JPS634242A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は帯電能を向上させることに伴って高速複写を可
能とした電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンタなどの開発が活発に進めら
れており、これらの機器に用いられる感光体は長期間高
速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求さ
れている。この要求に対して水素化アモルファスシリコ
ンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に
優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第２図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−３ｉキャリア注入阻止層（２）　、ａ−
Ｓｔキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次
積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（
１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を
低下させるために形成されており、そして、表面保護層
（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高め
ている。

ところが、このａ−Ｓｔ感光体によれば、ａ−３ｔキャ
リア発生層（３）自体が有する暗抵抗率が１０”Ω・ｃ
ｍ以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が大
きくなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難しく
なり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場合
には光メモリ効果により先の画像が完全に除去されずに
残存し、次の画像形成に伴って先の画像が再び現れる（
ゴースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第１図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第１図によれば、前述したキャリア注入阻止層（
２ａ）とキャリア発生層（３ａ）の間にキャリア輸送層
（５）を形成しており、そして、このキャリア輸送層（
５）には暗抵抗及びキャリア移動度のそれぞれが大きい
材料で形成されており、これにより、表面電位及び光感
度に優れ且つ残留電位が小さい高性能な感光体が得られ
る。

このキャリア輸送層（５）については高抵抗且つ広いバ
ンドギャップ並びに半導体特性を具備した水素化アモル
ファスシリコンカーバイドを用いることが特開昭５８−
１９２０４６号公報などに提案されている。

しかしながら、この公報に示された水素化アモルファス
シリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣ：Ｈと略す）か
ら成るキャリア輸送層を形成するに当たっては、例えば
グロー放電分解法を用いる場合、反応圧力、高周波電力
などの様々な放電条件、原料ガスの種類、ガス流量等々
に起因して安定した特性をもつ高品質なａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜を形成するのが難しく、そして、この膜自体水素化ア
モルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと略す）膜に
比べてダングリングボンドが生成し易い傾向にあり、こ
れにより、ＩＱＩＩΩ・ｃｍ以上の暗抵抗率を有すると
共に高いキャリア移動度をもつａ−３ｉＣ：Ｈ膜を得る
のが難かしい。

更にこのａ−３ｉＣ：Ｈ膜を再現性よ（安定した条件に
よって形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の
両者の特性に共通してその特性評価ができる検知手段が
望まれている。

〔発明の目的〕

従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層の暗抵抗率
及びキャリア移動度を向上させ、これにより、大きな帯
電能をもつ電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は高速複写に適した電子写真感光体を
提供することにある。

本発明の更に他の目的はａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層
を製作するに当たってその製造条件の設定が容易である
と共に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に少な（ともキャリア輸送層及
びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、前記
キャリア発生層がａ−ＳｉＣから成り、前記キャリア輸
送層がａ−ＳｉＣ：）ｌから成ると共にＣとＳｉの原子
組成比が１：９乃至９：１の範囲内にあり且つ赤外線吸
収又スペクトルにおける２８６０Ｃ１１１−’の吸収係
数が１０００以下であると共に２０９０ｃｍ−’の吸収
係数が１０００以上であることを特徴とする電子写真感
光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の典型的な電子写真感光体には第１図に示す通り
基板（１）上にキャリア注入阻止層（２ａ）、キャリア
輸送層（５）、キャリア発生層（３ａ）及び表面保護層
（４）を順次積層した積層体、或いは第２図に示す通り
、第１図に示した積層体よりキャリア注入阻止層（２ａ
）を除いた積層体があり、また、この積層体に対してキ
ャリア輸送層（５）とキャリア発生層（３ａ）の積層順
序を変えた積層体がある。

本発明によれば、機能分離型感光体に用いられるキャリ
ア輸送層（５）及びキャリア発生層（３ａ）のいずれに
もａ−ＳｉＣ膜を用いると共に両層に種々の条件を設定
することにより本発明の目的が達成できることを見い出
したものである。

本発明に係るキャリア輸送層に用いられるａ−ＳｉＣ：
Ｈ膜は、例えば後述するグロー放電分解法によって生成
され、その放電条件等によって暗抵抗率とキャリア移動
度が鋭敏に作用を受けており、これに対して、本発明者
等はこの原因を解明すべく種々の実験を繰り返し行った
結果、ＣとＨの結合状態並びにＳｉとＨの結合状態が前
記特性に顕著に影響することを知見した。

即ち、ａ−３ｉＣ：Ｈ膜の赤外線吸収スペクトルを測定
するとＣＢ、結合及びＣＨ，結合の伸縮モードを示す吸
収ピークが２８６０ｃａ＋−’の波数に表われ、Ｓｉｎ
結合及び５ｉＨｚ結合の伸縮モードを示す吸収ピークが
２０９０ｃｍ−’の波数に表われることを確認し、そし
てこの２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下であ
ると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上、
好適には２８６０ｃｉｍ−’の吸収係数が５００以下で
あると共に２（１９０ｃ＋ｍ−’の吸収係数が１０００
以上であればダングリングボンドが少な（なって大きな
キャリア移動度となることが判った。

本発明によれば、このａ−ＳｉＣ：Ｈ膜中のＳｉとＣの
原子組成比が重要であり、この比が１：９乃至９：１、
好適には２：８乃至８：２の範囲内に設定されると暗抵
抗率がｉｏ″Ω・ｃｍ以上となることを見い出した。ま
た膜中の水素含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連するが
、膜中５乃至４０原子％、好適には１０乃至３０原子％
の範囲内になるようにすればよい。

本発明に係るキャリア輸送層の厚みは１乃至５０μ１１
好適には５乃至３０μｍの範囲内に設定するのがよ（，
１μｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象
が顕著になり、５０μ藺を越えると画像の分解能が劣化
すると共に残留電位が大きくなる。

このキャリア輸送層は３１％Ｃ及びＨの三種類の原子を
必須とするものであるが、他の原子を必要に応じてドー
ピングすることは何ら差支えない。

例えばＢなどの周期律表第ｍａ族をドーピングすれば暗
抵抗率を向上させたり、キャリア移動度を大きくするこ
とができ、更にキャリア発生層とキャリア輸送層との界
面におけるフェルミレベルをシフトさせることもできる
のでキャリア発生層で生じた光キャリアをキャリア輸送
層へスムーズに注入することができ、これにより、光感
度を高めて残留電位を小さくすることができる。

本発明に用いられるキャリア発生層（３ａ）はａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈが光電変換特性を有する範囲内で組成が決定でき
、本発明者等が行った実験によれば、その組成をａ−Ｓ
ｉ＋−ｘＣｘ　（０＜ｘ＜１）とすることができる。更
に本発明者等はａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層を形成し
て成る機能分離型感光体に対しては前記ａ−３ｉｌ−ｘ
Ｃｘ膜の組成範囲を０＜ｘ＜０．５好適には０（ｘ＜０
．３の範囲内に設定するのがよく、この範囲内であれば
光導電性に優れると共に残留電位が小さくなり、高い帯
電能を有する感光体が得られる。また、このようにａ−
３ｉ、−ｘＣｘの組成を決めるのに伴ってこの組成比を
キャリア輸送層に用いられたａ−ＳｉＣ：Ｈ膜の５ｉ−
Ｃ組成比よりもＳｉ比率を大きくするのがよく、これに
よってキャリア発生層で生じた光キャリアがスムーズに
キャリア輸送層へ移動し、その結果、更に一層光感度が
太き（なると共に残留電位が小さくなる。

このキャリア発生層はＨやハロゲン元素（Ｆ、ＣＩ。

Ｂｒなど）を含有しており、この含有量は５乃至４０原
子％、好適には１０乃至３０原子％がよく、また、周期
律表第ｍａ族元素（Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎなど）や第■
ａ族元素（Ｐ　、　Ａｓ、Ｓｂなど）を０，０５乃至５
０００ｐｐｍ、好適には０．１乃至２０００ｐｐｍ含有
すればよく、これにより、膜の伝導型を補償したり、或
いは暗抵抗値を太き（することができ、その結果、優れ
た帯電能が得られる。

本発明によれば、キャリア輸送層及びキャリア発生層を
同一の成膜装置により形成するに当たってＳｉとＣとい
う共通の構成元素を用いると共にそれぞれの原子組成比
を大きな範囲内で設定できるという点で顕著な特徴があ
り、これにより、キャリア注入阻止層及びキャリア輸送
層を連続形成する場合にＳｉ供給ガス及びＣ供給ガスの
それぞれを共通にした同一のガス流量制御システムとな
り、その結果、各々のガス流量の制御が容易となる。

更に本発明によれば、ａ−５ｉＣ：Ｈ膜を形成するに当
たってグロー放電分解法、イオンブレーティング法、反
応性スパッタリング法、真空蒸着法ＣＶＤ法などの薄膜
形成技術を用いることができ、また、これに用いられる
原料には固体、液体、気体のいずれでもよい。例えばグ
ロー放電分解法に用いられる気体原料としてＳｉＨ４，
５ｉｚＨ＊＋５ｉＪｓ＋などのＳｉ系ガスＣＨ＊、Ｃｚ
Ｈｔ、ＣｚＨｔ、ＣｚＩＩ、、Ｃ３Ｈ５などのＣ系ガス
を用いればよく、更に）Ｉ、、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどを
キャリアーガスとして用いてもよい。

本発明によれば、キャリア注入阻止層（２ａ）はキャリ
ア輸送層（５）へのキャリアの注入を阻止するために設
けられており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、
ＳｉＯ□、Ｓ　ｉＯ＋　Ａ　ｌ□０３，５ｉＣ１ＳｔＪ
＊、ａ−Ｓｉ、　ａ−３ｔ：Ｈ、ａ−Ｓｉ：Ｆ＋　ａ−
３ｉＣ、ａ−３ｉＣ：Ｈ＋３−ＳｉＣ：Ｆなどの無機材
料を用いて形成される。Ｓｉ系又はＳｉＣ系を用いた場
合には周期律表第ｍａ族元素や第Ｖａ族元素を５０乃至
５０００ｐｐｍの範囲内で添加してキャリアの注入阻止
を一段と高めることができる。そして、本発明の電子写
真感光体についてはａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層が十
分に大きな暗抵抗率を得ることができるので、このキャ
リア注入阻止層を必ず形成しなくてはならぬというもの
ではなく、本発明者等が繰り返し行った実験によれば、
キャリア輸送層の暗抵抗率が１０′３Ω・ｃｍ以上であ
ればキャリア注入阻止層を形成しなくても電子写真感光
体として十分実用に供することができることを見い出し
た。

表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えはポリイミド樹脂などの有機材料、５ｔ
（ｈ、ＳｉＯ，ＡｈＣｈ、ＳｉＣ，５ｉ３Ｎｏ。

ａ−Ｓｔ、　ａ−Ｓｔ：ｌ（、ａ−３ｉ：Ｆ、　ａ−Ｓ
ｉＣ、ａ−３ｉＣ：Ｈ。

ａ−ＳｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いることができる。

更に本発明によれば、ａ−５ｉＣ膜又はａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜をグロー放電分解法により形成するに当たってその原
料にＳｉＨ＊ガス及びＣＪｚガスを用いれば大きい成膜
速度（約５乃至２０μｍ／時）が得られる。

従って、この両者のガスを用いてキャリア注入阻止層（
２ａ）、キャリア輸送層（５）、Ｆ−ヤ＋７７発生層（
３ａ）及び表面保護層（４）をａ−３ｉＣ膜又はａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ膜により形成することにより同じ成膜装置を用
いて連続的に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さ
くすることができる。因にＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスを
用いてキャリア注入阻止層ａ−ＳｉＣ膜やａ−３ｉＣ：
Ｈ膜を生成した場合その成膜速度は約０．３乃至１μｍ
／時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第４図により説明する。

図中、第１、第２、第３タンク（６）（７）（８）には
、それぞれＳｉＨ４，ＣｚＨｔ＋Ｈｚガスが密封されて
おり、Ｈ２はキャリアーガスとしても用いられる。

これらのガスは対応する第１．第２．第３調整弁（９）
（１０）（１１）を開放することにより放出され、その
流量がマスフローコントローラ（１２）（１３）＜１４
）により制御され、第１、第２、第３タンク（６）（７
）（８）からのガスはメインパイプ（１５）へ送られる
。尚、（１６）は止め弁である。メインパイプ（１５）
を通じて流れるガスは反応管（１７）へと送り込まれる
が、この反応管（１７）の内部には容量結合型放電用電
極（１８）が設置されており、それに印加される高周波
は５０ｗ乃至３Ｋｗが、また周波数はＩＭＨｚ乃至１０
ＭＨｚ電力が適当である。反応管（１７）の内部には、
アルミニウムから成る筒状の成膜用基板（１９）が試料
保持台（２０）の上に載置されており、この保持台（２
０）はモーター（２１）により回転駆動されるようにな
っており、そして、基板（１９）は適当な加熱手段によ
り、約５０乃至４００℃好ましくは約１５０乃至３００
℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管（１７）の
内部はａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真空状Ｂ（放電圧０
．１乃至２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とすることにより回
転ポンプ（２２）と拡散ポンプ（２３）に連結されてい
る。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を基板（１９）上に形成する
場合には、第１及び第２調整弁（９）（１０）を開放し
て第１タンク（６）よりＳｉＨ４ガスを、第２タンク（
７）よりＣ，Ｈ，ガスを、また第３調整弁（１１）をも
開放して第３タンク（８）より１１□ガスを放出する。

これらの放出量はマスフロコントローラ（１２）（１３
）（１４）により規制されてメインパイプ（１５）を介
して反応管（１７）へと流し込まれる。そして、反応管
（１７）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空
状態、基板温度が５０乃至４００℃、容量型放電用電極
（１８）の高周波電力がＩＯＷ乃至３Ｋｗ、また周波数
が１乃至１０ＭＨｚに設定されていることに相俟ってグ
ロー放電が起こり、ガスが分解してａ−３ｉＣ：Ｈ膜が
基板上に高速で形成される。

但し、後述する実施例において、ａ−３ｉＣ：Ｈキャリ
ア輸送層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定
するに当たっては３Ｘ３ｃｍの角形の平板を用意し、そ
して、前述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り
欠いてこの切り欠き部に平板を設置し、この平板上にａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜を生成する。また、成膜速度、導電率及
び赤外線吸収特性の測定に当たっては用いる平板材料を
それぞれアルミニウム、ＮＥＳＡガラス及び高抵抗単結
晶シリコンにした。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

〔例　１　〕 本例においてはａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層をアルミ
ニウム製平板に生成してその成膜速度を測定した。

即ち、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置を
用いて第１タンク（６）よりＳｉＨ４を、第２タンク（
７）よりｃｚｎｚガスをこれらの合計した流量が２７０
　ｓｅｃ＋＊になるように放出し、必要に応じて第４タ
ンク（９）よりＨ２ガスを放出し、グロー放電分解法に
基づいてａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成した。

本例によれば、５ｉ）Ｉ４ガス及びＣ，Ｈ，ガスを２０
０ｓｃｃｍ　、　５００　ｓｃｃｍの流量で放出して各
種の測定用試料を製作した。

その測定結果は第５図に示す通りである。

第５図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）
に対する成膜速度を表しており、○印、△印及び０印は
それぞれＨ２ガスが無添加、流量２００５ｅｃｓ＋。

流量５００５ｃｃｒｓの場合のプロットであり、ａ、ｂ
、ｃはそれぞれの特性曲線である。

第５図から明らかな通り、Ｈ２ガスが無添加の場合、（
Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が大きくなるのに伴って成膜速度が
増加傾向にある。これに対して、Ｈ２ガスの流量が２０
０５ｃｃａ＋、５００５ｃｅＩＩと大きくなるのに伴っ
て成膜速度が小さくなる傾向にあるが、Ｈ２ガス流量が
５００　ｓｅｃｍの場合であっても６μｍ／時以上の高
速成膜が得られる。

〔例　２　〕 本例においては、〔例１〕と同様の製造操作によってａ
−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層をＮＥＳＡガラス製平板に
生成してその層の導電率を測定したところ、第６図に示
す通りの結果が得られた。

第６図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する導電率を表しており、Ｏ印、Δ印及び０印は
それぞれＨ２ガスが無添加、流量２００５ｃｃｓ＋、流
量５００　ｓｅｃｍの場合のプロットであり、ｄ、ｅ＋
ｆはそれぞれの特性曲線である。

第６図から明らかな通り、（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が０．
１乃至０．９の範囲内であればいずれも導電率がＩＱ−
１１Ω・ｃｍ以下になることが判る。

〔例　３　〕 ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄し、
第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（２５）内に設置した。そして、第１タンク（６）より
ＳｉＨ，ガスを、第２タンク（７）よりＣ，Ｈ，ガスを
これらの合計した流量が２７０　ｓｅｃｍになるように
放出し、更にＨ２ガスを第３タンク（８）より必要に応
じて５０　ｓｃｃｍ。

２００　ｓｃｃｍ、５００５ｃｃｒｔｒの流量で放出し
、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃ
ｍ”に設定して前述したグロー放電分解法に基づいて厚
み２５μｍのキャリア輸送層（５）を形成した。

次いで同様の操作によりＳｉＨ，ガス、Ｃ，Ｈ，ガス及
びＨ２ガスをそれぞれ２００　ｓｃｃ＋ｉ、４０　ｓｃ
ｃｍ及び２５０ｓｃｃａの流量で放出し、ガス圧を０．
５　Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｏ＋”に設定
して厚み５μｍのキャリア発生層（３ａ）を形成した。

然る後、第３調整弁（１１）を閉じてＳｉｎ、及びガス
及びＣｚＨｔガスをそれぞれ１５０５ｃｃｒａ及び１０
０　ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．３Ｔｏｒｒ
に、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｏ＋”に設定して厚み０．
５μ票の表面保護層を形成した。

かくして得られた感光体Ａ乃至Ｉについて、表面電位、
半減露光量、残留電位及び画質を測定したところ、第１
表に示す通りの結果が得られた。

表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高（て高速
複写（５０枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト
現象が生じなく、Ｏ印は高速複写を行うと若干ゴースト
現象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、
Ｘ印は残留電位が高（て白地のガブリが顕著に生じて実
用に適さない場合を示す。

また、本例においては感光体Ａ乃至Ｉのそれぞれに対し
て設定したａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層の製作条件、
即ち（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比及びＨ２ガス流量を同じにし
て、〔例１〕と同様の製造操作によってａ−ＳｉＣ：Ｈ
キャリア輸送層だけをシリコン単結晶製平板上に生成し
て２０９０ｃ＋＊−’の波数及び２８６０ｃｍ−’の波
数のそれぞれの赤外線吸収係数を測定しており、この結
果は第１表に示す通りである。

第１表から明らかな通り、感光体Ａ乃至Ｅ、　Ｇは大き
い表面電位を有する実用に適した優れた感光体となり、
高速複写用感光体として提供することができ、特に感光
体Ａ乃至Ｃは光感度が高くて帯電能にも優れているため
に高速複写を行っても全くゴースト現象が生じなかった
。然るに感光体ＦＳＨ，Ｉはゴースト現象が顕著になっ
て実用に適さなかった。

本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段がキャリ
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が２０９０ｃ＋
＊−’の波数に対して１０００以上であると共に２８６
０ｃ＋ｍ−’の波数に対して１０００以下であれば本発
明の感光体が得られることが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、機能分
離型感光体として形成されるａ−３ｉＣ：Ｈキャリア輸
送層の暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させることが
でき、これにより、感光体の暗減衰率が小さくなると共
に帯電能を高めることができ、その結果、高速複写に適
した電子写真感光体が提供される。

また本発明の電子写真感光体によれば、キャリア注入阻
止層とキャリア発生層に用いられるａ−ＳｉＣのＳｉと
Ｃの比率が大きい範囲内に設定できると共にＳｉ供給ガ
ス及びＣ供給ガスのそれぞれを両層の形成に当たって共
通に使用することができ、これにより、同一のガス流量
制御システムを用いることができるので個々のガス流量
の制御が容易となり、その結果、製造コントロールが容
易となって製造効率を高めることができる。更に、Ｓｉ
Ｈ４ガス及びＣＪｚガスを原料としたグロー放電分解法
によってキャリア輸送層、キャリア発生層及び表面保護
層を同一の成膜装置を用いて連続的且つ高速に形成する
ことができ、これにより、製造効率を高めて製造コスト
を著しく低減することができる。

また本発明の電子写真感光体によれば、キャリア注入阻
止層を形成しな（ても十分に実用に成り得ており、その
ためには、ａ−３ｉＣ：Ｈ膜をキャリア輸送層に用いる
と共にこの層の暗抵抗率が１０′３Ω・ｃａ＋以上あれ
ばよく、これにより、この暗抵抗率の値を目安にしてキ
ャリア注入阻止層のない感光体を確実に製作でき、その
結果、製造歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は機能分離型電子写真感光体の層構成を示す断面
図、第２図は本発明の実施例に用いられる感光体の層構
造を示す断面図、第３図は一般的なアモルファスシリコ
ン感光体の層構成を示す断面図、第４図は本発明の実施
例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置、第５図
は本発明に係る感光体のキャリア輸送層の成膜速度を表
わす線図、第６図は本発明に係る感光体のキャリア輸送
層の導電率を表わす線図である。 １・・・基板 ２．２ａ・・・キャリア注入阻止層 ３．３ａ・・・キャリア発生層 ４・・・表面保護層 ５・・・キャリア輸送層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に少なくともキャリア輸送層及びキャリア発生層
   を形成して成る積層体であって、前記キャリア発生層が
   アモルファスシリコンカーバイドから成り、前記キャリ
   ア輸送層が水素化アモルファスシリコンカーバイドから
   成ると共に炭素とシリコンの原子組成比が１：９乃至９
   ：１の範囲内にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける
   ２８６０ｃｍ＾−＾１の吸収係数が１０００以下にであ
   ると共に２０９０ｃｍ＾−＾１の吸収係数が１０００以
   上であることを特徴とする電子写真感光体。