JP5251129B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
半導体装置の他の一態様には、半導体基板の上方に形成され、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタが設けられている。前記強誘電体キャパシタの上方に第1の層間絶縁膜が設けられている。前記第1の層間絶縁膜上に、前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも一方にその一部が接続された第1の配線が形成されている。前記第1の配線の側面及び前記第1の層間絶縁膜上に形成され、水素又は水分の拡散を防止する第1のバリア膜と、前記第1のバリア膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面及び前記第1の配線の上面を有する平坦な面上に形成され、水素又は水分の拡散を防止する第2のバリア膜と、が設けられている。前記第2のバリア膜上に第2の層間絶縁膜が形成されている。前記第2の層間絶縁膜上に、その一部が前記第1の配線に接続された第2の配線が形成されている。
半導体装置の製造方法の他の一態様では、半導体基板の上方に、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成した後、前記強誘電体キャパシタの上方に、第1の層間絶縁膜を形成する。前記第1の層間絶縁膜上に、前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも一方にその一部が接続される第1の配線を形成する。次に、前記第1の配線の側面及び前記第1の配線の上面、前記第1の層間絶縁膜上に、水素又は水分の拡散を防止する第1のバリア膜を形成する。前記第1のバリア膜上に、上面が前記第1の配線の上面よりも高い位置にある絶縁膜を形成する。前記絶縁膜の上面を平坦化して、前記配線の上面を露出し、前記絶縁膜の上面及び前記第1の配線の上面を有する平坦な面を形成する。平坦化された前記絶縁膜及び前記第1の配線上に、水素又は水分の拡散を防止する第2のバリア膜を形成する。次いで、前記第2のバリア膜上に第2の層間絶縁膜を形成する。そして、前記第2の層間絶縁膜上に、その一部が前記第1の配線に接続される第2の配線を形成する。
先ず、参考例について説明する。この参考例は、本願発明者が本発明に至る過程で想到した技術である。図1は、参考例に係る強誘電体メモリ(半導体装置)の構造を示す断面図である。
ここで、本発明の第1の実施形態について説明する。図2Aは、本発明の第1の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)を示す平面図であり、図2Bは、同じく強誘電体メモリを示す断面図である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図6A乃至図6Bは、本発明の第2の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図8は、本発明の第3の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)を示す断面図である。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。図9は、本発明の第4の実施形態に係る強誘電体メモリ(半導体装置)を示す断面図である。
Claims (7)
- 半導体基板の上方に形成され、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタの上方に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成され、前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも一方にその一部が接続された第1の配線と、
前記第1の配線の側面及び上面並びに前記第1の層間絶縁膜上に形成され、水素又は水分の拡散を防止する第1のバリア膜と、
前記第1のバリア膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上面及び前記第1の配線上の前記第1のバリア膜の上面を有する平坦な面上に形成され、水素又は水分の拡散を防止する第2のバリア膜と、
前記第2のバリア膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、その一部が前記第1の配線に接続された第2の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の上方に形成され、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタの上方に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に形成され、前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも一方にその一部が接続された第1の配線と、
前記第1の配線の側面及び前記第1の層間絶縁膜上に形成され、水素又は水分の拡散を防止する第1のバリア膜と、
前記第1のバリア膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上面及び前記第1の配線の上面を有する平坦な面上に形成され、水素又は水分の拡散を防止する第2のバリア膜と、
前記第2のバリア膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、その一部が前記第1の配線に接続された第2の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2のバリア膜と前記第2の配線との間に、水素又は水分の拡散を防止する膜が存在しないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタの上方に、第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上に、前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも一方にその一部が接続される第1の配線を形成する工程と
前記第1の配線の側面及び前記第1の配線の上面、前記第1の層間絶縁膜上に、水素又は水分の拡散を防止する第1のバリア膜を形成する工程と、
前記第1のバリア膜上に、上面が前記第1のバリア膜の上面よりも高い位置にある絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面を平坦化して、前記第1の配線上の前記第1のバリア膜の上面を露出し、前記絶縁膜の上面及び前記第1のバリア膜の上面を有する平坦な面を形成する工程と、
平坦化された前記絶縁膜及び前記第1のバリア膜上に、水素又は水分の拡散を防止する第2のバリア膜を形成する工程と、
前記第2のバリア膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜上に、その一部が前記第1の配線に接続される第2の配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上方に、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタの上方に、第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上に、前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも一方にその一部が接続される第1の配線を形成する工程と、
前記第1の配線の側面及び前記第1の配線の上面、前記第1の層間絶縁膜上に、水素又は水分の拡散を防止する第1のバリア膜を形成する工程と、
前記第1のバリア膜上に、上面が前記第1の配線の上面よりも高い位置にある絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面を平坦化して、前記配線の上面を露出し、前記絶縁膜の上面及び前記第1の配線の上面を有する平坦な面を形成する工程と、
平坦化された前記絶縁膜及び前記第1の配線上に、水素又は水分の拡散を防止する第2のバリア膜を形成する工程と、
前記第2のバリア膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜上に、その一部が前記第1の配線に接続される第2の配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の配線を形成する工程は、
前記第2の層間絶縁膜、前記第1のバリア膜及び前記第2のバリア膜に、前記第1の配線まで達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に導体プラグを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の配線を形成する工程は、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第2のバリア膜に、前記第1の配線まで達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に導体プラグを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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