JPS634240A

JPS634240A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS634240A
Application number: JP14924686A
Authority: JP
Inventors: Takao Kawamura; 河村　孝夫; Naooki Miyamoto; 宮本　直興; Kokichi Ishiki; 石櫃　▲こう▼吉
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1986-06-24
Filing date: 1986-06-24
Publication date: 1988-01-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は帯電能を向上させることに伴って高速複写を可
能とした電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンタなどの開発が活発に進めら
れており、これらの機器に用いられる感光体は長期間高
速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求さ
れている。この要求に対して水素化アモルファスシリコ
ンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に
優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第２図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−Ｓｉキャリア注入阻止層（２）　、ａ−
Ｓｉキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次
積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基＋ｆ
ｉ（１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電
位を低下させるために形成されており、そして、表面保
護層（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を
高めている。

ところが、このａ−３４光体によれば、ａ−Ｓｉキャリ
ア発生層（３）自体が有する暗抵抗率が１０”Ω・ｃｍ
以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が大き
くなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難しくな
り、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場合に
は光メモリ効果により先の画像が完全に除去されずに残
存し、次の画像形成に伴って先の画像が再び現れる（ゴ
ースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第１図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第１図によれば、前述したキャリア注入阻止層（
２ａ）とキャリア発生層（３ａ）の間にキャリア輸送層
（５）を形成しており、そして、このキャリア輸送層（
５）には暗抵抗及びキャリア移動度のそれぞれが大きい
材料で形成されており、これにより、表面電位及び光怒
度に優れ且つ残留電位が小さい高性能な感光体が得られ
る。

このキャリア輸送層（５）については高抵抗且つ広いバ
ンドギャップ並びに半導体特性を具備した水素化アモル
ファスシリコンカーバイドラ用いることが特開昭５８−
１９２０４６号公報などに提案されている。

しかしながら、この公報に示された水素化アモルファス
シリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣ：Ｈと略す）か
ら成るキャリア輸送層を形成するに当たっては、例えば
グロー放電分解法を用いる場合、反応圧力、高周波電力
などの様々な放電条件、原料ガスの種類、ガス流量等々
に起因して安定した特性をもつ高品質なａ−３ｉＣ：Ｈ
膜を形成するのが難しく、そして、この膜自体水素化ア
モルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：）ｌと略す）膜
に比べてダングリングボンドが生成し易い傾向にあり、
これにより、１０”Ω・ｃｍ以上の暗抵抗率を有すると
共に高いキャリア移動度をもつａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を得る
のが難かしい。

更にこのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を再現性よく安定した条件に
よって形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の
両者の特性に共通してその特性評価ができる検知手段が
望まれている。

〔発明の目的〕

従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−ＳｉＣ：）！キャリア輸送層の暗抵抗
率及びキャリア移動度を向上させ、これにより、大きな
帯電能をもつ電子写真感光体を提供することにあ・る。

本発明の他の目的は高速複写に適した電子写真感光体を
提供することにある。

本発明の更に他の目的はａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層
を製作するに当たってその製造条件の設定が容易である
と共に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に少なくともキャリア注入阻止
層、キャリア輸送層及びキャリア発生層を形成して成る
積層体であって、前記キャリア注入阻止層がａ−３ｉＣ
から成ると共にＣとＳｉの原子組成比が１：９乃至９：
１の範囲内にあり、前記キャリア輸送層がａ−３ｉＣ：
Ｈから成ると共にＣとＳｉの原子組成比が１：９乃至９
：１の範囲内にあり且つ赤外線吸収又スペクトルにおけ
る２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下であると
共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上である
ことを特徴とする電子写真感光体が提供される。　以下
、本発明の詳細な説明する。

本発明の典型的な電子写真感光体には第１図に示す通り
基板（１）上にキャリア注入阻止層（２ａ）、キャリア
輸送層（５）、キャリア発生層（３ａ）及び表面保護層
（４）を順次積層した積層体があり、また、この積層体
に対してキャリア輸送層（５）とキャリア発生層（３ａ
）の積層順序を変えた積層体がある。

本発明によれば、機能分離型感光体に用いられるキャリ
ア輸送層（５）及びキャリア注入阻止層（２ａ）のいず
れにもａ−ＳｉＣを用いると共に両層に種々の条件を設
定することにより本発明の目的が達成できることを見い
出したものである。

本発明に係るキャリア輸送層に用いられるａ−３ｉＣ：
）ｌ膜は、例えば後述するグロー放電分解法によって生
成され、その放電条件等によって暗抵抗率とキャリア移
動度が鋭敏に作用を受けており、これに対して、本発明
者等はこの原因を解明すぺ（種々の実験を繰り返し行っ
た結果、ＣとＨの結合状態並びにＳｉとＨの結合状態が
前記特性に顕著に影響することを知見した。

即ち、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜の赤外線吸収スペクトルを測定
するとＣＨｚ結合及びＣＨ，結合の伸縮モードを示す吸
収ピークが２８６０ｃｍ−’の波数に表われ、ＳｉＨ結
合及びＳｉＨ２結合の伸縮モードを示す吸収ピークが２
０９０ｃｍ−’の波数に表われることを確認し、そして
この２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下である
と共に’２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上、
好適には２８６０ｃｍ−’の吸収係数が５００以下であ
ると共に２０９０ｃ＋＊−’の吸収係数が１０００以上
であればダングリングボンドが少なくなって大きなキャ
リア移動度となることが判った。

本発明によれば、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜中のＳｉとＣの原子
組成比が重要であり、この比が１：９乃至９：１、好適
には２：８乃至８：２の範囲内に設定されると暗抵抗率
が１０１１Ω・０１１１以上となることを見い出した。

また膜中の水素含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連して
蔽密に決めることは難しいが、膜中５乃至４０原子％、
好適には１０乃至３０原子％の範囲内になるようにすれ
ばよい。

本発明に係るキャリア輸送層の厚みはｌ乃至５０μｍ、
好適には５乃至３０μｍの範囲内に設定するのがよく、
１μｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象
が顕著になり、５０μｍを越えると画像の分解能が劣化
すると共に残留電位が太き（なる。

このキャリア輸送層はＳｉ、　Ｃ及びＨの三種類の原子
を必須とするものであるが、他の原子を必要に応じてド
ーピングすることは何ら差支えない。

例えばＢなどの周期律表第ｍａ族をドーピングすれば暗
抵抗率を向上させたり、キャリア移動度を大きくするこ
とができ、更にキャリア発生層とキャリア輸送層との界
面におけるフェルミレベルをシフトさせることもできる
のでキャリア発生層で生じた光キャリアをキャリア輸送
層へスムーズに注入することができ、これにより、光怒
度を高めて残留電位を小さくすることができる。

本発明に用いられるａ−５ｉＣキャリア注入阻止層（２
ａ）はキャリア輸送層（５）へのキャリアの注入を阻止
しており、これにより、感光体の表面電位を大きくする
ことができる。この層（２ａ）はＳｉとＣの含有比率が
１：９乃至９：１、好適には２：８乃至８：２の範囲内
に設定するのがよく、この範囲外であれば暗減衰が増大
したり、残留電位が太き（なる。

また、このキャリア注入阻止層（２ａ）にはＨやハロゲ
ン元素（Ｆ％　０１％　Ｂｒなど）を含有してもよいが
、これの含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連するが、本
発明者等の実験によれば、膜中に０．１乃至２０原子％
、好適には１乃至１０原子％の範囲内になるようにすれ
ばよいことが判った。

更にこのキャリア注入阻止Ｐｉ（２ａ）には周期律表第
ｍａ族元素（Ｂ、Ａ１．Ｇａｌ　Ｉｎなど）や第Ｖａ族
元素（Ｐ＋Ａｓ、ｓｂなど）を微量に導入して膜自体の
伝導型をそれぞれＰ゛やＮ゛に制御し、これにより、基
板からのキャリアの注入を一段と阻止することができる
。そのために、これら第ｍａ族及び第Ｖａ族元素の含有
量は５０乃至５０００ｐｐｍ、好適には２００乃至２０
００ｐｐｍにするとよい。

また、キャリア注入阻止層（２ａ）に酸素又は窒素の少
なくとも一種をドーピングしてキャリア注入の阻止効果
を更に高めることができ、そのドーピング量については
他の構成元素と関連するが、膜中０．１乃至３０原子％
、好適にはｌ乃至２ｏ原子％含有すればよい。

更にこのキャリア注入阻止層（２ａ）の厚みは０．２乃
至５．０μ請え好適には０．５乃至３．０μｍの範囲内
に設定するのがよく、この範囲内の厚みであれば、基板
からのキャリアの阻止能が十分となって残留電位が小さ
くなる。

本発明によれば、キャリア注入阻止層及びキャリア輸送
層を同一の成膜装置により形成するに当たってＳｉとＣ
という共通の構成元素を用いると共にそれぞれの原子組
成比を同一の範囲内に設定できるという点で顕著な特徴
があり、これにより、キャリア注入阻止層及びキャリア
輸送層を連続形成する場合にＳｉ供給ガス及びＣ供給ガ
スのそれぞれを共通にした同一のガス流量制御システム
となり、その結果、各々のガス流量の制御が容易となる
。

また本発明によれば、キャリア発生層（３ａ）にはそれ
自体周知の光電変換材料を用いることができ、例えばＰ
ＶＫなどの有機半導体、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ。

５ｅ−Ａｓ＋ＣｄＳ、ＺｎＯ＋　ａ−３ｔ：Ｈ＋　ａ−
ＳｉＣ：Ｈなどの無機半導体がある。

表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えはポリイミド樹脂などの有機材料、Ｓｔ
Ｑ□、５ＩＱＩへ１□０：＋＋ＳｉＣ，５ｉＪ４゜ａ−
Ｓｉ、　ａ−３ｉ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｆ＋　ａ−ＳｉＣ＋
　ａ−ＳｉＣ：Ｈ＋ａ−３ｉＣ：Ｆなどの無機材料を用
いることができる。

更に本発明によれば、ａ−ＳｉＣ膜又はａ−５ｉＣ：Ｈ
膜を形成するに当たってグロー放電分解法、イオンブレ
ーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、
ＣＶＤ法などの薄膜形成技術を用いることができ、また
、これに用いられる原料には固体、液体、気体のいずれ
でもよい。例えば、グロー放電分解法に用いられる気体
原料としてＳｉＨ４゜５ｉｚＨｈ＋５ｉＪｓなどのＳｉ
系ガス、Ｃ）Ｉ４．ＣｚＨｂ、ＣｚＨｚ。

ＣｚＨｂ、　Ｃ５ＨｓなどのＣ系ガスを用いればよく、
更にＨｚ＋ｌ（ｅ＋Ｎｅ＋Ａｒなどをキャリアーガスと
して用いてもよい。

更にまた本発明によれば、ａ−５ｉＣ膜又はａ−５ｉＣ
：Ｈ膜をグロー放電分解法により形成するに当たってそ
の原料に５ｉｎｓガス及びＣ，Ｈ，ガスを用いれば大き
い成膜速度（約５乃至２０μ＋ｌ／時）が得られる。従
って、この両者のガスを用いてキャリア注入阻止層（２
ａ）キャリア輸送層（５）、キャリア発生Ｊｉｉ（３ａ
）及び表面保護層（４）をａ−ＳｉＣ膜又はａ−３ｉＣ
：）ｌ膜により形成することにより同じ成膜装置を用い
て連続的に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さく
することができる。

因にＳｉｎ＋ガスとＣＨ４ガスを用いてａ−ＳｉＣ膜や
ａ−ＳｉＣ：）Ｉ膜を生成した場合その成膜速度は約０
．３乃至１μｌｌＺ時である。　次に本発明の実施例に
用いられる容量結合型グロー放電分解装置を第３図によ
り説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５タンク（６）（７
）（８）（９）（１０）には、それぞれ５ｌ）ｌ＊＋ｃ
ｚＨｚ＋ＢｚＨｉ＋Ｈ！＋ＮＯガスが密封されており、
Ｈ２はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガ
スは対応する第１．第２．第３．第４．第５調整弁（１
１）（１２）（１３）（１４）（１５）を開放すること
により放出され、その流量がマスフローコントローラ（
１６）（１７）（１Ｂ）（１９）（２０）により制御さ
れ、第１、第２、第３、第４タンク（６）（７）（８）
（９）からのガスは第１主管（２１）へ、また第５タン
ク（１０）からのＮＯガスは第２主管（２２）へ送られ
る。尚、（２３）（２４）は止め弁である。第１、第２
主管（２１）（２２）を通じて流れるガスは反応管（２
５）へと送り込まれるが、この反応管（２５）の内部に
は容量結合型放電用電極（２６）が設置されており、そ
れに印加される高周波は５０Ｗ乃至３Ｋｗが、また周波
数はＩＭＨｚ乃至１０ＭＨｚ電力が適当である。反応管
（２５）の内部には、アルミニウムから成る筒状の成膜
用基板（２７）が試料保持台（２８）の上に載置されて
おり、この保持台（２８）はモーター（２９）により回
転駆動されるようになっており、そして、基板（２７）
は適当な加熱手段により、約５０乃至４００℃好ましく
は約１５０乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更
に、反応管（２５）の内部はａ−３ｉ膜又はａ−３ｉＣ
膜形成時に高度の真空状態（放電圧０．１乃至２．０Ｔ
ｏｒｒ　）を必要とすることにより回転ポンプ（３０）
と拡散ポンプ（３１）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜（Ｎ１０、Ｂを含有する）を
基Ｆｉ（２７）上に形成する場合には、第１、第２、第
３．第４、第５調整弁（１１）（１２）（１３）（１４
）（１５）を開いてそれぞれよりＳｉＨ４，Ｃｚｌ（ｚ
＋ＢｚＨｂ＋Ｈｚ、ＮＯガスを放出する。

放出ｉｔ　ハマスフローコントロー−７（１６）（１７
）（１８）　　（１９）　　（２０）により規制されて
ＳｉＨ，。

ＣｚＨｚ、ＢｚＨｈ、Ｈｚの混合ガスが第１主管（２１
）を介して、また同時に一定の流量のＮＯガスが第２主
管（２２）を介して反応管（２５）へと流し込まれる。

そして、反応管（２５）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏ
ｒｒ程度の真空状態、基板温度が５０乃至４００℃、容
量型放電用電極（２６）の高周波電力がＩＯＷ乃至３Ｋ
Ｗ、また周波数が１乃至１０ＭＨｚに設定されているこ
とに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してＢ、
Ｏ，Ｎの元素を含有したａ−ＳｉＣ：Ｈ膜が基板上に高
速で形成される。

但し、後述する実施例において、ａ−ＳｉＣ：Ｈキャリ
ア輸送層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定
するに当たっては３Ｘ３ｃｍの角形の平板を用意し、そ
して、前述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り
欠いてこの切り欠き部に平板を設置し、この平板上にａ
−ＳｉＣ，：Ｈ膜を生成する。

また、成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性の測定に当
たっては用いる平板材料をそれぞれアルミニウム、Ｎ　
Ｅ　Ｓ　Ａガラス及び高抵抗単結晶シリコンにした。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

〔例　１　〕本例においてはａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層をアル９
′パ　即ち、第３図に示した容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第１タンク（６）よりＳｉｎ、を、第２タンク
（７）よりＣＪｚガスをこれらの合計した流量が２７０
　ｓｅｃｍになるように放出し、必要に応じて第４タン
ク（９）よりＨ２ガスを放出し、グロー放電分解法に基
づいてａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成した。

本例によれば、Ｓｉｎ＋ガス及びＣ，Ｈ，ガスを２００
ｓｃｃｍ　、　５００５ｃｃａ＋の流量で放出して各種
の測定用試料を製作した。

その測定結果は第４図に示す通りである。

第４図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する成膜速度を表しており、Ｏ印、Δ印及び０印
はそれぞれＨ２ガスが無添加、流量２００　ｓｃｃｍ。

流量５００　ｓｃｃｍの場合のプロットであり、ａ、ｂ
、ｃはそれぞれの特性曲線である。

第４図から明らかな通り、Ｈ２ガスが無添加の場合、（
Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が大きくなるのに伴って成膜速度が
増加傾向にある。これに対して、Ｈ２ガスの流量が２０
０　ｓｃｃｍ、５００５ｃｃｓ＋と大きくなるのに伴っ
て成膜速度が小さくなる傾向にあるが、Ｈ２ガス流量が
５００　ｓｅｃｍの場合であっても６μｒａ／時以上の
高速成膜が得られる。

〔例　２　〕本例においては、〔例１〕と同様の製造操作によってａ
−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層をＮＥＳＡガラス製平板に
生成してその層の導電率を測定したところ、第５図に示
す通りの結果が得られた。

第５図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する導電率を表しており、Ｏ印、Δ印及び０印は
それぞれＨ２ガスが無添加、流量２００　ｓｃｃ＋＋＋
、流量５００　ｓｃｃ＋ｍの場合のプロットであり、＋
Ｌｅ、ｆはそれぞれの特性曲線である。

第５図から明らかな通り、（Ｃ／Ｓｉ　＋０比が０．１
乃至０．９の範囲内であればいずれも導電率が１０”　
’　Ω・ｃｍ以下になることが判る。

Ｃ例　３　〕ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄し、
第３図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（２５）内に設置した。そして、第１タンク（６）より
ＳｉＨ４ガスを、第２タンク（７）よりＣｚＨｚガスを
、第３タンク（８）よりＢＡｌ、ガス（Ｈ２希釈２００
０ｐ　ｐｍ）を、第４タンク（９）よりＨ２ガスを、第
５タンク（１０）よりＮＯガスをそれぞれの流量が１８
０　ｓｅｃｍ　、　９０ｓｅｃｍ　、　９０　ｓｃｃｍ
、２００　ｓｃｃｍ、　８５ｃｃａ＋になるように放出
し、ガス圧を０．４Ｔ　ｏ　ｒ　ｒに、ＲＦ電力を０．
２Ｗ／ｃｏ＋２に設定したグロー放電分解法に基づいて
厚み２μ−のキャリア注入阻止層（２ａ）を形成した。

次に第３、第４調整弁（１３）　　（１４）を閉じて、
第１タンク（６）よりＳｉｎ、ガスを、第２タンク（７
）よりＣｚＨｚガスをこれらの合計した流量が２７０　
ｓｅｃｍになるように放出し、更にＨ２ガスを第４タン
ク（９）より必要に応じて５０ｓｃｃｏ＋、　２００ｓ
ｃｃｍ。

５００ｓｃｃａ＋の流量で放出し、ガス圧を０．５　Ｔ
ｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４ｗ／ｃｍｚに設定して前述
したグロー放電分解法に基づいて厚み２５μ層のキャリ
ア輸送層（５）を形成した。

次いで第２調整弁（１７）を閉じて同様の操作によりＳ
ｉＨ４ガス及びＨ２ガスをそれぞれ２００５ｃｃｒａ及
び２５０　ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．５　
Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｍ２に設定して厚
み５μ端のキャリア発生層（３ａ）を形成した。

然る後、第２調整弁（１７）を開放すると共に第３、第
４調整弁（１８）（１９）を閉じてＳｉＨ４ガス及びＣ
，Ｈｚガスをそれぞれ１５０　ｓｃｃ＋＋＋及び１００
ｓｃｃｎ＋の流量で放出し、ガス圧をＱ、３Ｔｏｒｒに
、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃ＋ｕｚに設定して厚み０．５
μ屓の表面保護層を形成した。

かくして得られた感光体Ａ乃至Ｉについて、表面電位、
半減露光量、残留電位及び画質を測定したところ、第１
表に示す通りの結果が得られた。

表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高くて高速
複写（５０枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト
現象が生じなく、Ｏ印は高速複写を行うと若干ゴースト
現象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、
Ｘ印は残留電位が高くて白地のガブリが顕著に生じて実
用に適さない場合を示す。

また、本例においては感光体Ａ乃至ｌのそれぞれに対し
て設定したａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層の製作条件、
即ち（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）比及びＨｔガス流量を同じにして
、〔例１〕と同様の製造操作によってａ−ＳｉＣ：Ｈキ
ャリア輸送層だけをシリコン単結晶製平板上に生成して
２０９０ｃｍ−’の波数及び２８６０ｃ蒙−１の波数の
それぞれの赤外線吸収係数を測定しており、この結果は
第１表に示す通りである。

第１表から明らかな通り、感光体Ａ乃至Ｅ、Ｇは実用に
適した優れた感光体となり、高速複写用感光体として提
供することができ、特に感光体Ａ乃至Ｃは光感度が高（
て帯電能にも優れているために高速複写を行っても全（
ゴースト現象が生じなかった。然るに感光体Ｆ、Ｈ，Ｉ
はゴースト現象が顕著になって実用に適さなかった。

本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段がキャリ
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が２０９０ｃｍ
−’の波数に対して１０００以上であると共に２８６０
ｃｏ＋−’の波数に対して１０００以下であれば本発明
の感光体が得られることが判る。

また、本例中キャリア輸送層（５）を形成するに当たっ
て第３調整弁（１８）を開放してＢｚＨｉガスを１０１
０５ｅで放出してＢを含む層（５）を形成し、これによ
り得られた感光体Ａ乃至■に対応する９種類の感光体に
ついてもそれぞれ同じ画質評価が得られた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、機能分
離型感光体として形成されるａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸
送層の暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させることが
でき、これにより、感光体の暗減衰率が小さくなると共
に帯電能を高めることができ、その結果、高速複写に適
した電子写真感光体が提供される。

また本発明の電子　写真感光体によれば、キャリア注入
阻止層とキャリア輸送層に用いられるａ−ＳｉＣのＳｉ
とＣの比率に対して同一の所定範囲内に設定できると共
にＳｉ供給ガス及びＣ供給ガスのそれぞれを両層の形成
に当たって共通に使用することができ、これにより、同
一のガス流量制御システムを用いることができるので、
個々のガス流量の制御が容易となり、その結果、＊ｉ弄
器番掛゛−゛　　　　　　ス　　　　′　　゛虐菊禰＝
製造コントロールが容易となって製造効率を高めること
ができる。更に、５ｉ）Ｉ４ガス及びＣＪｚガスを原料
としたグロー放電分解法によってキャリア注入阻止層、
キャリア輸送層及び表面保護層を同一の成膜装置を用い
て連続的且つ高速に形成することができ、これにより、
製造効率を高めて製造コストを著しく低減することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は機能分離型電子写真感光体の層構成を示す断面
図、第２図は本発明の実施例に用いられる感光体の層構
造を示す断面図、第３図は本発明の実施例に用いられる
容量結合型グロー放電分解装置、第４図は本発明に係る
感光体のキャリア輸送層の成膜速度を表わす線図、第５
図は本発明に係る感光体のキャリア輸送層の導電率を表
わす線図である。１・・・基板２．２ａ・・・キャリア注入阻止層３．３ａ・・・キャリア発生層４・・・表面保護層５・・・キャリア輸送層忙／Ｓｉ”Ｃ１：ヒ第５図（ｃ　／　５　ｒ＋り比手続争甫正書（自発）昭和６１年８月８日

Claims

【特許請求の範囲】

基板上に少なくともキャリア注入阻止層、キャリア輸送
層及びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、
前記キャリア注入阻止層がアモルファスシリコンカーバ
イドから成ると共に炭素とシリコンの原子組成比が１：
９乃至９：１の範囲内にあり、前記キャリア輸送層が水
素化アモルファスシリコンカーバイドから成ると共に炭
素とシリコンの原子組成比が１：９乃至９：１の範囲内
にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける２８６０ｃｍ
＾−＾１の吸収係数が１０００以下にであると共に２０
９０ｃｍ＾−＾１の吸収係数が１０００以上であること
を特徴とする電子写真感光体。