JP2619155B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、混成集積回路装置、
特に、回路基板上に固着される１次ヒートシンクを複合
材料で構成した混成集積回路装置に関するものである。
特に、回路基板上に固着される１次ヒートシンクを複合
材料で構成した混成集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の混成集積回路装置を示す
側面断面図である。図において、アルミニウム等の素材
からなる２次ヒートシンク１上に、接着剤３例えばシリ
コーン樹脂接着剤により回路基板２が接着されている。
この回路基板２上に、超音波ボンディング用のアルミニ
ウム台４が半田層６により固着されている。さらに、発
熱性半導体素子例えばパワートランジスタ７は、半田層
６aにより回路基板２に固着された１次ヒートシンク５
上に、半田層６bにより固着されている。この１次ヒー
トシンク５は、モリブデンを素材とし、その表面に半田
付けを良好とするためのニッケルメッキを施したもので
ある。また、パワートランジスタ７とアルミニウム台４
とは、ボンディングワイヤ８により結線されている。
側面断面図である。図において、アルミニウム等の素材
からなる２次ヒートシンク１上に、接着剤３例えばシリ
コーン樹脂接着剤により回路基板２が接着されている。
この回路基板２上に、超音波ボンディング用のアルミニ
ウム台４が半田層６により固着されている。さらに、発
熱性半導体素子例えばパワートランジスタ７は、半田層
６aにより回路基板２に固着された１次ヒートシンク５
上に、半田層６bにより固着されている。この１次ヒー
トシンク５は、モリブデンを素材とし、その表面に半田
付けを良好とするためのニッケルメッキを施したもので
ある。また、パワートランジスタ７とアルミニウム台４
とは、ボンディングワイヤ８により結線されている。
【０００３】従来の混成集積回路装置は上述したように
構成され、例えばパワートランジスタ７をスイッチング
動作させた時、そのジャンクション部分で発生する熱
は、パワートランジスタ７の直下方向の１次ヒートシン
ク５から半田層６a、回路基板２、接着剤３を経て２次
ヒートシンク１より放熱される。一方、上面方向へは、
ボンディングワイヤ８より放熱されるのみで、大部分の
熱は直下方向より放熱される。
構成され、例えばパワートランジスタ７をスイッチング
動作させた時、そのジャンクション部分で発生する熱
は、パワートランジスタ７の直下方向の１次ヒートシン
ク５から半田層６a、回路基板２、接着剤３を経て２次
ヒートシンク１より放熱される。一方、上面方向へは、
ボンディングワイヤ８より放熱されるのみで、大部分の
熱は直下方向より放熱される。
【０００４】なお、接着剤３としてシリコーン樹脂接着
剤の代わりに半田を用いる場合もあるが、回路基板２の
寸法が大きくなると、２次ヒートシンク１との間で生じ
る熱応力のために回路基板２が割れることがあり望まし
くない。従って、代表的にはシリコーン樹脂接着を行っ
ている。また、パワートランジスタ７の熱によって生じ
る温度変化によって、半田層６bは被着材料である１次
ヒートシンク５より熱応力を受け疲労する。このため、
１次ヒートシンク５としては、回路基板２の熱膨張率と
パワートランジスタ７の熱膨張率にマッチングの取れる
モリブデンにニッケルメッキした材料を代表的に使用し
ている。
剤の代わりに半田を用いる場合もあるが、回路基板２の
寸法が大きくなると、２次ヒートシンク１との間で生じ
る熱応力のために回路基板２が割れることがあり望まし
くない。従って、代表的にはシリコーン樹脂接着を行っ
ている。また、パワートランジスタ７の熱によって生じ
る温度変化によって、半田層６bは被着材料である１次
ヒートシンク５より熱応力を受け疲労する。このため、
１次ヒートシンク５としては、回路基板２の熱膨張率と
パワートランジスタ７の熱膨張率にマッチングの取れる
モリブデンにニッケルメッキした材料を代表的に使用し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような混成集
積回路装置では、１次ヒートシンク５にモリブデンを使
用しているが、これは銅を使用した１次ヒートシンクに
比べ過渡熱応答性が悪い。すなわち、銅の熱伝導率は４
Ｗ／cm・秒・℃、であり、モリブデンのそれは１.２Ｗ／c
m・秒・℃である。従って、モリブデンを使用した１次ヒ
ートシンク５を使用した場合、パワートランジスタ７の
温度上昇率が高くなり、パワートランジスタ７表面のア
ルミニウム電極（図示しない）とボンディングワイヤ８
とのボンディング面のストレスが大きくなり、パワート
ランジスタ７のスイッチング動作を長時間続けている
と、熱疲労のためにボンディング面よりボンディングワ
イヤ８が外れるという問題点があった。この発明は、こ
のような問題点を解決するためになされたもので、ボン
ディングワイヤ８のボンディング面に生ずるストレスを
軽減できると共に、半田層６bのストレスも大きくする
ことなく耐久性を向上させた混成集積回路装置を得るこ
とを目的とする。
積回路装置では、１次ヒートシンク５にモリブデンを使
用しているが、これは銅を使用した１次ヒートシンクに
比べ過渡熱応答性が悪い。すなわち、銅の熱伝導率は４
Ｗ／cm・秒・℃、であり、モリブデンのそれは１.２Ｗ／c
m・秒・℃である。従って、モリブデンを使用した１次ヒ
ートシンク５を使用した場合、パワートランジスタ７の
温度上昇率が高くなり、パワートランジスタ７表面のア
ルミニウム電極（図示しない）とボンディングワイヤ８
とのボンディング面のストレスが大きくなり、パワート
ランジスタ７のスイッチング動作を長時間続けている
と、熱疲労のためにボンディング面よりボンディングワ
イヤ８が外れるという問題点があった。この発明は、こ
のような問題点を解決するためになされたもので、ボン
ディングワイヤ８のボンディング面に生ずるストレスを
軽減できると共に、半田層６bのストレスも大きくする
ことなく耐久性を向上させた混成集積回路装置を得るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る混成集積
回路装置は、回路基板上に固着される１次ヒートシンク
を、銅−モリブデン−銅又は銅−鉄ニッケル合金−銅の
積層構造とし、銅層の厚さに対しモリブデン又は鉄ニッ
ケル合金の厚さをその３倍とすると共に、この１次ヒー
トシンクの全面に金属被覆を施したものである。
回路装置は、回路基板上に固着される１次ヒートシンク
を、銅−モリブデン−銅又は銅−鉄ニッケル合金−銅の
積層構造とし、銅層の厚さに対しモリブデン又は鉄ニッ
ケル合金の厚さをその３倍とすると共に、この１次ヒー
トシンクの全面に金属被覆を施したものである。
【０００７】
【作用】この発明における１次ヒートシンクは、その両
面に熱伝導率の高い銅層を接合しているので、パワート
ランジスタからの熱に対しても過渡熱応答性が良好で、
ボンディングワイヤとパワートランジスタとのボンディ
ング面に生ずるストレスは軽減される。また、銅層の厚
さに対しモリブデン又は鉄ニッケル層の厚さを３倍にし
て熱膨張率をシリコンやアルミナに近い値とし、１次ヒ
ートシンクとパワートランジスタとの間の半田層及び１
次ヒートシンクと回路基板との間の半田層のストレス
を、従来の１次ヒートシンク材と同程度に抑えている。
面に熱伝導率の高い銅層を接合しているので、パワート
ランジスタからの熱に対しても過渡熱応答性が良好で、
ボンディングワイヤとパワートランジスタとのボンディ
ング面に生ずるストレスは軽減される。また、銅層の厚
さに対しモリブデン又は鉄ニッケル層の厚さを３倍にし
て熱膨張率をシリコンやアルミナに近い値とし、１次ヒ
ートシンクとパワートランジスタとの間の半田層及び１
次ヒートシンクと回路基板との間の半田層のストレス
を、従来の１次ヒートシンク材と同程度に抑えている。
【０００８】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による混成集積
回路装置を示す断面図である。なお、各図中、同一符号
は同一又は相当部分を示しているので、その説明は省略
する。この発明においては、従来の１次ヒートシンク５
の代わりに、複合材料からなる１次ヒートシンク５Ａを
用いたものである。この１次ヒートシンク５Ａは、図２
に示すように、モリブデン層９の両面に銅層１０Ａ、１
０Ｂを厚さの比で１：３：１となるように接合し、その
外側全面に金属被覆としてニッケルメッキ層１１を施し
たものである。
回路装置を示す断面図である。なお、各図中、同一符号
は同一又は相当部分を示しているので、その説明は省略
する。この発明においては、従来の１次ヒートシンク５
の代わりに、複合材料からなる１次ヒートシンク５Ａを
用いたものである。この１次ヒートシンク５Ａは、図２
に示すように、モリブデン層９の両面に銅層１０Ａ、１
０Ｂを厚さの比で１：３：１となるように接合し、その
外側全面に金属被覆としてニッケルメッキ層１１を施し
たものである。
【０００９】上述したように構成された混成集積回路装
置においては、１次ヒートシンク５Ａにおける銅層１０
Ａがパワートランジスタ７の急激な温度上昇を防止する
作用を果たすことになる。すなわち、熱伝導率の高い銅
層１０Ａから放熱されるので、パワートランジスタ７の
アルミニウム電極（図示しない）とボンディングワイヤ
８との接合面におけるストレスを軽減させることができ
る。また、モリブデン層９は、銅層１０Ａの熱膨張を抑
制し、半田層６bに発生するストレスを低減している。
従って、パワートランジスタ７をスイッチング動作させ
ても、パワートランジスタ７直下の銅層１０Ａにより、
ボンディングワイヤ８の接合面における熱疲労は従来に
比べ軽減される。
置においては、１次ヒートシンク５Ａにおける銅層１０
Ａがパワートランジスタ７の急激な温度上昇を防止する
作用を果たすことになる。すなわち、熱伝導率の高い銅
層１０Ａから放熱されるので、パワートランジスタ７の
アルミニウム電極（図示しない）とボンディングワイヤ
８との接合面におけるストレスを軽減させることができ
る。また、モリブデン層９は、銅層１０Ａの熱膨張を抑
制し、半田層６bに発生するストレスを低減している。
従って、パワートランジスタ７をスイッチング動作させ
ても、パワートランジスタ７直下の銅層１０Ａにより、
ボンディングワイヤ８の接合面における熱疲労は従来に
比べ軽減される。
【００１０】また、モリブデン層９の厚さを銅層１０Ａ
及び銅層１０Ｂの厚さの３倍にしているので、１次ヒー
トシンク５Ａの熱膨張率はシリコンやアルミナの熱膨張
率（５〜７×１０-6／℃）に近い（２〜７）×１０-6／
℃、代表的には５×１０-6／℃程度となる。従って、半
田層６bに発生するストレスは少なくなり、クラック等
の発生状況も従来の１次ヒートシンク並のものが実現で
きる。さらに、銅層１０Ｂは、２次ヒートシンク１への
熱伝導を改善するために有効に作用する。このようにし
て、耐久性の高い混成集積回路装置が得られることにな
る。
及び銅層１０Ｂの厚さの３倍にしているので、１次ヒー
トシンク５Ａの熱膨張率はシリコンやアルミナの熱膨張
率（５〜７×１０-6／℃）に近い（２〜７）×１０-6／
℃、代表的には５×１０-6／℃程度となる。従って、半
田層６bに発生するストレスは少なくなり、クラック等
の発生状況も従来の１次ヒートシンク並のものが実現で
きる。さらに、銅層１０Ｂは、２次ヒートシンク１への
熱伝導を改善するために有効に作用する。このようにし
て、耐久性の高い混成集積回路装置が得られることにな
る。
【００１１】なお、上述した実施例では、発熱性半導体
素子としてパワートランジスタ７を使用したものを示し
たが、パワートランジスタ７の代わりに、ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、ダイオード等他の半導体素子を使用してもよく、上
述と同様な効果が得られる。また、上述した実施例で
は、１次ヒートシンク５Ａの中心層にモリブデン層９を
用いた例を示したが、これを鉄ニッケル合金層としても
よく、上述と同様な効果が得られる。さらに、１次ヒー
トシンク５Ａの金属被覆としてニッケルメッキ層１１を
施した場合について説明したが、銀メッキ層を施しても
よい。
素子としてパワートランジスタ７を使用したものを示し
たが、パワートランジスタ７の代わりに、ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、ダイオード等他の半導体素子を使用してもよく、上
述と同様な効果が得られる。また、上述した実施例で
は、１次ヒートシンク５Ａの中心層にモリブデン層９を
用いた例を示したが、これを鉄ニッケル合金層としても
よく、上述と同様な効果が得られる。さらに、１次ヒー
トシンク５Ａの金属被覆としてニッケルメッキ層１１を
施した場合について説明したが、銀メッキ層を施しても
よい。
【００１２】
【発明の効果】この発明は以上説明したとおり、回路基
板上に固着される１次ヒートシンクを、銅−モリブデン
−銅又は銅−鉄ニッケル合金−銅の積層構造とし、銅層
の厚さに対しモリブデン又は鉄ニッケル合金の厚さをそ
の３倍とすると共に、この１次ヒートシンクの全面に金
属被覆を施したものである。すなわち、銅の熱伝導率の
高さと、モリブデン又は鉄ニッケル合金のシリコン及び
アルミナへの熱膨張率のマッチング性といった長所を生
かすように１次ヒートシンクを構成したので、耐久性、
特にスイッチング動作耐久性が高く、ボンディングワイ
ヤ接合部の熱疲労が軽減した混成集積回路装置が得られ
るという効果を奏する。
板上に固着される１次ヒートシンクを、銅−モリブデン
−銅又は銅−鉄ニッケル合金−銅の積層構造とし、銅層
の厚さに対しモリブデン又は鉄ニッケル合金の厚さをそ
の３倍とすると共に、この１次ヒートシンクの全面に金
属被覆を施したものである。すなわち、銅の熱伝導率の
高さと、モリブデン又は鉄ニッケル合金のシリコン及び
アルミナへの熱膨張率のマッチング性といった長所を生
かすように１次ヒートシンクを構成したので、耐久性、
特にスイッチング動作耐久性が高く、ボンディングワイ
ヤ接合部の熱疲労が軽減した混成集積回路装置が得られ
るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例による混成集積回路装置を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図２】図１に示した混成集積回路装置における１次ヒ
ートシンクの側面断面図である。
ートシンクの側面断面図である。
【図３】従来の混成集積回路装置を示す側面断面図であ
る。
る。
１ ２次ヒートシンク ２ 回路基板 ３ 接着剤 ４ アルミニウム台 ５Ａ １次ヒートシンク ６ 半田層 ６a 半田層 ６b 半田層 ７ パワートランジスタ ８ ボンディングワイヤ ９ モリブデン層 １０Ａ 銅層 １０Ｂ 銅層 １１ ニッケルメッキ層
Claims (1)
- 【請求項１】 ２次ヒートシンクと、 この２次ヒートシンク上に樹脂接着された回路基板と、 この回路基板上に固着されたアルミニウム台と、 上記回路基板上に半田層により固着された１次ヒートシ
ンクと、 この１次ヒートシンク上に半田層により固着された発熱
性半導体素子と、 この発熱性半導体素子の電極と上記アルミニウム台とを
結線するボンディングワイヤとを備えた混成集積回路装
置であって、 上記１次ヒートシンクは、銅−モリブデン−銅又は銅−
鉄ニッケル合金−銅の積層構造を有し、銅層の厚さに対
しモリブデン又は鉄ニッケル合金の厚さをその３倍とす
ると共に、この１次ヒートシンクの全面に金属被覆を施
したことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172348A JP2619155B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172348A JP2619155B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521667A JPH0521667A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2619155B2 true JP2619155B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=15940244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172348A Expired - Fee Related JP2619155B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619155B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895973A (en) * | 1997-05-19 | 1999-04-20 | Delco Electronics Corp. | Electronic component assembly for maintaining component alignment during soldering |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3172348A patent/JP2619155B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521667A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |