JPS6228764A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。しか
しながらこれらの感光体は、環境汚染性熱的安定性、機
械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この定
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、−また光励起担体が局在準位にトラップさ扛て光
導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素（Ｈ
）で補償してＳｌにＨを結合させることによって、ダン
グリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
ｇΩ−σであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には上記のａ−ｓｉ：）（を母材としたａ−８ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツ）２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
弱へ排紙さ扛る。定着部１９では、ヒーターｎを内蔵し
た加熱ローラー乙と圧着ローラーＵとの間に現像済みの
複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置し友ものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が＠Ｐｈ１ｌ。 Ｍａｇ　、　ｖｏｌ　、　３５”（１９７８）等に記載
されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高い
こと、ａ−８ｉ　：　Ｈと比較して高い暗所抵抗率（ｔ
ｏ１２〜プ １０１３Ω−の）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅｖの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但し、炭素の含有によ
りバンドギャップが拡がる几めに長波長感度が不良とな
るという欠点がある。 こうしｐ　ａ　−５ｉｃ：　Ｈとａ　−８ｉ　：　Ｈと
を組合せた電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７
０８３号公報において提案されている。これによれば、
ａ−８ｉ：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、　この電
荷発生層下にａ−８ｉＣ：ｌ（層を設け、上層のａ−８
ｉ：Ｈにより広い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ
：Ｈ層とへテロ接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈに
より、帯電電位の向上を図っている。しかしながら、ａ
−８ｉ：Ｈ層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位は
なお不充分であって実用性のあるものとはならない上に
、表面にａ−８ｉ：Ｈ層が存在していることにより化学
的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−８ｉＣＳＨ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報に与られる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−８１１−Ｃｘ：　Ｈ）を設け、この傾斜層におい
てａ−ｓｉ：）（側でＸ＝Ｏとし、ａ−８ｉＣ：Ｈ層側
でＸ　＝　０．５とした感光体が知られている。 しかしながら上記の公知の感光体について本発明者が検
討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効果
は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されないこ
とが判明した。即ち、加〜Ｉ万回の連続ランニング時に
表面のａ−８ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に損傷さ
れ、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥として生
じるため、耐刷性が充分ではない。しかも、繰返し使用
時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電気的・
光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿度）に
よる影響を無視できない。また、表面改質層と電荷発生
層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二０発明の構成及び作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と
；アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
なる光導電性層と；周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元
素がドープされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子の
うちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及
び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と；炭素原子
、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を前記
中間層よりも多く含有するアモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層さ
れてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐刷性が優れたものとなる。また、本発明において
は、表面改質層と光導電性層との間に不純物ドープド中
間層を設けているので、表面改質層と光導電性層との接
着性が向上する。また、表面改質層と中間層とを光導電
性層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時
の耐光疲労に優れ、また画像流ｎもなく、残留電位も低
下し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に
影響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９は、ｌ
’等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第Ｖａ
族の元素（例えばリン）がヘビードーグされかつＣ，Ｎ
及びＯの少なくとも１つを含有するａ−８ｉ：Ｈ（これ
をａ−８ｉ　（Ｃ）　（Ｎ）　（０）　：Ｈと表わす。 ）からなるＮ＋型電荷ブロッキング層■と、ａ−８ｉ：
Ｈからなる光導電性層（不純物ドーピングなし又は真性
化されたもの）４３と、周期表第１Ｊａ族又は第Ｖａ族
元素がヘビードーグされ７ｊＰ＋型又はＮ＋型であって
Ｃ，Ｎ及び０の少なくとも１つを含有するアモルファス
水素化シリコンからなる中間層４６と、周期率表第１１
ｉａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰｆｉ又はＮ型
或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）され
かつＮ、Ｃ及びＯの少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリ：＋７　（ａ−８ｉ　（Ｃ）　（Ｎ）　
（０）　：Ｈ）からなる表面改質層４５とが積層された
構造からなっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρ。 と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子写真感光体として
充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対する
もの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇｔ　　ｏｐｔ　　）とほぼ直線的な関係があるので
、炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換
えて規定することができる。 また、ａ−８ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３ｆ
）−９０チのａ−８ｉＣ：Ｈを用いｆＣ場合、その比抵
抗は炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−α以上に
なる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−８ｉＮ
　：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があφ、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには層４
５の組成を選択することが重要である。即ち、炭素原子
を含有する場合、Ｓ　ｉ　＋　Ｃ＝　１００　ａｔｏｍ
ｉｃチ（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単にチで表わす。）と
したとき１チ≦（Ｃ）≦９０チ、更には１０％≦〔Ｃ〕
≦７０チであることが望ましい。このＣ含有量に二つて
上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギ
ーギャップがほぼ２，５ｅＶ以上となり、可視及び赤外
光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光は
ａ−ｓｉ：Ｉ（層ＯＫ到達し易くなる。しかし、Ｃ含有
量が１％以下では、機械的損傷等の欠点が生じ、かつ比
抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の光は表面
層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易くなる。 また、Ｃ含有量が９０チを越えると層の炭素量が多くな
９、半導体特性が失われ易い上に３−ｓｉｃ：ｎ膜をグ
ロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し易いので
、Ｃ含有量は９０チ以下とするのがよい。同様に、窒素
又は酸素を含有する層４５の場合、１チ≦（Ｎ）≦９０
チ（更には１０チ≦（Ｎ）≦７０チ）がよく、０％＜（
０）≦７０チ（更には５チ≦

〔０〕≦３０）チがよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用において、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 Ｎ型：ＰＨ８／５ｉＩ（，１〜１０００　　〃（ａ−８
ｉＣＯ：Ｈ（Ｆ）、ａ−８ｉＮＯ：Ｈ（Ｆ″） 共通） また、層４５はａ−３ｉＣ０１ａ−８ｉＮＯ，ａ−８ｉ
ｎ。 ａ−８ｉＯ，等からなっていてよく、その膜厚を４００
Ｘ≦ｔ≦５０００久の範囲内（特に４００Ｘ≦ｔく２０
００　Ｘに選択することも重要である。即ち、その膜厚
が５００ＯＡを越える場合には、残留電位ｖ１が高くな
りすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体とし
ての良好な特性を失い易い。また、膜厚な４００人未満
とした場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に
帯電されなくなる友め、暗減衰の増大や光感度の低下が
生じてしま９゜中間層４６は、感度の向上、残留電位の
低下、表面改質層の接着性の向上及び画像の安定化のた
めに設置する。 上記特性の改善のためにはＰ又はＮ型化する必要がある
。不純物ドープ量は、 （：ＰＨ５）／（Ｓｉ）１４）　＝　１〜１０００　（
好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ　。 （ＢｔＨ６）　／（ＳＩＨ＋）　＝　１〜１ｏｏｏ　（
好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ としてよい。 中間層４６のＣ，Ｎ、０含有量は、 ０＜（Ｃ）５１０％、 ０＜［：Ｎ）≦１０チ、 ０＜（０）≦５チ とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００　Ａとするのがよい
が、５０００　Ｋを越えると上記したと同様の現象が生
じ易く、５０Ｘ未満では中間層としての効果が乏しくな
る。 光導電性層招については、帯電能を向上するためには、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよく、そのためには電
荷発生層を真性化１７てもよい。このためには、Ｂ、Ｈ
，／　Ｓ　ｉＨ，＝　Ｏ〜５０容量ｐｐｍ　　。 好ましくは１〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。 また、光導電性層は５〜８０μｍ、好ましくは１０〜加
μｍとするのがよい。光導電性層招が５μｍ未満である
と十分な帯電電位が得られず、また８０μｍを越えると
残留電位が上昇し、実用上不充分である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上の几めに
は、周期表第ｖａ族元素（例えばリン）をグロー放電分
解でドーグして、Ｎ型（更にはＮ＋型）化する。ブロッ
キング層の組成によって、次のようにドーピング量を制
御する。 ａ−８ｉＣ：真性化Ｂ、Ｈ，／８ｉＨ，２〜２０容量ｐ
ｐｍＮ型（Ｎ”）　ＰＨ８／８ｉ）Ｉ、　１〜１０００
　　／／ａ−８ｉＮ：真性化Ｂ、Ｈ，／５ｉＨ４１〜２
０００　　　ｔｔＮ型（Ｎ　＋）ＰＨ，／５ｉＨ４１〜
２０００容−ｉ　ｐｐｍブロッキング層は５ｉＯ１Ｓｉ
ｎ、等の化合物でもよい。 マ几、ブロッキング層４４は膜厚５００１〜２μｍがよ
い。５００　Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く、
また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については次のようにするの
が望ましい。即ち、１％＜（Ｃ）≦９０チ、好ましくは
１０チ≦〔Ｃ〕≦７０ｔ４とし、１％〈〔Ｎ〕≦９０チ
、好ましくは１０チ〈〔Ｎ〕≦７０チとし、０％≦〔０
〕≦７０％、好ましくはＯチ≦

〔０〕≦３０％とするの
がよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層心中の水素含有量は、ダングリングボ
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、１０〜３０チであるのが望ま
しい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキング
層材も同様である。 ま友、ブロッキング層材の導電型を制御するための不純
物として、Ｐ型化のためにボロン以外にもｋｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、　Ｔ１等の周期表ＩＩＩａ族元素を使用できる。 Ｎ型化のためにはリン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等の周期表
第ｖａ族元索も使用できる。 次Ｋ、上記し友感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーターＩで基板４１を
内側から所定温度に可熱し得るようになっている。基板
４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円筒
状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波電
源間によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の
６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の供給源、６
３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、図はＮ２等の窒
素化合物ガスの供給源、田は０２等の酸素化合物ガスの
供給源、印はＡ、ｒ等のキャリアガス供給源、６７は不
純物ガス（例えば（Ｂｙ）ｌｅ　）供給源、絽は各流量
計である。このグロー放電装置において、まず支持体で
ある例えばＡＩ基板４１の表面を清浄化した後に真空槽
５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’Ｔｏ
ｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所定
温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３０
０℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスを
キャリアガスとして、Ｓ　ｉＨ，又はガス状シリコン化
合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽５２内に導入
し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波
電源間により高周波電圧（例えば１．３．５６　ＭＨｚ
　）を印加する。これによって、上記各反応ガスを電極
５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｎ＋型ａ−
ｓｉｃｏ：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｈ，Ｐ＋又はＮ＋型ａ−ｓｉ
ｃｏ：Ｈ，ａ−８ｉｃＯ：Ｈを上記の層４４．４３．４
６．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図
の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフン素をＳ　ｉＦ４等の
形で導入し、ａ−８ｉ：Ｆ、ａ−８ｉ　：Ｈ：Ｆ、　ａ
−８ｉＮ：Ｆ、　ａ−８ｉＮ：Ｈ：　Ｆ　。 ａ−ｓｉｃ：Ｆ’、　ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆ　　とするこ
ともできる。この場合のフッ素量は０．５〜１０チが望
ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で清浄化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法、（特に本出願人
による特開昭関−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａ！支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 まず、支持体である、例えば平滑な表面を持つドラム状
Ａｌ基板４１の表面を清浄化し友後に、第４図の真空槽
５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧がＩＱ−Ｔｏｒ
ｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所定温
度、とくに１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５０〜３
００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガスを
キャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒ　の背圧の
もとで周波数１３．５６　ＭＨｚ　の高周波電力を印加
し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ，と
ＰＨ８からなる反応ガスを導入し、流量比１　：　１　
：　１　：　（１，５刈ｏ　”−３＞の（Ａｒ＋ＳｉＨ
，＋ＣＨ，＋ＰＨ，）の混合ガスをグロー放電分解する
ことにより、電荷ブロッキング機能を担うＮ＋ｔＤ　ａ
−８ｉ　ＣＯ：　Ｈ層４４を６μｍ／ｈｒの堆積速度で
所定厚さに製膜した。引き続き、ＰＨｓ　及びＣＨ４を
供給停止し、ＳｉＨ，を放電分解し、厚さ５　ｐｍのａ
−８ｉ　：　ＨＩｉＩ４３を形成した。引続いて、不純
物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚も
変化させた中間層４６を形成し、更にａ−８ｉＣＯ：Ｈ
又はａ−８ｉＮＯ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子
写真感光体を完成させた。比較例として、中間層のない
感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であつ几。 （１）０表面改質層：ａ−８ｉＮＯ：Ｈ又はａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参
照）（３）　、　ａ　−８ｉ　：Ｈ光導電性層：膜厚＝
１９μｍ（４）　、　ａ−８ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮ
Ｏ：Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚＝０．５ｔｔｍ　　炭
素含有量＝１１チ（５）、支持体：Ａｌ！シリンダー（
鏡面研磨仕上げ）次に上記の各感光体を使用して各種の
テストを次のように行なった。 た０、３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモー
タ７１で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機
Ｕ−Ｂｉｘ　１６００　（小西六写真工業社裂）改造機
にて画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが
現われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする
。 画像流れ 温度３３’Ｃで相対湿度８０％の環境下で、感光体を電
子写真複写機Ｕ　−Ｂｉｘ　４５００　（小西六写真工
業社裂）改造機内にＭ時間順応させ友後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない。以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 Ｑ：　５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５，５ポイントの英字がつぶれて読みつらい。 Ｘ　：　Ｓ、Ｓポイントの英字判読不能。 残留電位Ｖ、（Ｖ） Ｕ−Ｂｉｘ２５００改造機を使った電位測定で、４００
ｎｍにピークを持つ除電光３０　ｌ　ｕ　ｘ　＊　ｓｅ
ｅ　を照射し友後も残っている感光体表面電位。 帯電電位Ｖ０（Ｖ） Ｕ−Ｂｉｘ２５００改造機（小西六写真工業社製）を用
い、感光体流れ込み電流２００μＡ１露光なしの条件で
３６０　ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した現像
直前の表面電位。 半減露光量　Ｆ’　Ｖｚ　（１ｕｘ−ｓｅｃ　）上記の
装置を用い、グイクロイックミラー（光伸光学社製）に
よす揮露光波長のうち６２０　ｎｍ以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を５００■から２５０ｖに
半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−　Ｉ　Ｍ光量計（ＥＧ　ａｎｄ　Ｇ
社製）にて測定。） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−８ｉ系悪感光の御所面図、第２図はａ−８
ｉＣの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第３図はａ−８ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−８ｉ系悪感光 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 招・・・・電荷発生層 偏・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 ４６・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファ
   ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電性
   層と；周期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
   かつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる中間層と；炭素原子、窒素原子及び
   酸素原子のうちの少なくとも１種を前記中間層よりも多
   く含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コンからなる表面改質層とが順次積層されてなる感光体
   。