように、第３
実施例によれば、ＩＣチップをダイボンドする間やダイ
ボンペーストを硬化させるための搬送中においても、画
像認識で得られた所定の位置からの半導体素子のずれを
解消することができる。更に、ダイボンペーストは、チ
ップ裏面の所定の位置に一定量供給され、ＩＣチップの
外周からはみ出す量をコントロールすることができる。
また、ＬＥＤプリントヘッドのようにＩＣチップを微小
間隔でダイボンドする必要があるものに対しては、発光
点のずれやダイボンペーストの這い上がりがなくなり、
発光量の低下やチップかけなどの不良が無くなる。
のＩＣチップ３３も同様にダイボンドし、全てＩＣチッ
プ３３を搭載後、オーブン又はリフロー炉３６に入れ、
ダイボンペースト３２を硬化させる。このように、第３
実施例によれば、ＩＣチップをダイボンドする間やダイ
ボンペーストを硬化させるための搬送中においても、画
像認識で得られた所定の位置からの半導体素子のずれを
解消することができる。更に、ダイボンペーストは、チ
ップ裏面の所定の位置に一定量供給され、ＩＣチップの
外周からはみ出す量をコントロールすることができる。
また、ＬＥＤプリントヘッドのようにＩＣチップを微小
間隔でダイボンドする必要があるものに対しては、発光
点のずれやダイボンペーストの這い上がりがなくなり、
発光量の低下やチップかけなどの不良が無くなる。
【００３０】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図５は本発明の第４実施例を示すＩＣチップ搭載工
程断面図である。この実施例のダイボンディング装置
は、基板を所定の位置で固定し、また、ダイボンコレッ
ト４４には、図示しないが、ＩＣチップ４３を真空吸着
し、ピックアップするための開口部が設けられている。
ダイボンペースト供給部は、従来方法と同様に基板に供
給する方法、または、第２実施例、第３実施例のように
ＩＣチップの裏面に供給する供給部を設けるようにして
も構わない。
る。図５は本発明の第４実施例を示すＩＣチップ搭載工
程断面図である。この実施例のダイボンディング装置
は、基板を所定の位置で固定し、また、ダイボンコレッ
ト４４には、図示しないが、ＩＣチップ４３を真空吸着
し、ピックアップするための開口部が設けられている。
ダイボンペースト供給部は、従来方法と同様に基板に供
給する方法、または、第２実施例、第３実施例のように
ＩＣチップの裏面に供給する供給部を設けるようにして
も構わない。
【００３１】さらに、この実施例ではダイボンコレット
４４の近傍に、ホットエアー４６を吹き出すノズル４５
が設けられている。基板４１とＩＣチップ４３の位置合
わせについては、図示しないが、一般的な画像認識が行
えるように、カメラ及び照明が設置されている。以上各
部は、パルスモータ等により水平方向、垂直方向に稼動
可能で制御されるものである。
４４の近傍に、ホットエアー４６を吹き出すノズル４５
が設けられている。基板４１とＩＣチップ４３の位置合
わせについては、図示しないが、一般的な画像認識が行
えるように、カメラ及び照明が設置されている。以上各
部は、パルスモータ等により水平方向、垂直方向に稼動
可能で制御されるものである。
【００３２】以下、第４実施例のＩＣチップ搭載方法に
ついて図５を参照しながら説明する。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、ＩＣチップ４３
を、トレイまたは、ウエハよりダイボンコレット４４で
真空吸着しピックアップする。ダイボンペースト４２
を、基板４１に供給する場合、従来法と同様のディスペ
ンス法、スタンピング法、スクリーン印刷法などで供給
する。また、ＩＣチップ４３にダイボンペースト４２を
供給する場合は、第２実施例または第３実施例に示した
ようにチップ裏面に供給する。ここで、基板４１のＩＣ
チップ搭載位置とＩＣチップ４３を画像認識等により位
置合わせする。
ついて図５を参照しながら説明する。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、ＩＣチップ４３
を、トレイまたは、ウエハよりダイボンコレット４４で
真空吸着しピックアップする。ダイボンペースト４２
を、基板４１に供給する場合、従来法と同様のディスペ
ンス法、スタンピング法、スクリーン印刷法などで供給
する。また、ＩＣチップ４３にダイボンペースト４２を
供給する場合は、第２実施例または第３実施例に示した
ようにチップ裏面に供給する。ここで、基板４１のＩＣ
チップ搭載位置とＩＣチップ４３を画像認識等により位
置合わせする。
【００３３】（２）次に、図５（ｂ）に示すように、位
置合わせ終了後、ダイボンコレット４４により、ＩＣチ
ップ４３に所定の荷重をかけ、基板４１にＩＣチップ４
３を搭載する。この時、ノズル４５から所定温度のホッ
トエアー４６を吹き出し、ダイボンペースト４２を半硬
化状態にする。 （３）次に、他のＩＣチップも同様にダイボンドし、図
５（ｃ）に示すように、全てのＩＣチップ４３を搭載す
る。
置合わせ終了後、ダイボンコレット４４により、ＩＣチ
ップ４３に所定の荷重をかけ、基板４１にＩＣチップ４
３を搭載する。この時、ノズル４５から所定温度のホッ
トエアー４６を吹き出し、ダイボンペースト４２を半硬
化状態にする。 （３）次に、他のＩＣチップも同様にダイボンドし、図
５（ｃ）に示すように、全てのＩＣチップ４３を搭載す
る。
【００３４】（４）次に、図５（ｄ）に示すように、オ
ーブン又はリフロー炉４７に入れ、ダイボンペースト４
２を硬化させる。このように、第４実施例によれば、Ｉ
Ｃチップをダイボンドする間やダイボンペーストを硬化
させるための搬送中においても、画像認識で得られた所
定の位置からの半導体素子のずれを解消することができ
る。
ーブン又はリフロー炉４７に入れ、ダイボンペースト４
２を硬化させる。このように、第４実施例によれば、Ｉ
Ｃチップをダイボンドする間やダイボンペーストを硬化
させるための搬送中においても、画像認識で得られた所
定の位置からの半導体素子のずれを解消することができ
る。
【００３５】また、ＬＥＤプリントヘッドのようにＩＣ
チップを微小間隔でダイボンディングする必要があるも
のに対しては、発光点のずれやチップかけなどの不良が
無くなる。さらに、第１実施例の方法では、パルスヒー
ト電源で大電流が、第２、第３実施例ではステージヒー
タが大きいので容量の大きいヒータが必要になる。しか
し、本実施例に示したように、ノズルによるホットエア
ーの吹き出しによりダイボンペーストを半硬化させる
と、設備的にコンパクトで省電力化を図ることができ
る。
チップを微小間隔でダイボンディングする必要があるも
のに対しては、発光点のずれやチップかけなどの不良が
無くなる。さらに、第１実施例の方法では、パルスヒー
ト電源で大電流が、第２、第３実施例ではステージヒー
タが大きいので容量の大きいヒータが必要になる。しか
し、本実施例に示したように、ノズルによるホットエア
ーの吹き出しによりダイボンペーストを半硬化させる
と、設備的にコンパクトで省電力化を図ることができ
る。
【００３６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１記載の発明によれば、他の半導体素子を
ダイボンドする間や、ダイボンペーストを硬化させるた
めの搬送中においても、画像認識で得られた所定の位置
からのずれを解消することができる。また、ＬＥＤプリ
ントヘッドのように半導体素子を微小間隔でダイボンデ
ィングする必要があるものに対しては、発光点のずれや
チップかけなどの不良を無くすことができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１記載の発明によれば、他の半導体素子を
ダイボンドする間や、ダイボンペーストを硬化させるた
めの搬送中においても、画像認識で得られた所定の位置
からのずれを解消することができる。また、ＬＥＤプリ
ントヘッドのように半導体素子を微小間隔でダイボンデ
ィングする必要があるものに対しては、発光点のずれや
チップかけなどの不良を無くすことができる。
【００３８】（Ｂ）請求項２又は７記載の発明によれ
ば、上記（Ａ）の効果に加えて、コレットによる吸着と
同時に、コレットを介して半導体素子を加熱して初期の
ダイボンディング時にダイボンペーストを半硬化状態に
することができるので、半導体素子のずれを防止でき、
半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要があ
る場合であっても、所定の位置に正確に配置することが
できる。
ば、上記（Ａ）の効果に加えて、コレットによる吸着と
同時に、コレットを介して半導体素子を加熱して初期の
ダイボンディング時にダイボンペーストを半硬化状態に
することができるので、半導体素子のずれを防止でき、
半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要があ
る場合であっても、所定の位置に正確に配置することが
できる。
【００３９】（Ｃ）請求項３又は９記載の発明によれ
ば、上記（Ａ）の効果に加えて、半導体基板のステージ
にヒータを配置するのみで、コレットに加熱手段を付設
する必要がなくなり、構成を簡素化することができる。 （Ｄ）請求項４記載の発明によれば、上記（Ａ）の効果
に加えて、ダイボンディング部を外部より加熱するホッ
トエアーにより、初期のダイボンディング時にダイボン
ペーストを半硬化状態にすることができるので、設備的
にコンパクトで省電力化を図ることができる。
ば、上記（Ａ）の効果に加えて、半導体基板のステージ
にヒータを配置するのみで、コレットに加熱手段を付設
する必要がなくなり、構成を簡素化することができる。 （Ｄ）請求項４記載の発明によれば、上記（Ａ）の効果
に加えて、ダイボンディング部を外部より加熱するホッ
トエアーにより、初期のダイボンディング時にダイボン
ペーストを半硬化状態にすることができるので、設備的
にコンパクトで省電力化を図ることができる。
【００４０】（Ｅ）請求項５記載の発明によれば、上記
（Ｃ）又は（Ｄ）の効果に加えて、半導体素子に簡単に
熱硬化性接着剤を付着させることができる。 （Ｆ）請求項６記載の発明によれば、上記（Ｃ）又は
（Ｄ）の効果に加えて、半導体素子に所定量の熱硬化性
接着剤を供給することができる。 （Ｇ）請求項８記載の発明によれば、上記（Ｂ）の効果
に加えて、パルスヒート電源に接続されるパルスヒート
コレットにより、瞬時に初期のダイボンディング時にダ
イボンペーストを半硬化状態にすることができる。
（Ｃ）又は（Ｄ）の効果に加えて、半導体素子に簡単に
熱硬化性接着剤を付着させることができる。 （Ｆ）請求項６記載の発明によれば、上記（Ｃ）又は
（Ｄ）の効果に加えて、半導体素子に所定量の熱硬化性
接着剤を供給することができる。 （Ｇ）請求項８記載の発明によれば、上記（Ｂ）の効果
に加えて、パルスヒート電源に接続されるパルスヒート
コレットにより、瞬時に初期のダイボンディング時にダ
イボンペーストを半硬化状態にすることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すＩＣチップ搭載工程
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すＩＣチップ搭載工程
で用いるコレットの構成図である。
で用いるコレットの構成図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すＩＣチップ搭載工程
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示すＩＣチップ搭載工程
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示すＩＣチップ搭載工程
断面図である。
断面図である。
【図６】従来のＩＣチップ搭載工程断面図である。
１１，２１，３１，４１ 基板（回路基板） １２，２２，３２，４２ ダイボンペースト（熱硬化
性樹脂） １３，２３，３３，４３ ＩＣチップ（半導体素子） １４，２４，３４，４４ ダイボンコレット（パルス
ヒートコレット） １４Ａ 直流電源（パルスヒート電源） １４Ｂ 真空吸着可能な開口部 １５，２６，３６，４７ オーブン又はリフロー炉
（加熱炉） ２０ トレイ（ダイボンペースト溜め） ２５，３５ ステージヒータ ３７ シリンジ ３８ ダイボンペースト供給ステージ ４５ ノズル ４６ ホットエアー
性樹脂） １３，２３，３３，４３ ＩＣチップ（半導体素子） １４，２４，３４，４４ ダイボンコレット（パルス
ヒートコレット） １４Ａ 直流電源（パルスヒート電源） １４Ｂ 真空吸着可能な開口部 １５，２６，３６，４７ オーブン又はリフロー炉
（加熱炉） ２０ トレイ（ダイボンペースト溜め） ２５，３５ ステージヒータ ３７ シリンジ ３８ ダイボンペースト供給ステージ ４５ ノズル ４６ ホットエアー
フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体素子の実装方法において、（ａ）
半導体素子を真空吸着し、コレットの押圧で基板上へ熱
硬化性接着剤を用いて半導体素子をダイボンディングす
るとともに、加熱手段で前記熱硬化性接着剤を半硬化状
態にする工程と、（ｂ）前記半導体素子が搭載された基
板を加熱炉に移し、前記熱硬化性接着剤を硬化する工程
とを施すことを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の実装方法に
おいて、前記加熱手段は、加熱する機構を有するコレッ
トであり、予め半導体素子を加熱することを特徴とする
半導体素子の実装方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の実装方法に
おいて、前記加熱手段は、加熱されたステージであり、
前記半導体素子に予め付着されている熱硬化性接着剤を
加熱することを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体素子の実装方法に
おいて、前記加熱手段は、前記ダイボンディング部を外
部より加熱するホットエアーであり、前記半導体素子に
予め付着されている前記熱硬化性接着剤を加熱すること
を特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項５】 請求項３又は４記載の半導体素子の実装
方法において、前記半導体素子にはトレイに溜められた
熱硬化性接着剤を付着させることを特徴とする半導体素
子の実装方法。 - 【請求項６】 請求項３又は４記載の半導体素子の実装
方法において、ダイボンペースト供給ステージ上に熱硬
化性接着剤を一定量排出させ、供給量と供給位置を制御
し、前記半導体素子に前記熱硬化性接着剤を付着させる
ことを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項７】 半導体素子の実装装置において、（ａ）
半導体素子の真空吸着手段及び加熱手段を有するコレッ
トと、（ｂ）熱硬化性接着剤が形成される半導体素子の
ステージとを具備することを特徴とする半導体素子の実
装装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体素子の実装装置に
おいて、前記コレットはパルスヒート電源に接続される
パルスヒートコレットであることを特徴とする半導体素
子の実装装置。 - 【請求項９】 半導体素子の実装装置において、（ａ）
半導体素子の真空吸着手段を具備するコレットと、
（ｂ）該コレットに吸着された半導体素子に熱硬化性接
着剤を供給する手段と、（ｃ）コンスタントヒート上に
配置される半導体素子のステージとを具備することを特
徴とする半導体素子の実装装置。 - 【請求項１０】 半導体素子の実装装置において、
（ａ）半導体素子の真空吸着手段を具備するコレット
と、（ｂ）該コレットに吸着された半導体素子に熱硬化
性接着剤を供給する手段と、（ｃ）初期のダイボンディ
ング時にホットエアーを吹き出すエアー供給部とダイボ
ンディング部を加熱するノズルを具備することを特徴と
する半導体素子の実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160198A JPH11251335A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 半導体素子の実装装置及びその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160198A JPH11251335A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 半導体素子の実装装置及びその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251335A true JPH11251335A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12891431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160198A Withdrawn JPH11251335A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 半導体素子の実装装置及びその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251335A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158390A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| JP2004186707A (ja) * | 2004-03-16 | 2004-07-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2007099759A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 部品接合方法、部品積層方法および部品接合構造体 |
| EP1610359A3 (en) * | 2004-06-24 | 2008-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bonding apparatus, bonding method, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2010003962A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Denso Corp | 電子部品の製造装置および製造方法 |
| JP2014120496A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンド装置、半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP5160198A patent/JPH11251335A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158390A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| JP2004186707A (ja) * | 2004-03-16 | 2004-07-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP1610359A3 (en) * | 2004-06-24 | 2008-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bonding apparatus, bonding method, and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2007099759A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 部品接合方法、部品積層方法および部品接合構造体 |
| JP2007234713A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品接合方法および部品積層方法 |
| US8614118B2 (en) | 2006-02-28 | 2013-12-24 | Panasonic Corporation | Component bonding method, component laminating method and bonded component structure |
| JP2010003962A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Denso Corp | 電子部品の製造装置および製造方法 |
| JP2014120496A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンド装置、半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |