JPS6373651A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6373651A JPS6373651A JP22023386A JP22023386A JPS6373651A JP S6373651 A JPS6373651 A JP S6373651A JP 22023386 A JP22023386 A JP 22023386A JP 22023386 A JP22023386 A JP 22023386A JP S6373651 A JPS6373651 A JP S6373651A
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- copper
- ceramics
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Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に係り、特に、半導体チップよ
り生ずる熱をヒートシンクへ逃がすための放熱フィン構
造に関するものである。
り生ずる熱をヒートシンクへ逃がすための放熱フィン構
造に関するものである。
第３図は従来の単一鋼材を放熱フィンに使用し、その上
に半導体チップを固着するため任意のパターンを描いた
セラミックスをろう付けで固着した半導体パッケージを
示す斜視図である。第３図において、１は単一の鋼材よ
りなる放熱フィン、４は半導体チップ（図示せず）が固
着されるセラミックス、５は前記放熱フィン１とセラミ
ックス４とを固着するためのろう材を示している。
に半導体チップを固着するため任意のパターンを描いた
セラミックスをろう付けで固着した半導体パッケージを
示す斜視図である。第３図において、１は単一の鋼材よ
りなる放熱フィン、４は半導体チップ（図示せず）が固
着されるセラミックス、５は前記放熱フィン１とセラミ
ックス４とを固着するためのろう材を示している。
上記のように、半導体素子の発熱で生じるセラミックス
４の熱をヒートシンクへ逃がすため、銅または銅−タン
グステン合金層からなる単一の素材で作られた放熱フィ
ン１とセラミックス４とをろう材５を使用して固着して
いた。
４の熱をヒートシンクへ逃がすため、銅または銅−タン
グステン合金層からなる単一の素材で作られた放熱フィ
ン１とセラミックス４とをろう材５を使用して固着して
いた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 。
しかしながら、上記のように放熱フィン１を単一の鋼材
より製作し、この上にセラミックス４をろう材５を使用
して固着した場合、両者の熱膨張係数の差により生じる
歪でセラミックス４にヘアークラックが発生する。
より製作し、この上にセラミックス４をろう材５を使用
して固着した場合、両者の熱膨張係数の差により生じる
歪でセラミックス４にヘアークラックが発生する。
また、放熱フィン１をセラミックス４と熱膨張係数の近
い銅−タングステン合金で作り、ろう材５を使用して固
着した場合、製品重量が重くなるという問題点があった
。
い銅−タングステン合金で作り、ろう材５を使用して固
着した場合、製品重量が重くなるという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、セラミックスにヘアークラックを生じさせ
ることなく、ろう付は固着が可能な半導体装置を得るこ
とを目的とする。
れたもので、セラミックスにヘアークラックを生じさせ
ることなく、ろう付は固着が可能な半導体装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱フィンとして、セラ
ミックスを固着する上面には、熱膨張係数がセラミック
スと近い銅−タングステン合金層を用い、その下面には
機械的強度をもたせるため、熱伝導性が良く、かつ前記
銅−タングステン合金層より比重の小さい銅をろう材等
で固着し、２層構造としたものである。
ミックスを固着する上面には、熱膨張係数がセラミック
スと近い銅−タングステン合金層を用い、その下面には
機械的強度をもたせるため、熱伝導性が良く、かつ前記
銅−タングステン合金層より比重の小さい銅をろう材等
で固着し、２層構造としたものである。
この発明においては、銅と銅−タングステン合金層とを
組み合せることで、銅のみを使用した際にセラミックス
に生じるヘアークラックや、銅−タングステン合金層の
みを使用した場合に問題となる製品重量の増大が防止で
きる。
組み合せることで、銅のみを使用した際にセラミックス
に生じるヘアークラックや、銅−タングステン合金層の
みを使用した場合に問題となる製品重量の増大が防止で
きる。
以下、この考案の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１は放熱フィンで、銅−タングステン
合金層２を上層にして銅層３とを固着してなる。４は半
導体チップを取り付けるためパターンが描かれたセラミ
ックス、５は前記放熱フィン１とセラミックス４とを固
着するためのろう材である。
合金層２を上層にして銅層３とを固着してなる。４は半
導体チップを取り付けるためパターンが描かれたセラミ
ックス、５は前記放熱フィン１とセラミックス４とを固
着するためのろう材である。
第１図においては、セラミックス４を固着するための放
熱フィン１の上面は、ろう付は時の熱でヘアークラック
が発生するのを防ぐため、熱膨張係数がセラミックス４
と近い銅−タングステン合金層２となっており、下面は
、ヒートシンク等へ取り付ける際に必要な機械的強度を
確保し、銅−タングステン合金層２の比重より小さく、
熱伝導率の大きい銅層３との２層をろう付は等で張り合
せたものである。
熱フィン１の上面は、ろう付は時の熱でヘアークラック
が発生するのを防ぐため、熱膨張係数がセラミックス４
と近い銅−タングステン合金層２となっており、下面は
、ヒートシンク等へ取り付ける際に必要な機械的強度を
確保し、銅−タングステン合金層２の比重より小さく、
熱伝導率の大きい銅層３との２層をろう付は等で張り合
せたものである。
このように、放熱フィン１の上面がセラミックス４の熱
膨張係数と近い銅−タングステン合金層２により構成さ
れているため、１０ｍｍ口以上と比較的大きなセラミッ
クス４をもろう付は時の熱歪でヘアークラックを生じさ
せることなくろう付けすることができる。
膨張係数と近い銅−タングステン合金層２により構成さ
れているため、１０ｍｍ口以上と比較的大きなセラミッ
クス４をもろう付は時の熱歪でヘアークラックを生じさ
せることなくろう付けすることができる。
また、さらに必要な厚さのみを比較的比重の大きい銅−
タングステン合金層２とし、他は従来通り熱伝導率の高
い銅層３としたことで、放熱効果を損なうことなく、放
熱フィン１の重量の増加を抑えることができる。
タングステン合金層２とし、他は従来通り熱伝導率の高
い銅層３としたことで、放熱効果を損なうことなく、放
熱フィン１の重量の増加を抑えることができる。
なお、上記実施例では、銅−タングステン合金層２がセ
ラミックス４より大きな面積を有するものを示したが、
第２図に示すように、セラミックス４と同じ大きさのも
のを銅層３の上に固着しても同様の効果が期待できる。
ラミックス４より大きな面積を有するものを示したが、
第２図に示すように、セラミックス４と同じ大きさのも
のを銅層３の上に固着しても同様の効果が期待できる。
以上説明したようにこの発明は、放熱フィンとして半導
体チップが固着されるセラミックスとろう付けされる上
面に、前記セラミックスと近い熱膨張係数を有する銅−
タングステン合金層を用い、下面に熱伝導率の大きい銅
層をろう付けしたので、大形状のセラミックスをヘアー
クラックを発生させることなく、放熱フィンにろう付は
固着でき、かつ製品重量も軽減される等の効果がある。
体チップが固着されるセラミックスとろう付けされる上
面に、前記セラミックスと近い熱膨張係数を有する銅−
タングステン合金層を用い、下面に熱伝導率の大きい銅
層をろう付けしたので、大形状のセラミックスをヘアー
クラックを発生させることなく、放熱フィンにろう付は
固着でき、かつ製品重量も軽減される等の効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の斜視図
、第２図はこの発明の他の実施例を示す斜視図、第３図
は従来の半導体装置を示す斜視図である。 図において、１は放熱フィン、２は銅−タングステン合
金層、３は銅層、４はセラミックス、５はろう材である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
、第２図はこの発明の他の実施例を示す斜視図、第３図
は従来の半導体装置を示す斜視図である。 図において、１は放熱フィン、２は銅−タングステン合
金層、３は銅層、４はセラミックス、５はろう材である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップが固着されるセラミックスを放熱フィンに
ろう付けした半導体装置において、前記放熱フィンを、
前記セラミックスが固着される上面に前記セラミックス
と近い熱膨張係数を有する銅−タングステン合金層を用
い、下面に熱伝導率の大きい銅層を用いた構成としたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023386A JPS6373651A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023386A JPS6373651A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373651A true JPS6373651A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16747973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22023386A Pending JPS6373651A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03240259A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージ |
| CN100352045C (zh) * | 2006-03-31 | 2007-11-28 | 湖南大学 | Cu－W薄膜涂层集成复合热沉 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP22023386A patent/JPS6373651A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03240259A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージ |
| CN100352045C (zh) * | 2006-03-31 | 2007-11-28 | 湖南大学 | Cu－W薄膜涂层集成复合热沉 |
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