JPS63135996A - 薄膜el表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動回路Info
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- JPS63135996A JPS63135996A JP61283515A JP28351586A JPS63135996A JP S63135996 A JPS63135996 A JP S63135996A JP 61283515 A JP61283515 A JP 61283515A JP 28351586 A JP28351586 A JP 28351586A JP S63135996 A JPS63135996 A JP S63135996A
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Classifications
-
- Y02B20/343—
-
- Y02B20/346—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、交流駆動型容量性ラット・マトリックスデ
ィスプレイパネルすなわち薄膜EL(エレクトロ・ルミ
ネッセンス)表示装置の駆動回路に関ずろらのである。
ィスプレイパネルすなわち薄膜EL(エレクトロ・ルミ
ネッセンス)表示装置の駆動回路に関ずろらのである。
く従来の技術〉
例えば、二重絶縁型(又は三層構造)薄膜EL素子は次
のように構成されろ。
のように構成されろ。
第5図に示すように、ガラス基板1の上にIn。
0、よりなる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に
例えばY*Os、Si3N4.AムO1等の誘電物質3
、Mn等の活性剤をドープしたZnSよりなるEL層4
および上記と同じ<YtOz、Si*N、、TiO2,
A603等の誘電物質層3′を蒸着法、スパッタリング
法のような薄膜技術を用いて順次500〜t oooo
人の膜厚に積層して3M構造にし、その上に上記透明電
極2と直交する方向にA Q * O−になる帯状の背
面電極5を平行に設けている。
例えばY*Os、Si3N4.AムO1等の誘電物質3
、Mn等の活性剤をドープしたZnSよりなるEL層4
および上記と同じ<YtOz、Si*N、、TiO2,
A603等の誘電物質層3′を蒸着法、スパッタリング
法のような薄膜技術を用いて順次500〜t oooo
人の膜厚に積層して3M構造にし、その上に上記透明電
極2と直交する方向にA Q * O−になる帯状の背
面電極5を平行に設けている。
上記薄膜EL索子はその電極間に誘電物質3゜3′に挟
持されたEL物質4を介在させたものであるから、等価
回路的には容量性素子と見ることができる。また、この
薄膜EL素子は第6図に示す電圧−輝度特性から明らか
な如く、200■程度の比較的高電圧を印加して駆動さ
れる。この薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
持されたEL物質4を介在させたものであるから、等価
回路的には容量性素子と見ることができる。また、この
薄膜EL素子は第6図に示す電圧−輝度特性から明らか
な如く、200■程度の比較的高電圧を印加して駆動さ
れる。この薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜P L素子を用いた表示装置のた
め本出願人は変調消費電力の低減を目的として次のよう
な駆動回路を提案した。すなわち、プッシュ・プル機能
をもち、単一電位のシフトレジスタ、ゲートの論理回路
で制御される高耐圧ドライバーICを走査側電極および
データ側電極に接続し、走査側高耐圧ドライバーICの
プルアップ共通線には正の書き込み電圧と172変調電
圧を、プルダウン共通線には負の書き込み電圧と1/2
変與1電圧とOvを印加するスイッチング回路を設け、
データ側高耐圧ドライバーのプルアップ共通線にはI/
2変調電圧を印加するスイッチング回路を設け、データ
側高耐圧ドライバーのプルダウン共通線をOvにするこ
とで、上記薄膜EL表示装置に交流パルスを印加して発
光さ仕る駆動回路である。
め本出願人は変調消費電力の低減を目的として次のよう
な駆動回路を提案した。すなわち、プッシュ・プル機能
をもち、単一電位のシフトレジスタ、ゲートの論理回路
で制御される高耐圧ドライバーICを走査側電極および
データ側電極に接続し、走査側高耐圧ドライバーICの
プルアップ共通線には正の書き込み電圧と172変調電
圧を、プルダウン共通線には負の書き込み電圧と1/2
変與1電圧とOvを印加するスイッチング回路を設け、
データ側高耐圧ドライバーのプルアップ共通線にはI/
2変調電圧を印加するスイッチング回路を設け、データ
側高耐圧ドライバーのプルダウン共通線をOvにするこ
とで、上記薄膜EL表示装置に交流パルスを印加して発
光さ仕る駆動回路である。
〈発明か解決しようとする問題点〉
しかしながら、アクティブタイプ(自己発光型)ディス
プレイは基本的に消費電力が多いため、さらに消費電力
の低減か必要とされる。
プレイは基本的に消費電力が多いため、さらに消費電力
の低減か必要とされる。
そこで、この発明の目的は、薄膜EL表示装置の変調消
費電力および書き込み消費電力を、大幅に低減させるこ
とができる薄膜EL表示装置の駆動回路を提供すること
にある。
費電力および書き込み消費電力を、大幅に低減させるこ
とができる薄膜EL表示装置の駆動回路を提供すること
にある。
く問題点を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、この発明の薄膜EL表示装置
の駆動装置は、EL層を、互いに交差する方向に配列し
た走査側電極とデータ側電極との間に介設して構成した
薄膜EL表示装置において、上記走査側電極およびデー
タ側電極の両方または一方に、プッシュ・プル機能を何
する双方向性スイッチング素子で構成された高耐圧ドラ
イバーrCを接続し、上記各ドライバーICのプルアッ
プ共通線およびプルダウン共通線に、書き込み電圧また
は変調電圧を印加するための双方向性スイッチング回路
を接続し、上記双方向性スイッチング回路に、薄膜EL
表示素子に蓄積された電荷を、上記薄膜表示素子か発光
後に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り出した
電荷を蓄積するコンデンサーとを備えたことを特徴とし
ている。
の駆動装置は、EL層を、互いに交差する方向に配列し
た走査側電極とデータ側電極との間に介設して構成した
薄膜EL表示装置において、上記走査側電極およびデー
タ側電極の両方または一方に、プッシュ・プル機能を何
する双方向性スイッチング素子で構成された高耐圧ドラ
イバーrCを接続し、上記各ドライバーICのプルアッ
プ共通線およびプルダウン共通線に、書き込み電圧また
は変調電圧を印加するための双方向性スイッチング回路
を接続し、上記双方向性スイッチング回路に、薄膜EL
表示素子に蓄積された電荷を、上記薄膜表示素子か発光
後に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り出した
電荷を蓄積するコンデンサーとを備えたことを特徴とし
ている。
〈作用〉
薄膜EL表示装置の走査側TL極に接続した高耐圧ドラ
イバーICのプルアップ共通線には、双方向性スイッチ
ング回路により正極性の會き込み電圧または変調電圧が
印加され、あるいは、プルダウン共通線には、双方向性
スイッチング回路により負極性の書き込み電圧または変
R電圧またはOVとが印加される。一方、データ側電極
に接続した高耐圧ドライバーICのプルアップ共通線に
は、双方向性スイッチング回路により変調電圧が印加さ
れ、またプルダウン共通線は、双方向性スイッチにより
Ovに放電されることによって、上記薄膜EL表示装置
は交流パルスを印加されて発光する。発光後、薄膜EL
素子に蓄積された電荷を、外部に取り出すためのスイッ
チが操作されて、上記薄膜1> 1.素子に蓄積された
電荷が取り出されて、コンデンサーに蓄積されろ。した
がって、薄膜EL表示装置の駆動電力を低減することが
できる。
イバーICのプルアップ共通線には、双方向性スイッチ
ング回路により正極性の會き込み電圧または変調電圧が
印加され、あるいは、プルダウン共通線には、双方向性
スイッチング回路により負極性の書き込み電圧または変
R電圧またはOVとが印加される。一方、データ側電極
に接続した高耐圧ドライバーICのプルアップ共通線に
は、双方向性スイッチング回路により変調電圧が印加さ
れ、またプルダウン共通線は、双方向性スイッチにより
Ovに放電されることによって、上記薄膜EL表示装置
は交流パルスを印加されて発光する。発光後、薄膜EL
素子に蓄積された電荷を、外部に取り出すためのスイッ
チが操作されて、上記薄膜1> 1.素子に蓄積された
電荷が取り出されて、コンデンサーに蓄積されろ。した
がって、薄膜EL表示装置の駆動電力を低減することが
できる。
〈実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
本実施例においては一回の駆動でEL表示装置に蓄積し
た変調エネルギーの一部を外部コンデンサーに蓄積し再
利用するようにしている。なお、書き込みエネルギーに
ついても同様に再利用することができるが、本実施例で
の説明は省略する。
た変調エネルギーの一部を外部コンデンサーに蓄積し再
利用するようにしている。なお、書き込みエネルギーに
ついても同様に再利用することができるが、本実施例で
の説明は省略する。
第1図はこの発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。10は発光しきい値電圧V th(V v<Vth
<Vw+Vm)の薄膜EL表示装置を示し、この図では
X方向電極をデータ側電極としY方向電極を走査側電極
として電極のみを示している。20゜30は上記薄膜E
L表示装置IOのY方向電極の奇数ラインと偶数ライン
にそれぞれ対応する走査測高耐圧プッシュ・プル双方向
性ドライバーIC(第1双方向性スイツヂング回路に相
当し、以下走査側ドライバーICと言う)である。21
.31は上記各走査側ドライバーIC20,30中のシ
フトレジスタ等の論理回路であり、“5can dat
a”。
る。10は発光しきい値電圧V th(V v<Vth
<Vw+Vm)の薄膜EL表示装置を示し、この図では
X方向電極をデータ側電極としY方向電極を走査側電極
として電極のみを示している。20゜30は上記薄膜E
L表示装置IOのY方向電極の奇数ラインと偶数ライン
にそれぞれ対応する走査測高耐圧プッシュ・プル双方向
性ドライバーIC(第1双方向性スイツヂング回路に相
当し、以下走査側ドライバーICと言う)である。21
.31は上記各走査側ドライバーIC20,30中のシ
フトレジスタ等の論理回路であり、“5can dat
a”。
“PUP″、”PDW”等の制御信号により、上記シフ
トレジスタ中の“5can data”に対応してプル
アップ素子もしくはプルダウン素子が“ON”する状態
および“5can data”に関係なく全てのプルア
ップ素子もしくはプルダウン素子が°ON”する状態を
つくりだすものである。40は上記薄膜EL表示装置l
OのX方向電極に対応するデータ側高耐圧プッシュ・プ
ル双方向性ドライバーIC(第2双方向性スイッチング
回路に相当し、以下データ側ドライバーICと言う)で
ある。41は上記データ側ドライバーLC40中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。第2図に上記高耐圧プ
ッシュ・プル双方向性ドライバーの一′構成例を示す。
トレジスタ中の“5can data”に対応してプル
アップ素子もしくはプルダウン素子が“ON”する状態
および“5can data”に関係なく全てのプルア
ップ素子もしくはプルダウン素子が°ON”する状態を
つくりだすものである。40は上記薄膜EL表示装置l
OのX方向電極に対応するデータ側高耐圧プッシュ・プ
ル双方向性ドライバーIC(第2双方向性スイッチング
回路に相当し、以下データ側ドライバーICと言う)で
ある。41は上記データ側ドライバーLC40中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。第2図に上記高耐圧プ
ッシュ・プル双方向性ドライバーの一′構成例を示す。
図中501はプルアップ用のPch高耐圧MO9F’E
T(フィールドエフェクトトランジスター)、502は
プルダウン用のNch高耐圧MO5F’ET、503・
504は各々のFETに対して逆方向に電流を流すため
のダイオードである。501,502は入力データに応
じてレベルシフタ等の回路により“ON”、”OFF″
が行なわれる。このプッシュプルタイプドライバーは、
プルアップ機能をもつスイッチング素子とプルダウン機
能を6つスイッチング素子で構成されていれば差しつか
えない。
T(フィールドエフェクトトランジスター)、502は
プルダウン用のNch高耐圧MO5F’ET、503・
504は各々のFETに対して逆方向に電流を流すため
のダイオードである。501,502は入力データに応
じてレベルシフタ等の回路により“ON”、”OFF″
が行なわれる。このプッシュプルタイプドライバーは、
プルアップ機能をもつスイッチング素子とプルダウン機
能を6つスイッチング素子で構成されていれば差しつか
えない。
100は上記走査側ドライバーIC20,30のプルダ
ウン共通線電位を切り替える回路(第3双方向性スイッ
チング回路に相当)であり、制御信号“NVC”、NG
O“、“N M 2”により負極性の書き込み電圧−V
vとOvと変調電圧1/2Vmとに切り替えるスイッチ
SWI、SW2.SW3、および制御信号“NM2R”
により上記スイッチSW3と逆方向にスイッチングする
スイッチSW3′より構成されている。
ウン共通線電位を切り替える回路(第3双方向性スイッ
チング回路に相当)であり、制御信号“NVC”、NG
O“、“N M 2”により負極性の書き込み電圧−V
vとOvと変調電圧1/2Vmとに切り替えるスイッチ
SWI、SW2.SW3、および制御信号“NM2R”
により上記スイッチSW3と逆方向にスイッチングする
スイッチSW3′より構成されている。
200は走査側ドライバーIC20,30のプルアップ
共通線電位を切り替える回路(第4双方向性スイッチン
グ回路に相当)であり制御信号“■)VC”、PM2“
により正極性の書込み電圧Vw+V+nと変調電圧1/
2Vmに切り替えるスイッチSW4.SW5により構成
されている。
共通線電位を切り替える回路(第4双方向性スイッチン
グ回路に相当)であり制御信号“■)VC”、PM2“
により正極性の書込み電圧Vw+V+nと変調電圧1/
2Vmに切り替えるスイッチSW4.SW5により構成
されている。
300はデータ側ドライバーIC40のプルアップ共通
線電位を切り替える回路(第5双方向性スイッチング回
路に相当)であり、制御信号“Mビにより変調電圧1/
2V+aとフローティング状態とに切り替えるスイッチ
SW6、および制御信号“MIR”により上記スイッチ
SW6と逆方向にスイッチングするスイッチSW6’
により構成されている。
線電位を切り替える回路(第5双方向性スイッチング回
路に相当)であり、制御信号“Mビにより変調電圧1/
2V+aとフローティング状態とに切り替えるスイッチ
SW6、および制御信号“MIR”により上記スイッチ
SW6と逆方向にスイッチングするスイッチSW6’
により構成されている。
400は制御信号“MDW”によりスイッチSW8を“
ON“にしてコンデンサーC11に変調電圧1/4Vs
を充電し、充電後SW8を“OFF”にして制御信号“
MUP”によりスイッチSW7を“ON”にすることで
、変調電圧1/4Vmを供給後変調電圧1/2Vmを供
給する回路(第6スイッチング回路に相当)であり、制
御信号“NM2”。
ON“にしてコンデンサーC11に変調電圧1/4Vs
を充電し、充電後SW8を“OFF”にして制御信号“
MUP”によりスイッチSW7を“ON”にすることで
、変調電圧1/4Vmを供給後変調電圧1/2Vmを供
給する回路(第6スイッチング回路に相当)であり、制
御信号“NM2”。
“PM2”、“Mビにより制御されるスイッチSW3、
SW5.SW6に接続される。また、一方、制御信号“
NM2R″らしくは“MIR”によりスイッチSW3”
もしくはスイッチSW6’を“ON″にし、さらに
、制御信号“MDW“によりスイッチSW8を“ON”
にすることで、上記EL表示装置に蓄積されたエネルギ
ーの一部を上記コンデンサー〇mに蓄積す之回路でもあ
る。
SW5.SW6に接続される。また、一方、制御信号“
NM2R″らしくは“MIR”によりスイッチSW3”
もしくはスイッチSW6’を“ON″にし、さらに
、制御信号“MDW“によりスイッチSW8を“ON”
にすることで、上記EL表示装置に蓄積されたエネルギ
ーの一部を上記コンデンサー〇mに蓄積す之回路でもあ
る。
500はデータ反転コントロール回路である。
次に、第3図のタイムチャートを用いて、第1図の動作
について説明する。
について説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Aを含むY、と絵素Bを含む
Y、の走査電極が選択走査電極として選択されるものと
する。また、この駆動装置ではlライン毎に絵素に印加
される書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走
査側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーI
C20,30のプルダウン用MOSFE’rを“ON″
にして、その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルス
を印加ずろIラインの駆動タイミングをN駆動タイミン
グと呼び、一方、上記高耐圧ドライバーIC20゜30
のプルアップ用MOSFETを“ON”にして、その電
極ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する1ラ
インの駆動タイミングをP駆動タイミングと呼ぶことに
する。又、走査側奇数ラインに対してN駆動をし、偶数
ラインに対してr)駆動を実行するフィールド(画面)
をNPフィールド、その逆のフィールドをl)Nフィー
ルドと呼ぶことにする。
Y、の走査電極が選択走査電極として選択されるものと
する。また、この駆動装置ではlライン毎に絵素に印加
される書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走
査側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーI
C20,30のプルダウン用MOSFE’rを“ON″
にして、その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルス
を印加ずろIラインの駆動タイミングをN駆動タイミン
グと呼び、一方、上記高耐圧ドライバーIC20゜30
のプルアップ用MOSFETを“ON”にして、その電
極ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する1ラ
インの駆動タイミングをP駆動タイミングと呼ぶことに
する。又、走査側奇数ラインに対してN駆動をし、偶数
ラインに対してr)駆動を実行するフィールド(画面)
をNPフィールド、その逆のフィールドをl)Nフィー
ルドと呼ぶことにする。
(A)NPフィールド
1、N駆動における第1変調電圧充電期間(TN、)
走査側の全てのドライバーSDr、〜5DriのNch
MOSFETを’ON”にし、制御信号”NGC“によ
りスイッチSW2を“ON”にすることで、走査側全電
極をOVに保つ。同時に制御信号“Mビによりスイッチ
SW6を“ON”にする。このとき、データ側のドライ
バーDDr+〜DDriは表示データ信号“D A T
A”に従って発光の場合にはPchMOSFETを“
ON″にし、非発光の場合Nch MO,S F ET
を“ON“にする。ここで表示データ信号が“I−(“
で発光、“L“で非発光とした場合、入力表示データ信
号(“DATA”)をそのままデータ側ドライバーIC
40に人力する必要があるので、上記データ反転コント
ロール回路500における反転信号”R■C”は“L“
にしておく。(但しデータ側ドライバーIC40はデー
タ信号が“I−1”のときPchMOSFETが”ON
”してNch MOSFETが“OF I””、データ
信号か”し”のときPchMOSFETh<”OFF″
してNch MOS F E ’I’が“ON”するも
のとする。また線順次駆動を行っているため、表示デー
タ“D A T A”は萌ライン駆動時に転送か行なわ
れ、ラッチにより保持されている。)さらに、制御信号
“MDW”によりスイッチSW8を“ON”にしてコン
デンサー〇mにl/4Vmを充電する。次に制御信号“
MDW”によりスイッチSW8を“OFF“にした後、
制御信号“MUP”によりスイッチS W 7を“ON
”させることで、発光絵素だけに段階的に1/2Vn+
の第1変調電圧がデータ側に充電され、非発光絵素には
充電されず非発光絵素のデータ側電極電位はOVになる
。充電が完了すると、スイッチS W 6 、 S W
7をo F[;’”に4”る。
MOSFETを’ON”にし、制御信号”NGC“によ
りスイッチSW2を“ON”にすることで、走査側全電
極をOVに保つ。同時に制御信号“Mビによりスイッチ
SW6を“ON”にする。このとき、データ側のドライ
バーDDr+〜DDriは表示データ信号“D A T
A”に従って発光の場合にはPchMOSFETを“
ON″にし、非発光の場合Nch MO,S F ET
を“ON“にする。ここで表示データ信号が“I−(“
で発光、“L“で非発光とした場合、入力表示データ信
号(“DATA”)をそのままデータ側ドライバーIC
40に人力する必要があるので、上記データ反転コント
ロール回路500における反転信号”R■C”は“L“
にしておく。(但しデータ側ドライバーIC40はデー
タ信号が“I−1”のときPchMOSFETが”ON
”してNch MOSFETが“OF I””、データ
信号か”し”のときPchMOSFETh<”OFF″
してNch MOS F E ’I’が“ON”するも
のとする。また線順次駆動を行っているため、表示デー
タ“D A T A”は萌ライン駆動時に転送か行なわ
れ、ラッチにより保持されている。)さらに、制御信号
“MDW”によりスイッチSW8を“ON”にしてコン
デンサー〇mにl/4Vmを充電する。次に制御信号“
MDW”によりスイッチSW8を“OFF“にした後、
制御信号“MUP”によりスイッチS W 7を“ON
”させることで、発光絵素だけに段階的に1/2Vn+
の第1変調電圧がデータ側に充電され、非発光絵素には
充電されず非発光絵素のデータ側電極電位はOVになる
。充電が完了すると、スイッチS W 6 、 S W
7をo F[;’”に4”る。
2、N駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(TN2) 選択走査71i極に接続しているドライバーのみNch
〜10SFEi’を“ON”にし、他の走査側ドライバ
ーはPchMOSFETを“ON ”にケる。同時に走
査側全ドライバー+c2o、3oのプルアップ共通線に
は制御信号“PM2″によりスイッチSW5を“ON”
にして変調電圧1/4Vmを印加し、その後制御信号“
MUP″によりスイッチSW7を“ON”にすることで
変調電圧1/2Vmを印加ずろ。また、走査側全ドライ
バー1020,30のプルダウン共通線には制御信号“
NVC”によりスイッチSW1を“ON”にずろことに
より負極性の書き込み電圧−Vwを印加する。一方、デ
ータ側ドライバーIC40は」二連のN駆動における第
1変調電圧充電期間(TN、)の駆動を継続する。
間(TN2) 選択走査71i極に接続しているドライバーのみNch
〜10SFEi’を“ON”にし、他の走査側ドライバ
ーはPchMOSFETを“ON ”にケる。同時に走
査側全ドライバー+c2o、3oのプルアップ共通線に
は制御信号“PM2″によりスイッチSW5を“ON”
にして変調電圧1/4Vmを印加し、その後制御信号“
MUP″によりスイッチSW7を“ON”にすることで
変調電圧1/2Vmを印加ずろ。また、走査側全ドライ
バー1020,30のプルダウン共通線には制御信号“
NVC”によりスイッチSW1を“ON”にずろことに
より負極性の書き込み電圧−Vwを印加する。一方、デ
ータ側ドライバーIC40は」二連のN駆動における第
1変調電圧充電期間(TN、)の駆動を継続する。
これにより、発光絵素にはN駆動における第1変R電圧
充電期間(TNI)にデータ側に変調電圧1/2Vaが
充電されているため、データ側電極電位はVmとなる。
充電期間(TNI)にデータ側に変調電圧1/2Vaが
充電されているため、データ側電極電位はVmとなる。
これと同時に選択走査電極には負極性の書き込み電圧−
Vwが印加されるため、発光絵素にはVm−(−Vw)
−Vw+Vfflが印加され発光する。また、非発光絵
素はデータ側電極電位が0■であり、上述のように選択
走査電極には負極性の書き込み電圧−Vwが印加される
ため、非発光絵素にはOV−(−Vw)=Vwが印加さ
れるが、発光しきい電圧Vth以下なので発光しない。
Vwが印加されるため、発光絵素にはVm−(−Vw)
−Vw+Vfflが印加され発光する。また、非発光絵
素はデータ側電極電位が0■であり、上述のように選択
走査電極には負極性の書き込み電圧−Vwが印加される
ため、非発光絵素にはOV−(−Vw)=Vwが印加さ
れるが、発光しきい電圧Vth以下なので発光しない。
3、N駆動における書き込み電圧放電および第2変8r
i圧リカバリー期間(′rN3)制御信号“NVC”、
“PM2”、“MUP”によりスイッチSWI、SW5
.SW7をMOF I””にした後、走査側全ドライバ
ーSDr、〜5DriのNchMOSFETをON”す
ることにより書き込み電圧は放電され、走査側全電極電
位は1/2Vn+となる。そこで、次に制御信号“NM
2■え“、“MDW”によりスイッチSW3’ 、SW
8を“ON”にすることで、第2変調電圧充電期間(’
rNt)に走査側電極をプラスとして蓄積された電荷の
一部がコンデンサーCff1に蓄積される。そして、走
査側全TLVS電位は1/4Vmとなる。一方データ側
電極の発光絵素に接続された電極電位は、3/4Vmに
なる。
i圧リカバリー期間(′rN3)制御信号“NVC”、
“PM2”、“MUP”によりスイッチSWI、SW5
.SW7をMOF I””にした後、走査側全ドライバ
ーSDr、〜5DriのNchMOSFETをON”す
ることにより書き込み電圧は放電され、走査側全電極電
位は1/2Vn+となる。そこで、次に制御信号“NM
2■え“、“MDW”によりスイッチSW3’ 、SW
8を“ON”にすることで、第2変調電圧充電期間(’
rNt)に走査側電極をプラスとして蓄積された電荷の
一部がコンデンサーCff1に蓄積される。そして、走
査側全TLVS電位は1/4Vmとなる。一方データ側
電極の発光絵素に接続された電極電位は、3/4Vmに
なる。
4、N駆動における第2変調電位放電および第2変調電
圧リカバリー期間(TN、) 制御信号“NM2R”、“MDW”によりスイッチSW
3’ 、SW8を“OFF”にした後、制御信号“NG
O”によりスイッチSW2を“ON“にすると走査側電
極電位はOvになる。またデータ側発光絵素に接続され
た電極電位はl/2Vmになる。ここで制御信号″MI
R”、”MDW”によりスイッチSW6’ 、SW8
をON”にすることで、第1変調電圧期間(TNυにデ
ータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコン
デンサーCl11に蓄積される。そしてデータ側全電極
電位はI/4Vmとなる。
圧リカバリー期間(TN、) 制御信号“NM2R”、“MDW”によりスイッチSW
3’ 、SW8を“OFF”にした後、制御信号“NG
O”によりスイッチSW2を“ON“にすると走査側電
極電位はOvになる。またデータ側発光絵素に接続され
た電極電位はl/2Vmになる。ここで制御信号″MI
R”、”MDW”によりスイッチSW6’ 、SW8
をON”にすることで、第1変調電圧期間(TNυにデ
ータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコン
デンサーCl11に蓄積される。そしてデータ側全電極
電位はI/4Vmとなる。
5、P駆動における第1変調電圧充電期間(Tl〕、)
走査側の全てのドライバーSDr+〜5DriのNcb
MOSFETを”ON”にし、制御信号“NGO”に
よりスイッチSW2をON”にすることで、走査側全電
極をOVに保つ。同時に制御信号“Ml”によりスイッ
チSW6を“ON”にする。このときデータ側のドライ
バーDDr+〜DDriは表示データ信号の“DATA
”の反転信号に従って発光の場合にはNch MOS
F ET”を’ON”にし、非発光の場合Pch MO
5F E’L’を“ON“にする。ここで入力表示デー
タ信号“DATA”の反転信号をデータ側ドライバー■
C40に入力する必要があるので、データ反転コントロ
ール回路500における反転信号“RVC”は“H”に
しておく。さらに、制御信号“MDW“によりスイッチ
SW8を“ON”にしてコンデンサCmにl/4Vmを
充電する。次に、制御信号“MDW”によりスイッチS
W8を“Or”F″にした後、制御信号“MUP“によ
りスイッチSW7を“ON“にすることで、非発光絵素
だけに段階的に!/2Vmの第1変調電圧がデータ側に
充電される。このとき発光絵素には充電されず発光絵素
のデータ側電極電位はOvになる。充電が完了するとS
W6.SW7は“OFl””にする。
MOSFETを”ON”にし、制御信号“NGO”に
よりスイッチSW2をON”にすることで、走査側全電
極をOVに保つ。同時に制御信号“Ml”によりスイッ
チSW6を“ON”にする。このときデータ側のドライ
バーDDr+〜DDriは表示データ信号の“DATA
”の反転信号に従って発光の場合にはNch MOS
F ET”を’ON”にし、非発光の場合Pch MO
5F E’L’を“ON“にする。ここで入力表示デー
タ信号“DATA”の反転信号をデータ側ドライバー■
C40に入力する必要があるので、データ反転コントロ
ール回路500における反転信号“RVC”は“H”に
しておく。さらに、制御信号“MDW“によりスイッチ
SW8を“ON”にしてコンデンサCmにl/4Vmを
充電する。次に、制御信号“MDW”によりスイッチS
W8を“Or”F″にした後、制御信号“MUP“によ
りスイッチSW7を“ON“にすることで、非発光絵素
だけに段階的に!/2Vmの第1変調電圧がデータ側に
充電される。このとき発光絵素には充電されず発光絵素
のデータ側電極電位はOvになる。充電が完了するとS
W6.SW7は“OFl””にする。
6、P駆動における第2変調電圧充電および占き込み期
間(T P t) 選択走査電極に接続しているドライバーのみPchMO
SFETを“ON”にし、他の走査側ドライバーはNc
hMOSFETを“ON”にする。同時に走査側全ドラ
イバーIC20,30のプルアップ共通線には、制御信
号“PVC”によりスイッチSW4を“ON“にするこ
とで正極性の書き込み電圧Vw+V+nを印加する。ま
た走査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共通
線には制御信号“NM2“によりスイッチSW3を“O
N”にして変調電圧1/4Vmを印加し、その後、制御
信号“MUP“によりスイッチSW7を“ON”にする
ことで変調電圧1/2Vmを印加する。一方、データ側
ドライバー110はP駆動における第1変調電圧充電期
間(Tp、)の駆動を継続する。
間(T P t) 選択走査電極に接続しているドライバーのみPchMO
SFETを“ON”にし、他の走査側ドライバーはNc
hMOSFETを“ON”にする。同時に走査側全ドラ
イバーIC20,30のプルアップ共通線には、制御信
号“PVC”によりスイッチSW4を“ON“にするこ
とで正極性の書き込み電圧Vw+V+nを印加する。ま
た走査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共通
線には制御信号“NM2“によりスイッチSW3を“O
N”にして変調電圧1/4Vmを印加し、その後、制御
信号“MUP“によりスイッチSW7を“ON”にする
ことで変調電圧1/2Vmを印加する。一方、データ側
ドライバー110はP駆動における第1変調電圧充電期
間(Tp、)の駆動を継続する。
これにより、発光絵素にはデータ側電極電位がOvであ
るので段階的に1 / 2 V mの第2変調電圧が走
査側に充電され、これと同時に選択走査電極には正極性
の書き込み電圧Vw+Vmが印加されるため、発光絵素
には(Vw+Vm)−0V=Vw+Vmが印加され発光
する。また非発光絵素には第1変調電圧充電期間(T
P 、)にデータ側に変調電圧l/2Viが充電されて
いるため、データ側電極電位はVmとなる。これと同時
に、上述のように選択走査電極には正極性の書き込み電
圧Vw+Vmが印加されているため、非発光絵素には(
Vw+Vm)−Vm=Vwが印加されるが、発光しきい
電圧vth以下なので発光しない。
るので段階的に1 / 2 V mの第2変調電圧が走
査側に充電され、これと同時に選択走査電極には正極性
の書き込み電圧Vw+Vmが印加されるため、発光絵素
には(Vw+Vm)−0V=Vw+Vmが印加され発光
する。また非発光絵素には第1変調電圧充電期間(T
P 、)にデータ側に変調電圧l/2Viが充電されて
いるため、データ側電極電位はVmとなる。これと同時
に、上述のように選択走査電極には正極性の書き込み電
圧Vw+Vmが印加されているため、非発光絵素には(
Vw+Vm)−Vm=Vwが印加されるが、発光しきい
電圧vth以下なので発光しない。
7.1】駆動における書き込み電圧放電および第2変調
電圧リカバリー期間(T P 、)制御信号“pvc”
、“NM2”、”MUP’に、にリスイッチSW4.S
W3、SW7を“OFF“にした後、走査側ドライバー
SDr+−9Dr1のNchMO9PE’rを“ON”
ずろことにより書き込み電圧は放電され、走査側全電極
電位は1/2Vmとなる。そこで、次に、制御信号“N
M21N”、”MDW”によりスイッチSW3’ 、S
W8を“ON“にすることで、第2変調電圧充電期間(
’r p t)に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして走
査側全電極電位はl/4Vaとなる。一方データ側電極
の非発光絵素に接続されlこ電極電位は3/4V+++
になる。
電圧リカバリー期間(T P 、)制御信号“pvc”
、“NM2”、”MUP’に、にリスイッチSW4.S
W3、SW7を“OFF“にした後、走査側ドライバー
SDr+−9Dr1のNchMO9PE’rを“ON”
ずろことにより書き込み電圧は放電され、走査側全電極
電位は1/2Vmとなる。そこで、次に、制御信号“N
M21N”、”MDW”によりスイッチSW3’ 、S
W8を“ON“にすることで、第2変調電圧充電期間(
’r p t)に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして走
査側全電極電位はl/4Vaとなる。一方データ側電極
の非発光絵素に接続されlこ電極電位は3/4V+++
になる。
8、P駆動における第2変調電圧放電および第1変調電
圧リカバリー期間(T P 、)制御信号“NM2R”
、“MDW”によりスイッチSW3” 、SW8を“O
FF”にした後、制御信号“NGC“によりスイッチS
W2を“ON”にすることにより走査側電極電位はOv
になる。
圧リカバリー期間(T P 、)制御信号“NM2R”
、“MDW”によりスイッチSW3” 、SW8を“O
FF”にした後、制御信号“NGC“によりスイッチS
W2を“ON”にすることにより走査側電極電位はOv
になる。
゛ またデータ側非発光絵素に接続された電極電位は
l/2Vmになる。ここで制御信号“MIR”。
l/2Vmになる。ここで制御信号“MIR”。
“MDW”によりスイッチSW6” 、SW8を“ON
”にすることで、第1変調電圧期間(TI’、)にデー
タ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコンデ
ンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全電極電位は
l/4Vmとなる。
”にすることで、第1変調電圧期間(TI’、)にデー
タ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコンデ
ンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全電極電位は
l/4Vmとなる。
(n) PNフィールド
1、P駆動における第1変調電圧充電期間(’rps)
NPフィールドP駆動における第1変調電圧充電期間(
’r p t)と同様の駆動を行う。
’r p t)と同様の駆動を行う。
2、P駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(’r p e) NPフィールドP駆動における第2変jJN電圧充電お
よび書き込み期間(TP?)と同様の駆動を行う。
間(’r p e) NPフィールドP駆動における第2変jJN電圧充電お
よび書き込み期間(TP?)と同様の駆動を行う。
3、P駆動における書き込み電圧放電および第2変調電
圧リカバリー期間(′rpt)NPフィールドP@動に
おける書き込み電圧放電および第2変調電圧リカバリー
期間(T P 、)と同様の駆動を行う。
圧リカバリー期間(′rpt)NPフィールドP@動に
おける書き込み電圧放電および第2変調電圧リカバリー
期間(T P 、)と同様の駆動を行う。
・1.P駆動における第2変調電圧放電および第1変調
電圧リカバリー期間(’r p 5)NPフィールドP
駆動における書き込み電圧放電および第2変調電圧リカ
バリー期間(1’P、)と同様の駆動を行う。
電圧リカバリー期間(’r p 5)NPフィールドP
駆動における書き込み電圧放電および第2変調電圧リカ
バリー期間(1’P、)と同様の駆動を行う。
5、N駆動における第1変調電圧充電期間(1’N5)
NPフィールドN駆動における第1変調電圧充電期間(
TNυと同様の駆動を行う。
TNυと同様の駆動を行う。
6、N駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(TN、) NPフィールドN駆動における第2変調電圧充電および
書き込み期間(TN、)と同様の駆動を行う。
間(TN、) NPフィールドN駆動における第2変調電圧充電および
書き込み期間(TN、)と同様の駆動を行う。
7、N駆動における書き込み電圧放電および第2変調電
圧リカバリー期間(T’Nv)NPフィールドN駆動に
おける書き込み電圧放電および第2変調電圧リカバリー
期間(TN、)と同様の駆動を行う。
圧リカバリー期間(T’Nv)NPフィールドN駆動に
おける書き込み電圧放電および第2変調電圧リカバリー
期間(TN、)と同様の駆動を行う。
8、N駆動における第2変調電圧放電および第1変調電
圧リカバリー期間(TN、) NPフィールドN駆動における第2変調電圧放電および
第1変調電圧リカバリー期間(’rN、)と同様の駆動
を行う。
圧リカバリー期間(TN、) NPフィールドN駆動における第2変調電圧放電および
第1変調電圧リカバリー期間(’rN、)と同様の駆動
を行う。
以上のように、この駆動回路ではNPフィールドとPN
フィールドの駆動タイミングより構成されており、Nl
)フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対して
N駆動を、偶数番目選択ラインに対してP駆動を実行し
、PNフィールドではその逆の駆動を実行することで薄
膜EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パル
スを印加するものである。第3図に、絵素A、絵素Bに
印加されろ電圧波形の代表例を示している。
フィールドの駆動タイミングより構成されており、Nl
)フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対して
N駆動を、偶数番目選択ラインに対してP駆動を実行し
、PNフィールドではその逆の駆動を実行することで薄
膜EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パル
スを印加するものである。第3図に、絵素A、絵素Bに
印加されろ電圧波形の代表例を示している。
ところで、従来の駆動回路では、発光後のEL表示素子
内に蓄積されている書き込み電圧充電による電荷および
変調電圧充電による電荷を、駆動回路内の抵抗を通して
放電していた。しかし、この実施例における駆動回路で
は、この変調蓄積電荷を再利用することが可能な駆動回
路を用いている。((uし書き込み蓄積電荷の再利用に
ついては省略しているが、変調電圧充電による電荷の再
利用の手法と同様にして行うことができる。)したがっ
て、この駆動回路では、変調蓄積電荷を放電する従来の
駆動回路に対して変調消費電力は25%低紘されるが、
この理由を第4図に示す回路のモデル図に従って説明す
る。
内に蓄積されている書き込み電圧充電による電荷および
変調電圧充電による電荷を、駆動回路内の抵抗を通して
放電していた。しかし、この実施例における駆動回路で
は、この変調蓄積電荷を再利用することが可能な駆動回
路を用いている。((uし書き込み蓄積電荷の再利用に
ついては省略しているが、変調電圧充電による電荷の再
利用の手法と同様にして行うことができる。)したがっ
て、この駆動回路では、変調蓄積電荷を放電する従来の
駆動回路に対して変調消費電力は25%低紘されるが、
この理由を第4図に示す回路のモデル図に従って説明す
る。
第4図(a)はEL表示素子(容fico)にスイッチ
SWaを“ON”にして電圧Vo(実施例においては1
/2Va+に相当)の充電を行なっている図である。
SWaを“ON”にして電圧Vo(実施例においては1
/2Va+に相当)の充電を行なっている図である。
ここでRは駆動回路内の抵抗を示している。このときE
L表示素子に蓄えられるエネルギーはl/2CoVo’
、Rで消費されるエネルギーは1/2C。
L表示素子に蓄えられるエネルギーはl/2CoVo’
、Rで消費されるエネルギーは1/2C。
Vo”となる。次に、この状態でスイッチSWaを“O
FF”にし、スイッチSWbを“ON“にして平衡状態
になったときのEL表示素子から外部コンデンサーに(
容MiC)に移動したエネルギーを調べることにする。
FF”にし、スイッチSWbを“ON“にして平衡状態
になったときのEL表示素子から外部コンデンサーに(
容MiC)に移動したエネルギーを調べることにする。
ここで外部コンデンサーCはあらかじめ電圧1/2Vo
が充電されているものとする(但しC>>Co)。また
、回路に流れる電流をi。
が充電されているものとする(但しC>>Co)。また
、回路に流れる電流をi。
EL表示素子coに充電されている電荷をqo、外部コ
ンデンサーCに充電されている電荷をqとする1=0の
ときqo= CoVo −・−(1)が成り
立つため、式(+ )、(2)、(3)よりが得られる
。一方、回路方程式より、 n−i+q/ C−qo/ Co= 0 =(5
)が成り立つため、式(5)に式(3)、(4)を代入
して、得られる微分方程式を解くと、 が得られる。よって式(3)より となり、抵抗Rで消費されるエネルギーPi″Lはt→
閃では となる。またEL表示素子に残るエネルギーは、両端電
圧カ月/2VOとなるため 示素子Coから外部コンデンサーCに蓄積されるエネル
ギー(リカバリーエネルギー)は、リカバリーエネルギ
ー =(EL表示素子COに蓄えられたエネルギー)−(E
L表示素子COに残ったエネルギー)−(外部抵抗Rで
消費されたエネルギー)したがって、通常のEL表示素
子Coの充電・放電では、 のエネルギーが必要となるため、25%がリカバリーで
きることになる。
ンデンサーCに充電されている電荷をqとする1=0の
ときqo= CoVo −・−(1)が成り
立つため、式(+ )、(2)、(3)よりが得られる
。一方、回路方程式より、 n−i+q/ C−qo/ Co= 0 =(5
)が成り立つため、式(5)に式(3)、(4)を代入
して、得られる微分方程式を解くと、 が得られる。よって式(3)より となり、抵抗Rで消費されるエネルギーPi″Lはt→
閃では となる。またEL表示素子に残るエネルギーは、両端電
圧カ月/2VOとなるため 示素子Coから外部コンデンサーCに蓄積されるエネル
ギー(リカバリーエネルギー)は、リカバリーエネルギ
ー =(EL表示素子COに蓄えられたエネルギー)−(E
L表示素子COに残ったエネルギー)−(外部抵抗Rで
消費されたエネルギー)したがって、通常のEL表示素
子Coの充電・放電では、 のエネルギーが必要となるため、25%がリカバリーで
きることになる。
上記本実施例では、薄膜EL表示装置lOの走査側電極
およびデータ側電極夫々に双方向性スイッチング素子を
接続しているが、走査側電極のみらしくはデータ側電極
のみに双方向性スイッチング素子を接続して、EL表示
素子に蓄積した電荷を再利用しても同様の効果が得られ
本発明の要旨をそこなわないものである。
およびデータ側電極夫々に双方向性スイッチング素子を
接続しているが、走査側電極のみらしくはデータ側電極
のみに双方向性スイッチング素子を接続して、EL表示
素子に蓄積した電荷を再利用しても同様の効果が得られ
本発明の要旨をそこなわないものである。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明の薄膜EL表示装置
の駆動回路は、上記EL表示装置の走査側電極およびデ
ータ側電極の両方または一方に、プッシュ・プル機能を
有4−る双方向性スイッチング素子で構成された高耐圧
ドライバー1cを接続し、上記各ドライバーICのプル
アップ共通線およびプルダウン共通線に書き込み電圧ま
たは変調電圧を印加するための双方向性スイッチング回
路を接続し、上記双方向性スイッチング回路に、薄膜E
L表示素子に蓄積された電荷を、上記薄膜EL素子が発
光した後に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り
出した電荷を蓄積するコンデンサーとを備えたので、発
光後の薄膜EL表示素子に蓄積している変調蓄積電荷を
上記コンデンサーに蓄積することにより、従来の利点を
損わずに駆動電力の大部分(約7割)を占めている変調
消費電力を従来駆動に比べ25%低減することができる
。
の駆動回路は、上記EL表示装置の走査側電極およびデ
ータ側電極の両方または一方に、プッシュ・プル機能を
有4−る双方向性スイッチング素子で構成された高耐圧
ドライバー1cを接続し、上記各ドライバーICのプル
アップ共通線およびプルダウン共通線に書き込み電圧ま
たは変調電圧を印加するための双方向性スイッチング回
路を接続し、上記双方向性スイッチング回路に、薄膜E
L表示素子に蓄積された電荷を、上記薄膜EL素子が発
光した後に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り
出した電荷を蓄積するコンデンサーとを備えたので、発
光後の薄膜EL表示素子に蓄積している変調蓄積電荷を
上記コンデンサーに蓄積することにより、従来の利点を
損わずに駆動電力の大部分(約7割)を占めている変調
消費電力を従来駆動に比べ25%低減することができる
。
また、書き込みエネルギーについても同様な方法がとれ
るため、書き込み消費電力についても25%低減するこ
とができ゛、大幅な消費電力が節約できる。
るため、書き込み消費電力についても25%低減するこ
とができ゛、大幅な消費電力が節約できる。
第1図はこの発明の一実施例の薄膜EL表示装置の駆動
回路図、第2図は高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの構成例を示す図、第3図は第1図の動作を説明す
るタイムチャートお上び絵素に印加される電圧波形の例
を示す図、第4図は駆動回路のりカバリ−回路モデル図
、第5図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第6
図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示
す図である。 10・・・薄膜EL表示装置、 20.30・・・走査側高耐圧プッシュ・プルドライバ
ーLC(第1双方向性スイツヂング回路)、40・・・
データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーIC(第2双
方向性スイツヂング回路)、100・・・走査側高耐圧
プッシュ・プルドライバーのプルダウン共通線電位切換
回路およびリカバリー回路(第3双方向性スイッチング
回路)、200・・・走査側高耐圧プッシュ・プルドラ
イバーのプルアップ共通線電位切換回路(第4双方向性
スイッチング回路)、 300・・・データ側高耐圧プッシュ・プルドライバー
のプルアップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路
(第5双方向性スイッチング回路)、400・・・1/
2変調電圧ステップ充電回路およびリカバリー回路、5
00・・・データ反転コントロール回路。
回路図、第2図は高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの構成例を示す図、第3図は第1図の動作を説明す
るタイムチャートお上び絵素に印加される電圧波形の例
を示す図、第4図は駆動回路のりカバリ−回路モデル図
、第5図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第6
図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示
す図である。 10・・・薄膜EL表示装置、 20.30・・・走査側高耐圧プッシュ・プルドライバ
ーLC(第1双方向性スイツヂング回路)、40・・・
データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーIC(第2双
方向性スイツヂング回路)、100・・・走査側高耐圧
プッシュ・プルドライバーのプルダウン共通線電位切換
回路およびリカバリー回路(第3双方向性スイッチング
回路)、200・・・走査側高耐圧プッシュ・プルドラ
イバーのプルアップ共通線電位切換回路(第4双方向性
スイッチング回路)、 300・・・データ側高耐圧プッシュ・プルドライバー
のプルアップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路
(第5双方向性スイッチング回路)、400・・・1/
2変調電圧ステップ充電回路およびリカバリー回路、5
00・・・データ反転コントロール回路。
Claims (1)
- (1)EL層を、互いに交差する方向に配列した走査側
電極とデータ側電極との間に介設して構成した薄膜EL
表示装置において、 上記走査側電極およびデータ側電極の両方または一方に
、プッシュ・プル機能を有する双方向性スイッチング素
子で構成された高耐圧ドライバーICを接続し、 上記各高耐圧ドライバーICのプルアップ共通線および
プルダウン共通線に、書き込み電圧または変調電圧を印
加するための双方向性スイッチング回路を接続し、 上記双方向性スイッチング回路に、薄膜EL表示素子に
蓄積された電荷を、上記薄膜EL表示素子が発光した後
に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り出した電
荷を蓄積するコンデンサーとを備えたことを特徴とする
薄膜EL表示装置の駆動回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283515A JPH0634153B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
DE19873724086 DE3724086A1 (de) | 1986-07-22 | 1987-07-21 | Treiberschaltung fuer eine duennschichtige elektrolumineszenzanzeige |
GB8717368A GB2194377B (en) | 1986-07-22 | 1987-07-22 | Driving circuit of thin membrane el display apparatus |
US07/332,450 US4888523A (en) | 1986-07-22 | 1989-04-03 | Driving circuit of thin membrane EL display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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JP61283515A JPH0634153B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
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JPS63135996A true JPS63135996A (ja) | 1988-06-08 |
JPH0634153B2 JPH0634153B2 (ja) | 1994-05-02 |
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ID=17666535
Family Applications (1)
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JP61283515A Expired - Lifetime JPH0634153B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-11-27 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
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JP (1) | JPH0634153B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482096A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Sharp Kk | Drive circuit for thin film el display device |
JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
JPH02203387A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法 |
JPH03205785A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-09-09 | Westinghouse Electric Corp <We> | El端部発光装置のための節電型電圧駆動回路 |
JPH10268798A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2002196706A (ja) * | 1996-11-29 | 2002-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 単純マトリックス方式の表示装置 |
CN100371966C (zh) * | 2003-11-10 | 2008-02-27 | 三星Sdi株式会社 | 等离子体显示板及其驱动方法 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283515A patent/JPH0634153B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100371966C (zh) * | 2003-11-10 | 2008-02-27 | 三星Sdi株式会社 | 等离子体显示板及其驱动方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0634153B2 (ja) | 1994-05-02 |
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