JPWO2006134664A1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
次に、本発明の第1の実施形態について説明する。但し、ここでは、便宜上、半導体装置の断面構造については、その製造方法と共に説明する。図2A乃至図2Lは、本発明の第1の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)の製造方法を工程順に示す断面図である。
Chemical Vapor Deposition)法により、膜厚が750nmのシリコン酸化膜60を形成する。次いで、プラズマTEOSCVD法により、例えば膜厚が1100nmのシリコン酸化膜62を形成する。原料ガスとしては、例えば、TEOSガスと酸素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いる。なお、シリコン酸化膜60及び62の形成方法は、上述のものに限定されるものではない。例えば、シリコン酸化膜60及び62の両方を、プラズマTEOSCVD法により形成してもよい。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図3は、本発明の第2の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)を示す断面図である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図4は、本発明の第3の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)を示す断面図である。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。図5は、本発明の第4の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)を示す断面図である。
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。第1〜第4の実施形態では、強誘電体キャパシタ42の構造がプレーナ型とされているが、第5の実施形態には、構造がスタック型の強誘電体キャパシタが設けられている。以下、第5の実施形態について詳細に説明するが、便宜上、その断面構造については、その製造方法と共に説明する。図6A乃至図6Gは、本発明の第5の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)の製造方法を工程順に示す断面図である。
isolation)により素子分離領域313を形成する。続いて、ゲート絶縁膜314、ゲート電極315、キャップ膜316、サイドウォール317、ソース/ドレイン拡散層318及びシリサイド層319をウェル312の表面に形成することにより、スイッチング素子としてMOSトランジスタ320を形成する。このMOSトランジスタ320が、図1におけるMOSトランジスタ2に相当する。なお、各MOSトランジスタ320には、ソース及びドレイン用に2個のソース/ドレイン拡散層318を形成するが、その一方は、2個のMOSトランジスタ320間で共有させる。
Claims (20)
- 半導体基板の上方に形成された複数個の強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第1のバリア膜と、
前記第1のバリア膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記強誘電体キャパシタに接続された配線と、
を有し、
前記層間絶縁膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも1個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する1又は2以上の第2のバリア膜を含み、
前記1又は2以上の第2のバリア膜が、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆うことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2のバリア膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタの間に位置する傾斜部を有し、
前記傾斜部と前記半導体基板の表面とがなす角度は、60°以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2のバリア膜は、前記強誘電体キャパシタの上方に位置する平坦部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のバリア膜は、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ジルコニウム酸化膜、アルミニウム窒化膜、タンタル窒化膜及びアルミニウム酸窒化膜からなる群から選択された1種であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のバリア膜は、アルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のバリア膜は、少なくとも前記層間絶縁膜の他の部分を介して前記第1のバリア膜から離間されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のバリア膜は、少なくとも前記層間絶縁膜の他の部分を介して前記配線から離間されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のバリア膜の厚さは、1nm乃至100nmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線は、複数の配線層にわたって形成され、
前記配線層間の1又は2以上の高さ位置に形成され、水素又は水の拡散を防止する第3のバリア膜を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の配線層のうちで最も上に位置する最上配線層の上に形成された絶縁膜を有し、
前記絶縁膜には、前記最上配線層まで達するパッド開口部が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記第2のバリア膜は、互いに異なる物質からなり、互いに積層された少なくとも2種類の膜を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第1のバリア膜を形成する工程と、
前記第1のバリア膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記強誘電体キャパシタに接続される配線を形成する工程と、
を有し、
前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも1個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する1又は2以上の第2のバリア膜を形成することにより、前記1又は2以上の第2のバリア膜に、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆わせる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜を形成する工程は、
前記第1のバリア膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を平坦化する工程と、
前記第1の絶縁膜に1又は2以上の溝を、当該1又は2以上の溝により前記複数個の強誘電体キャパシタのすべてが取り囲まれるように形成する工程と、
前記絶縁膜上及び前記溝の内部に前記第2のバリア膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記溝の側面と前記半導体基板の表面とがなす角度を60°以下とすることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝を形成する工程と前記第2のバリア膜を形成する工程との間に、熱処理を施す工程を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を、少なくともN2Oを用いて発生させたプラズマ雰囲気中で行うことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のバリア膜として、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ジルコニウム酸化膜、アルミニウム窒化膜、タンタル窒化膜及びアルミニウム酸窒化膜からなる群から選択された1種を形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1及び第2のバリア膜の厚さを、1nm乃至100nmとすることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線を、複数の配線層にわたって形成し、
前記配線層間の1又は2以上の高さ位置に、水素又は水の拡散を防止する第3のバリア膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記複数の配線層のうちで最も上に位置する最上配線層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記最上配線層まで達するパッド開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
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