JPS634241A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は帯電能を向上させることに伴って高速複写を可
能とした電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンタなどの開発が活発に進めら
れており、これらの機器に用いられる感光体は長期間高
速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求さ
れている。この要求に対して水素化アモルファスシリコ
ンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に
優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第２図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−Ｓｉキャリア注入阻止層（２）、ａ−Ｓ
ｉキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次積
層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１
）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を低
下させるために形成されており、そして、表面保護層（
４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めて
いる。

ところが、このａ−Ｓｉ感光体によれば、ａ−Ｓｉキャ
リア発生層（３）自体が有する暗抵抗率が１０″Ω・ｃ
ａｍ以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が
大きくなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難し
くなり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場
合には光メモリ効果により先の画像が完全に除去されず
に残存し、次の画像形成に伴って先の画像が再び現れる
（ゴースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第１図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第１図によれば、前述したキャリア注入阻止層（
２ａ）とキャリア発生層（３ａ）の間にキャリア輸送層
（５）を形成しており、そして、このキャリア輸送層（
５）には暗抵抗及びキャリア移動度のそれぞれが大きい
材料で形成されており、これにより、表面電位及び光感
度に優れ且つ残留電位が小さい高性能な感光体が得られ
る。

このキャリア輸送層（５）については高抵抗且つ広いバ
ンドギャップ並びに半導体特性を具備した水素化アモル
ファスシリコンカーバイドを用いることが特開昭５８−
１９２０４６号公報などに提案されている。

しかしながら、この公報に示された水素化アモルファス
シリコンカーバイド（以下、ａ−５ｉＣ：Ｈト略す）か
ら成るキャリア輸送層を形成するに当たっては、例えば
グロー放電分解法を用いる場合、反応圧力、高周波電力
などの様々な放電条件、原料ガスの種類、ガス流量等々
に起因して安定した特性をもつ高品質なａ−５ｉＣ：Ｈ
膜を形成するのが難しく、そして、この膜自体水素化ア
モルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ　：Ｈと略す）膜
に比べてダングリングボンドが生成し易い傾向にあり、
これにより、１０１１Ω・Ｃｌ１１以上の暗抵抗率を有
すると共に高いキャリア移動度をもつａ−ＳｉＣ：Ｈ膜
を得るのが難かしい。

更にこのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を再現性よく安定した条件に
よって形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の
両者の特性に共通してその特性評価ができる検知手段が
望まれている。

〔発明の目的〕

暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させ、これにより、
大きな帯電能をもつ電子写真感光体を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は高速複写に適した電子写真感光体を
提供することにある。

本発明の更に他の目的はａ−ＳｉＣ：）ｌキャリア輸送
層を製作するに当たってその製造条件の設定が容易であ
ると共に再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に少なくともキャリア注入阻止
層、キャリア輸送層及びキャリア発生層を形成して成る
積層体であって、前記キャリア注入阻止層がａ−Ｓｉか
ら成ると共に酸素又は窒素の少なくとも　−種を０．１
乃至３０原子％含有し、前記キャリア輸送層がａ−５ｉ
Ｃ：）ｌから成ると共にＣとＳｉの原子組成比が１：９
乃至９：１の範囲内にあり且つ赤外線吸収又スペクトル
における２８６０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以下で
あると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００以上
であることを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の典型的な電子写真感光体には第１図に示す通り
基板（１）上にキャリア注入阻止層（２ａ）、キャリア
輸送層（５）、キャリア発生層（３ａ）及び表面保護Ｎ
（４）を順次積層した積層体があり、また、この積層体
に対してキャリア輸送層（５）とキャリア発生層（３ａ
）の積層順序を変えた積層体がある。

本発明によれば、機能分離型感光体に用いられるキャリ
ア輸送層（５）にａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を用いると共にキャ
リア注入阻止層（２ａ）には酸素又は窒素の少なくとも
一種を所定量含有するａ−３ｉ膜を用いて、両層に種々
の条件を設定することにより本発明の目的が達成できる
ことを見い出したものである。

本発明に係るキャリア輸送層に用いられるａ−５ｉＣ：
）ｌ膜は、例えば後述するグロー放電分解法によって生
成され、その放電条件等によって暗抵抗率とキャリア移
動度が鋭敏に作用を受けており、これに対して、本発明
者等はこの原因を解明すべく種々の実験を繰り返し行っ
た結果、ＣとＨの結合状態並びにＳｉとＨの結合状態が
前記特性に顕著に影響することを知見した。

即ち、ａ−３ｉＣ：Ｈ膜の赤外線吸収スペクトルを測定
するとＣＵｔ結合及びＣＨ３結合の伸縮モードを示す吸
収ピークが２８６０ｃｍ−’の波数に表われ、５ｉｔ（
結合及び５ｉ）１２結合の伸縮モードを示す吸収ピーク
が２０９０ｃ＋ｍ−’の波数に表われることを確認し、
そしてこの２８６０ｃ＋＋−’の吸収係数が１０００以
下であると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１０００
以上、好適には２８６０ｃ＋ｉ−’の吸収係数が５００
以下であると共に２０９０ｃｍ−’の吸収係数が１００
０以上であればダングリングボンドが少なくなって大き
なキャリア移動度となることが判った。

本発明によれば、このａ−ＳｉＣ：Ｈ膜中のＳｉとＣの
原子組成比が重要であり、この比が１：９乃至９：１、
好適には２：８乃至８：２の範囲内に設定される と暗抵抗率が１０″Ω・ｃｍ以上となることを見い出し
た。また膜中の水素含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連
するが、膜中５乃至４０原子％、好適には１０乃至３０
原子％の範囲内になるようにすればよい。

本発明に係るキャリア輸送層の厚みは１乃至５０μｍ１
好適には５乃至３０μ鋼の範囲内に設定するのがよく、
１μ偽未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象
が顕著になり、５０μｍを越えると画像の分解能が劣化
すると共に残留電位が大きくなる。

このキャリア輸送層は５ｉｓＣ及びＨの三種類の原子を
必須とするものであるが、他の原子を必要に応じてドー
ピングすることは何ら差支えない。

例えばＢなどの周期律表第ｎｌａ族をドーピングすれば
暗抵抗率を向上させたり、キャリア移動度を大きくする
ことができ、更にキャリア発生層とキャリア輸送層との
界面におけるフェルミレベルをシフトさせることもでき
るのでキャリア発生層で生じた光キャリアをキャリア輸
送層へスムーズに注入することができ、これにより、光
感度を高めて残留電位を小さくすることができる。

本発明に用いられるａ−Ｓｔキャリア注入阻止層（２ａ
）はキャリア輸送層（５）へのキャリアの注入を阻止し
ており、これにより、感光体の表面電位を大きくするこ
とができる。この層（２ａ）には酸素又は窒素の少なく
とも一種の元素を０．１乃至３０原子％、好適にはｌ乃
至２０原子％含有することが重要であり、０．１原子％
未満であれば基板からのキャリア注入阻止が十分でな（
て表面電位が向上しなくなり、３０原子％を越えると光
キャリアがトラップされて残留電位が増加する。

このキャリア注入阻止層（２ａ）にはＨやハロゲン元素
（Ｆ、　ＣＩ、　Ｂｒなど）を含有してもよ（、これの
含有量は５ｉ−Ｃ原子組成比と関連するが、本発明者等
の実験によれば、膜中に０．１乃至２０原子％、好適に
は１乃至１０原子％の範囲内になるようにすればよいこ
とが判った。

更にこのキャリア注入阻止層（２ａ）には周期律表第ｍ
ａ族元素（Ｂ＋ＡＩ＋Ｇａ＋　Ｉｎなど）や第Ｖａ族元
素（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなど）を微量に導入して膜自体の伝
導型をそれぞれＰ゛やＮ゛に制御し、これにより、基板
からのキャリアの注入を一段と阻止することができる。

そのために、これら第ｍａ族及び第Ｖａ族元素の含有量
は５０乃至ｓｏｏｏｐｐｍ、好適には２００乃至２００
０ｐ　ｐ　ｍにするとよい。

またこのキャリア注入阻止層（２ａ）の厚みは０．２乃
至５．０ｐｍ＋　、好適には０．５乃至３．０ｕｍの範
囲内に設定するのがよ（、この範囲内の厚みであれば、
基板からのキャリアの注入阻止能が十分となって残留電
位が小さくなる。

本発明によれば、キャリア発生層（３ａ）にはそれ自体
周知の光電変換材料を用いることができ、例えばＰＶＫ
などの有機半導体、Ｓｅ　＋　Ｓ　ｅ　−Ｔ　ｅ　。

Ｓｅ−＾ｓ、ＣｄＳ、ＺｎＯ，ａ−３ｉ：Ｈ、ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈなどの無機半導体がある。

表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えはポリイミド樹脂などの有機材料、Ｓｉ
Ｏ□＋Ｓ１０＋Ａ１ｚＯ：＋＋ＳＩＣ，５ｉＪａ＋ａ−
Ｓｉ、　ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｆ＋　ａ−ＳｉＣ、
ａ−３ｉＣ：）ｌ　＋ａ−ＳｉＣ：Ｆなどの無機材料を
用いることができる。

更に本発明によれば、ａ−Ｓｉ膜、ａ−ＳｉＣ膜又はａ
−ＳｉＣ：）ｌ膜を形成するに当たってグロー放電分解
法、イオンブレーティング法、反応性スパッタリング法
、真空薄着法、ＣＶＤ法などの薄膜形成技術を用いるこ
とができ、また、これに用いられる原料には固体、液体
、気体のいずれでもよい。例えば、グロー放電分解法に
用いられる気体原料としてＳｉＨ４，５ｉｚＨｂ、５ｉ
ＪａなどのＳｉ系ガス、ＣＨｎ、Ｃｚｔ１４゜ＣｚＨｚ
、　Ｃ２１（６，Ｃ３）１１などのＣ系ガスを用いれば
よく、更にＨｚ＋　Ｈｅ＋　Ｎｅ、　Ａｒなどをキャリ
アーガスとして用いてもよい。

更にまた本発明によれば、ａ−３ｉＣ膜又はａ−３ｉＣ
：Ｈ膜をグロー放電分解法により形成するに当たってそ
の原料に５ｉ）１．ガス及びＣｚＨｚガスを用いれば大
きい成膜速度（約５乃至２０μｍ／時）が得られる。従
って、この両者のガスを用いてキャリア輸送層（５）、
キャリア発生層（３ａ）及び表面保護層（４）をａ−Ｓ
ｉＣ膜又はａ−ＳｉＣ：Ｈ膜により形成することにより
同じ成膜装置を用いて連続的に形成でき、且つその成膜
時間を著しく小さくすることができる。因にＳｉＨオガ
スとＣＨ４ガスを用いてａ−ＳｉＣ膜やａ−ＳｉＣ：Ｈ
膜を生成した場合その成膜速度は約０．３乃至１μｒａ
／時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第３図により説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５タンク（６）（７
）（８）（９）（１０）には、それぞれＳＪａ＋ＣｚＨ
ｚ＋Ｂ２Ｈｂ＋Ｈｚ、ＮＯガスが密封されており、Ｈ２
はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガスは
対応する第１．第２．第３．第４．第５ｉＰＩ整弁（１
１）　　（１２）　　（１３）　　（１４）　　（１５
）を開放することにより放出され、その流量がマスフロ
ーコントローラ（１６）　　（１７）　　（１８）　　
（１９）（２０）により制御され、第１、第２、第３、
第４タンク（６）（７）（８）（９）からのガスは第１
主管（２１）へ、また第５タンク（１０）からのＮＯガ
スは第２主管（２２）へ送られる。尚、（２３）　　（
２４）は止め弁である。第１、第２主管（２１）　　（
２２）を通じて流れるガスは反応管（２５）へと送り込
まれるが、この反応管（２５）の内部には容量結合型放
電用電極（２６）が設置されており、それに印加される
高周波は５０ｗ乃至３ＫＷが、また周波数はＩＭＨｚ乃
至１０ＭＨｚ電力が適当である。反応管（２５）の内部
には、アルミニウムから成る筒状の成膜用基＋１ｉ（２
７）が試料保持台（２８）の上に載置されており、この
保持台（２８）はモーター（２９）により回転駆動され
るようになっており、そして、基板（２７）は適当な加
熱手段により、約５０乃至４００℃好ましくは約１５０
乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管
（２５）の内部はａ−３ｉ膜又はａ−ＳｉＣ膜形成時に
高度の真空状態（放電圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ　）
を必要とすることにより回転ポンプ（３０）と拡散ポン
プ（３１）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−Ｓｉ　：Ｈ膜（Ｎ、Ｏ，Ｂを含有する）を
基＋７ｉ（２７）上に形成する場合には、第１、第３、
第４、第５調整弁（１１）（１３）（１４）（１５）を
開イテそれぞれより５ｉｎ４１１３２１（６＋Ｈ２，Ｎ
。

ガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ（１
６）　　（１８）　　（１９）　　（２０）により規制
されてＳｉＨ＊、　ＢｚＨｉ、Ｈｚの混合ガスが第１主
管（２１）を介して、また同時に一定の流量のＮＯガス
が第２主管（２２）を介して反応管（２５）へと流し込
まれる。そして、反応管（２５）の内部が０．１乃至２
．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が５０乃至４０
０℃、容量型放電用電極（２６）の高周波電力がＩＯＷ
乃至３Ｋｗ、また周波数が１乃至１０ＭＨｚに設定され
ていることに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解
してＢ、Ｏ，Ｎの元素を含有したａ−Ｓｉ：Ｈ膜が基板
上に高速で形成される。

但し、後述する実施例において、ａ−ＳｉＣ：Ｈキャリ
ア輸送層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定
するに当たっては３Ｘ３ｃｍの角形の平板を用意し、そ
して、前述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り
欠いてこの切り欠き部に平板を設置し、この平板上にａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜を生成する。

また、成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性の測定に当
たっては用いる平板材料をそれぞれアルミニウム、ＮＥ
ＳＡガラス及び高抵抗単結晶シリコンにした。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

〔例　１　〕 本例においてはａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸送層をアルミ
ニウム製平板に生成してその成膜速度を測定した。

即ち、第３図に示した容量結合型グロー放電分解装置を
用いて第１タンク（６）より５ｉ）Ｉｔを、第２タンク
（７）よりＣ２Ｈ２ガスをこれらの合計した流量が２７
０　ｓｅｃｍになるように放出し、必要に応じて第４タ
ンク（９）よりｌｈガスを放出し、グロー放電分解法に
基づいてａ−ＳｉＣ：）ｌ膜を形成した。

本例によれば、５ｉＨｎガス及びＣ，１１□ガスを２０
０ｓｃｃｍ　＋　５００　ｓｃｃ＋ａの流量で放出して
各種の測定用試料を製作した。

その測定結果は第４図に示す通りである。

第４図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する成膜速度を表しており、Ｏ印、△印及び０印
はそれぞれＨ２ガスが無添加、流量２００　ｓｅｃｍ。

流量５００　ｓｅｃｍの場合のプロットであり、ａ、ｂ
、ｃはそれぞれの特性曲線である。

第４図から明らかな通り、Ｈ２ガスが無添加の場合、（
Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が太き（なるのに伴って成膜速度が
増加傾向にある。これに対して、Ｈ２ガスの流量が２０
０　ｓｃｃｍ、５００　ｓｃｃ＋＋＋と大きくなるのに
伴って成膜速度が小さくなる傾向にあるが、Ｈ２ガス流
量が５００　ｓｅｃｍの場合であっても６μｍ／時以上
の高速成膜が得られる。

〔例　２　〕 本例においては、〔例１〕と同様の製造操作によってａ
−３ｉＣ：Ｈキャリア輸送層をＮＥＳＡガラス製平板に
生成してその層の導電率を測定したところ、第５図に示
す通りの結果が得られた。

第５図は膜中のＳｉとＣの原子組成比（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ
）に対する導電率を表しており、○印、Δ印及び０印は
それぞれＨ２ガスが無添加、流量２００５ｃｃａ、流量
５００　ｓｃｃｍの場合のプロットであり、ｄ、ｅ、ｆ
はそれぞれの特性曲線である。

第５図から明らかな通り、（Ｃ／Ｓｉ　＋Ｃ）比が０．
１乃至０．９の範囲内であればいずれも導電率が１０−
　”　Ω・Ｃｌ１１以下になることが判る。

〔例　３　〕 ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄し、
第３図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（２５）内に設置した。そして、第１タンク（６）より
５ｉＨａガスを、第３タンク（８）よりＢｉＩ３．ガス
（ｎｚ希釈２０００ｐｐｍ）を、第４タンク（９）より
Ｈ２ガスを、第５タンク（１０）よりＮｏガスをそれぞ
れの流量が１８０ｓｃｃｍ　、　９０ＳＣＣＩ１１％　
２００　ｓｅｃｍ、、　８　ｓｅｃｍになるように放出
し、ガス圧を０．４Ｔ　ｏ　ｒ　ｒに、ＲＦ電力を０．
２Ｗ／ｃｍ”に設定したグロー放電分解法に基づいて厚
み２．５μｍのキャリア注入阻止層（２ａ）を形成した
。

次に第３°、第４調整弁（１３）Ｎ　４）を閉じると共
に第２調整弁（１２）を開いて、第１タンク（６）より
ＳｉＨ＜ガスを、第２タンク（７）よりＣ２Ｈ，ガスを
これらの合計した流量が２７０５ｃｃｔｓになるように
放出し、更にＨ２ガスを第４タンク（９）より必要に応
じて５０ｓｃｃｎ＋、　２００ｓｃｃｎ＋、５００ｓｅ
ｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．５　Ｔｏｒｒに、Ｒ
Ｆ電力を０．４ｗ／ｃｍｚに設定して前述したグロー放
電分解法に基づいて厚み２５μｍのキャリア輸送層（５
）を形成した。

次いで第２調整弁（１２）を閉じて同様の操作により５
ｉＨａガス及びＨ２ガスをそれぞれ２００　ｓｃｃｍ及
び２５０　ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス圧をＱ、５　
Ｔｏｒｒに、ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｍ２に設定して厚
み５μｍのキャリア発生層（３ａ）を形成した。

然る後、第２調整弁（１２）を開放してＳｉＨ，ガス及
びＣｚＨｚガスをそれぞれ１５０　ｓｃｃｍ及び１００
ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．３Ｔｏｒｒに、
ＲＦ電力を０．４Ｗ／ｃｍ”に設定して厚み０．５μ禦
の表面保護層を形成した。

かくして得られた感光体Ａ乃至Ｉについて、表面電位、
半減露光量、残留電位及び画質を測定したところ、第１
表に示す通りの結果が得られた。

表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高（て高速
複写（５０枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト
現象が生じなく、Ｏ印は高速複写を行うと若干ゴースト
現象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、
Ｘ印は残留電位が高くて白地のガブリが顕著に生じて実
用に適さない場合を示す。

また、本例においては感光体Ａ乃至Ｉのそれぞれに対し
て設定したａ−５ｉＣ：Ｈキャリア輸送層の製作条件、
即ち（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）比及びＨ２ガス流量を同じにして
、〔例１〕と同様の製造操作によってａ−３ｉＣ：Ｈキ
ャリア輸送層だけをシリコン単結晶製平板上に生成して
２０９０ｃｍ−’の波数及び２８６０ｃ＋ｗ−’の波数
のそれぞれの赤外線吸収係数を測定しており、この結果
は第１表に示す通りである。

第１表から明らかな通り、感光体Ａ乃至Ｅ、　Ｇは大き
い表面電位を有する実用に適した優れた感光体となり、
高速複写用感光体として提供することができ、特に感光
体Ａ乃至Ｃは光感度が高くて帯電能にも優れているため
に高速複写を行っても全くゴースト現象が生じなかった
。然るに感光体Ｆ、Ｈ，Ｉはゴースト現象が顕著になっ
て実用に適さなかった。

本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段がキャリ
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が２０９０ｃｍ
−’の波数に対して１０００以上であると共に２８６０
ＣＤ＋−’の波数に対して１０００以下であれば本発明
の感光体が得られることが判る。

また、本例中キャリア輸送層（５）を形成するに当たっ
て第３調整弁（１３）を開放してＢｚＨａガスを１０１
０５ｅで放出してＢを含む層（５）を形成し、これによ
り得られた感光体Ａ乃至Ｉに対応する９種類の感光体に
ついてもそれぞれ同じ画質評価が得られた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、機能分
離型感光体として形成されるａ−ＳｉＣ：Ｈキャリア輸
送層の暗抵抗率及びキャリア移動度を向上させることが
でき、これにより、感光体の暗減衰率が小さくなると共
に帯電能を高めることができ、しかも、このキャリア輸
送層に酸素又は窒素の少なくとも一種を所定量含むａ−
Ｓｔにより形成したキャリア注入阻止層を組み合わせて
表面電位を大きくすることができ、その結果、高速複写
に適した電子写真感光体が提供される。

また本発明の電子、写真感光体によれば、キャリア注入
阻止層とキャリア輸送層に用いられるａ−ＳｉＣのＳｉ
とＣの比率に対して同一の所定範囲内に設定できると共
にＳｉ供給ガス及びＣ供給ガスのそれぞれを両層の形成
に当たって共通に使用することができ、これにより、同
一のガス流量制御システムを用いることができるので、
個々のガス流量の制御が容易となり、その結果、製造コ
ントロールが容易となって製造効率を高めることができ
る。更に、５ｉ）ｌａガス及び Ｃ，）１．ガスを原料としたグロー放電分解法によって
キャリア輸送層及び表面保護層を同一の成膜装置を用い
て連続的且つ高速に形成することができ、これにより、
製造効率を高めて製造コストを著しく低減することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は機能分離型電子写真感光体の層構成を示す断面
図、第２図は本発明の実施例に用いられる感光体の層構
造を示す断面図、第３図は本発明の実施例に用いられる
容量結合型グロー放電分解装置、第４図は本発明に係る
感光体のキャリア輸送層の成膜速度を表わす線図、第５
図は本発明に係る感光体のキャリア輸送層の導電率を表
わす線図である。 １・・・基板 ２．２ａ・・・キャリア注入阻止層 ３．３ａ・・・キャリア発生層 ４・・・表面保護層 ５・・・キャリア輸送層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に少なくともキャリア注入阻止層、キャリア輸送
   層及びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、
   前記キャリア注入阻止層がアモルファスシリコンから成
   ると共に酸素又は窒素の少なくとも一種を０．１乃至３
   ０原子％含有し、前記キャリア輸送層が水素化アモルフ
   ァスシリコンカーバイドから成ると共に炭素とシリコン
   の原子組成比が１：９乃至９：１の範囲内にあり且つ赤
   外線吸収スペクトルにおける２８６０ｃｍ＾−＾１の吸
   収係数が１０００以下にであると共に２０９０ｃｍ＾−
   ＾１の吸収係数が１０００以上であることを特徴とする
   電子写真感光体。