JPS63135996A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、交流駆動型容量性ラット・マトリックスデ
ィスプレイパネルすなわち薄膜ＥＬ（エレクトロ・ルミ
ネッセンス）表示装置の駆動回路に関ずろらのである。

く従来の技術〉 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜ＥＬ素子は次
のように構成されろ。

第５図に示すように、ガラス基板１の上にＩｎ。

０、よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に
例えばＹ＊Ｏｓ、Ｓｉ３Ｎ４．ＡムＯ１等の誘電物質３
、Ｍｎ等の活性剤をドープしたＺｎＳよりなるＥＬ層４
および上記と同じ＜ＹｔＯｚ、Ｓｉ＊Ｎ、、ＴｉＯ２，
Ａ６０３等の誘電物質層３′を蒸着法、スパッタリング
法のような薄膜技術を用いて順次５００〜ｔ　ｏｏｏｏ
人の膜厚に積層して３Ｍ構造にし、その上に上記透明電
極２と直交する方向にＡ　Ｑ　＊　Ｏ−になる帯状の背
面電極５を平行に設けている。

上記薄膜ＥＬ索子はその電極間に誘電物質３゜３′に挟
持されたＥＬ物質４を介在させたものであるから、等価
回路的には容量性素子と見ることができる。また、この
薄膜ＥＬ素子は第６図に示す電圧−輝度特性から明らか
な如く、２００■程度の比較的高電圧を印加して駆動さ
れる。この薄膜ＥＬ素子は交流電界によって高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有している。

従来、このような薄膜Ｐ　Ｌ素子を用いた表示装置のた
め本出願人は変調消費電力の低減を目的として次のよう
な駆動回路を提案した。すなわち、プッシュ・プル機能
をもち、単一電位のシフトレジスタ、ゲートの論理回路
で制御される高耐圧ドライバーＩＣを走査側電極および
データ側電極に接続し、走査側高耐圧ドライバーＩＣの
プルアップ共通線には正の書き込み電圧と１７２変調電
圧を、プルダウン共通線には負の書き込み電圧と１／２
変與１電圧とＯｖを印加するスイッチング回路を設け、
データ側高耐圧ドライバーのプルアップ共通線にはＩ／
２変調電圧を印加するスイッチング回路を設け、データ
側高耐圧ドライバーのプルダウン共通線をＯｖにするこ
とで、上記薄膜ＥＬ表示装置に交流パルスを印加して発
光さ仕る駆動回路である。

〈発明か解決しようとする問題点〉 しかしながら、アクティブタイプ（自己発光型）ディス
プレイは基本的に消費電力が多いため、さらに消費電力
の低減か必要とされる。

そこで、この発明の目的は、薄膜ＥＬ表示装置の変調消
費電力および書き込み消費電力を、大幅に低減させるこ
とができる薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路を提供すること
にある。

く問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するため、この発明の薄膜ＥＬ表示装置
の駆動装置は、ＥＬ層を、互いに交差する方向に配列し
た走査側電極とデータ側電極との間に介設して構成した
薄膜ＥＬ表示装置において、上記走査側電極およびデー
タ側電極の両方または一方に、プッシュ・プル機能を何
する双方向性スイッチング素子で構成された高耐圧ドラ
イバーｒＣを接続し、上記各ドライバーＩＣのプルアッ
プ共通線およびプルダウン共通線に、書き込み電圧また
は変調電圧を印加するための双方向性スイッチング回路
を接続し、上記双方向性スイッチング回路に、薄膜ＥＬ
表示素子に蓄積された電荷を、上記薄膜表示素子か発光
後に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り出した
電荷を蓄積するコンデンサーとを備えたことを特徴とし
ている。

〈作用〉 薄膜ＥＬ表示装置の走査側ＴＬ極に接続した高耐圧ドラ
イバーＩＣのプルアップ共通線には、双方向性スイッチ
ング回路により正極性の會き込み電圧または変調電圧が
印加され、あるいは、プルダウン共通線には、双方向性
スイッチング回路により負極性の書き込み電圧または変
Ｒ電圧またはＯＶとが印加される。一方、データ側電極
に接続した高耐圧ドライバーＩＣのプルアップ共通線に
は、双方向性スイッチング回路により変調電圧が印加さ
れ、またプルダウン共通線は、双方向性スイッチにより
Ｏｖに放電されることによって、上記薄膜ＥＬ表示装置
は交流パルスを印加されて発光する。発光後、薄膜ＥＬ
素子に蓄積された電荷を、外部に取り出すためのスイッ
チが操作されて、上記薄膜１＞　１．素子に蓄積された
電荷が取り出されて、コンデンサーに蓄積されろ。した
がって、薄膜ＥＬ表示装置の駆動電力を低減することが
できる。

〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。

本実施例においては一回の駆動でＥＬ表示装置に蓄積し
た変調エネルギーの一部を外部コンデンサーに蓄積し再
利用するようにしている。なお、書き込みエネルギーに
ついても同様に再利用することができるが、本実施例で
の説明は省略する。

第１図はこの発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。１０は発光しきい値電圧Ｖ　ｔｈ（Ｖ　ｖ＜Ｖｔｈ
＜Ｖｗ＋Ｖｍ）の薄膜ＥＬ表示装置を示し、この図では
Ｘ方向電極をデータ側電極としＹ方向電極を走査側電極
として電極のみを示している。２０゜３０は上記薄膜Ｅ
Ｌ表示装置ＩＯのＹ方向電極の奇数ラインと偶数ライン
にそれぞれ対応する走査測高耐圧プッシュ・プル双方向
性ドライバーＩＣ（第１双方向性スイツヂング回路に相
当し、以下走査側ドライバーＩＣと言う）である。２１
．３１は上記各走査側ドライバーＩＣ２０，３０中のシ
フトレジスタ等の論理回路であり、“５ｃａｎ　ｄａｔ
ａ”。

“ＰＵＰ″、”ＰＤＷ”等の制御信号により、上記シフ
トレジスタ中の“５ｃａｎ　ｄａｔａ”に対応してプル
アップ素子もしくはプルダウン素子が“ＯＮ”する状態
および“５ｃａｎ　ｄａｔａ”に関係なく全てのプルア
ップ素子もしくはプルダウン素子が°ＯＮ”する状態を
つくりだすものである。４０は上記薄膜ＥＬ表示装置ｌ
ＯのＸ方向電極に対応するデータ側高耐圧プッシュ・プ
ル双方向性ドライバーＩＣ（第２双方向性スイッチング
回路に相当し、以下データ側ドライバーＩＣと言う）で
ある。４１は上記データ側ドライバーＬＣ４０中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。第２図に上記高耐圧プ
ッシュ・プル双方向性ドライバーの一′構成例を示す。

図中５０１はプルアップ用のＰｃｈ高耐圧ＭＯ９Ｆ’Ｅ
Ｔ（フィールドエフェクトトランジスター）、５０２は
プルダウン用のＮｃｈ高耐圧ＭＯ５Ｆ’ＥＴ、５０３・
５０４は各々のＦＥＴに対して逆方向に電流を流すため
のダイオードである。５０１，５０２は入力データに応
じてレベルシフタ等の回路により“ＯＮ”、”ＯＦＦ″
が行なわれる。このプッシュプルタイプドライバーは、
プルアップ機能をもつスイッチング素子とプルダウン機
能を６つスイッチング素子で構成されていれば差しつか
えない。

１００は上記走査側ドライバーＩＣ２０，３０のプルダ
ウン共通線電位を切り替える回路（第３双方向性スイッ
チング回路に相当）であり、制御信号“ＮＶＣ”、ＮＧ
Ｏ“、“Ｎ　Ｍ　２”により負極性の書き込み電圧−Ｖ
ｖとＯｖと変調電圧１／２Ｖｍとに切り替えるスイッチ
ＳＷＩ、ＳＷ２．ＳＷ３、および制御信号“ＮＭ２Ｒ”
により上記スイッチＳＷ３と逆方向にスイッチングする
スイッチＳＷ３′より構成されている。

２００は走査側ドライバーＩＣ２０，３０のプルアップ
共通線電位を切り替える回路（第４双方向性スイッチン
グ回路に相当）であり制御信号“■）ＶＣ”、ＰＭ２“
により正極性の書込み電圧Ｖｗ＋Ｖ＋ｎと変調電圧１／
２Ｖｍに切り替えるスイッチＳＷ４．ＳＷ５により構成
されている。

３００はデータ側ドライバーＩＣ４０のプルアップ共通
線電位を切り替える回路（第５双方向性スイッチング回
路に相当）であり、制御信号“Ｍビにより変調電圧１／
２Ｖ＋ａとフローティング状態とに切り替えるスイッチ
ＳＷ６、および制御信号“ＭＩＲ”により上記スイッチ
ＳＷ６と逆方向にスイッチングするスイッチＳＷ６’　
により構成されている。

４００は制御信号“ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ８を“
ＯＮ“にしてコンデンサーＣ１１に変調電圧１／４Ｖｓ
を充電し、充電後ＳＷ８を“ＯＦＦ”にして制御信号“
ＭＵＰ”によりスイッチＳＷ７を“ＯＮ”にすることで
、変調電圧１／４Ｖｍを供給後変調電圧１／２Ｖｍを供
給する回路（第６スイッチング回路に相当）であり、制
御信号“ＮＭ２”。

“ＰＭ２”、“Ｍビにより制御されるスイッチＳＷ３、
ＳＷ５．ＳＷ６に接続される。また、一方、制御信号“
ＮＭ２Ｒ″らしくは“ＭＩＲ”によりスイッチＳＷ３”
　　もしくはスイッチＳＷ６’を“ＯＮ″にし、さらに
、制御信号“ＭＤＷ“によりスイッチＳＷ８を“ＯＮ”
にすることで、上記ＥＬ表示装置に蓄積されたエネルギ
ーの一部を上記コンデンサー〇ｍに蓄積す之回路でもあ
る。

５００はデータ反転コントロール回路である。

次に、第３図のタイムチャートを用いて、第１図の動作
について説明する。

ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むＹ、と絵素Ｂを含む
Ｙ、の走査電極が選択走査電極として選択されるものと
する。また、この駆動装置ではｌライン毎に絵素に印加
される書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走
査側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーＩ
Ｃ２０，３０のプルダウン用ＭＯＳＦＥ’ｒを“ＯＮ″
にして、その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルス
を印加ずろＩラインの駆動タイミングをＮ駆動タイミン
グと呼び、一方、上記高耐圧ドライバーＩＣ２０゜３０
のプルアップ用ＭＯＳＦＥＴを“ＯＮ”にして、その電
極ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する１ラ
インの駆動タイミングをＰ駆動タイミングと呼ぶことに
する。又、走査側奇数ラインに対してＮ駆動をし、偶数
ラインに対してｒ）駆動を実行するフィールド（画面）
をＮＰフィールド、その逆のフィールドをｌ）Ｎフィー
ルドと呼ぶことにする。

（Ａ）ＮＰフィールド １、Ｎ駆動における第１変調電圧充電期間（ＴＮ、） 走査側の全てのドライバーＳＤｒ、〜５ＤｒｉのＮｃｈ
ＭＯＳＦＥＴを’ＯＮ”にし、制御信号”ＮＧＣ“によ
りスイッチＳＷ２を“ＯＮ”にすることで、走査側全電
極をＯＶに保つ。同時に制御信号“Ｍビによりスイッチ
ＳＷ６を“ＯＮ”にする。このとき、データ側のドライ
バーＤＤｒ＋〜ＤＤｒｉは表示データ信号“Ｄ　Ａ　Ｔ
　Ａ”に従って発光の場合にはＰｃｈＭＯＳＦＥＴを“
ＯＮ″にし、非発光の場合Ｎｃｈ　ＭＯ，Ｓ　Ｆ　ＥＴ
を“ＯＮ“にする。ここで表示データ信号が“Ｉ−（“
で発光、“Ｌ“で非発光とした場合、入力表示データ信
号（“ＤＡＴＡ”）をそのままデータ側ドライバーＩＣ
４０に人力する必要があるので、上記データ反転コント
ロール回路５００における反転信号”Ｒ■Ｃ”は“Ｌ“
にしておく。（但しデータ側ドライバーＩＣ４０はデー
タ信号が“Ｉ−１”のときＰｃｈＭＯＳＦＥＴが”ＯＮ
”してＮｃｈ　ＭＯＳＦＥＴが“ＯＦ　Ｉ””、データ
信号か”し”のときＰｃｈＭＯＳＦＥＴｈ＜”ＯＦＦ″
してＮｃｈ　ＭＯＳ　Ｆ　Ｅ　’Ｉ’が“ＯＮ”するも
のとする。また線順次駆動を行っているため、表示デー
タ“Ｄ　Ａ　Ｔ　Ａ”は萌ライン駆動時に転送か行なわ
れ、ラッチにより保持されている。）さらに、制御信号
“ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ８を“ＯＮ”にしてコン
デンサー〇ｍにｌ／４Ｖｍを充電する。次に制御信号“
ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ８を“ＯＦＦ“にした後、
制御信号“ＭＵＰ”によりスイッチＳ　Ｗ　７を“ＯＮ
”させることで、発光絵素だけに段階的に１／２Ｖｎ＋
の第１変調電圧がデータ側に充電され、非発光絵素には
充電されず非発光絵素のデータ側電極電位はＯＶになる
。充電が完了すると、スイッチＳ　Ｗ　６　、　Ｓ　Ｗ
　７をｏ　Ｆ［；’”に４”る。

２、Ｎ駆動における第２変調電圧充電および書き込み期
間（ＴＮ２） 選択走査７１ｉ極に接続しているドライバーのみＮｃｈ
〜１０ＳＦＥｉ’を“ＯＮ”にし、他の走査側ドライバ
ーはＰｃｈＭＯＳＦＥＴを“ＯＮ　”にケる。同時に走
査側全ドライバー＋ｃ２ｏ、３ｏのプルアップ共通線に
は制御信号“ＰＭ２″によりスイッチＳＷ５を“ＯＮ”
にして変調電圧１／４Ｖｍを印加し、その後制御信号“
ＭＵＰ″によりスイッチＳＷ７を“ＯＮ”にすることで
変調電圧１／２Ｖｍを印加ずろ。また、走査側全ドライ
バー１０２０，３０のプルダウン共通線には制御信号“
ＮＶＣ”によりスイッチＳＷ１を“ＯＮ”にずろことに
より負極性の書き込み電圧−Ｖｗを印加する。一方、デ
ータ側ドライバーＩＣ４０は」二連のＮ駆動における第
１変調電圧充電期間（ＴＮ、）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素にはＮ駆動における第１変Ｒ電圧
充電期間（ＴＮＩ）にデータ側に変調電圧１／２Ｖａが
充電されているため、データ側電極電位はＶｍとなる。

これと同時に選択走査電極には負極性の書き込み電圧−
Ｖｗが印加されるため、発光絵素にはＶｍ−（−Ｖｗ）
−Ｖｗ＋Ｖｆｆｌが印加され発光する。また、非発光絵
素はデータ側電極電位が０■であり、上述のように選択
走査電極には負極性の書き込み電圧−Ｖｗが印加される
ため、非発光絵素にはＯＶ−（−Ｖｗ）＝Ｖｗが印加さ
れるが、発光しきい電圧Ｖｔｈ以下なので発光しない。

３、Ｎ駆動における書き込み電圧放電および第２変８ｒ
ｉ圧リカバリー期間（′ｒＮ３）制御信号“ＮＶＣ”、
“ＰＭ２”、“ＭＵＰ”によりスイッチＳＷＩ、ＳＷ５
．ＳＷ７をＭＯＦ　Ｉ””にした後、走査側全ドライバ
ーＳＤｒ、〜５ＤｒｉのＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮ”す
ることにより書き込み電圧は放電され、走査側全電極電
位は１／２Ｖｎ＋となる。そこで、次に制御信号“ＮＭ
２■え“、“ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ３’　、ＳＷ
８を“ＯＮ”にすることで、第２変調電圧充電期間（’
ｒＮｔ）に走査側電極をプラスとして蓄積された電荷の
一部がコンデンサーＣｆｆ１に蓄積される。そして、走
査側全ＴＬＶＳ電位は１／４Ｖｍとなる。一方データ側
電極の発光絵素に接続された電極電位は、３／４Ｖｍに
なる。

４、Ｎ駆動における第２変調電位放電および第２変調電
圧リカバリー期間（ＴＮ、） 制御信号“ＮＭ２Ｒ”、“ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ
３’　、ＳＷ８を“ＯＦＦ”にした後、制御信号“ＮＧ
Ｏ”によりスイッチＳＷ２を“ＯＮ“にすると走査側電
極電位はＯｖになる。またデータ側発光絵素に接続され
た電極電位はｌ／２Ｖｍになる。ここで制御信号″ＭＩ
　Ｒ”、”ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ６’　、ＳＷ８
をＯＮ”にすることで、第１変調電圧期間（ＴＮυにデ
ータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコン
デンサーＣｌ１１に蓄積される。そしてデータ側全電極
電位はＩ／４Ｖｍとなる。

５、Ｐ駆動における第１変調電圧充電期間（Ｔｌ〕、） 走査側の全てのドライバーＳＤｒ＋〜５ＤｒｉのＮｃｂ
　ＭＯＳＦＥＴを”ＯＮ”にし、制御信号“ＮＧＯ”に
よりスイッチＳＷ２をＯＮ”にすることで、走査側全電
極をＯＶに保つ。同時に制御信号“Ｍｌ”によりスイッ
チＳＷ６を“ＯＮ”にする。このときデータ側のドライ
バーＤＤｒ＋〜ＤＤｒｉは表示データ信号の“ＤＡＴＡ
”の反転信号に従って発光の場合にはＮｃｈ　ＭＯＳ　
Ｆ　ＥＴ”を’ＯＮ”にし、非発光の場合Ｐｃｈ　ＭＯ
５Ｆ　Ｅ’Ｌ’を“ＯＮ“にする。ここで入力表示デー
タ信号“ＤＡＴＡ”の反転信号をデータ側ドライバー■
Ｃ４０に入力する必要があるので、データ反転コントロ
ール回路５００における反転信号“ＲＶＣ”は“Ｈ”に
しておく。さらに、制御信号“ＭＤＷ“によりスイッチ
ＳＷ８を“ＯＮ”にしてコンデンサＣｍにｌ／４Ｖｍを
充電する。次に、制御信号“ＭＤＷ”によりスイッチＳ
Ｗ８を“Ｏｒ”Ｆ″にした後、制御信号“ＭＵＰ“によ
りスイッチＳＷ７を“ＯＮ“にすることで、非発光絵素
だけに段階的に！／２Ｖｍの第１変調電圧がデータ側に
充電される。このとき発光絵素には充電されず発光絵素
のデータ側電極電位はＯｖになる。充電が完了するとＳ
Ｗ６．ＳＷ７は“ＯＦｌ””にする。

６、Ｐ駆動における第２変調電圧充電および占き込み期
間（Ｔ　Ｐ　ｔ） 選択走査電極に接続しているドライバーのみＰｃｈＭＯ
ＳＦＥＴを“ＯＮ”にし、他の走査側ドライバーはＮｃ
ｈＭＯＳＦＥＴを“ＯＮ”にする。同時に走査側全ドラ
イバーＩＣ２０，３０のプルアップ共通線には、制御信
号“ＰＶＣ”によりスイッチＳＷ４を“ＯＮ“にするこ
とで正極性の書き込み電圧Ｖｗ＋Ｖ＋ｎを印加する。ま
た走査側全ドライバーＩＣ２０，３０のプルダウン共通
線には制御信号“ＮＭ２“によりスイッチＳＷ３を“Ｏ
Ｎ”にして変調電圧１／４Ｖｍを印加し、その後、制御
信号“ＭＵＰ“によりスイッチＳＷ７を“ＯＮ”にする
ことで変調電圧１／２Ｖｍを印加する。一方、データ側
ドライバー１１０はＰ駆動における第１変調電圧充電期
間（Ｔｐ、）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素にはデータ側電極電位がＯｖであ
るので段階的に１　／　２　Ｖ　ｍの第２変調電圧が走
査側に充電され、これと同時に選択走査電極には正極性
の書き込み電圧Ｖｗ＋Ｖｍが印加されるため、発光絵素
には（Ｖｗ＋Ｖｍ）−０Ｖ＝Ｖｗ＋Ｖｍが印加され発光
する。また非発光絵素には第１変調電圧充電期間（Ｔ　
Ｐ　、）にデータ側に変調電圧ｌ／２Ｖｉが充電されて
いるため、データ側電極電位はＶｍとなる。これと同時
に、上述のように選択走査電極には正極性の書き込み電
圧Ｖｗ＋Ｖｍが印加されているため、非発光絵素には（
Ｖｗ＋Ｖｍ）−Ｖｍ＝Ｖｗが印加されるが、発光しきい
電圧ｖｔｈ以下なので発光しない。

７．１】駆動における書き込み電圧放電および第２変調
電圧リカバリー期間（Ｔ　Ｐ　、）制御信号“ｐｖｃ”
、“ＮＭ２”、”ＭＵＰ’に、にリスイッチＳＷ４．Ｓ
Ｗ３、ＳＷ７を“ＯＦＦ“にした後、走査側ドライバー
ＳＤｒ＋−９Ｄｒ１のＮｃｈＭＯ９ＰＥ’ｒを“ＯＮ”
ずろことにより書き込み電圧は放電され、走査側全電極
電位は１／２Ｖｍとなる。そこで、次に、制御信号“Ｎ
Ｍ２１Ｎ”、”ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ３’　、Ｓ
Ｗ８を“ＯＮ“にすることで、第２変調電圧充電期間（
’ｒ　ｐ　ｔ）に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーＣｍに蓄積される。そして走
査側全電極電位はｌ／４Ｖａとなる。一方データ側電極
の非発光絵素に接続されｌこ電極電位は３／４Ｖ＋＋＋
になる。

８、Ｐ駆動における第２変調電圧放電および第１変調電
圧リカバリー期間（Ｔ　Ｐ　、）制御信号“ＮＭ２Ｒ”
、“ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ３”　、ＳＷ８を“Ｏ
ＦＦ”にした後、制御信号“ＮＧＣ“によりスイッチＳ
Ｗ２を“ＯＮ”にすることにより走査側電極電位はＯｖ
になる。

゛　　またデータ側非発光絵素に接続された電極電位は
ｌ／２Ｖｍになる。ここで制御信号“ＭＩＲ”。

“ＭＤＷ”によりスイッチＳＷ６”　、ＳＷ８を“ＯＮ
”にすることで、第１変調電圧期間（ＴＩ’、）にデー
タ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコンデ
ンサーＣｍに蓄積される。そしてデータ側全電極電位は
ｌ／４Ｖｍとなる。

（ｎ）　　ＰＮフィールド １、Ｐ駆動における第１変調電圧充電期間（’ｒｐｓ） ＮＰフィールドＰ駆動における第１変調電圧充電期間（
’ｒ　ｐ　ｔ）と同様の駆動を行う。

２、Ｐ駆動における第２変調電圧充電および書き込み期
間（’ｒ　ｐ　ｅ） ＮＰフィールドＰ駆動における第２変ｊＪＮ電圧充電お
よび書き込み期間（ＴＰ？）と同様の駆動を行う。

３、Ｐ駆動における書き込み電圧放電および第２変調電
圧リカバリー期間（′ｒｐｔ）ＮＰフィールドＰ＠動に
おける書き込み電圧放電および第２変調電圧リカバリー
期間（Ｔ　Ｐ　、）と同様の駆動を行う。

・１．Ｐ駆動における第２変調電圧放電および第１変調
電圧リカバリー期間（’ｒ　ｐ　５）ＮＰフィールドＰ
駆動における書き込み電圧放電および第２変調電圧リカ
バリー期間（１’Ｐ、）と同様の駆動を行う。

５、Ｎ駆動における第１変調電圧充電期間（１’Ｎ５） ＮＰフィールドＮ駆動における第１変調電圧充電期間（
ＴＮυと同様の駆動を行う。

６、Ｎ駆動における第２変調電圧充電および書き込み期
間（ＴＮ、） ＮＰフィールドＮ駆動における第２変調電圧充電および
書き込み期間（ＴＮ、）と同様の駆動を行う。

７、Ｎ駆動における書き込み電圧放電および第２変調電
圧リカバリー期間（Ｔ’Ｎｖ）ＮＰフィールドＮ駆動に
おける書き込み電圧放電および第２変調電圧リカバリー
期間（ＴＮ、）と同様の駆動を行う。

８、Ｎ駆動における第２変調電圧放電および第１変調電
圧リカバリー期間（ＴＮ、） ＮＰフィールドＮ駆動における第２変調電圧放電および
第１変調電圧リカバリー期間（’ｒＮ、）と同様の駆動
を行う。

以上のように、この駆動回路ではＮＰフィールドとＰＮ
フィールドの駆動タイミングより構成されており、Ｎｌ
）フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対して
Ｎ駆動を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実行し
、ＰＮフィールドではその逆の駆動を実行することで薄
膜ＥＬ表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パル
スを印加するものである。第３図に、絵素Ａ、絵素Ｂに
印加されろ電圧波形の代表例を示している。

ところで、従来の駆動回路では、発光後のＥＬ表示素子
内に蓄積されている書き込み電圧充電による電荷および
変調電圧充電による電荷を、駆動回路内の抵抗を通して
放電していた。しかし、この実施例における駆動回路で
は、この変調蓄積電荷を再利用することが可能な駆動回
路を用いている。（（ｕし書き込み蓄積電荷の再利用に
ついては省略しているが、変調電圧充電による電荷の再
利用の手法と同様にして行うことができる。）したがっ
て、この駆動回路では、変調蓄積電荷を放電する従来の
駆動回路に対して変調消費電力は２５％低紘されるが、
この理由を第４図に示す回路のモデル図に従って説明す
る。

第４図（ａ）はＥＬ表示素子（容ｆｉｃｏ）にスイッチ
ＳＷａを“ＯＮ”にして電圧Ｖｏ（実施例においては１
／２Ｖａ＋に相当）の充電を行なっている図である。

ここでＲは駆動回路内の抵抗を示している。このときＥ
Ｌ表示素子に蓄えられるエネルギーはｌ／２ＣｏＶｏ’
、Ｒで消費されるエネルギーは１／２Ｃ。

Ｖｏ”となる。次に、この状態でスイッチＳＷａを“Ｏ
ＦＦ”にし、スイッチＳＷｂを“ＯＮ“にして平衡状態
になったときのＥＬ表示素子から外部コンデンサーに（
容ＭｉＣ）に移動したエネルギーを調べることにする。

ここで外部コンデンサーＣはあらかじめ電圧１／２Ｖｏ
が充電されているものとする（但しＣ＞＞Ｃｏ）。また
、回路に流れる電流をｉ。

ＥＬ表示素子ｃｏに充電されている電荷をｑｏ、外部コ
ンデンサーＣに充電されている電荷をｑとする１＝０の
ときｑｏ＝　ＣｏＶｏ　　　　　　−・−（１）が成り
立つため、式（＋　）、（２）、（３）よりが得られる
。一方、回路方程式より、 ｎ−ｉ＋ｑ／　Ｃ−ｑｏ／　Ｃｏ＝　０　　　　＝（５
）が成り立つため、式（５）に式（３）、（４）を代入
して、得られる微分方程式を解くと、 が得られる。よって式（３）より となり、抵抗Ｒで消費されるエネルギーＰｉ″Ｌはｔ→
閃では となる。またＥＬ表示素子に残るエネルギーは、両端電
圧カ月／２ＶＯとなるため 示素子Ｃｏから外部コンデンサーＣに蓄積されるエネル
ギー（リカバリーエネルギー）は、リカバリーエネルギ
ー ＝（ＥＬ表示素子ＣＯに蓄えられたエネルギー）−（Ｅ
Ｌ表示素子ＣＯに残ったエネルギー）−（外部抵抗Ｒで
消費されたエネルギー）したがって、通常のＥＬ表示素
子Ｃｏの充電・放電では、 のエネルギーが必要となるため、２５％がリカバリーで
きることになる。

上記本実施例では、薄膜ＥＬ表示装置ｌＯの走査側電極
およびデータ側電極夫々に双方向性スイッチング素子を
接続しているが、走査側電極のみらしくはデータ側電極
のみに双方向性スイッチング素子を接続して、ＥＬ表示
素子に蓄積した電荷を再利用しても同様の効果が得られ
本発明の要旨をそこなわないものである。

〈発明の効果〉 以上より明らかなように、この発明の薄膜ＥＬ表示装置
の駆動回路は、上記ＥＬ表示装置の走査側電極およびデ
ータ側電極の両方または一方に、プッシュ・プル機能を
有４−る双方向性スイッチング素子で構成された高耐圧
ドライバー１ｃを接続し、上記各ドライバーＩＣのプル
アップ共通線およびプルダウン共通線に書き込み電圧ま
たは変調電圧を印加するための双方向性スイッチング回
路を接続し、上記双方向性スイッチング回路に、薄膜Ｅ
Ｌ表示素子に蓄積された電荷を、上記薄膜ＥＬ素子が発
光した後に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り
出した電荷を蓄積するコンデンサーとを備えたので、発
光後の薄膜ＥＬ表示素子に蓄積している変調蓄積電荷を
上記コンデンサーに蓄積することにより、従来の利点を
損わずに駆動電力の大部分（約７割）を占めている変調
消費電力を従来駆動に比べ２５％低減することができる
。

また、書き込みエネルギーについても同様な方法がとれ
るため、書き込み消費電力についても２５％低減するこ
とができ゛、大幅な消費電力が節約できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の薄膜ＥＬ表示装置の駆動
回路図、第２図は高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの構成例を示す図、第３図は第１図の動作を説明す
るタイムチャートお上び絵素に印加される電圧波形の例
を示す図、第４図は駆動回路のりカバリ−回路モデル図
、第５図は薄膜ＥＬ表示装置の一部切欠き斜視図、第６
図は薄膜ＥＬ表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示
す図である。 １０・・・薄膜ＥＬ表示装置、 ２０．３０・・・走査側高耐圧プッシュ・プルドライバ
ーＬＣ（第１双方向性スイツヂング回路）、４０・・・
データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーＩＣ（第２双
方向性スイツヂング回路）、１００・・・走査側高耐圧
プッシュ・プルドライバーのプルダウン共通線電位切換
回路およびリカバリー回路（第３双方向性スイッチング
回路）、２００・・・走査側高耐圧プッシュ・プルドラ
イバーのプルアップ共通線電位切換回路（第４双方向性
スイッチング回路）、 ３００・・・データ側高耐圧プッシュ・プルドライバー
のプルアップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路
（第５双方向性スイッチング回路）、４００・・・１／
２変調電圧ステップ充電回路およびリカバリー回路、５
００・・・データ反転コントロール回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＥＬ層を、互いに交差する方向に配列した走査側
   電極とデータ側電極との間に介設して構成した薄膜ＥＬ
   表示装置において、 上記走査側電極およびデータ側電極の両方または一方に
   、プッシュ・プル機能を有する双方向性スイッチング素
   子で構成された高耐圧ドライバーＩＣを接続し、 上記各高耐圧ドライバーＩＣのプルアップ共通線および
   プルダウン共通線に、書き込み電圧または変調電圧を印
   加するための双方向性スイッチング回路を接続し、 上記双方向性スイッチング回路に、薄膜ＥＬ表示素子に
   蓄積された電荷を、上記薄膜ＥＬ表示素子が発光した後
   に外部に取り出すためのスイッチと、上記取り出した電
   荷を蓄積するコンデンサーとを備えたことを特徴とする
   薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路。