JP2761741B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と
有機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関する
ものである。
有機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関する
ものである。
電子写真感光体の光導電材料には、Se,Se−Te,As
2Se3,ZnO,CdS、アモルファスシリコンなどの無機材料と
各種有機材料がある。そのなかで最初に実用化されたも
のはSeであり、そして、ZnO,CdS、アモルファスシリコ
ンも実用化された。一方、有機材料ではPVK−TNFが最初
に実用化され、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送と
いう機能を別々の材料に分担させるという機能分離型感
光体が提案され、この機能分担型感光体によって有機材
料の開発が飛躍的に発展している。
2Se3,ZnO,CdS、アモルファスシリコンなどの無機材料と
各種有機材料がある。そのなかで最初に実用化されたも
のはSeであり、そして、ZnO,CdS、アモルファスシリコ
ンも実用化された。一方、有機材料ではPVK−TNFが最初
に実用化され、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送と
いう機能を別々の材料に分担させるという機能分離型感
光体が提案され、この機能分担型感光体によって有機材
料の開発が飛躍的に発展している。
一方、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した
電子写真感光体も提案された。
電子写真感光体も提案された。
例えばSe層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Se自体有害
であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点もあ
った。
既に実用化されたが、この感光体によれば、Se自体有害
であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点もあ
った。
そこで、特開昭56−14241号公報にはアモルファスシ
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解決して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解決して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。
上記公報の電子写真感光体によれば、化学式Si1-xCxH
y（但し０＜ｘ＜１、0.05≦ｙ≦0.2で表わされるアモル
ファスシリコンカーバイド層と、有機光半導体層が順次
積層された構造から成る。
y（但し０＜ｘ＜１、0.05≦ｙ≦0.2で表わされるアモル
ファスシリコンカーバイド層と、有機光半導体層が順次
積層された構造から成る。
しかし乍ら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その光感度を測定したところ、未だ満足し得
るような特性が得られず、更に改善を要することが判明
した。
を製作し、その光感度を測定したところ、未だ満足し得
るような特性が得られず、更に改善を要することが判明
した。
しかも、上記提案の電子写真感光体、並びに有機光半
導体層を光キャリア発生層として用いた電子写真感光
体、即ちOPC感光体においては、負帯電用に使用されて
おり、そのため、コロナ放電によって帯電電荷にムラが
生じたり、あるいはオゾンの発生量が多くなって感光体
表面が劣化し、その結果、コピー画像の画質が低下した
り、感光体自体の耐久性を劣化せしめている。
導体層を光キャリア発生層として用いた電子写真感光
体、即ちOPC感光体においては、負帯電用に使用されて
おり、そのため、コロナ放電によって帯電電荷にムラが
生じたり、あるいはオゾンの発生量が多くなって感光体
表面が劣化し、その結果、コピー画像の画質が低下した
り、感光体自体の耐久性を劣化せしめている。
従って、本発明は叙上に鑑みて完成されたものであ
り、その目的は高い光感度が得られた電子写真感光体を
提供することにある。
り、その目的は高い光感度が得られた電子写真感光体を
提供することにある。
本発明の他の目的は正帯電用の電子写真感光体を提供
することにある。
することにある。
本発明の更に他の目的は優れた電子写真特性を長期間
に亘って維持せしめた電子写真感光体を提供することに
ある。
に亘って維持せしめた電子写真感光体を提供することに
ある。
本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコ
ンカーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカ
ーバイドをａ−SiCと略す）と有機光半導体層を順次積
層した電子写真感光体において、前記ａ−SiC光導電層
の構成元素がSi元素、Ｃ元素並びに水素又はハロゲンで
あって、水素又はハロゲンをＡ元素と表記し、該層の元
素比率を組成式〔Si1-xCx〕1-yAyで表わした場合、ｘ及
びｙをそれぞれ0.05＜ｘ＜0.5、0.2＜ｙ＜0.5の範囲内
に設定し、更に上記光導電層に周期律表第Va族元素を10
0ppm以下の範囲内で含有したことを特徴とする電子写真
感光体が提供される。以下、本発明を詳細に説明する。
ンカーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカ
ーバイドをａ−SiCと略す）と有機光半導体層を順次積
層した電子写真感光体において、前記ａ−SiC光導電層
の構成元素がSi元素、Ｃ元素並びに水素又はハロゲンで
あって、水素又はハロゲンをＡ元素と表記し、該層の元
素比率を組成式〔Si1-xCx〕1-yAyで表わした場合、ｘ及
びｙをそれぞれ0.05＜ｘ＜0.5、0.2＜ｙ＜0.5の範囲内
に設定し、更に上記光導電層に周期律表第Va族元素を10
0ppm以下の範囲内で含有したことを特徴とする電子写真
感光体が提供される。以下、本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示してお
り、同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−SiC光
導電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層され
ている。そして、ａ−SiC光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電
荷輸送という機能がある。
り、同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−SiC光
導電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層され
ている。そして、ａ−SiC光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電
荷輸送という機能がある。
本発明は上記ａ−SiC光導電層（２）の元素比率並び
に周期律表第Va族元素（以下、Va族元素と略す）の含有
量を下記の通りの範囲内に設定し、該層（２）の上に電
子吸引性の有機光半導体層（３）を積層した場合、正帯
電が可能となり、しかも光感度を顕著に高めることがで
きたことが特徴である。
に周期律表第Va族元素（以下、Va族元素と略す）の含有
量を下記の通りの範囲内に設定し、該層（２）の上に電
子吸引性の有機光半導体層（３）を積層した場合、正帯
電が可能となり、しかも光感度を顕著に高めることがで
きたことが特徴である。
組成式：〔Si1-xCx〕1-yAy（但しＡは水素又はハロゲ
ン） 0.05＜ｘ＜0.5、好適には0.1＜ｘ＜0.4 0.2＜ｙ＜0.5、好適には0.25＜ｙ＜0.45 Va族元素含有量:100ppm以下、好適には0.1〜50ppm 上記ｘ値が0.05以下の場合には短波長側の光感度が高
められず、ｘ値が0.5以上の場合には光導電性が著しく
低くなり、光キャリアの励起機能が低下する。
ン） 0.05＜ｘ＜0.5、好適には0.1＜ｘ＜0.4 0.2＜ｙ＜0.5、好適には0.25＜ｙ＜0.45 Va族元素含有量:100ppm以下、好適には0.1〜50ppm 上記ｘ値が0.05以下の場合には短波長側の光感度が高
められず、ｘ値が0.5以上の場合には光導電性が著しく
低くなり、光キャリアの励起機能が低下する。
また、ｙ値が0.2以下の場合には暗導電率が大きくな
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が0.5以
上の場合にはａ−SiC層の内部応力が増大し、基板との
密着性が低下して剥離し易くなる。
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が0.5以
上の場合にはａ−SiC層の内部応力が増大し、基板との
密着性が低下して剥離し易くなる。
以上Va族元素含有量については、100ppmを越えた場
合、暗導電率が著しく大きくなり、そして、光導電率の
暗導電率に対する比率が小さくなり、所望通りの光感度
が得られない。
合、暗導電率が著しく大きくなり、そして、光導電率の
暗導電率に対する比率が小さくなり、所望通りの光感度
が得られない。
ａ−SiC光導電層（２）にVa族元素を含有させるに当
たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘って均一
又は不均一のいずれでもよい。不均一にドーピングさせ
た場合、この層（２）の一部にVa族元素が含有されない
層領域があってもよく、その場合にはVa族元素含有のａ
−SiC層領域並びにVa族元素が含有されていないａ−SiC
領域の両者から成るａ−SiC層全体に対するVa族元素平
均含有量が100ppm以下でなくてはならない。
たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘って均一
又は不均一のいずれでもよい。不均一にドーピングさせ
た場合、この層（２）の一部にVa族元素が含有されない
層領域があってもよく、その場合にはVa族元素含有のａ
−SiC層領域並びにVa族元素が含有されていないａ−SiC
領域の両者から成るａ−SiC層全体に対するVa族元素平
均含有量が100ppm以下でなくてはならない。
このVa族元素にはN,P,As,Sb,Biがあるが、Ｐが共有結
合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点で、その
上、優れた帯電能並びに光感度が得られるという点で望
ましい。
合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点で、その
上、優れた帯電能並びに光感度が得られるという点で望
ましい。
また、上記ａ−SiC光導電層（２）には水素Ｈ元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。
ａ−SiC光導電層（２）の厚みは0.05〜５μｍ、好適
には0.1〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範囲
内であれば、高い光感度が得られ、残留電位が低くな
る。
には0.1〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範囲
内であれば、高い光感度が得られ、残留電位が低くな
る。
前記基板（１）には銅、黄銅、SUS、Al等の金属導電
体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面に導
電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、Alがコ
スト面並びにａ−SiC層との密着性という点で有利であ
る。
体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面に導
電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、Alがコ
スト面並びにａ−SiC層との密着性という点で有利であ
る。
前記有機光半導体層（３）に用いられる電子吸引性化
合物には2.4.7−トリニトロフルオレンなどがある。
合物には2.4.7−トリニトロフルオレンなどがある。
この層（３）の厚みは10〜50μｍ、好適には10〜30μ
ｍの範囲内に設定すばよく、この範囲内であれば、高い
表面電位が得られ、残留電位が低くなる。
ｍの範囲内に設定すばよく、この範囲内であれば、高い
表面電位が得られ、残留電位が低くなる。
かくして、本発明の積層型感光体においては、所定組
成のａ−SiC光導電層（２）により光感度が高められ、
しかも、有機光半導体層（３）との組合せにより正帯電
型となる。
成のａ−SiC光導電層（２）により光感度が高められ、
しかも、有機光半導体層（３）との組合せにより正帯電
型となる。
次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。
ａ−SiC層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
プレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、CVD法などの薄膜形成方法がある。
プレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、CVD法などの薄膜形成方法がある。
グロー放電分解法を用いる場合、Si元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このSi元素含有ガスにはSiH4，Si
2H6，Si3H8，SiF4，SiCl4，SiHCl3等々があり、また、
Ｃ元素含有ガスにはCH4，C2H4，C2H2，C3H8等々があ
り、就中、C2H2は高速成膜性が得られるという点で望ま
しい。
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このSi元素含有ガスにはSiH4，Si
2H6，Si3H8，SiF4，SiCl4，SiHCl3等々があり、また、
Ｃ元素含有ガスにはCH4，C2H4，C2H2，C3H8等々があ
り、就中、C2H2は高速成膜性が得られるという点で望ま
しい。
本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図に
より説明する。
より説明する。
図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タ
ンク（６）、第４タンク（７）にはそれぞれSiH4，C
2H2，PH3，（PH3が30ppm濃度で水素希釈されている）並
びにH2が密封され、これらのガスは各々対応する第１調
整弁（８）、第２調整弁（９）、第３調整弁（10）及び
第４調整弁（11）を開放することにより放出される。そ
の放出ガスの流量はそれぞれマスフローコントローラ
（12）（13）（14）（15）により制御され、各々のガス
は混合されて主管（16）へ送られる。尚、（17）（18）
は止め弁である。
ンク（６）、第４タンク（７）にはそれぞれSiH4，C
2H2，PH3，（PH3が30ppm濃度で水素希釈されている）並
びにH2が密封され、これらのガスは各々対応する第１調
整弁（８）、第２調整弁（９）、第３調整弁（10）及び
第４調整弁（11）を開放することにより放出される。そ
の放出ガスの流量はそれぞれマスフローコントローラ
（12）（13）（14）（15）により制御され、各々のガス
は混合されて主管（16）へ送られる。尚、（17）（18）
は止め弁である。
主管（16）を通じて流れるガスは反応管（19）へ流入
されるが、この反応管（19）の内部には容量結合型放電
用電極20が設置され、また、筒状の成膜用基板（21）が
基板支持体（22）の上に載置され、基板支持体（22）が
モータ（23）により回転駆動され、これに伴って基板
（21）が回転される。そして、電極（20）に電力50W〜3
Kw、周波数１〜50MHzの高周波電力が印加され、しか
も、基板（21）に適当な加熱手段により約200〜400℃、
好適には約200〜350℃の温度に加熱される。また、反応
管（19）は回転ポンプ（24）と拡散ポンプ（25）に連結
されており、これによってグロー放電による成膜形成時
に所要な減圧状態（放電時のガス圧0.1〜2.0Torr）が維
持される。
されるが、この反応管（19）の内部には容量結合型放電
用電極20が設置され、また、筒状の成膜用基板（21）が
基板支持体（22）の上に載置され、基板支持体（22）が
モータ（23）により回転駆動され、これに伴って基板
（21）が回転される。そして、電極（20）に電力50W〜3
Kw、周波数１〜50MHzの高周波電力が印加され、しか
も、基板（21）に適当な加熱手段により約200〜400℃、
好適には約200〜350℃の温度に加熱される。また、反応
管（19）は回転ポンプ（24）と拡散ポンプ（25）に連結
されており、これによってグロー放電による成膜形成時
に所要な減圧状態（放電時のガス圧0.1〜2.0Torr）が維
持される。
このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板
（21）の上にａ−SiC層を形成する場合、第１調整弁
（８）、第２調整弁（９）、第３調整弁（10）及び第４
調整弁（11）を開いてSiH4，C2H2，PH3，H2の各々のガ
スを放出し、その放出量をマスフローコントローラ（1
2）（13）（14）（15）により制御し、各々のガスは混
合されて主管（16）を介して反応管（19）へ流入され
る。そして、反応管内部の減圧状態、基板温度、電極印
加用高周波電力をそれぞれ所定の条件に設定するとグロ
ー放電が発生し、ガスの分解に伴ってＰ元素含有のａ−
SiC膜が基板上に高速に形成される。
（21）の上にａ−SiC層を形成する場合、第１調整弁
（８）、第２調整弁（９）、第３調整弁（10）及び第４
調整弁（11）を開いてSiH4，C2H2，PH3，H2の各々のガ
スを放出し、その放出量をマスフローコントローラ（1
2）（13）（14）（15）により制御し、各々のガスは混
合されて主管（16）を介して反応管（19）へ流入され
る。そして、反応管内部の減圧状態、基板温度、電極印
加用高周波電力をそれぞれ所定の条件に設定するとグロ
ー放電が発生し、ガスの分解に伴ってＰ元素含有のａ−
SiC膜が基板上に高速に形成される。
上述した通りに薄膜形成方法によりａ−SiC層を形成
すると、次に有機光半導体層を形成する。
すると、次に有機光半導体層を形成する。
有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法に
より形成し、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定の速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約150℃、約１時間）を行
うという方法であり、また、後者のコーティング法によ
れば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された感
光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。
より形成し、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定の速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約150℃、約１時間）を行
うという方法であり、また、後者のコーティング法によ
れば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された感
光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。
次に本発明の実施例を述べる。
（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いて、SiH4ガスを20
0sccmの流量で、、水素希薄PH3ガスを90sccmの流量で、
H2ガスを270sccmの流量で、そして、C2H2ガスの流量を
変化させ、また、ガス圧を0.6Torr、高周波電力を150
W、基板温度を250℃に設定し、グロー放電によってａ−
SiC膜（膜厚約１μｍ）を形成した。
0sccmの流量で、、水素希薄PH3ガスを90sccmの流量で、
H2ガスを270sccmの流量で、そして、C2H2ガスの流量を
変化させ、また、ガス圧を0.6Torr、高周波電力を150
W、基板温度を250℃に設定し、グロー放電によってａ−
SiC膜（膜厚約１μｍ）を形成した。
このようにしてａ−SiC膜のカーボン含有比率を変
え、そして、膜中のカーボン量をXMA法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。尚、各々のａ−SiC膜に
含有されたＰ元素含有量を二次イオン質量分析計により
測定したところ、いずれも約10ppmであった。
え、そして、膜中のカーボン量をXMA法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。尚、各々のａ−SiC膜に
含有されたＰ元素含有量を二次イオン質量分析計により
測定したところ、いずれも約10ppmであった。
第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちSi1-xCxの
ｘ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波長55
0nm（光量50μW/cm2）の光に対する光導電率のプロット
であり、●印は暗導電率のプロットであり、また、a,b
はそれぞれの特性曲線である。
ｘ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波長55
0nm（光量50μW/cm2）の光に対する光導電率のプロット
であり、●印は暗導電率のプロットであり、また、a,b
はそれぞれの特性曲線である。
上記ａ−SiC層について、その水素含有量を赤外吸収
測定法により求めたところ、第４図に示す通りの結果が
得られた。
測定法により求めたところ、第４図に示す通りの結果が
得られた。
第４図中、横軸はSi1-xCxのｘ値であり、縦軸は水素
含有量、即ち〔Si1-xCx〕1-yHyのｙ値であり、○印はSi
原子に結合した水素量のプロットであり、●印Ｃは原子
に結合した水素量のプロットであり、また、c,dはそれ
ぞれの特性曲線である。
含有量、即ち〔Si1-xCx〕1-yHyのｙ値であり、○印はSi
原子に結合した水素量のプロットであり、●印Ｃは原子
に結合した水素量のプロットであり、また、c,dはそれ
ぞれの特性曲線である。
第４図より明らかな通り、本例のａ−SiC膜はいずれ
もｙ値が0.3〜0.4の範囲内にあることが判る。
もｙ値が0.3〜0.4の範囲内にあることが判る。
また、第３図より明らかな通り、カーボン含有比率ｘ
が0.2＜ｘ＜0.5の範囲内であれば、光導電率と暗導電率
の比率が顕著に大きくなり、優れた光感度が得られるこ
とが判る。
が0.2＜ｘ＜0.5の範囲内であれば、光導電率と暗導電率
の比率が顕著に大きくなり、優れた光感度が得られるこ
とが判る。
（例２） 次に本例においては、SiH4ガスを200sccmの流量で、C
2H2ガスを20sccmの流量で、水素希釈PH3ガスを90sccmの
流量で、H2ガスを０〜1000sccmの流量で導入し、そし
て、高周波電力を50〜300W、ガス圧を0.3〜1.2Torrに設
定し、グロー放電によりａ−SiC膜（膜厚約１μｍ）を
形成した。
2H2ガスを20sccmの流量で、水素希釈PH3ガスを90sccmの
流量で、H2ガスを０〜1000sccmの流量で導入し、そし
て、高周波電力を50〜300W、ガス圧を0.3〜1.2Torrに設
定し、グロー放電によりａ−SiC膜（膜厚約１μｍ）を
形成した。
かくして、カーボン含有比率ｘを0.3に設定し、そし
て、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−SiC膜を形成
し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定した
ところ、第５図に示す通りの結果が得られた。尚、いず
れのａ−SiC膜もＰ元素含有量は約10ppmであった。
て、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−SiC膜を形成
し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定した
ところ、第５図に示す通りの結果が得られた。尚、いず
れのａ−SiC膜もＰ元素含有量は約10ppmであった。
第５図中、横軸は水素含有量、即ち〔Si0.7C0.3〕1-y
Hyのｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波
長550nm（光量50μW/cm2）の光に対する光導電率のプロ
ットであり、●印は暗導電率のプロットであり、また、
e,fはそれぞれの特性曲線である。
Hyのｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波
長550nm（光量50μW/cm2）の光に対する光導電率のプロ
ットであり、●印は暗導電率のプロットであり、また、
e,fはそれぞれの特性曲線である。
第５図より明らかな通り、ｙ値が0.2を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判
る。
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判
る。
（例３） 本例においては、SiH4ガスを200sccmの流量で、C2H2
ガスを20sccmの流量で、水素希薄PH3ガス（濃度0.2％又
は30ppm）を５〜500sccmの流量で、H2ガスを200sccmの
流量で導入し、そして、高周波電力を150W、ガス圧を0.
6Torrに設定し、グロー放電によりＰ元素含有のａ−SiC
膜（膜厚約１μｍ）を形成した。
ガスを20sccmの流量で、水素希薄PH3ガス（濃度0.2％又
は30ppm）を５〜500sccmの流量で、H2ガスを200sccmの
流量で導入し、そして、高周波電力を150W、ガス圧を0.
6Torrに設定し、グロー放電によりＰ元素含有のａ−SiC
膜（膜厚約１μｍ）を形成した。
かくして、カーボン含有比率ｘを0.2に設定し、そし
て、Ｐ元素含有量を変化させた種々のａ−SiC膜を形成
し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定した
ところ、第６図に示す通りの結果が得られた。
て、Ｐ元素含有量を変化させた種々のａ−SiC膜を形成
し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定した
ところ、第６図に示す通りの結果が得られた。
本例においては、上記PH3ガスに代えてB2H6ガスを導
入させ、これによってＢ元素含有量を変化させた種々の
ａ−SiC膜も形成し、これらの測定結果も含めた。
入させ、これによってＢ元素含有量を変化させた種々の
ａ−SiC膜も形成し、これらの測定結果も含めた。
同図中、横軸はＰ元素含有量（又はＢ元素含有量）で
あり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波長550nm
（光量50μW/cm2）の光に対する光導電率のプロットで
あり、●印は暗導電率のプロットであり、また、g,hは
それぞれの特性曲線である。
あり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波長550nm
（光量50μW/cm2）の光に対する光導電率のプロットで
あり、●印は暗導電率のプロットであり、また、g,hは
それぞれの特性曲線である。
第６図より明らかな通り、Ｐ元素が100ppm以下の範囲
内で含有された場合、光導電率と暗導電率の比が十分に
大きくなることが判る。
内で含有された場合、光導電率と暗導電率の比が十分に
大きくなることが判る。
尚、本例のいずれのａ−SiC膜もカーボン含有比率ｘ
及び水素含有量ｙはそれぞれｘ＝0.30,y＝0.35である。
及び水素含有量ｙはそれぞれｘ＝0.30,y＝0.35である。
また、本発明者等はＰ元素を約10ppm含有して〔Si0.7
C0.3〕0.65H0.35の組成から成るａ−SiC光導電層並びに
2.4.7−トリニトロフルオレンの有機光半導体層が順次
積層された電子写真感光体を製作し、正帯電によりその
特性評価を行ったところ、高い表面電位、優れた光感度
が得られ、しかも、低い残留電位となった。
C0.3〕0.65H0.35の組成から成るａ−SiC光導電層並びに
2.4.7−トリニトロフルオレンの有機光半導体層が順次
積層された電子写真感光体を製作し、正帯電によりその
特性評価を行ったところ、高い表面電位、優れた光感度
が得られ、しかも、低い残留電位となった。
以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−
SiC光導電層のカーボン量及びダングリングボンド終端
用元素の量並びに第Va族元素含有量をそれぞれ所定の範
囲内に設定した場合、優れた光感度が得られ、そのた
め、このａ−SiC光導電層と有機光半導体層を組合せた
ことにより高性能且つ高品質な電子写真感光体が提供で
きる。
SiC光導電層のカーボン量及びダングリングボンド終端
用元素の量並びに第Va族元素含有量をそれぞれ所定の範
囲内に設定した場合、優れた光感度が得られ、そのた
め、このａ−SiC光導電層と有機光半導体層を組合せた
ことにより高性能且つ高品質な電子写真感光体が提供で
きる。
また、本発明の電子写真感光体においては、正帯電用
に用いられており、これにより、コロナ放電に伴う帯電
電荷のムラが生じなくなり、しかも、オゾンの発生量も
少なく、その結果、高画質の画像を長期間に亘って提供
することができた。
に用いられており、これにより、コロナ放電に伴う帯電
電荷のムラが生じなくなり、しかも、オゾンの発生量も
少なく、その結果、高画質の画像を長期間に亘って提供
することができた。
第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面
図、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の
概略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示
す線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係
を示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す
線図、第６図は同期律表第IIIa族元素又は第Va族元素含
有量と導電率の関係を示す線図である。 １……導電性基板 ２……アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ３……有機光半導体層
図、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の
概略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示
す線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係
を示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す
線図、第６図は同期律表第IIIa族元素又は第Va族元素含
有量と導電率の関係を示す線図である。 １……導電性基板 ２……アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ３……有機光半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 浩 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の ６ 京セラ株式会社滋賀八日市工場内 (72)発明者 竹村 仁志 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の ６ 京セラ株式会社滋賀八日市工場内 (56)参考文献 特開 昭56−62255（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−14241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−8548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−4040（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−127080（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−145540（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】導電性基板上にアモルファスシリコンカー
バイド光導電層と有機光半導体層を順次積層した電子写
真感光体において、前記アモルファスシリコンカーバイ
ド光導電層の構成元素がSi元素、Ｃ元素並びに水素又は
ハロゲンであって、水素又はハロゲンをＡ元素と表記
し、該層の元素比率を組成式〔Si1-xCx〕1-yAyで表わし
た場合、ｘ及びｙをそれぞれ0.05＜ｘ＜0.5、0.2＜ｙ＜
0.5の範囲内に設定し、更に上記光導電層に周期律表第V
a族元素を100ppm以下の範囲内で含有したことを特徴と
する電子写真感光体。 - 【請求項２】正帯電型である請求項（１）記載の電子写
真感光体。 - 【請求項３】周期律表第Va族元素がＰである請求項
（１）記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】有機光半導体層が電子吸引性化合物から成
る請求項（１）記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】アモルファスシリコンカーバイド光導電層
の厚みが0.05〜５μｍの範囲内でる請求項（１）記載の
電子写真感光体。 - 【請求項６】有機光半導体層の厚みが10〜50μｍの範囲
内である請求項（１）記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30036688A JP2761741B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30036688A JP2761741B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146054A JPH02146054A (ja) | 1990-06-05 |
| JP2761741B2 true JP2761741B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17883911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30036688A Expired - Fee Related JP2761741B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761741B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4824398B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-11-30 | デュプロ精工株式会社 | 使用済みマスタの処理装置 |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP30036688A patent/JP2761741B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02146054A (ja) | 1990-06-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |