JPWO2008093488A1 - シリコンウエーハの面取り装置およびシリコンウエーハの製造方法ならびにエッチドシリコンウエーハ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)面取り部最先端基準L1からウェーハ中心方向に450μm入り込んだ基準L2と表面側面取り部断面の交差する点P1の位置を表面基準L3とする。面取り部において、基準L3と並行に、基準L3から25μmに位置する点P2と基準L3から70μmに位置する点P3を結ぶ直線をL6とし、基準L3と直線L6のなす角度をθ1と定義する。また裏面側も同様にθ2が定義される。一般的に、これらを面取り角度と称する。
(2)基準L3と直線L6の交点を点P4とし、点P4と基準L1との距離をA1と定義する。また裏面側も同様にA2が定義される。これらを一般的に面幅と称する。
(3)面取り部先端基準L1からウェーハ中心方向に50μm平行移動した直線L7と面取り部断面の交差する点P5と点P6との距離をBCと定義する。これも一般的に面幅と称する。
4点測定時の箇所は、ノッチ近傍(例えば、ノッチから9°の箇所)を含む90°間隔の4箇所である。また8点測定時の箇所は、ノッチ近傍(例えば、ノッチから9°の箇所)を含む45°間隔の8箇所である。但し、測定箇所はこれに限るものではない。また、ノッチから9°の箇所を測定箇所とするのは、ノッチ部は面取り部が存在しないためであり、特には9°に限定されるわけではない。
まず、図4(A)に示すように、単結晶インゴットから薄板ウェーハを切り出すスライス工程と、ウェーハの外周部のカケを防止するための面取り工程と、ウェーハの厚さばらつきをなくすためのラッピング工程もしくは両面研削工程と、前記面取り、ラッピングや研削で導入された加工歪みや汚染物を除去するためのエッチング工程と、ウェーハの面取り部及び主表面或いは両面を鏡面にする鏡面研磨工程を順次行う事が一般的である。特に、厳しい面取り形状精度を達成するために、ラッピング後もしくは表裏研削後に再度面取り処理を行う事が行われている。
尚、図4(A)の製造方法でラッピング工程を行う場合、ラッピング前に粗面取りが必要となる。
したがって、上記従来の製造方法では、面取り部の断面形状寸法において、近年要求されている例えば32nmノードで±25μm以下という極めて小さいばらつきにまで抑制することを満足することができなかった。
このように、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じた面取り形状の変更を、面取り工程後のエッチング工程での、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる形状変化量に基づいて行えば、エッチング後に、面取り部の断面形状寸法のばらつきがより少なく、高品質のシリコンウエーハを得ることができる。
このように、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる形状変化量を、予め試験を行い求めれば、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる形状変化量を正確に求めることができ、その結果、一層面取り部の断面形状寸法の精度が高いシリコンウエーハを得ることができる。
このように、エッチング工程を、水酸化ナトリウム水溶液および/または水酸化カリウム水溶液を用いて行えば、エッチング処理によるシリコンウエーハの主面の形状変化を比較的抑制してエッチングすることができ、平坦度の高いウエーハを得ることができる。
このように、本発明のエッチドシリコンウエーハでは、ウエーハの円周方向における面取り部の断面形状寸法のばらつきが±10μm以下であり、例えば±40μm程度の従来のエッチドシリコンウエーハに比べ、極めてばらつきが抑制された高品質のものとなる。
従来のシリコンウエーハの製造方法では、面取り工程においてシリコンウエーハの外周部を円周方向の各位置で均一な形状となるように面取りを行い、主面における形状の維持性能の高いアルカリエッチングによりエッチング工程を行うのが常識であった。
しかしながら、たとえ面取り工程で均一な面取り形状を得られたとしても、その後のエッチング工程で、アルカリ系水溶液の結晶方位に依存したエッチング異方性によって、面取り部の断面形状寸法にばらつきが生じてしまうため、従来法では、主表面の平坦度は維持されるものの、高精度な面取り部の断面形状寸法の要求に応えることができない。
図4(A)で示される工程に沿ってシリコンウエーハを製造した。
マルチワイヤーソー装置を用い、GC#1500の砥粒を主成分とするスラリーで切断し、結晶方位(100)、直径300mm、厚さ910μmのシリコンウェーハを得た。そしてこのシリコンウエーハの外周部を#600のメタルボンドホイールを用いて粗面取りした後、FO#1200を主成分とするスラリーでラッピングし、厚さ約815μmのシリコンウェーハを準備した。なお、上記粗面取りは図5で示す総型の面取り砥石を用いて処理したが、これはチッピング防止の意味が大きく、形状精度は問わなかった。
そして、上記ラッピングを行い準備したシリコンウエーハに、更に#3000レジンボンドホイールを用いて、図5で示すように、研削ホイール溝形状をウェーハ端面部に転写する方式による面取り装置により、面取り部の断面形状が均一になるように精面取り処理を施した。
この図9および図10から判るように、従来法による面取り工程後では、シリコンウエーハの全周にわたり、A1値、A2値、BC値のばらつきは、それぞれ、狙い値からのズレ量はほぼ±10μmに収まっており、ほぼ均一な面取り断面形状が得られている事が確認され、かつ円周方向において特徴的な傾向は見られなかった。
次に、上記精面取り工程後のシリコンウェーハを重量濃度約52%、液温約75℃に加熱された水酸化ナトリウム水溶液を用いて10分浸漬する事で、約20μmの厚さのエッチングを行った。
水酸化ナトリウム水溶液に代表されるアルカリ系水溶液は、ウェーハの形状、特に主面の平坦度を損なう事なく全面を均一にエッチングする事が出来るとされており、最近ではシリコンウェーハのエッチング処理に採用されている(例えば、特開平11−171693号公報参照)。
A1値、A2値では大きな変化は見られないものの、BC値には顕著な変化が観察された。即ち、図11に示すA1、A2の狙い値からのズレ量は、エッチング前(すなわち精面取り工程後)の相対的な形状と円周方向の位置で大きな変化はない(なお、絶対値では約−30μmの変化はある)。
アルカリエッチングで顕在化する上述の面取り部の断面形状寸法BC値の円周方向の位置による変化は、シリコンウェーハの持つ結晶方位がエッチング時に異方性として働いたものと考えられる。
上記例では、(100)結晶軸を主面としたシリコンウェーハを用いている。図7に、一般的な(01−1)方向をノッチ方位とした場合の各測定箇所の円周方向に対応する結晶方位を示す。ノッチ(01−1)を基準に90°:(0−1−1)、180°:(0−11)、270°:(011)は等価、45°:(00−1)、135°:(0−10)、225°:(001)、315°:(010)は等価とみなす事が出来る。
従って、(001)と等価な方位と(011)と等価な方位でエッチングに差が現れ、BC値の測定結果である図12のように、面取り部の断面形状の異方性が観察されると考えられる。
図16に示す一例のように、幾何学的に、先端Rの大きさによってBC値は変化する。即ち、例えば0.2mm(図16(A))から0.24mm(図16(B))に、先端Rの半径を40μmだけ大きくすると、BC値は482μm(図16(A))から458μm(図16(B))へと約30μm短くなる。
これは、エッチング後の円周方向の位置におけるBC値の測定結果の図12と、エッチング後の円周方向の位置における先端R1、R2の大きさの測定結果の図13の現象と一致している。すなわち、BC値とR値は連動しており、例えばR値を大きくすれば、BC値を小さくすることができる。
そして、これを利用し、特には、まず、予備試験やあるいは過去のデータ等により、エッチングの持つ結晶方位に対する異方性(シリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチング量の差、つまりはエッチング工程後の円周方向の位置に応じた先端Rの大きさの差に反映される)を求める。そして、本試験での面取り工程において、そのシリコンウエーハの円周方向の位置に応じた先端Rの差を打ち消すように、各円周方向の位置に応じて、先端Rの大きさを適切に設定し、外周部の面取り形状を変更して面取りを行う。これにより、面取り工程後、面取り部は、円周方向の位置に応じて断面形状が変化して不均一なものとなるが、その後のエッチング工程後では、面取り部は上記不均一な形状を打ち消すようにしてエッチングが行われることになる。つまり、最終結果として、面取り部の断面形状寸法のばらつきが極めて抑制された高品質のエッチドシリコンウエーハを得ることが可能になる。以上のことを本発明者は発見した。
また上記例では(100)方向を主面に持つシリコンウェーハを用いたが、他の方位軸においても同様の現象が生じる。
図1に本発明のシリコンウエーハの面取り装置の概略を示す。図1に示すように、本発明の面取り装置1は、シリコンウエーハWを保持するとともにこれを回転させる保持具2、保持具2に保持されたシリコンウエーハWの外周部を面取りする面取り砥石3、シリコンウエーハWの外周部と面取り砥石3の相対位置を数値制御により制御する制御装置4を有している。
以下、上記の各構成について詳述する。
保持具2のこれらの保持機構および回転機構は特に限定されず、従来と同様のものとすることができる。
例えば、予備試験を有する図3で示される工程に沿ってシリコンウエーハを製造する。なお、本発明の製造方法はこれに限定されず、必ずしも予備試験を行わず、例えば過去の蓄積データ等を利用してシリコンウエーハを製造することも可能である。
まず、予備試験用としてのサンプルウエーハを準備する。例えばCZ法により育成したシリコン単結晶棒をスライスし、シリコンウエーハを得る。そして、このシリコンウエーハの外周部を粗面取りし、ラッピング工程または両面研削工程にかける。
このとき、上述のように、アルカリエッチングの結晶方位異方性により、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じて、エッチング量が異なり、面取り部の形状が不均一となる。
エッチングを行った後、エッチドシリコンウエーハの円周方向の各位置における面取り部の断面形状について測定を行い、BC値やR値等の寸法を得る。
すなわち、上記断面形状寸法の値から、本試験時でのエッチング工程において、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる形状変化量に基づき、該円周方向の各位置での形状変化量の不均一を相殺してエッチング後に面取り部の断面形状が均一になるように、あえて、円周方向の位置に応じて不均一な面取り形状が形成されるように面取り工程での面取り条件を設定する。
例えば、図12、13に示す例では、エッチング工程後の円周方向の位置に応じたBC値のばらつき(図12)を小さくするために、BC値と連動するR値のデータ(図13)から、エッチング工程後のR値の円周方向の位置によるばらつきが小さくなるように、面取り工程での円周方向の位置に応じたR値を設定する。より具体的には、例えば、45°、135°、225°、315°の点(45°間隔点)のR値(図13のR1では、およそ250μm)を、8.7°、90°、180°、270°351°の点(90°間隔点)のR値(図13のR1では、およそ200μm)の差(250−200=50μm)を埋めるようにする。すなわち、面取り条件において、R値を90°間隔点でR90°とするならば、45°間隔点でのR値を(R90°−50)μmと設定する。これにより、BC値も連動してエッチング工程後ではBC値のばらつきが小さくなることが見込まれる。
しかしながら、本発明の製造方法では、もともと、エッチング工程での結晶方位に依存するエッチングの異方性を考慮した上で、それによって生じる円周方向の位置に応じた不均一なエッチング(R値の不均一)を打ち消すように、前工程である面取り工程で、わざと面取り部の断面形状が不均一になるように面取りを行っているので、結果として、エッチング工程後のシリコンウエーハの面取り部の断面形状を極めて均一なものとすることができる。
一方、上記本発明の製造方法で製造されたエッチドシリコンウエーハは、面取り部の断面形状寸法を狙い値に近づけ、しかもばらつきが極めて少なく、±10μm以下とすることが可能である。このようにばらつきが小さい高品質のエッチドシリコンウエーハであれば、今後予想される顧客からの高い精度の要求(例えば、ばらつきが、32nmノードで±25μm以下)に十分に答えることが可能である。
なお、図3に示すこれ以降の鏡面研磨工程等は、従来と同様の方法により行えば良い。
予備試験を有する図3で示される工程に沿ってシリコンウエーハを製造する。
(予備試験)
まず、予備試験として以下の実験を行った。この予備試験に関しては、上記従来と同様の製造方法によるものである。
マルチワイヤーソー装置を用い、GC#1500の砥粒を主成分とするスラリーで切断し、結晶方位(100)、直径300mm、厚さ910μmのシリコンウェーハを得た。そしてこのシリコンウエーハの外周部を#600のメタルボンドホイールを用いて粗面取りした後、FO#1200を主成分とするスラリーでラッピングし、厚さ約815μmのシリコンウェーハを準備した。なお、上記粗面取りは図5で示す総型の面取り砥石を用いて処理したが、これはチッピング防止の意味が大きく、形状精度は問わなかった。
そして、上記ラッピングを行い準備したシリコンウエーハに、更に#3000レジンボンドホイールを用いて、図5で示すように、研削ホイール溝形状をウェーハ端面部に転写する方式による面取り装置により、面取り部の断面形状が均一になるように精面取り処理を施した。
この図9および図10から判るように、従来法による面取り工程後では、シリコンウエーハの全周にわたり、A1値、A2値、BC値のばらつきは、それぞれ、狙い値からほぼ±10μmに収まっており、ほぼ均一な面取り断面形状が得られている事が確認され、かつ円周方向において特徴的な傾向は見られなかった。
上記アルカリエッチング工程後のシリコンウェーハの面取り部の断面形状寸法を、上記と同様の箇所について前記測定条件と同じ条件で測定した結果は図11および図12と同様のものとなった。
A1値、A2値では大きな変化は見られないものの、BC値には顕著な変化が観察された。即ち、図11に示すA1、A2の狙い値からのズレ量は、エッチング前(すなわち精面取り工程後)の相対的な形状と円周方向の位置で大きな変化はない(なお、絶対値では約−30μmの変化はある)。すなわち、エッチング工程後においても、A1、A2の値については、ばらつきが±10μm以下となっており良い結果が得られた。
また、BC値と連動する先端R値について測定を行ったところ、図13と同様の結果が得られた。図13から判るように、先端R1、R2の値は、(011)と等価な方位(8.7°、90°、180°、270°351°の点(90°間隔点))における値に比べて、(001)と等価な方位(45°、135°、225°、315°の点(45°間隔点))における値の方が大きく、約40〜50μmの差が生じている。
本試験では、エッチング工程前の面取り工程時に、円周方向の各位置に応じてエッチングによる形状変化を予測した面取り形状を作り込む事で、エッチング工程後の面取り断面形状を均一にする。
そこで、上記予備試験の結果に基づき、まず、面取り工程における面取り条件を設定した。本実施例では、(100)結晶軸を主表面に持つウェーハであり、45°おきにウェーハの面取り部の断面形状、特に先端Rの大きさが変化し、かつBC値が連動して変化する点に着目し、エッチング工程直前の面取り工程において、(011)と等価な方位と(001)と等価な方位で、先端部Rの大きさを変化させることにした。
尚、今回(011)と(001)と間、即ち45°間隔の内側は、直線補完として設定したが、数学的なスムージングや、サイン関数に基づく、三角関数による補完でも構わない。面取り直後の結果は、図に明記しないが、設定に応じた面取り形状が得られている。
上記で設定した条件に基づき、本試験を行った。上記予備試験と同様にラッピング工程まで行ったシリコンウエーハを準備した。次に、均一な面取りではなく、本発明の面取り装置1を用い、上述した面取り条件((011)方向と等価な箇所はR=285μm、(001)と等価な箇所はR=235μm)で、円周方向の位置に応じて、シリコンウエーハの外周部の面取り形状を変更して面取り工程を行った。この結果、円周方向で不均一な断面形状の面取り部を有するシリコンウエーハが得られた。
このように、円周方向の位置で大きなばらつき(狙い値から±40μm)がある予備試験(従来方法)の場合の図12とは異なり、図14で示すように、シリコンウエーハの全周にわたり、狙い値から±10μm以下のばらつきに抑えたBC値を得る事が出来た。
また、面取り形状先端Rの大きさも、周期性が生じている予備試験(従来方法)の場合の図13とは異なって、図15に示すように円周方向の位置により周期性を示す事がなく、期待通りの結果となった。
また、実施例のエッチング液には、水酸化ナトリウム水溶液を用いたが、同じアルカリ系の水酸化カリウム水溶液を用いても、結晶の方位依存性は同じであるため、上記実施例と同様の結果を得ることが可能である。
さらに、本試験において、粗面取りした後、ラッピングまたは両面研削後の精面取りとして不均一な精面取りを行い、エッチングする場合について説明したが、粗面取りした後、ラッピングまたは両面研削後に均一な精面取りを行い、その後に不均一な精面取りを行い、エッチングすることも可能である。
したがって、上記従来の製造方法では、面取り部の断面形状寸法において、近年要求されている例えば32nmノードで±25μm以下という極めて小さいばらつきにまで抑制することを満足することができなかった。
尚、今回(011)と(001)と間、即ち45°間隔の内側は、直線補間として設定したが、数学的なスムージングや、サイン関数に基づく、三角関数による補間でも構わない。面取り直後の結果は、図に明記しないが、設定に応じた面取り形状が得られている。
Claims (7)
- 面取り砥石を用いてシリコンウエーハの外周部を面取りするシリコンウエーハの面取り装置であって、少なくとも、シリコンウエーハを保持するとともにこれを回転させる保持具と、該保持具に保持されたシリコンウエーハの外周部を面取りする面取り砥石と、前記シリコンウエーハの外周部と前記面取り砥石の相対位置を数値制御により制御して面取り形状を制御するための制御装置を具備し、該制御装置は、前記保持具に保持されたシリコンウエーハの円周方向の位置に応じ、面取りするときの前記シリコンウエーハの外周部と面取り砥石の相対位置を変更制御するものであることを特徴とするシリコンウエーハの面取り装置。
- 少なくとも、シリコンウエーハの外周部を面取りする工程と、該面取り工程後に前記シリコンウエーハの少なくとも面取り部をエッチング処理する工程を有するシリコンウエーハの製造方法であって、前記シリコンウエーハの円周方向の位置に応じて面取り部の断面形状が変化するように、シリコンウエーハの円周方向の位置に応じて外周部の面取り形状を変更して前記面取り工程を行った後、前記エッチング工程を行い、シリコンウエーハを製造することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
- 前記シリコンウエーハの円周方向の位置に応じた面取り形状の変更を、前記エッチング工程におけるシリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる形状変化量に基づいて行うことを特徴とする請求項2に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 前記シリコンウエーハの円周方向の位置に応じたエッチングによる形状変化量を、予め試験を行い求めることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 前記エッチング工程を、水酸化ナトリウム水溶液および/または水酸化カリウム水溶液を用いて行うことを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 請求項2から請求項5のいずれか一項に記載されたシリコンウエーハの製造方法により製造されたシリコンウエーハ。
- エッチドシリコンウエーハであって、ウエーハの円周方向における面取り部の断面形状寸法のばらつきが±10μm以下のものであることを特徴とするエッチドシリコンウエーハ。
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DE102009051008B4 (de) * | 2009-10-28 | 2013-05-23 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
WO2011105255A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
DE102010014874A1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
JP2014053510A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 端面加工方法及び端面加工装置 |
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JP5867377B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-02-24 | 信越半導体株式会社 | 円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法 |
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KR101452250B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2014-10-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 기판 대칭 면취 방법 및 장치 |
JP6007889B2 (ja) | 2013-12-03 | 2016-10-19 | 信越半導体株式会社 | 面取り加工装置及びノッチレスウェーハの製造方法 |
JP6244962B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2017-12-13 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
JP6256576B1 (ja) * | 2016-11-17 | 2018-01-10 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
JP6610587B2 (ja) | 2017-03-13 | 2019-11-27 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの製造方法 |
WO2019035336A1 (ja) * | 2017-08-15 | 2019-02-21 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法 |
JP6750592B2 (ja) | 2017-08-15 | 2020-09-02 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法 |
JP6841202B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2021-03-10 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
KR101992778B1 (ko) | 2017-11-01 | 2019-06-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 및 그 형상 분석 방법 |
JP7153578B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2022-10-14 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
JP7047797B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2022-04-05 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法及びテラス加工装置 |
CN109822432A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-31 | 成都青洋电子材料有限公司 | 一种单晶硅片截面打磨用滚磨机 |
CN113211235A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-06 | 山西光兴光电科技有限公司 | 研磨设备以及研磨方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000024894A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 |
JP2001087996A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハ外周部の鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS553633A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-11 | Sharp Corp | Manufacturing semiconductor device |
JPH0637024B2 (ja) | 1987-08-23 | 1994-05-18 | エムテック株式会社 | オリエンテ−ションフラットの研削方法及び装置 |
JP2537575B2 (ja) * | 1991-02-05 | 1996-09-25 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェ―ハの製造方法 |
ATE214321T1 (de) * | 1996-06-15 | 2002-03-15 | Unova Uk Ltd | Verfahren zum schleifen von kanten |
JPH10249689A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取方法及び装置 |
MY119304A (en) | 1997-12-11 | 2005-04-30 | Shinetsu Handotai Kk | Silicon wafer etching method and silicon wafer etchant |
GB2351684B (en) * | 1999-07-03 | 2001-07-11 | Unova Uk Ltd | Improvement in and relating to edge grinding |
US6685539B1 (en) * | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
JP4093793B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2008-06-04 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ |
JP3978780B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-09-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの研磨方法及び装置 |
JP2004186226A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの製造方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000024894A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの面取り方法およびその装置 |
JP2001087996A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハ外周部の鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置 |
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