JPS638650A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザーを用いたレーザービームプリン
ターに適すると共に帯電能を向上させることによって高
速複写を可能とした電子写真感光体に関するものである
。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。

また、高速印字ができるレーザービームプリンターの開
発輪伴ってそのレーザー光源に小型且つ高信頼性の半導
体レーザーが用いられるようになってきたが、このプリ
ンターにアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す
）感光体を搭載した場合、このレーザー光の発振波長が
近赤外付近にあるためその受光側にあるａ−５ｉ悪感光
の光感度特性が劣るという問題がある。この問題を解決
するために感光体のａ−Ｓｔキャリア発生層にＧｅを適
当量ドーピングしてこの層の光感度領域を長波長側へ移
行させることが提案されているが、これに伴って表面電
位が小さくなるという問題がおきていた。

このような問題を解決するために第１図に示すような機
能分離型感光体が特開昭５８−１９２０４４号公報に提
案されている。

即ち、第１図によれば、導電性基板（１）の上に水素化
アモルファスシリコンカーバイドから成るキャリア輸送
層（２）、アモルファスシリコンゲルマニウム（以下、
ａ−５ｉＧｅと略す）から成るキャリア発生層（３）及
び表面保護Ｎ（４）が順次形成された積層体が提案さて
おり、そして、このキャリア輸送層（２）には暗抵抗率
及びキャリア移動度の大きい材料と成り得る水素化アモ
ルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈと
略す）により形成しており、これによって表面電位及び
光感度に優れ且つ残留電位が小さくなることをねらって
いる。

しかしながら、この公報に示されたａ−ＳｉＣ：Ｈキャ
リア輸送層を形成するに当たっては、例えばグロー放電
分解法を用いる場合、反応圧力、高周波電力などの様々
な放電条件、原料ガスの種類、ガス流量等々に起因して
安定した特性をもつ高品質なａ−３ｉＣ：）Ｉ膜を形成
するのが難しく、且つ、この膜自体水素化アモルファス
シリコン（以下、ａ−５ｉ：Ｉｔと略す）膜に比べてダ
ングリングボンドが生成し易い傾向にあり、これにより
、目安として１０”Ω・ｃｍ以上の高暗抵抗率を有する
と共に高いキャリア移動度をもつａ−５ｉＣ：Ｈ膜を得
るのが難かしくなっており、その結果、この感光体を高
速複写用に用いた場合には光メモリ効果により先の画像
が完全に除去されずに残留し、次の画像形成に伴って先
の画像が再び現れている（これはゴースト現象と呼ばれ
ている）。

更にこのａ−５ｉＣ：Ｈ膜を再現性よく安定した条件に
よって形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の
両者の特性に共通してその特性評価ができる検知手段が
望まれている。

〔発明の目的〕

従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層の暗抵抗率
及びキャリア移動度を向上させ、これにより、大きな帯
電能をもつ電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は高速複写及び高速印字ができる半導
体レーザービームプリンター用の電子写真感光体を提供
することにある。

本発明の更に他の目的はａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層
を製作するに当たってその製造条件の設定が容易である
と共に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に少なくともキャリア輸送層及
びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、前記
キャリア発生層がａ−ＳｉＧｅから成ると共にＳｉとＧ
ｅの原子組成比が１：１乃至１９：１の範囲にあり、前
記キャリア輸送層がａ−ＳｉＣ：Ｈから成ると共にＣと
Ｓｉの原子組成比がｌ：９乃至９：ｌの範囲内にあり且
つ赤外線吸収スペクトルにおける２８６０ｃｍ−’の吸
収係数が１０００以下であると共に２０９０ｃｍ−’の
吸収係数が１０００以上であることを特徴とする電子写
真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の典型的な電子写真感光体には第２図に示す通り
基板（１）上にキャリア注入阻止層（５）、キャリア輸
送層（２）、キャリア発生層（３）及び表面保護層（４
）を順次積層した積層体、或いは第１図に示す通り、第
２図に示した積層体よりキャリア注入阻止Ｎ（５）を除
いた積層体があり、また、これらの積層体に対してキャ
リア輸送層（２）とキャリア発生層（３）の積層順序を
変えた積層体がある。

本発明によれば、機能分離型感光体に用いられるキャリ
ア輸送層（２）にａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を用いると共にキャ
リア発生層（３）にａ−５ｉＧｅ膜を用いてこれらの層
に種々の条件を設定することにより本発明の目的が達成
できることを見い出したものである。

本発明に係るキャリア輸送層に用いられるａ−３ｉＣ：
Ｈ膜は、例えば後述するグロー放電分解法によって生成
され、その放電条件等によって暗抵抗率とキャリア移動
度が鋭敏に作用を受けており、これに対して、本発明者
等はこの原因を解明すべく種々の実験を繰り返し行った
結果、ＣとＨの結合状態並びにＳｉとＨの結合状態が前
記特性に顕著に影響することを知見した。

即ち、ａ−３ｉＣ：Ｈ膜の赤外線吸収スペクトルを測定
するとＣＩ＋□結合及びＣＨ，結合の伸縮モードを示す
吸収ピークが２８６０ｃｍ”　’の波数に表われ、Ｓｉ
Ｈ結合及びＳｉＨ２結合の伸縮モードを示す吸収ピーク
が２０９０ｃｍ−’の波数に表われることを確認し、そ
してこの２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下で
あると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上
、好適には２８６０Ｃ１ｌ”の吸収係数が５００以下で
あると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上
であればダングリングボンドが少なくなって大きなキャ
リア移動度となることが判った。

本発明によれば、このａ−５ｉＣ：Ｈ膜中のＳｉとＣの
原子組成比が重要であり、この比が１：９乃至９：１、
好適には２：８乃至８：２の範囲内に設定されると暗抵
抗率が１０１１Ω・ｃｍ以上となることを見い出した。

また膜中の水素含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連する
が、膜中５乃至４０原子％、好適には１０乃至３０原子
％の範囲内になるようにすればよい。

本発明に係るキャリア輸送層の厚みはｌ乃至５０μｍ、
好適には５乃至３０μｍの範囲内に設定するのがよく、
１μｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象
が顕著になり、５０μｍを越えると画像の分解能が劣化
すると共に残留電位が大きくなる。

このキャリア輸送層はＳｉ、　Ｃ及びＨの三種類の原子
を必須とするものであるが、他の原子を必要に応じてド
ーピングすることは何ら差支えない。

例えばＢなどの周期律表第ｍａ族をドーピングすれば暗
抵抗率を向上させたり、キャリア移動度を大きくするこ
とができ、更にキャリア発生層とキャリア輸送層との界
面におけるフェルミレベルをシフトさせることもできる
のでキャリア発生層で生じた光キャリアをキャリア輸送
層へスムーズに注入することができ、これにより、光感
度を高めて残留電位を小さくすることができる。

更に、３−５ｉＣ：Ｈ膜を形成するに当たってはグロー
放電分解法、イオンブレーティング法、反応性スパッタ
リング法　真空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜形成技術を
用いることができ、また、これに用いられる原料には固
体、液体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分
解法に用いられる気体原料としてＳｉＨ４，５ｉＪｂ＋
Ｓｉ：＋ＨａなどのＳｉ系ガス、ＣＨ４，ＣＪ４．ＣＪ
ｚ、ＣＪｉ、ＣＪｗなどのＣ系ガスを用いればよく、更
にＨｚ　＋　Ｈｅ　＋　Ｎ　ｅ　＋　Ａ　ｒなとをキャ
リアーガスとして用いてもよい。

本発明に用いられるキャリア発生層（３）はａ−５ｉＧ
ｅ層から成るのでａ−Ｓｉ層に比べて分光感度特性が長
波長側ヘシフトする。この層（３）はＳｉとＧｅの原子
組成比が１＝１乃至１９：１、好適には２：ｌ乃至１０
：１の範囲内に設定することが重要であり、これによっ
て約７８０ｎｍの発振波長をもつ半導体レーザー光に対
する光感度特性がａ−３ｉキャリア発生層を用いた感光
体に比べて顕著に向上する。そして本発明者等が行った
実験によれば、ａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層を形成し
て成る機能分離型感光体に対してはＳｉとＧｅの原子組
成比を２：１乃至５：１の範囲内に設定するのが望まし
く、この範囲内であれば残留電位が小さくなって一段と
高い帯電能を有する感光体が得られる。

このキャリア発生層はＨやハロゲン元素（Ｆ、ＣＩ。

Ｂｒなど）を含有しており、この含有量は５乃至４０原
子％、好適には１０乃至３０原子％がよく、また、周期
律表第ｍａ族元素（Ｂ＋　ＡＩ、Ｇａ、　Ｉｎなど）や
第■ａ族元素（Ｐ　、　Ａｓ、Ｓｂなど）を０．０５乃
至５０００ｐｐｍ　。

好適には０．１乃至２０００ｐｐｍ含有すればよく、こ
れにより、膜の伝導型を補償したり、或いは暗抵抗値を
大きくすることができ、その結果、優れた帯電能が得ら
れる。

本発明によれば１．キャリア注入阻止層（５）はキャリ
ア輸送層（２）へのキャリアの注入を阻止するために設
けられており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、
５ｉＯｚ、ＳｉＯ，Ａｌ□０３　、Ｓ　ｉ　Ｃ＋　Ｓ　
ｉ　３Ｎ　＋　＋ａ−３ｉ、　ａ−３ｉ：Ｈ，ａ−３ｉ
：Ｆ、　ａ−５ｉＣ，ａ−３ｉＣ：ＩＩ　。

ａ−３ｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いて形成される。Ｓ
ｉ系はＳｉＣ系を用いた場合には周期律第ｍａ族元素や
第Ｖａ族元素を５０乃至５０００ｐｐｍの範囲内で添加
してキャリアの注入阻止を一段と高めることができる。

そして、本発明の電子写真感光体についてはａ−３ｉＣ
：Ｈキャリア輸送層が十分に大きな暗抵抗を得ることが
できるので、このキャリア注入阻止層を必ず形成しなく
てはならぬというものではなく、本発明者等が繰り返し
行った実験によれば、キャリア輸送層の暗砥抗率が１０
１３Ω・Ｃｌ１１以上であればキャリア注入阻止層を形
成しなくても電子写真感光体として十分実用に供するこ
とができることを見い出した。

表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えはポリイミド樹脂などの有機材料、Ｓｉ
Ｏ□、ＳｉＯ，Ａｌ□０３．ＳｉＣ，５ｉＪ４＋ａ−Ｓ
ｉ、　ａ−３ｉ：Ｈ，ａ−５ｉ：Ｆ、　ａ−ＳｉＣ、ａ
−３ｉＣ：ＩＩ　。

ａ−ＳｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いることができる。

更に本発明によれば、ａ−３ｉＣ膜又はａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜をグロー放電分解法により形成するに当たってその原
料に５ｉ）Ｉ４ガス及びｃａｎ□ガスを用いれば大きい
成膜速度（約５乃至２０μｍ／時）が得られる。

従って、この両者のガスを用いてキャリア注入阻止層（
５）、キャリア輸送Ｎ（２）及び表面保護Ｎ（４）をａ
−３ｉＣ膜又はａ−３ｉＣ：ＩＩ膜により形成すること
により同じ成膜装置を用いて連続的に形成でき、且つそ
の成膜時間を著しく小さくすることができる。因に５ｉ
ｌ１４ガスとＣＨ，ガスを用いてａ−３ｉＣ膜やａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ膜を生成した場合その成膜速度は約０．３乃至
１μｍ／時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第３図により説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５タンク（６）（７
）（８）（９）（１０）には、それぞれ５ｉＨｅ＋　Ｃ
Ｊｚ＋　ＧｅＨ＊、Ｂ２Ｏ３３Ｉ２ガスが密封されてお
り、Ｈ２はキャリーガスとしても用いられる。これらの
ガスは対応する第１．第２．第３．第４．第５調整弁（
１１）　　（１２）　　（１３）　　（１４）　　（１
５）を開放することにより放出され、その流量がマスフ
ローコントローラ（１６）　　（１７）　　（１８）　
　（１９）（２０）により制御されてメインパイプ（１
７）へ送られる。尚、（１８）は止め弁である。メイン
パイプ（１７）を通じて流れるガスは反応管（１９）へ
と送り込まれるが、この反応管（１９）の内部には容量
結合型放電用電極（２０）が設置されており、それに印
加される高周波電力は５０Ｗ乃至３Ｋｗが、またその周
波数はＩＭＨｚ乃至１０ＭＨｚが適当である。反応管（
１９）の内部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用
基板（２１）が試料保持台（２２）の上に載置されてお
り、この保持台（２２）はモーター（２３）により回転
駆動されるようになっており、そして、基板（２１）は
適当な加熱手段により、約５０乃至４００℃好ましくは
約１５０乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更に
、反応管（１９）の内部はａ−５ｉＣ膜形成時に高度の
真空状Ｂ（放電圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ　）を必要
とすることにより回転ポンプ（２４）と拡散ポンプ（２
５）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−５ｉＣ：Ｈ膜を基＋７ｉ（２１）上に形成
する場合には、第１、第２、第５調整弁（１１）（１２
）（１５）を開いてそれぞれよりＳｔＨ＊＋ＣｚＨｚ＋
Ｈｚガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ
（１６）　　（１７）　）Ｉ４．ＣｚＨｚ、Ｈｚの混合
ガスがメインパイプ（１７）を介して、反応管（１９）
へと流し込まれる。そして、反応管（１９）の内部が０
．１乃至２゜０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が５
０乃至４００℃、放電用電極（２ｏ）の高周波電力が５
０Ｗ乃至３　ＫＷ、また周波数が１乃至１０ＭＩＩｚに
設定されていることに相俟ってグロー放電がおこり、ガ
スが分解してａ−５ｉＣ：Ｈ膜が基板上に高速で形成さ
れる。

但し、後述する実施例において、ａ−５ｉＣ：Ｉｔキャ
リア輸送層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測
定するに当たっては３ｘ３ｃｍの角形の平板を用意し、
そして、前述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切
り欠いてこの切り欠き部に平板を設置し、この平板上に
ａ−３ｉＣ：ＩＩ膜を生成する。また、成膜速度、導電
率及び赤外線吸収特性の測定に当たっては用いる平板材
料をそれぞれアルミニウム、ＮＥＳＡガラス及び高抵抗
単結晶シリコンにした。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

〔例　ｌ　〕

本例においてはａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層をアルミ
ニウム製平板に生成してその成膜速度を測定した。

即ち、第３図に示した容量結合型グロー放電分解法置を
用いて第１タンク（６）より５ｉＨａを、第２タンク（
７）よりＣ２Ｈ２ガスをこれらの合計した流量が２７０
　ｓｅｃｍになるように放出し、必要に応じて第５タン
ク（１０）よりＨ２ガスを放出し、グロー放電分解法に
基づいてａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成した。

本例によれば、５ｉ）１．ガス及びＣ２Ｈ□ガスを２０
０ＳＣｃｍ　＋　５００　ｓｃｃｍの流量で放出して各
種の測定用試料を製作した。

その測定結果は第４図に示す通りである。

第４図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する成膜速度を表しており、○印、△印及び０印
はそれぞれＨ２ガスが無添加、流量２００　ｓｃｃｍ。

流量５００　ｓｃｃｍの場合のプロットであり、ａ、ｂ
、ｃはそれぞれの特性曲線である。

第４図から明らかな通り、Ｈ２ガスが無添加の場合、（
Ｃ／Ｓｉ　＋　Ｃ）比が大きくなるのに伴って成膜速度
が増加傾向にある。これに対して、■２ガスの流量が２
００　ｓｃｃｍ、５００　ｓｃｃｍと大きくなるのに伴
って成膜速度が小さくなる傾向にあるが、Ｈ２ガス流量
が５００　ｓｅｃｍの場合であっても６μｍ／時以上の
高速成膜が得られる。

〔例　２　〕 本例においては、〔例１〕と同様の製造操作によってａ
−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層をＮＥＳＡガラス製平板に
生成してその層の導電率を測定したところ、第５図に示
す通りの結果が得られた。

第５図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する導電率を表しており、Ｏ印、△印及び０印は
それぞれＨ２ガスが無添加、流量２００　ｓｅｃｍ、流
量５００　ｓｅｃｍの場合のプロットであり、ｄ、ｅ、
ｆはそれぞれの特性曲線である。

第５図から明らかな通り、（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が０．
１乃至０．９の範囲内であればいずれも導電率がＩＱ−
１１Ω・ＣＩＩ！以下になることが判る。

〔例　３　〕 ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄し、
第３図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（１９）内に設置した。そして、第１タンク（６）より
ＳｉＨ，ガスを、第２タンク（７）よりＣｚＨｚガスを
これらの合計した流量が２７０　ｓｅｃｍになるように
放出し、更にＨ２ガスを第５タンク　（１０）より必要
に応じて５０ｓｅｃｍ。

２００　ｓｃｃｍ　、　　５００　ｓｃｃｍの流量で放
出し、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ
／ｃｍ”に設定して前述したグロー放電分解法に基づい
て厚み２５μｍのキャリア輸送層（２）を形成した。

次いで同様の艮作によりＳｉＨ４ガス、ｅＣｅ）１．ガ
ス及びＨ２ガスをそれぞれ２００５ｃａｎ、　９０ｓｃ
ｃｍ及び２５０ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス圧を０゜
５　Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｍ２に設定し
て厚み５μｍのキャリア発生層（３）を形成した。

然る後、５１ｇ４ガス及びＣｚＨｚガスをそれぞれ１５
０ｓｅｃｍ及び１００　　ｓｅｃｍの流量で放出し、ガ
ス圧を０．３Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｍ”
に設定して厚み０．５μｍの表面保護層（４）を形成し
た。

か（して得られた感光体Ａ乃至Ｉについて、表面電位、
光感度（投光源として発振波長７８０ｎｍの半導体レー
ザーを用いた）、残留電位及び画質を測定したところ、
第１表に示す通りの結果が得られた。

表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高くて高速
複写（５０枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト
現象が生じなく、○印は高速複写を行うと若干ゴースト
現象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、
Ｘ印は残留電位が高くて白地のガブリが顕著に生じて実
用に適さない場合を示す。

また、本例においては感光体Ａ乃至Ｉのそれぞれに対し
て設定したａ−３ｉＣ：ｌキャリア輸送層の製作条件、
卯ち（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）比及びＨ２ガス流量を同じにして
、〔例１〕と同様の製造操作によってａ−５ｉＣ：）ｌ
キャリア輸送層だけをシリコン単結晶製平板上に生成し
て２０９０ｃｍ−’の波数及び２８６０ｃｍ−’の波数
のそれぞれの赤外線吸収係数を測定しており、この結果
は第１表に示す通りである。

第１表から明らかな通り、感光体Ａ乃至Ｅ、　Ｇは実用
に適した優れた感光体となり、高速複写用感光体として
提供することができ、特に感光体Ａ乃至Ｃは光感度が高
くて帯電能にも優れているために高速複写を行っても全
くゴースト現象が生じなかった。然るに感光体Ｆ、Ｈ，
Ｉはゴースト現象が顕著になって実用に適さなかった。

本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段がキャリ
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が２０９０ｃｍ
−’の波数に対して１０００以上であると共に２８６０
ｃｍ−’の波数に対して１０００以下であれば本発明の
感光体が得られることが判る。

また、本例中キャリア輸送層（２）を形成するに当たっ
て第３調整弁（１４）を開放してＢｚ）Ｉｂガスを１０
　ｓｅｃｍで放出してＢを含む層（２）を形成し、これ
により得られた感光体Ａ乃至Ｉに対応する９種類の感光
体についてもそれぞれ同じ画質評価が得られた。

また本例中、感光体Ａに対して分光感度を測定したとこ
ろ、第６図に示す通りの結果が得られた。

即ち、第６図中・印は感光体Ａの分光感度を示すプロッ
トであり、これに対してＯ印は基板上にａ−３ｉＣ：）
！キャリア注入阻止Ｎ（酸素；　４原子％窒素；２原子
％　ホウ素；ｌｏｏｏｐｐｍ含有、厚み２　ｔｔｍ　）
　、ａ−５ｉ：）ｌキャリア発生層（ホウ素；０．２ｐ
ｐｍ含有、厚み２３　μｍ　）　、ａ−ＳｉＣ表面保護
層（厚み５０００人）を順次積層した積層型感光体（比
較例）に対する分光感度を示すプロットであり、ｇＳｈ
はそれぞれの特性曲線である。

第６図から明らかな通り、感光体Ａは比較例の感光体に
比べて約７８０ｎｍの波長に対して光感度が優れている
ことが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、機能分
離型感光体として形成されるａ−ＳｔＣ：ｔｌキャリア
輸送層の暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させること
ができ、これにより、感光体の暗減衰率が小さくなると
共に帯電能を高めることができ、その結果、高速複写に
通した電子写真感光体が提供される。そして、約７８０
ｎｍの波長に対して優れた光感度をもっているので半導
体レーザープリンター用感光体として特に有用である。

更に本発明によれば、ＳｉＨ４ガス及びＣｚＨｚガスを
原料としたグロー放電分解法によってキャリア輸送層、
キャリア発生層及び表面保護層を同一の成膜装置を用い
て連続的且つ高速に形成することができ、これにより、
製造効率を高めて製造コストを著しく低減することがで
きる。

また本発明の電子写真感光体によれば、キャリア注入阻
止層を形成しなくても十分に実用に成り得ており、その
ためにはａ−ＳｉＣ：Ｈ膜をキャリア輸送層に用いると
共にこの層の暗抵抗率を１０１ｆｆΩ・ｃｍ以上あれば
よく、これにより、この暗抵抗率の値を目安にしてキャ
リア注入阻止層のない感光体を確実に製作でき、その結
果、製造効率及び製造歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は機能分離型電子写真感光体の層構成
を示す断面図、第３図は本発明の実施例に用いられる客
種結合型グロー放電分解装置、第４図は本発明に係る感
光体のキャリア輸送層の成膜速度を表わす線図、第５図
は本発明に係る感光体のキャリア輸送層の導電率を表わ
す線図、第６図は感光体の分光感度を表わす線図である
。 １・・・基板 ２、・・・キャリア輸送層　　　′ ３、・・・キャリア発生層 ４・・・表面保護層 ５・・・キャリア注入阻止層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に少なくともキャリア輸送層及びキャリア発生層
   を形成して成る積層体であって、前記キャリア発生層が
   アモルファスシリコンゲルマニウムから成ると共にシリ
   コンとゲルマニウムの原子組成比が１：１乃至１９：１
   の範囲内にあり、前記キャリア輸送層が水素化アモルフ
   ァスシリコンカーバイドから成ると共に炭素とシリコン
   の原子組成比が１：９乃至９：１の範囲内にあり且つ赤
   外線吸収スペクトルにおける２８６０ｃｍ＾−＾１の吸
   収係数が１０００以下にであると共に２０９０ｃｍ＾−
   ＾１の吸収係数が１０００以上であることを特徴とする
   電子写真感光体。