JPS6329798A - 薄膜el表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動回路Info
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- JPS6329798A JPS6329798A JP61173328A JP17332886A JPS6329798A JP S6329798 A JPS6329798 A JP S6329798A JP 61173328 A JP61173328 A JP 61173328A JP 17332886 A JP17332886 A JP 17332886A JP S6329798 A JPS6329798 A JP S6329798A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y02B20/343—
-
- Y02B20/346—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリックスデ
ィスプレイパネル、すなわち、薄膜EL表示装置の駆動
回路に関するものである。
ィスプレイパネル、すなわち、薄膜EL表示装置の駆動
回路に関するものである。
〈従来の技術〉
例えば、二重絶縁型(又は三層構造)薄膜EL表示装置
は次のように構成される。
は次のように構成される。
第4図に図示のように、ガラス基板1の上にIn2O3
よりなる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に例え
ばY2O3、S i 3N4、TiO2、A4203等
の誘電物質層3、Mn等の活性剤をドープしたZnSよ
りなるEL層4、上記と同じ(Y2O3、S i 3N
4、T i O2、l!203等の誘電物質層3′を蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
500〜100OOA の膜厚に積層して3層構造に
し、その上に上記透明電極2と直交する方向に1203
になる帯状の背面電極5を平行に設ける。
よりなる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に例え
ばY2O3、S i 3N4、TiO2、A4203等
の誘電物質層3、Mn等の活性剤をドープしたZnSよ
りなるEL層4、上記と同じ(Y2O3、S i 3N
4、T i O2、l!203等の誘電物質層3′を蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
500〜100OOA の膜厚に積層して3層構造に
し、その上に上記透明電極2と直交する方向に1203
になる帯状の背面電極5を平行に設ける。
上記薄膜EL素子はその電極間に、誘電物質3.3′で
挾持されたEL物質4を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、前
記薄膜EL素子は第5図に示す電圧−輝度特性から明ら
かな如く、200v程度の比較的高電圧を印加して駆動
される。
挾持されたEL物質4を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、前
記薄膜EL素子は第5図に示す電圧−輝度特性から明ら
かな如く、200v程度の比較的高電圧を印加して駆動
される。
この薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。
かも長寿命であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜EL表示装置のためデータ側各電
極には1/2の変調電圧vMを充電するダイオードとO
Vに放電させるスイッチング回路を接続すると共に、走
査側電極の駆動回路としてNch MOSドライバー
とPch MOSドライバーを備え、フィールド反転
駆動を行ない、さらに1走査線毎に絵素に加わる書き込
み波形の極性を反転する駆動回路や、走査側電極数の増
加に対応し、データ側電極の各々にEL層に対して変調
電圧VMを充電するPch高耐圧MO5ドライバーと、
0■に放電させるNch高耐圧MOS ドライバーを接
続することにより、書き込み駆動中にデータ側電極を表
示データに従って変調電圧の充放電を1度に行う駆動回
路が提案されている。
極には1/2の変調電圧vMを充電するダイオードとO
Vに放電させるスイッチング回路を接続すると共に、走
査側電極の駆動回路としてNch MOSドライバー
とPch MOSドライバーを備え、フィールド反転
駆動を行ない、さらに1走査線毎に絵素に加わる書き込
み波形の極性を反転する駆動回路や、走査側電極数の増
加に対応し、データ側電極の各々にEL層に対して変調
電圧VMを充電するPch高耐圧MO5ドライバーと、
0■に放電させるNch高耐圧MOS ドライバーを接
続することにより、書き込み駆動中にデータ側電極を表
示データに従って変調電圧の充放電を1度に行う駆動回
路が提案されている。
く発明が解決しようとする問題点〉
しかし、これらの提案において走査電極の1ラインに対
して2個以上のドライバーIC(Nch高耐圧MOSド
ライバーIC及びPch高耐圧MOSドライバーIC等
)を必要としていた。また、走査側電極に正、負の高電
圧パルスを印加させるため、Nch高耐圧MOSドライ
バー及びPch高耐圧MO5ドライバーの各制御信号を
フローティングさせる必要があり、そのため各制御信号
用のアイソレーター及び各々70−ティング電源(ドラ
イバー制御信号用インタフェース回路)が必要となって
いた。よってEL駆動装置の薄型・コンパクト化及び低
コスト化を阻んでいた。
して2個以上のドライバーIC(Nch高耐圧MOSド
ライバーIC及びPch高耐圧MOSドライバーIC等
)を必要としていた。また、走査側電極に正、負の高電
圧パルスを印加させるため、Nch高耐圧MOSドライ
バー及びPch高耐圧MO5ドライバーの各制御信号を
フローティングさせる必要があり、そのため各制御信号
用のアイソレーター及び各々70−ティング電源(ドラ
イバー制御信号用インタフェース回路)が必要となって
いた。よってEL駆動装置の薄型・コンパクト化及び低
コスト化を阻んでいた。
本発明は、ごのような事情に鑑みてなされたもので、薄
型・コンパクト化及び低コスト化が可能となる駆動回路
を提供するものである。
型・コンパクト化及び低コスト化が可能となる駆動回路
を提供するものである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、EL層を互いに交差する方向に配列した走査
側電極とデータ側電極間に介設して構成された薄膜EL
表示装置において、後述する第1及び第2スイッチング
回路はプッシュ・プル機能をもち、単一電位のシフトレ
ジスタ、ゲート等の論理回路で制御される第1及び第2
の高耐圧ドライバーICを含んでなるものであり、走査
側電極の各々に、データ側電極に対して負極性の電圧及
び正極性の電圧を印加する第1スイッチング回路を接続
し、この第1スイッチング回路における前記第1高耐圧
ドライバーICのプルダウン用共通線には負極性書き込
み電圧と0Vに切り替える第3スイッチング回路を接続
し、プルアップ用共通線には正極性書き込み電圧とOV
に切り替える第4スイッチング回路を接続するとともに
、データ側電極の各々に前記走査側電極に対応するEL
層に対して変調電圧の充・放電を行う第2スイッチング
回路を接続し、この第2スイッチング回路における前記
第2高耐圧ドライバーICのプルダウン用共通線はOV
に接続し、プルアップ用共通線には該共通線をフローテ
ィングレベル及び変調電圧VMに切換える第5スイッチ
ング回路を接続してなることを特徴とする薄膜EL表示
装置の駆動回路である。
側電極とデータ側電極間に介設して構成された薄膜EL
表示装置において、後述する第1及び第2スイッチング
回路はプッシュ・プル機能をもち、単一電位のシフトレ
ジスタ、ゲート等の論理回路で制御される第1及び第2
の高耐圧ドライバーICを含んでなるものであり、走査
側電極の各々に、データ側電極に対して負極性の電圧及
び正極性の電圧を印加する第1スイッチング回路を接続
し、この第1スイッチング回路における前記第1高耐圧
ドライバーICのプルダウン用共通線には負極性書き込
み電圧と0Vに切り替える第3スイッチング回路を接続
し、プルアップ用共通線には正極性書き込み電圧とOV
に切り替える第4スイッチング回路を接続するとともに
、データ側電極の各々に前記走査側電極に対応するEL
層に対して変調電圧の充・放電を行う第2スイッチング
回路を接続し、この第2スイッチング回路における前記
第2高耐圧ドライバーICのプルダウン用共通線はOV
に接続し、プルアップ用共通線には該共通線をフローテ
ィングレベル及び変調電圧VMに切換える第5スイッチ
ング回路を接続してなることを特徴とする薄膜EL表示
装置の駆動回路である。
く作 用〉
上記により、プッシュ・プル機能をもつ高耐圧ドライバ
ーICを用いているので走査側ドライバーに入力する制
御信号のインターフェース回路を簡素化し、かつ・走査
電極1ライン当りのドライバーコストを低減できる。
ーICを用いているので走査側ドライバーに入力する制
御信号のインターフェース回路を簡素化し、かつ・走査
電極1ライン当りのドライバーコストを低減できる。
〈実施例〉
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
第1図はこの発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。
る。
IOは発光シキイ電圧Vth(Vw<Vth<Vw+V
M)の薄膜EL表示装置を示し、この図ではX方向電極
をデータ側電極としY方向電極を走査@A電極として電
極のみを示している。20.30はY方向電極の奇数ラ
インと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐圧プッ
シュプルタイプドライバーIC(第1スイッチング回路
に相当)である。21.3]は各走査側ドライバーI
C20,30中のシフトレジスタ等の論理回路であり、
S can data 、 PUP 。
M)の薄膜EL表示装置を示し、この図ではX方向電極
をデータ側電極としY方向電極を走査@A電極として電
極のみを示している。20.30はY方向電極の奇数ラ
インと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐圧プッ
シュプルタイプドライバーIC(第1スイッチング回路
に相当)である。21.3]は各走査側ドライバーI
C20,30中のシフトレジスタ等の論理回路であり、
S can data 、 PUP 。
PDW等の制御信号によりシフトレジスタ中の5can
dataに対応してプルアップもしくはプルダウン素
子がONする状態、5can dataに関係なく全て
のプルアップもしくはプルダウン素子がONする状態を
つくりだすものである。40はX方向電極に対応するデ
ータ側高耐圧プッシュプルタイプドライバーIC(第2
スイッチング回路に相当)であり、41はデータ側ドラ
イバーIC40中のシフトレジスタ等の論理回路である
。第2図(a)に示すプッシュプルタイプドライバーの
一構成例を第2図(b)に示す。501はプルアップ用
のPch高耐圧MO3FET、502はプルタウン用の
Nch高耐圧MO5FET、503,504は各々のF
ETに対して逆方向に電流を流すためのダイオードであ
る。501,502は入力データに応じてレベルシフタ
等の回路によりON、OFFが行なわれる。このプッシ
ュプルタイプドライバーは、プルアップ機能をもつスイ
ッチング素子とプルダウン機能をもつスイッチング素子
で構成されていれば何ら差しつかえない。
dataに対応してプルアップもしくはプルダウン素
子がONする状態、5can dataに関係なく全て
のプルアップもしくはプルダウン素子がONする状態を
つくりだすものである。40はX方向電極に対応するデ
ータ側高耐圧プッシュプルタイプドライバーIC(第2
スイッチング回路に相当)であり、41はデータ側ドラ
イバーIC40中のシフトレジスタ等の論理回路である
。第2図(a)に示すプッシュプルタイプドライバーの
一構成例を第2図(b)に示す。501はプルアップ用
のPch高耐圧MO3FET、502はプルタウン用の
Nch高耐圧MO5FET、503,504は各々のF
ETに対して逆方向に電流を流すためのダイオードであ
る。501,502は入力データに応じてレベルシフタ
等の回路によりON、OFFが行なわれる。このプッシ
ュプルタイプドライバーは、プルアップ機能をもつスイ
ッチング素子とプルダウン機能をもつスイッチング素子
で構成されていれば何ら差しつかえない。
100は走査側ドライバー20.30のプルダウン共通
線電位を切換える回路(第3スイッチング回路に相当)
であり、制御信号NVC、NGCにより負極性の書き込
み電圧−VwとOVに切換えるスイッチSWI、SW2
より構成されている。
線電位を切換える回路(第3スイッチング回路に相当)
であり、制御信号NVC、NGCにより負極性の書き込
み電圧−VwとOVに切換えるスイッチSWI、SW2
より構成されている。
200は走査側ドライバー20.30のプルアップ共通
線電位を切換える回路(第4スイッチング回路に相当)
であり、制御信号PVC,PGCにより正極性の書き込
み電圧v w+V MとOVに切換えるスイッチSW3
.SW4より構成されている。
線電位を切換える回路(第4スイッチング回路に相当)
であり、制御信号PVC,PGCにより正極性の書き込
み電圧v w+V MとOVに切換えるスイッチSW3
.SW4より構成されている。
300はデータ側ドライバー40のプルアップ共通線電
位を切換える回路(第5スイッチング回路に相当)であ
り、制御信号M Cにより変調電圧vMと70−ティン
グ状態に切換えるスイッチSW5より構成されている。
位を切換える回路(第5スイッチング回路に相当)であ
り、制御信号M Cにより変調電圧vMと70−ティン
グ状態に切換えるスイッチSW5より構成されている。
400はデータ反転コントロール回路である。
次に、第3図のタイムチャートを用いて、第1図の動作
について説明する。
について説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Aを含むYlと絵素Bを含む
Y2の走査電極が選択されるものとする。
Y2の走査電極が選択されるものとする。
また、この駆動装置では1ライン毎に絵素に印加される
書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走査側選
択電極に接続されている高耐圧ドライバーI C20,
30のプルダウン用M OS F E TをONI、、
その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加す
る1ラインの駆動タイミングをN駆動タイミングと呼び
、一方、プルアップ用MO5FETをONL、、その電
極ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する1ラ
インの駆動タイミングをP駆動タイミングと呼ぶことに
する。
書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走査側選
択電極に接続されている高耐圧ドライバーI C20,
30のプルダウン用M OS F E TをONI、、
その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加す
る1ラインの駆動タイミングをN駆動タイミングと呼び
、一方、プルアップ用MO5FETをONL、、その電
極ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する1ラ
インの駆動タイミングをP駆動タイミングと呼ぶことに
する。
又、走査側奇数ラインに対してN駆動をし、偶数ライン
に対してP駆動を実行するフィールド(画面)をNPフ
ィールド、その逆のフィールドをPNフィールドと呼ぶ
ことにする。
に対してP駆動を実行するフィールド(画面)をNPフ
ィールド、その逆のフィールドをPNフィールドと呼ぶ
ことにする。
(A) NPフィールド
1、 N駆動における変調電圧充電期間、(TNI)
走査側の全てのドライバー5Dr1〜5Dr1のPch
MOSFETをONさせ、制御信号PGCによりスイ
ッチSW4をONさせることで、走査側全電極をOVに
保つ。同時に制御信号MCによりスイッチSW5をON
させ、データ側のドライバーDDr、〜DDriは表示
データ信号に従い発光の場合Pch MOSFETをO
Nにし、非発光の場合Nch MOSFETをONにす
る。ここで表示データ信号が“H″で発光、L”で非発
光の場合、入力表示データ論理をそのままドライバーI
C40に入力する必要があるので、データ反転コントロ
ール回路400における信号RVCは1L”にしておく
。(但しドライバーICは”H”でPchMOSFET
がONt、、′L″でNchMOSFETがOFFする
ものとする。)これにより発光絵素だけに変調電圧vM
がデータ側に充電される。充電が完了すると、スイッチ
SW5は。
走査側の全てのドライバー5Dr1〜5Dr1のPch
MOSFETをONさせ、制御信号PGCによりスイ
ッチSW4をONさせることで、走査側全電極をOVに
保つ。同時に制御信号MCによりスイッチSW5をON
させ、データ側のドライバーDDr、〜DDriは表示
データ信号に従い発光の場合Pch MOSFETをO
Nにし、非発光の場合Nch MOSFETをONにす
る。ここで表示データ信号が“H″で発光、L”で非発
光の場合、入力表示データ論理をそのままドライバーI
C40に入力する必要があるので、データ反転コントロ
ール回路400における信号RVCは1L”にしておく
。(但しドライバーICは”H”でPchMOSFET
がONt、、′L″でNchMOSFETがOFFする
ものとする。)これにより発光絵素だけに変調電圧vM
がデータ側に充電される。充電が完了すると、スイッチ
SW5は。
OFFにする。
2、 N駆動における書き込み期間(TN2)走査側
全ドライバー5Dr1〜SD、iのプルダウン共通線電
位を負極性の書き込み電圧−Vwにするため、制御信号
NVCによりスイッチSWIをONさせる。それと同時
に奇数走査側ドライバー20だけシフトレジスタのデー
タに従ってONさせる。つまり選択走査電極に接続のド
ライバーのみNchMOSFETをONさせ、他はPc
h MOSFETをONさせる。一方、偶数走査側ドラ
イバー30及びデータ側ドライバー40は、TN1期間
の駆動を継続する。これにより発光絵素にはvM−(−
Vw )−Vvv+VMが印加され発光する。また非発
光絵素にはOV−(−Vw)=Vwが印加されるが、発
光しきい電圧vth以下なので発光しない。
全ドライバー5Dr1〜SD、iのプルダウン共通線電
位を負極性の書き込み電圧−Vwにするため、制御信号
NVCによりスイッチSWIをONさせる。それと同時
に奇数走査側ドライバー20だけシフトレジスタのデー
タに従ってONさせる。つまり選択走査電極に接続のド
ライバーのみNchMOSFETをONさせ、他はPc
h MOSFETをONさせる。一方、偶数走査側ドラ
イバー30及びデータ側ドライバー40は、TN1期間
の駆動を継続する。これにより発光絵素にはvM−(−
Vw )−Vvv+VMが印加され発光する。また非発
光絵素にはOV−(−Vw)=Vwが印加されるが、発
光しきい電圧vth以下なので発光しない。
3、 N駆動における放電期間(TN3)制御信号N
VCによりスイッチSWIをOFFにした後、制御信号
NGCによりスイッチSW2をONさせ、同時に走査側
全ドライバーのNch MOSFETをONさせる。こ
れにより、書き込み電圧は放電され、全走査電極はOV
になる。
VCによりスイッチSWIをOFFにした後、制御信号
NGCによりスイッチSW2をONさせ、同時に走査側
全ドライバーのNch MOSFETをONさせる。こ
れにより、書き込み電圧は放電され、全走査電極はOV
になる。
4、 P駆動における変調電圧充電期間(TPI)走
査側の全てのドライバー5Dr1〜5DriのNchM
OSFETをONさせ制御信号NGCによりスイッチS
W2をONさせることで、走査側全電極の電位をOVに
保つ。同時に、制御信号MCによりスイッチSW5をO
Nさせ、データ側のドライバーDDr工〜DD、iは表
示データ信号の反転信号に従い発光の場合Nch MO
SFETをONにし、非発光の場合Pch MOSFE
TをONにする。ここで入力表示データ逆論理をドライ
バーIC40に入力する必要があるので、データ反転コ
ントロール回路400における信号RVCは′″H″に
しておく。これにより非発光絵素だけに、変調電圧vM
がデータ側に充電される。充電が完了するとスイッチS
W5はOFFにする。
査側の全てのドライバー5Dr1〜5DriのNchM
OSFETをONさせ制御信号NGCによりスイッチS
W2をONさせることで、走査側全電極の電位をOVに
保つ。同時に、制御信号MCによりスイッチSW5をO
Nさせ、データ側のドライバーDDr工〜DD、iは表
示データ信号の反転信号に従い発光の場合Nch MO
SFETをONにし、非発光の場合Pch MOSFE
TをONにする。ここで入力表示データ逆論理をドライ
バーIC40に入力する必要があるので、データ反転コ
ントロール回路400における信号RVCは′″H″に
しておく。これにより非発光絵素だけに、変調電圧vM
がデータ側に充電される。充電が完了するとスイッチS
W5はOFFにする。
5 P駆動における書き込み期間(TP2)走査側全ド
ライバーのプルアップ共通線電位を正極性の書き込み電
圧v w+V Mにするため、制御信号PVCによりス
イッチSW3をONさせる。それと同時に偶数走査側ド
ライバー30だけシフトレジスタのデータに従ってON
させる。つまり選択走査電極に接続のドライバーのみP
c h MOS F ETをONさせ、他はNch
MOSFETをONさせる。一方奇数走査側ドライバー
20及びデータ側ドライバー40は、TP1期間の駆動
を継続する。これにより発光絵素には(VW+VM)−
0V=V★+VMが印加され発光する。また非発光絵素
には(VW+VM) −VM:VWが印加されるが、発
光しきい電圧vth以下なので発光しない。
ライバーのプルアップ共通線電位を正極性の書き込み電
圧v w+V Mにするため、制御信号PVCによりス
イッチSW3をONさせる。それと同時に偶数走査側ド
ライバー30だけシフトレジスタのデータに従ってON
させる。つまり選択走査電極に接続のドライバーのみP
c h MOS F ETをONさせ、他はNch
MOSFETをONさせる。一方奇数走査側ドライバー
20及びデータ側ドライバー40は、TP1期間の駆動
を継続する。これにより発光絵素には(VW+VM)−
0V=V★+VMが印加され発光する。また非発光絵素
には(VW+VM) −VM:VWが印加されるが、発
光しきい電圧vth以下なので発光しない。
6、 P駆動における放電期間(Tps)制御信号P
VCによりスイッチSW3をOFFにした後制御信号P
GCによりスイッチSW4をONさせ、同時に走査側全
ドライバーのPch MOSFETをONさせる。これ
により書き込み電圧は放電され、全走査電極は0Vにな
る。
VCによりスイッチSW3をOFFにした後制御信号P
GCによりスイッチSW4をONさせ、同時に走査側全
ドライバーのPch MOSFETをONさせる。これ
により書き込み電圧は放電され、全走査電極は0Vにな
る。
03)PNフィールド
1、 P駆動における変調電圧充電期間(TP4)N
PフィールドP駆動における変調電圧充電期間(TPI
)と同様の駆動を行う。
PフィールドP駆動における変調電圧充電期間(TPI
)と同様の駆動を行う。
2、 P駆動における書き込み期間(Tps)走査側
の選択電極が奇数側がら選択され、偶数側ドライバー3
0はTP4期間の駆動を3、 P駆動における放電期
間(TP6)NPフィールドP駆動における放電期間T
P3と同様の駆動を行う。
の選択電極が奇数側がら選択され、偶数側ドライバー3
0はTP4期間の駆動を3、 P駆動における放電期
間(TP6)NPフィールドP駆動における放電期間T
P3と同様の駆動を行う。
4. N駆動における変調電圧充電期間(TN4)N
PフィールドN駆動における変調電圧充電期間(TNI
)と同様の駆動を行う。
PフィールドN駆動における変調電圧充電期間(TNI
)と同様の駆動を行う。
5、 N駆動における書き込み期間(TN5)走査側
の選択電極が偶数側から選択され、奇数側ドライバー2
0はPNフィールドN駆動における変調電圧充電期間(
TN4)期間の駆動を継続する以外はNPフィールドN
駆動における書き込み肌間(TN4)と同様の駆動を行
う。
の選択電極が偶数側から選択され、奇数側ドライバー2
0はPNフィールドN駆動における変調電圧充電期間(
TN4)期間の駆動を継続する以外はNPフィールドN
駆動における書き込み肌間(TN4)と同様の駆動を行
う。
6 N駆動における放電期間(TNa)NPフィールド
N駆動における放電期間(TNa)と同様の駆動を行う
。
N駆動における放電期間(TNa)と同様の駆動を行う
。
以上のように、この駆動回路ではNPフィールドとPN
フィールドの駆動タイミングより構成されており、NP
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してN
駆動を、偶数番目選択ラインに対してP駆動を実行し、
P N フィールドではその逆の駆動を実行することで
薄膜EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パ
ルスを閉じるものである。第5図には絵素A、絵素Bに
印加される電圧波形を代表例として示している。
フィールドの駆動タイミングより構成されており、NP
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してN
駆動を、偶数番目選択ラインに対してP駆動を実行し、
P N フィールドではその逆の駆動を実行することで
薄膜EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パ
ルスを閉じるものである。第5図には絵素A、絵素Bに
印加される電圧波形を代表例として示している。
ところで、この駆動回路では単一のシフトレジスタとド
ライバー制御信号により出力段ドライバーのプルアップ
及びプルダウンを制御しているが、従来の駆動回路であ
ればプルアップ制御用のシフトレジスタと制御信号、プ
ルダウン制御用のシフトレジスタと制御信号が必要であ
り、また、走査電極に正及び負の高電圧パルスを印加さ
せるためには、両方の制御信号をフローティングさせな
ければならない。しかしプッシュプルタイプ高耐圧ドラ
イバーではフローティング制御信号は従来の半分となり
、ドライバー制御信号用インタフェース回路の削減につ
ながりコスト低減に寄与する。また従来の駆動回路では
走査電極lライン当りの高耐圧ドライバーは2個以上必
要としていたが、プッシュプルタイプ高耐圧ドライバー
では1個の為、大幅なコスト低減かつ、薄型コンパクト
化が行なわれる。
ライバー制御信号により出力段ドライバーのプルアップ
及びプルダウンを制御しているが、従来の駆動回路であ
ればプルアップ制御用のシフトレジスタと制御信号、プ
ルダウン制御用のシフトレジスタと制御信号が必要であ
り、また、走査電極に正及び負の高電圧パルスを印加さ
せるためには、両方の制御信号をフローティングさせな
ければならない。しかしプッシュプルタイプ高耐圧ドラ
イバーではフローティング制御信号は従来の半分となり
、ドライバー制御信号用インタフェース回路の削減につ
ながりコスト低減に寄与する。また従来の駆動回路では
走査電極lライン当りの高耐圧ドライバーは2個以上必
要としていたが、プッシュプルタイプ高耐圧ドライバー
では1個の為、大幅なコスト低減かつ、薄型コンパクト
化が行なわれる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によればプルアップ機能とプルダウ
ン機能を合せ持つ高耐圧ドライバーを使用することで、
走査側ドライバーに入力する制御信号のインタフェース
回路を簡素化しかつ、走査電極1ライン当りのドライバ
ーコストが低減するため、装置全体として大幅なコスト
低減が可能となりかつ薄型・コンパクトな薄膜EL表示
装置の駆動回路を提供できる。
ン機能を合せ持つ高耐圧ドライバーを使用することで、
走査側ドライバーに入力する制御信号のインタフェース
回路を簡素化しかつ、走査電極1ライン当りのドライバ
ーコストが低減するため、装置全体として大幅なコスト
低減が可能となりかつ薄型・コンパクトな薄膜EL表示
装置の駆動回路を提供できる。
第1図はこの発明の一実施例を示す電気回路図、第2図
(a) 、 (b)はプッシュプルタイプドライバーの
一構成例、第3図は第1図の動作を説明するタイムチャ
ート、第4図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、
第5図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性
を示すグラフである。 10・・・薄膜EL表示装置、20 、30・・・走査
側プッシュプルタイプドライバー(第1スイッチング回
路)、40・・データ側ブノシュプルタイブドライバー
(第2スイッチング回路)、lOO・・・走査側ドライ
バープルダウン共通線電位切換回路(第3スイッチング
回路)、200・・・走査側ドライバープルアップ共通
線電位切換回路(第4スイッチング回路)、300・・
・データ側ドライバープルアップ共通線電位切換回路(
第5スイッチング回路)。
(a) 、 (b)はプッシュプルタイプドライバーの
一構成例、第3図は第1図の動作を説明するタイムチャ
ート、第4図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、
第5図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性
を示すグラフである。 10・・・薄膜EL表示装置、20 、30・・・走査
側プッシュプルタイプドライバー(第1スイッチング回
路)、40・・データ側ブノシュプルタイブドライバー
(第2スイッチング回路)、lOO・・・走査側ドライ
バープルダウン共通線電位切換回路(第3スイッチング
回路)、200・・・走査側ドライバープルアップ共通
線電位切換回路(第4スイッチング回路)、300・・
・データ側ドライバープルアップ共通線電位切換回路(
第5スイッチング回路)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、EL層を、互いに交差する方向に配列した走査側電
極とデータ側電極間に介設して構成した薄膜EL表示装
置において、 走査側電極の各々に、該走査側電極を介してデータ側電
極に対して負極性及び正極性の電圧を印加する第1スイ
ッチング回路を接続するとともに、データ側電極の各々
に、前記走査側電極に対応するEL層に対して変調電圧
を充放電する第2スイッチング回路を接続し、 前記第1及び第2スイッチング回路は、プッシュ・プル
機能をもち単一電位の論理回路で制御される第1及び第
2高耐圧ドライバICを含んでなり、 前記第1スイッチング回路における第1高耐圧ドライバ
ICのプルダウン用共通線には、負極性の書き込み電圧
と0Vに切り替える第3スイッチング回路、およびプル
アップ用共通線には正極性の書き込み電圧と0Vに切り
替える第4スイッチング回路を接続し、 前記第2スイッチング回路における第2高耐圧ドライバ
ICのプルダウン用共通線は0Vに接続し、プルアップ
用共通線には該共通線をフローティングレベルと前記変
調電圧V_Mに切り替える第5スイッチング回路を接続
してなることを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動回路
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61173328A JPH0654414B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
DE19873724086 DE3724086A1 (de) | 1986-07-22 | 1987-07-21 | Treiberschaltung fuer eine duennschichtige elektrolumineszenzanzeige |
GB8717368A GB2194377B (en) | 1986-07-22 | 1987-07-22 | Driving circuit of thin membrane el display apparatus |
US07/332,450 US4888523A (en) | 1986-07-22 | 1989-04-03 | Driving circuit of thin membrane EL display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61173328A JPH0654414B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6329798A true JPS6329798A (ja) | 1988-02-08 |
JPH0654414B2 JPH0654414B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=15958393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61173328A Expired - Fee Related JPH0654414B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0654414B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6086595A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 関西日本電気株式会社 | Elパネル駆動装置 |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP61173328A patent/JPH0654414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6086595A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 関西日本電気株式会社 | Elパネル駆動装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0654414B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |