JPH0677678A - ヒートシンク構造 - Google Patents
ヒートシンク構造Info
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- JPH0677678A JPH0677678A JP22856392A JP22856392A JPH0677678A JP H0677678 A JPH0677678 A JP H0677678A JP 22856392 A JP22856392 A JP 22856392A JP 22856392 A JP22856392 A JP 22856392A JP H0677678 A JPH0677678 A JP H0677678A
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- heat dissipation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はパワー系ベアチップがろう付けされ
るヒートシンクの構造にに関し、良好な放熱性と高い接
合面の信頼性を有し、かつ、任意の厚さに、無駄なく生
産することができるヒートシンクを構成することを目的
とする。 【構成】 42Ni−残Fe合金で任意の厚さの母材2
を形成する。母材2に放熱部材3を埋め込むための孔2
aを設ける。放熱部材3は放熱性に優れたCu系の金属
を、孔2aに対応した形状に成形することにより構成す
る。母材2の孔2aに放熱部材を埋め込ませる。ヒート
シンク1は、母材2の作用により適正な線膨張係数を有
し、放熱部材3の作用により良好な放熱性を有する。
るヒートシンクの構造にに関し、良好な放熱性と高い接
合面の信頼性を有し、かつ、任意の厚さに、無駄なく生
産することができるヒートシンクを構成することを目的
とする。 【構成】 42Ni−残Fe合金で任意の厚さの母材2
を形成する。母材2に放熱部材3を埋め込むための孔2
aを設ける。放熱部材3は放熱性に優れたCu系の金属
を、孔2aに対応した形状に成形することにより構成す
る。母材2の孔2aに放熱部材を埋め込ませる。ヒート
シンク1は、母材2の作用により適正な線膨張係数を有
し、放熱部材3の作用により良好な放熱性を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はヒートシンク構造に係
り、特にパワー系ベアチップがろう付けされるヒートシ
ンクの構造に関する。
り、特にパワー系ベアチップがろう付けされるヒートシ
ンクの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】パワー系素子を使用する際には、パワー
系素子から十分な電力を取り出し、かつ素子の温度が耐
熱温度を超えないようにするため、一般にヒートシンク
が用いられる。特に、パワー系素子をベアチップの状態
でアルミナ基板等に実装して、パワーユニットを形成す
るような場合には、ベアチップと基板との間に、放熱性
と同時に接合部の信頼性が確保されたヒートシンクを設
ける必要がある。
系素子から十分な電力を取り出し、かつ素子の温度が耐
熱温度を超えないようにするため、一般にヒートシンク
が用いられる。特に、パワー系素子をベアチップの状態
でアルミナ基板等に実装して、パワーユニットを形成す
るような場合には、ベアチップと基板との間に、放熱性
と同時に接合部の信頼性が確保されたヒートシンクを設
ける必要がある。
【0003】このため、従来より、良好な放熱性を確保
しつつ、シリコンチップやアルミナ基板と同等な線熱膨
張係数を有するヒートシンクが要求されており、種々の
構造が提案されている。
しつつ、シリコンチップやアルミナ基板と同等な線熱膨
張係数を有するヒートシンクが要求されており、種々の
構造が提案されている。
【0004】多くの場合、ヒートシンクとしては放熱特
性に優れていることから、銅(Cu)系材料が用いられ
ている。しかし、Cuの線膨張係数は大きく、ベアチッ
プとアルミナ基板との間に介在させて用いるような場合
は、環境温度の変化に伴い、ベアチップとヒートシン
ク、およびヒートシンクとアルミナ基板間の接合面に大
きな応力が生じることになる。
性に優れていることから、銅(Cu)系材料が用いられ
ている。しかし、Cuの線膨張係数は大きく、ベアチッ
プとアルミナ基板との間に介在させて用いるような場合
は、環境温度の変化に伴い、ベアチップとヒートシン
ク、およびヒートシンクとアルミナ基板間の接合面に大
きな応力が生じることになる。
【0005】すなわち、アルミナ基板上にヒートシンク
がはんだ付けされ、さらにその上にベアチップがはんだ
付けされている場合に、これらの系の環境温度が大きく
変化すると、ヒートシンクだけが他に比べて著しく大き
く膨張し、それぞれの界面を接合しているはんだに大き
な剪断力が働く。従って、このようなヒートシンクは温
度変化が激しい部位には使用することができない。
がはんだ付けされ、さらにその上にベアチップがはんだ
付けされている場合に、これらの系の環境温度が大きく
変化すると、ヒートシンクだけが他に比べて著しく大き
く膨張し、それぞれの界面を接合しているはんだに大き
な剪断力が働く。従って、このようなヒートシンクは温
度変化が激しい部位には使用することができない。
【0006】そこで、特に接合部に信頼性が要求される
場合には、モリブデン(Mo)や窒化アルミ(AlN)
製のヒートシンクが用いられている。これらの材料の線
熱膨張係数は、Siの線膨張係数とアルミナ(Al2 O
3 )の線膨張係数との中間の値である。このため、接合
面のはんだにかかる剪断力は緩和され、その信頼性が向
上する。
場合には、モリブデン(Mo)や窒化アルミ(AlN)
製のヒートシンクが用いられている。これらの材料の線
熱膨張係数は、Siの線膨張係数とアルミナ(Al2 O
3 )の線膨張係数との中間の値である。このため、接合
面のはんだにかかる剪断力は緩和され、その信頼性が向
上する。
【0007】しかし、これらの材料により構成されるヒ
ートシンクは、Cuに比べて放熱性が劣るばかりでな
く、加工が難しく、材料コストも高いという欠点を有し
ている。特に、AlNにおいては、そのままでははんだ
付けができないため、表面処理を必要とするという取扱
上の難点も有している。
ートシンクは、Cuに比べて放熱性が劣るばかりでな
く、加工が難しく、材料コストも高いという欠点を有し
ている。特に、AlNにおいては、そのままでははんだ
付けができないため、表面処理を必要とするという取扱
上の難点も有している。
【0008】このため、近年では、このようなヒートシ
ンク材料として、良好な放熱性と高い接合面の信頼性と
を両立し、かつ加工性に優れていることから、42Ni
−残Fe合金とCuとを張り合わせてなる複合材料が用
いられている。
ンク材料として、良好な放熱性と高い接合面の信頼性と
を両立し、かつ加工性に優れていることから、42Ni
−残Fe合金とCuとを張り合わせてなる複合材料が用
いられている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の42N
i−残Fe合金とCuとを張り合わせてなる複合材料で
構成されたヒートシンクは、両者の線膨張係数の差異等
の理由により、0.8mm以下にしか成形することができ
ない。このため、ヒートシンクの放熱特性に自由度がな
く、その厚みで放熱性を確保する必要があるような部位
には使用することができない。
i−残Fe合金とCuとを張り合わせてなる複合材料で
構成されたヒートシンクは、両者の線膨張係数の差異等
の理由により、0.8mm以下にしか成形することができ
ない。このため、ヒートシンクの放熱特性に自由度がな
く、その厚みで放熱性を確保する必要があるような部位
には使用することができない。
【0010】また、42Ni−残Fe合金とCuとを張
り合わせるためには、加熱圧延を行う必要があり、一度
に一定量以上を製造しなければならない。このため、作
り過ぎによる無駄が生じ、効率の悪化を引き起こすこと
になる。
り合わせるためには、加熱圧延を行う必要があり、一度
に一定量以上を製造しなければならない。このため、作
り過ぎによる無駄が生じ、効率の悪化を引き起こすこと
になる。
【0011】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、良好な放熱性と高い接合面の信頼性を有し、か
つ、任意の厚さで無駄なく生産できるヒートシンクの構
造を提供することを目的とする。
であり、良好な放熱性と高い接合面の信頼性を有し、か
つ、任意の厚さで無駄なく生産できるヒートシンクの構
造を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、42ニッ
ケル−残鉄合金で形成された母材を有するヒートシンク
構造において、前記母材の所定の位置に孔を設け、該孔
に銅系の金属からなる放熱部材を埋め込んだ構成として
なるヒートシンク構造により解決される。
ケル−残鉄合金で形成された母材を有するヒートシンク
構造において、前記母材の所定の位置に孔を設け、該孔
に銅系の金属からなる放熱部材を埋め込んだ構成として
なるヒートシンク構造により解決される。
【0013】
【作用】本発明のヒートシンク構造においては、前記母
材は、前記合金を成形して、前記所定の孔を有する任意
の大きさおよび厚さの板にするにことにより構成され
る。次いで、前記孔に前記放熱部材を埋め込むことによ
り、前記ヒートシンクが構成され、一度に一定量以上を
製造する必要がなく、作り過ぎによる無駄が排除され
る。
材は、前記合金を成形して、前記所定の孔を有する任意
の大きさおよび厚さの板にするにことにより構成され
る。次いで、前記孔に前記放熱部材を埋め込むことによ
り、前記ヒートシンクが構成され、一度に一定量以上を
製造する必要がなく、作り過ぎによる無駄が排除され
る。
【0014】また、前記母材に埋め込まれた前記放熱部
材は、前記ヒートシンクの放熱特性を決定し、その位
置、大きさおよび数により、前記ヒートシンクの放熱特
性は容易に変更できる。さらに、前記放熱部材は、前記
母材に埋め込まれているため、前記ヒートシンクの線膨
張係数は、ほぼ前記母材の線膨張係数と同一の値とな
る。ところで、前記合金は、SiとAl2 O3 の間の線
膨張係数を有している。従って、前記ヒートシンクをS
iやAl2 O3 と接合した場合、高い接合面の信頼性が
得られる。
材は、前記ヒートシンクの放熱特性を決定し、その位
置、大きさおよび数により、前記ヒートシンクの放熱特
性は容易に変更できる。さらに、前記放熱部材は、前記
母材に埋め込まれているため、前記ヒートシンクの線膨
張係数は、ほぼ前記母材の線膨張係数と同一の値とな
る。ところで、前記合金は、SiとAl2 O3 の間の線
膨張係数を有している。従って、前記ヒートシンクをS
iやAl2 O3 と接合した場合、高い接合面の信頼性が
得られる。
【0015】
【実施例】次に、本発明に係るヒートシンク構造の構成
をより明確にするため、適切な実施例に基づいて説明す
る。
をより明確にするため、適切な実施例に基づいて説明す
る。
【0016】図1は、本発明に係るヒートシンク構造の
一実施例の構成図を示す。同図(A)はその平面図を示
し、図中、B−B断面を同図(B)に示す。
一実施例の構成図を示す。同図(A)はその平面図を示
し、図中、B−B断面を同図(B)に示す。
【0017】同図中、符号1は本発明に係る構造を有す
るヒートシンクを示す。また、符号2は母材を示し、F
e中に約42wt%のNiを含んでなる42Ni−残Fe
合金で構成されている。母材2は、任意の体格に成形さ
れてヒートシンク1の外形を構成すると共に、放熱部材
3を埋め込むための複数の孔2aを有している。
るヒートシンクを示す。また、符号2は母材を示し、F
e中に約42wt%のNiを含んでなる42Ni−残Fe
合金で構成されている。母材2は、任意の体格に成形さ
れてヒートシンク1の外形を構成すると共に、放熱部材
3を埋め込むための複数の孔2aを有している。
【0018】放熱部材3は、Cu製の充填材で、本実施
例においては、その周囲にネジ山が成形されている。こ
れに対応して、母材2の孔2aには、放熱部材3のネジ
山に対応したネジ溝が切ってある。従って、放熱部材3
は孔2aにねじ込むことにより容易に装着される。尚、
放熱部材3の高さと母材2の厚さとは、同図(B)に示
すように同一であり、ヒートシンク1は滑らかな表面を
有している。
例においては、その周囲にネジ山が成形されている。こ
れに対応して、母材2の孔2aには、放熱部材3のネジ
山に対応したネジ溝が切ってある。従って、放熱部材3
は孔2aにねじ込むことにより容易に装着される。尚、
放熱部材3の高さと母材2の厚さとは、同図(B)に示
すように同一であり、ヒートシンク1は滑らかな表面を
有している。
【0019】また、上記したように、本実施例の構造を
有するヒートシンク1は、母材2を構成する42Ni−
残Fe合金と、放熱部材3を構成するCuとの接触が機
械的力で保持されている。このため、両者の線膨張係数
の違いにもかかわらずそれらの界面が剥離することがな
く、高い信頼性を確保することができる。
有するヒートシンク1は、母材2を構成する42Ni−
残Fe合金と、放熱部材3を構成するCuとの接触が機
械的力で保持されている。このため、両者の線膨張係数
の違いにもかかわらずそれらの界面が剥離することがな
く、高い信頼性を確保することができる。
【0020】このように、本実施例の構造のヒートシン
ク1は、42Ni−残Fe合金とCuとの接触界面にお
ける高い信頼性を確保しつつ、任意の厚さを確保するこ
とができる。さらに、従来の構成のヒートシンクと異な
り、圧延を行う必要がなく、少量生産が可能であるた
め、作り過ぎによる無駄を排除することができる。
ク1は、42Ni−残Fe合金とCuとの接触界面にお
ける高い信頼性を確保しつつ、任意の厚さを確保するこ
とができる。さらに、従来の構成のヒートシンクと異な
り、圧延を行う必要がなく、少量生産が可能であるた
め、作り過ぎによる無駄を排除することができる。
【0021】図2は、本実施例の構造のヒートシンク1
の、実装状態の正面断面図を示す。尚、同図において、
図1と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明
を省略する。
の、実装状態の正面断面図を示す。尚、同図において、
図1と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明
を省略する。
【0022】同図中、符号4はパワー系ベアチップを示
し、Si系の半導体で構成されている。パワー系ベアチ
ップ4は、はんだ5でヒートシンク1にろう付けされ
る。また、符号6はアルミナ基板を示し、Al2 O3 を
主成分とするセラミック基板上に厚膜回路を形成するこ
とにより構成される。
し、Si系の半導体で構成されている。パワー系ベアチ
ップ4は、はんだ5でヒートシンク1にろう付けされ
る。また、符号6はアルミナ基板を示し、Al2 O3 を
主成分とするセラミック基板上に厚膜回路を形成するこ
とにより構成される。
【0023】先にパワー系ベアチップ4が搭載されたヒ
ートシンク1は、はんだ7でアルミナ基板6上の所定の
位置にろう付けされ、パワーユニットの1部を構成す
る。尚、パワー系ベアチップ4のはんだ付けされない面
は、駆動信号等の供給を受けるためにアルミナ基板6の
所定の部位とワイヤボンディング等により(図示せず)
電気的に接続されている。
ートシンク1は、はんだ7でアルミナ基板6上の所定の
位置にろう付けされ、パワーユニットの1部を構成す
る。尚、パワー系ベアチップ4のはんだ付けされない面
は、駆動信号等の供給を受けるためにアルミナ基板6の
所定の部位とワイヤボンディング等により(図示せず)
電気的に接続されている。
【0024】図3は、上記のヒートシンク1やパワー系
ベアチップ4等の構成材料の線膨張係数および熱伝導度
を表した図表である。以下、同図を参照しながら、ヒー
トシンク1を上記構造としたことによる効果について説
明する。
ベアチップ4等の構成材料の線膨張係数および熱伝導度
を表した図表である。以下、同図を参照しながら、ヒー
トシンク1を上記構造としたことによる効果について説
明する。
【0025】同図に示すように、Cuの線膨張係数16
ppm は、パワー系ベアチップ4(Si)の3.5ppm お
よびアルミナ基板6(Al2 O3 )の7ppm と比べて著
しく大きい値である。これに対して、42Ni−残Fe
合金の線膨張係数4.5ppmは、Siの線膨張係数とA
l2 O3 の線膨張係数との間の値である。また、ヒート
シンク1は、上記したように42Ni−残Fe合金でC
uを包み込んだ構造であり、ヒートシンク1としての線
膨張係数は、42Ni−残Fe合金のそれと、ほぼ同一
の値となる。
ppm は、パワー系ベアチップ4(Si)の3.5ppm お
よびアルミナ基板6(Al2 O3 )の7ppm と比べて著
しく大きい値である。これに対して、42Ni−残Fe
合金の線膨張係数4.5ppmは、Siの線膨張係数とA
l2 O3 の線膨張係数との間の値である。また、ヒート
シンク1は、上記したように42Ni−残Fe合金でC
uを包み込んだ構造であり、ヒートシンク1としての線
膨張係数は、42Ni−残Fe合金のそれと、ほぼ同一
の値となる。
【0026】このため、図2に示すように、パワー系ベ
アチップ4、ヒートシンク1およびアルミナ基板6を組
み付けた場合、それぞれの線膨張係数の差異が緩和さ
れ、熱による膨張収縮に対してはんだ5、7がうける剪
断力が緩和されることになる。従って、本実施例の構造
のヒートシンク1によれば、パワー系ベアチップ4やア
ルミナ基板6との接合面において、高い信頼性を確保す
ることができる。
アチップ4、ヒートシンク1およびアルミナ基板6を組
み付けた場合、それぞれの線膨張係数の差異が緩和さ
れ、熱による膨張収縮に対してはんだ5、7がうける剪
断力が緩和されることになる。従って、本実施例の構造
のヒートシンク1によれば、パワー系ベアチップ4やア
ルミナ基板6との接合面において、高い信頼性を確保す
ることができる。
【0027】また、図3に示すように、42Ni−残F
e合金の熱伝導度0.032cal/s.m.deg は、Cuの熱
伝導度0.85cal/s.m.deg の1/20以下の値であ
る。すなわちヒートシンク1における放熱効果は、ほと
んど放熱部材3が占める割合で決まることになる。
e合金の熱伝導度0.032cal/s.m.deg は、Cuの熱
伝導度0.85cal/s.m.deg の1/20以下の値であ
る。すなわちヒートシンク1における放熱効果は、ほと
んど放熱部材3が占める割合で決まることになる。
【0028】図4および図5は、上記図2に示すように
組み付けたパワー系ベアチップ4の熱抵抗を、過渡熱抵
抗測定法にて測定した結果を示す。
組み付けたパワー系ベアチップ4の熱抵抗を、過渡熱抵
抗測定法にて測定した結果を示す。
【0029】過渡熱抵抗測定法とは、熱抵抗を測定すべ
き半導体チップに所定の電力を消費させると共に、半導
体チップのジャンクションにおける抵抗値を測定し、そ
の抵抗値の上昇分から半導体チップの温度上昇を検出す
る方法である。従って、熱抵抗、すなわち所定の電力を
消費する際の温度上昇率が小さいほど、その半導体チッ
プは良好な放熱性を有していることになる。
き半導体チップに所定の電力を消費させると共に、半導
体チップのジャンクションにおける抵抗値を測定し、そ
の抵抗値の上昇分から半導体チップの温度上昇を検出す
る方法である。従って、熱抵抗、すなわち所定の電力を
消費する際の温度上昇率が小さいほど、その半導体チッ
プは良好な放熱性を有していることになる。
【0030】図4は、ヒートシンク1を、厚さt=1.
5mm、面積s=7×7mm2 、放熱部材3(Cu)の専有
面積40wt%として熱抵抗を測定した結果(図中●)、
およびCu単体またはMo単体で構成されたヒートシン
クを用いて測定した結果(図中○)を示している。尚、
図中の上下限値は、測定数n=20における平均値±3
σを示している。
5mm、面積s=7×7mm2 、放熱部材3(Cu)の専有
面積40wt%として熱抵抗を測定した結果(図中●)、
およびCu単体またはMo単体で構成されたヒートシン
クを用いて測定した結果(図中○)を示している。尚、
図中の上下限値は、測定数n=20における平均値±3
σを示している。
【0031】同図から、明らかなように、本実施例の構
造によるヒートシンク1の放熱性は、Cu単体で構成さ
れたヒートシンクには劣るものの、Mo単体で構成され
たヒートシンクより優れている。すなわち、母材2に埋
め込まれている放熱部材3が、パワー系ベアチップ4か
ら伝播される熱を放熱するために有効に作用している。
造によるヒートシンク1の放熱性は、Cu単体で構成さ
れたヒートシンクには劣るものの、Mo単体で構成され
たヒートシンクより優れている。すなわち、母材2に埋
め込まれている放熱部材3が、パワー系ベアチップ4か
ら伝播される熱を放熱するために有効に作用している。
【0032】図5は、t=1.5mm、s=7 ×7mm2 のヒ
ートシンク1において、Cuの専有面積と熱抵抗との関
係を表す図を示す。同図から明らかなように、ヒートシ
ンク1の熱抵抗は、Cuの専有面積が増えるに伴って小
さくなる。すなわち、放熱部材3が増えるに従ってヒー
トシンク1の放熱性は向上する。
ートシンク1において、Cuの専有面積と熱抵抗との関
係を表す図を示す。同図から明らかなように、ヒートシ
ンク1の熱抵抗は、Cuの専有面積が増えるに伴って小
さくなる。すなわち、放熱部材3が増えるに従ってヒー
トシンク1の放熱性は向上する。
【0033】このように、本実施例の構造のヒートシン
ク1は、従来より、接合面の信頼性重視の場合に用いら
れていたMo単体のヒートシンクより良好な放熱性を有
している。また、ヒートシンク1 中における放熱部材3
の占有面積を変更することにより、必要に応じて放熱特
性を設定することができる。
ク1は、従来より、接合面の信頼性重視の場合に用いら
れていたMo単体のヒートシンクより良好な放熱性を有
している。また、ヒートシンク1 中における放熱部材3
の占有面積を変更することにより、必要に応じて放熱特
性を設定することができる。
【0034】参考のために、本実施例の構成のヒートシ
ンク1と、Cu単体またはMo単体で構成されたヒート
シンクとのコスト比を図6に示す。同図から、本実施例
の構造のヒートシンク1は、Mo単体のヒートシンクの
約1/2のコスト(図6中、斜線部)で製造できること
が判る。
ンク1と、Cu単体またはMo単体で構成されたヒート
シンクとのコスト比を図6に示す。同図から、本実施例
の構造のヒートシンク1は、Mo単体のヒートシンクの
約1/2のコスト(図6中、斜線部)で製造できること
が判る。
【0035】上記したように、ヒートシンク1は、従来
の構成のヒートシンクと比べて、十分な放熱性と、組み
付けられた際の高い信頼性とを有すると共に、任意の体
格に、任意の数だけ製造することができる。すなわち、
本実施例のヒートシンク構造によれば、従来の構成のヒ
ートシンクと同等以上の性能確保と、生産性および設計
の自由度の向上とが両立される。
の構成のヒートシンクと比べて、十分な放熱性と、組み
付けられた際の高い信頼性とを有すると共に、任意の体
格に、任意の数だけ製造することができる。すなわち、
本実施例のヒートシンク構造によれば、従来の構成のヒ
ートシンクと同等以上の性能確保と、生産性および設計
の自由度の向上とが両立される。
【0036】尚、本実施例においては、放熱部材3にネ
ジ山を形成し、孔2aにネジ溝形成しているが、これに
限るものではなく、例えば放熱部材をピン状に成形して
両者を圧入する構成にしてもよい。
ジ山を形成し、孔2aにネジ溝形成しているが、これに
限るものではなく、例えば放熱部材をピン状に成形して
両者を圧入する構成にしてもよい。
【0037】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、良好な放
熱性と接合面の高い信頼性とが両立される。また、母材
も放熱部材も、一度に一定量以上を製造しなければなら
ない圧延加工のような工程を必要としないため、必要な
量だけを製造することができ、作り過ぎによる無駄を排
除することができる。
熱性と接合面の高い信頼性とが両立される。また、母材
も放熱部材も、一度に一定量以上を製造しなければなら
ない圧延加工のような工程を必要としないため、必要な
量だけを製造することができ、作り過ぎによる無駄を排
除することができる。
【0038】また、母材に放熱部材を埋め込むことで異
種金属間の接触を保持しているため、母材と放熱部材と
の接触部が剥離することがなく、ヒートシンクとして厚
さや大きさの制限を受けない。さらに、放熱部材の占有
面積を変えることによりヒートシンクとしての放熱特性
を変化させることが可能である。従って、本発明に係る
ヒートシンク構造によれば、設計の自由度を向上させる
ことができるという特長を有している。
種金属間の接触を保持しているため、母材と放熱部材と
の接触部が剥離することがなく、ヒートシンクとして厚
さや大きさの制限を受けない。さらに、放熱部材の占有
面積を変えることによりヒートシンクとしての放熱特性
を変化させることが可能である。従って、本発明に係る
ヒートシンク構造によれば、設計の自由度を向上させる
ことができるという特長を有している。
【図1】本発明に係る構造を有するヒートシンクの一実
施例の構成図である。
施例の構成図である。
【図2】本実施例構造のヒートシンクを実装した例を表
す正面断面図である。
す正面断面図である。
【図3】本実施例構造のヒートシンク等を構成する材料
の線膨張係数および熱伝導度を表す図表である。
の線膨張係数および熱伝導度を表す図表である。
【図4】本実施例構造のヒートシンクの熱抵抗を表す図
である。
である。
【図5】本実施例構造のヒートシンクにおける放熱部材
の占有面積と熱抵抗の関係を表す図である。
の占有面積と熱抵抗の関係を表す図である。
【図6】本実施例構造のヒートシンクと従来構成のヒー
トシンクのコスト比を表す図である。
トシンクのコスト比を表す図である。
1 ヒートシンク 2 母材 2a 孔 3 放熱部材 4 パワー系ベアチップ 5、7 はんだ 6 アルミナ基板
Claims (1)
- 【請求項1】 42ニッケル−残鉄合金で形成された母
材を有するヒートシンク構造において、 前記母材の所定の位置に孔を設け、 該孔に銅系の金属からなる放熱部材を埋め込んだ構成と
してなることを特徴とするヒートシンク構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22856392A JPH0677678A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | ヒートシンク構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22856392A JPH0677678A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | ヒートシンク構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0677678A true JPH0677678A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16878333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22856392A Pending JPH0677678A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | ヒートシンク構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0677678A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100384311C (zh) * | 2002-10-10 | 2008-04-23 | 索尼电脑娱乐公司 | 电子装置的散热结构 |
US7468554B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-12-23 | Hitachi, Ltd. | Heat sink board and manufacturing method thereof |
KR101032639B1 (ko) * | 2009-05-14 | 2011-05-06 | 주식회사 코스텍시스 | 고방열형 고주파 디바이스 패키지 |
JP2015147236A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 高エネルギービーム溶接用被接合部材及び接合体の製造方法 |
JP2017041514A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP22856392A patent/JPH0677678A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100384311C (zh) * | 2002-10-10 | 2008-04-23 | 索尼电脑娱乐公司 | 电子装置的散热结构 |
US7468554B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-12-23 | Hitachi, Ltd. | Heat sink board and manufacturing method thereof |
KR101032639B1 (ko) * | 2009-05-14 | 2011-05-06 | 주식회사 코스텍시스 | 고방열형 고주파 디바이스 패키지 |
JP2015147236A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 高エネルギービーム溶接用被接合部材及び接合体の製造方法 |
JP2017041514A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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