JPH0634153B2 - 薄膜el表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動回路Info
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- JPH0634153B2 JPH0634153B2 JP61283515A JP28351586A JPH0634153B2 JP H0634153 B2 JPH0634153 B2 JP H0634153B2 JP 61283515 A JP61283515 A JP 61283515A JP 28351586 A JP28351586 A JP 28351586A JP H0634153 B2 JPH0634153 B2 JP H0634153B2
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Links
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Classifications
-
- Y02B20/343—
-
- Y02B20/346—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、交流駆動型容量性ラット・マトリックスデ
ィスプレイパネルすなわち薄膜EL(エレクトロ・ルミ
ネッセンス)表示装置の駆動回路に関するものである。
ィスプレイパネルすなわち薄膜EL(エレクトロ・ルミ
ネッセンス)表示装置の駆動回路に関するものである。
〈従来の技術〉 例えば、二重絶縁型(又は三層構造)薄膜EL素子は次の
ように構成される。
ように構成される。
第5図に示すように、ガラス基板1の上にIn2O3より
なる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に例えばY
2O3,Si3N4,Al2O3等の誘電物質3、Mn等の活
性剤をドープしたZnSよりなるEL層4および上記と
同じくY2O3,Si3N4,TiO2,Al2O3等の誘電
物質層3′を蒸着法,スパッタリング法のような薄膜技
術を用いて順次500〜10000Åの膜厚に積層して
3層構造にし、その上に上記透明電極2と直交する方向
にAl2O3になる帯状の背面電極5を平行に設けてい
る。
なる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に例えばY
2O3,Si3N4,Al2O3等の誘電物質3、Mn等の活
性剤をドープしたZnSよりなるEL層4および上記と
同じくY2O3,Si3N4,TiO2,Al2O3等の誘電
物質層3′を蒸着法,スパッタリング法のような薄膜技
術を用いて順次500〜10000Åの膜厚に積層して
3層構造にし、その上に上記透明電極2と直交する方向
にAl2O3になる帯状の背面電極5を平行に設けてい
る。
上記薄膜EL素子はその電極間に誘電物質3,3′に挟
持されたEL物質4を介在させたものであるから、等価
回路的には容量性素子と見ることができる。また、この
薄膜EL素子は第6図に示す電圧−輝度特性から明らか
な如く、200V程度の比較的高電圧を印加して駆動さ
れる。この薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
持されたEL物質4を介在させたものであるから、等価
回路的には容量性素子と見ることができる。また、この
薄膜EL素子は第6図に示す電圧−輝度特性から明らか
な如く、200V程度の比較的高電圧を印加して駆動さ
れる。この薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜EL素子を用いた表示装置のため
本出願人は変調消費電力の低減を目的として次のような
駆動回路を提案した。すなわち、プッシュ・プル機能を
もち、単一電位のシフトレジスタ、ゲートの論理回路で
制御される高耐圧ドライバーICを走査側電極およびデ
ータ側電極に接続し、走査側高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線には正の書き込み電圧と1/2変調電圧
を、プルダウン共通線には負の書き込み電圧と1/2変調
電圧と0Vを印加するスイッチング回路を設け、データ
側高耐圧ドライバーのプルアップ共通線には1/2変調電
圧を印加するスイッチング回路を設け、データ側高耐圧
ドライバーのプルダウン共通線を0Vにすることで、上
記薄膜EL表示装置に交流パルスを印加して発光させる
駆動回路である。
本出願人は変調消費電力の低減を目的として次のような
駆動回路を提案した。すなわち、プッシュ・プル機能を
もち、単一電位のシフトレジスタ、ゲートの論理回路で
制御される高耐圧ドライバーICを走査側電極およびデ
ータ側電極に接続し、走査側高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線には正の書き込み電圧と1/2変調電圧
を、プルダウン共通線には負の書き込み電圧と1/2変調
電圧と0Vを印加するスイッチング回路を設け、データ
側高耐圧ドライバーのプルアップ共通線には1/2変調電
圧を印加するスイッチング回路を設け、データ側高耐圧
ドライバーのプルダウン共通線を0Vにすることで、上
記薄膜EL表示装置に交流パルスを印加して発光させる
駆動回路である。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、アクティブタイプ(自己発光型)ディスプ
レイは基本的に消費電力が多いため、さらに消費電力の
低減が必要とされる。
レイは基本的に消費電力が多いため、さらに消費電力の
低減が必要とされる。
そこで、この発明の目的は、薄膜EL表示装置の変調消
費電力および書き込み消費電力を、大幅に低減させるこ
とができる薄膜EL表示装置の駆動回路を提供すること
にある。
費電力および書き込み消費電力を、大幅に低減させるこ
とができる薄膜EL表示装置の駆動回路を提供すること
にある。
<問題点を解決するための手段> 上記目的を達成するため、この発明の薄膜EL表示装置
駆動回路は、互いに交差する方向に配列された走査側電
極およびデータ側電極の間にEL層を介設して成る薄膜
EL表示素子における上記走査側電極およびデータ側電
極の少なくとも一方にプッシュ・プル機能を有する双方
向性スイッチング素子で構成された高耐圧ドライバーI
Cが接続されると共に,上記高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に双方向性ス
イッチング回路によって書き込み電圧および変調電圧を
印加し,上記双方向性スイッチング素子の動作によって
上記EL層に発光閾値以上の電圧を印加して薄膜EL表
示素子に画像を表示する薄膜EL表示装置の駆動回路に
おいて、上記双方向性スイッチング回路と高耐圧ドライ
バーICのスイッチング素子との動作によって上記薄膜
EL表示素子に蓄積された電荷を上記EL層が発光した
後に外部に取り出すための第1スイッチング回路と、上
記第1スイッチング回路の動作によって上記薄膜EL表
示素子から外部に取り出された電荷を蓄積するコンデン
サーと、上記コンデンサーに蓄積された電荷を,上記双
方向性スイッチング回路の動作によって上記高耐圧ドラ
イバーICのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通
線に書き込み電圧または変調電圧を印加する際に取り出
して,上記双方向性スイッチング回路に送出する第2ス
イッチング回路を備えたことを特徴としている。
駆動回路は、互いに交差する方向に配列された走査側電
極およびデータ側電極の間にEL層を介設して成る薄膜
EL表示素子における上記走査側電極およびデータ側電
極の少なくとも一方にプッシュ・プル機能を有する双方
向性スイッチング素子で構成された高耐圧ドライバーI
Cが接続されると共に,上記高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に双方向性ス
イッチング回路によって書き込み電圧および変調電圧を
印加し,上記双方向性スイッチング素子の動作によって
上記EL層に発光閾値以上の電圧を印加して薄膜EL表
示素子に画像を表示する薄膜EL表示装置の駆動回路に
おいて、上記双方向性スイッチング回路と高耐圧ドライ
バーICのスイッチング素子との動作によって上記薄膜
EL表示素子に蓄積された電荷を上記EL層が発光した
後に外部に取り出すための第1スイッチング回路と、上
記第1スイッチング回路の動作によって上記薄膜EL表
示素子から外部に取り出された電荷を蓄積するコンデン
サーと、上記コンデンサーに蓄積された電荷を,上記双
方向性スイッチング回路の動作によって上記高耐圧ドラ
イバーICのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通
線に書き込み電圧または変調電圧を印加する際に取り出
して,上記双方向性スイッチング回路に送出する第2ス
イッチング回路を備えたことを特徴としている。
<作用> 薄膜EL表示素子に画像を表示するに際しては、双方向
性スイッチング回路が動作して、上記薄膜EL表示素子
における走査側電極およびデータ側電極の少なくとも一
方に接続されたプッシュ・プル機能を有する双方向性ス
イッチング素子で構成された高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に、書き込み
電圧および変調電圧が印加される。そして、上記高耐圧
ドライバーICの双方向性スイッチング素子の動作によ
って表示画素を構成するEL層に発光閾値以上の電圧が
選択的に印加されてそのEL層が発光される。
性スイッチング回路が動作して、上記薄膜EL表示素子
における走査側電極およびデータ側電極の少なくとも一
方に接続されたプッシュ・プル機能を有する双方向性ス
イッチング素子で構成された高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に、書き込み
電圧および変調電圧が印加される。そして、上記高耐圧
ドライバーICの双方向性スイッチング素子の動作によ
って表示画素を構成するEL層に発光閾値以上の電圧が
選択的に印加されてそのEL層が発光される。
そうした後に、第1スイッチング回路の動作によって、
上記薄膜EL表示素子のEL層に蓄積された電荷が外部
に取り出されてコンデンサーに蓄積される。
上記薄膜EL表示素子のEL層に蓄積された電荷が外部
に取り出されてコンデンサーに蓄積される。
そして、次の画像表示の際に、上記高耐圧ドライバーI
Cのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に上記
双方向性スイッチング回路の動作によって書き込み電圧
または変調電圧が印加されるに際して、第2スイッチン
グ回路の動作によって、上記コンデンサーに蓄積された
電荷が取り出されて上記双方向性スイッチング回路に送
出される。
Cのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に上記
双方向性スイッチング回路の動作によって書き込み電圧
または変調電圧が印加されるに際して、第2スイッチン
グ回路の動作によって、上記コンデンサーに蓄積された
電荷が取り出されて上記双方向性スイッチング回路に送
出される。
こうして、コンデンサーに蓄積された電荷が書き込み電
圧印加時または変調電圧印加時に再利用されて、消費電
力の削減が図られる。
圧印加時または変調電圧印加時に再利用されて、消費電
力の削減が図られる。
〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
本実施例においては一回の駆動でEL表示装置に蓄積し
た変調エネルギーの一部を外部コンデンサーに蓄積し再
利用するようにしている。なお、書き込みエネルギーに
ついても同様に再利用することができるが、本実施例で
の説明は省略する。
た変調エネルギーの一部を外部コンデンサーに蓄積し再
利用するようにしている。なお、書き込みエネルギーに
ついても同様に再利用することができるが、本実施例で
の説明は省略する。
第1図はこの発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。10は発光しきい値電圧Vth(Vw<Vth<Vw+V
m)の薄膜EL表示装置を示し、この図ではX方向電極を
データ側電極としY方向電極を走査側電極として電極の
みを示している。20,30は上記薄膜EL表示装置1
0のY方向電極の奇数ラインと偶数ラインにそれぞれ対
応する走査側高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライバー
IC(第1双方向性スイッチング回路に相当し、以下走
査側ドライバーICと言う)である。21,31は上記
各走査側ドライバーIC20,30中のシフトレジスタ
等の論理回路であり、“Scan data”,“PUP”,
“PDW”等の制御信号により、上記シフトレジスタ中
の“Scan data”に対応してプルアップ素子もしくはプ
ルダウン素子が“ON”する状態および“Scan data”
に関係なく全てのプルアップ素子もしくはプルダウン素
子が“ON”する状態をつくりだすものである。40は
上記薄膜EL表示装置10のX方向電極に対応するデー
タ側高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライバーIC(第
2双方向性スイッチング回路に相当し、以下データ側ド
ライバーICと言う)である。41は上記データ側ドラ
イバーIC40中のシフトレジスタ等の論理回路であ
る。第2図に上記高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの一構成例を示す。図中501はプルアップ用のP
ch高耐圧MOSFET(フィールドエフェクトトランジ
スター)、502はプルダウン用のNch高耐圧MOSF
ET、503・504は各々のFETに対して逆方向に
電流を流すためのダイオードである。501,502は
入力データに応じてレベルシフタ等の回路により“O
N”,“OFF”が行なわれる。このプッシュプルタイ
プドライバーは、プルアップ機能をもつスイッチング素
子とプルダウン機能をもつスイッチング素子で構成され
ていれば差しつかえない。
る。10は発光しきい値電圧Vth(Vw<Vth<Vw+V
m)の薄膜EL表示装置を示し、この図ではX方向電極を
データ側電極としY方向電極を走査側電極として電極の
みを示している。20,30は上記薄膜EL表示装置1
0のY方向電極の奇数ラインと偶数ラインにそれぞれ対
応する走査側高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライバー
IC(第1双方向性スイッチング回路に相当し、以下走
査側ドライバーICと言う)である。21,31は上記
各走査側ドライバーIC20,30中のシフトレジスタ
等の論理回路であり、“Scan data”,“PUP”,
“PDW”等の制御信号により、上記シフトレジスタ中
の“Scan data”に対応してプルアップ素子もしくはプ
ルダウン素子が“ON”する状態および“Scan data”
に関係なく全てのプルアップ素子もしくはプルダウン素
子が“ON”する状態をつくりだすものである。40は
上記薄膜EL表示装置10のX方向電極に対応するデー
タ側高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライバーIC(第
2双方向性スイッチング回路に相当し、以下データ側ド
ライバーICと言う)である。41は上記データ側ドラ
イバーIC40中のシフトレジスタ等の論理回路であ
る。第2図に上記高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの一構成例を示す。図中501はプルアップ用のP
ch高耐圧MOSFET(フィールドエフェクトトランジ
スター)、502はプルダウン用のNch高耐圧MOSF
ET、503・504は各々のFETに対して逆方向に
電流を流すためのダイオードである。501,502は
入力データに応じてレベルシフタ等の回路により“O
N”,“OFF”が行なわれる。このプッシュプルタイ
プドライバーは、プルアップ機能をもつスイッチング素
子とプルダウン機能をもつスイッチング素子で構成され
ていれば差しつかえない。
100は上記走査側ドライバーIC20,30のプルダ
ウン共通線電位を切り替える回路(第3双方向性スイッ
チング回路に相当)であり、制御信号“NVC”,NG
C”,“NM2”により負極性の書き込み電圧−Vwと
0Vと変調電圧1/2Vmとに切り替えるスイッチSW
1,SW2,SW3、および制御信号“NM2R”によ
り上記スイッチSW3と逆方向にスイッチングするスイ
ッチSW3′より構成されている。
ウン共通線電位を切り替える回路(第3双方向性スイッ
チング回路に相当)であり、制御信号“NVC”,NG
C”,“NM2”により負極性の書き込み電圧−Vwと
0Vと変調電圧1/2Vmとに切り替えるスイッチSW
1,SW2,SW3、および制御信号“NM2R”によ
り上記スイッチSW3と逆方向にスイッチングするスイ
ッチSW3′より構成されている。
200は走査側ドライバーIC20,30のプルアップ
共通線電位を切り替える回路(第4双方向性スイッチン
グ回路相当)であり制御信号“PVC”,PM2”によ
り正極性の書込み電圧Vw+Vmと変調電圧1/2Vmに
切り替えるスイッチSW4,SW5により構成されてい
る。
共通線電位を切り替える回路(第4双方向性スイッチン
グ回路相当)であり制御信号“PVC”,PM2”によ
り正極性の書込み電圧Vw+Vmと変調電圧1/2Vmに
切り替えるスイッチSW4,SW5により構成されてい
る。
300はデータ側ドライバーIC40のプルアップ共通
線電位を切り替える回路(第5双方向性スイッチング回
路に相当)であり、制御信号“M1”により変調電圧1
/2Vmとフローティング状態とに切り替えるスイッチ
SW6、および制御信号“M1R”により上記スイッチ
SW6と逆方向にスイッチングするスイッチSW6′に
より構成されている。
線電位を切り替える回路(第5双方向性スイッチング回
路に相当)であり、制御信号“M1”により変調電圧1
/2Vmとフローティング状態とに切り替えるスイッチ
SW6、および制御信号“M1R”により上記スイッチ
SW6と逆方向にスイッチングするスイッチSW6′に
より構成されている。
400は制御信号“MDW”によりスイッチSW8を
“ON”にしてコンデンサーCmに変調電圧1/4Vm
を充電し、充電後SW8を“OFF”にして制御信号
“MUP”によりスイッチSW7を“ON”にすること
で、変調電圧1/4Vmを供給後変調電圧1/2Vmを
供給する回路(第6スイッチング回路に相当)であり、制
御信号“NM2”,“PM2”,“M1”により制御さ
れるスイッチSW3,SW5,SW6に接続される。ま
た、一方、制御信号“NM2R”もしくは“M1R”に
よりスイッチSW3′もしくはスイッチSW6′を“O
N”にし、さらに、制御信号“MDW”によりスイッチ
SW8を“ON”にすることで、上記EL表示装置に蓄
積されたエネルギーの一部を上記コンデンサーCmに蓄
積する回路でもある。
“ON”にしてコンデンサーCmに変調電圧1/4Vm
を充電し、充電後SW8を“OFF”にして制御信号
“MUP”によりスイッチSW7を“ON”にすること
で、変調電圧1/4Vmを供給後変調電圧1/2Vmを
供給する回路(第6スイッチング回路に相当)であり、制
御信号“NM2”,“PM2”,“M1”により制御さ
れるスイッチSW3,SW5,SW6に接続される。ま
た、一方、制御信号“NM2R”もしくは“M1R”に
よりスイッチSW3′もしくはスイッチSW6′を“O
N”にし、さらに、制御信号“MDW”によりスイッチ
SW8を“ON”にすることで、上記EL表示装置に蓄
積されたエネルギーの一部を上記コンデンサーCmに蓄
積する回路でもある。
500はデータ反転コントロール回路である。
次に、第3図のタイムチャートを用いて、第1図の動作
について説明する。
について説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Aを含むY1と絵素Bを含む
Y2の走査電極が選択走査電極として選択されるものと
する。また、この駆動装置では1ライン毎に絵素に印加
される書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走
査側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーI
C20,30のプルダウン用MOSFETを“ON”に
して、その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを
印加する1ラインの駆動タイミングをN駆動タイミング
と呼び、一方、上記高耐圧ドライバーIC20,30の
プルアップ用MOSFETを“ON”にして、その電極
ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する1ライ
ンの駆動タイミングをP駆動タイミングと呼ぶことにす
る。又、走査側奇数ラインに対してN駆動をし、偶数ラ
インに対してP駆動を実行するフィールド(画面)をNP
フィールド、その逆のフィールドをPNフィールドと呼
ぶことにする。
Y2の走査電極が選択走査電極として選択されるものと
する。また、この駆動装置では1ライン毎に絵素に印加
される書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走
査側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーI
C20,30のプルダウン用MOSFETを“ON”に
して、その電極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを
印加する1ラインの駆動タイミングをN駆動タイミング
と呼び、一方、上記高耐圧ドライバーIC20,30の
プルアップ用MOSFETを“ON”にして、その電極
ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する1ライ
ンの駆動タイミングをP駆動タイミングと呼ぶことにす
る。又、走査側奇数ラインに対してN駆動をし、偶数ラ
インに対してP駆動を実行するフィールド(画面)をNP
フィールド、その逆のフィールドをPNフィールドと呼
ぶことにする。
(A) NPフィールド 1.N駆動における第1変調電圧充電期間 (TN1) 走査側の全てのドライバーSDr1〜SDriのNch MO
SFETを“ON”にし、制御信号“NGC”によりス
イッチSW2を“ON”にすることで、走査側全電極を
0Vに保つ。同時に制御信号“M1”によりスイッチS
W6を“ON”にする。このとき、データ側のドライバ
ーDDr1〜DDriは表示データ信号“DATA”に従っ
て発光の場合にはPch MOSFETを“ON”にし、
非発光の場合Nch MOSFETを“ON”にする。こ
こで表示データ信号が“H”で発光、“L”で非発光と
した場合、入力表示データ信号(“DATA”)をそのま
まデータ側ドライバーIC40に入力する必要があるの
で、上記データ反転コントロール回路500における反
転信号“RVC”は“L”にしておく。(但しデータ側
ドライバーIC40はデータ信号が“H”のときPch
MOSFETが“ON”してNch MOSFETが“O
FF”、データ信号が“L”のときPch MOSFET
が“OFF”してNch MOSFETが“ON”するも
のとする。また線順次駆動を行っているため、表示デー
タ“DATA”は前ライン駆動時に転送が行なわれ、ラ
ッチにより保持されている。)さらに、制御信号“MD
W”によりスイッチSW8を“ON”にしてコンデンサ
ーCmに1/4Vmを充電する。次に制御信号“MDW”
によりスイッチSW8を“OFF”にした後、制御信号
“MUP”によりスイッチSW7を“ON”させること
で、発光絵素だけに段階的に1/2Vmの第1変調電圧
がデータ側に充電され、非発光絵素には充電されず非発
光絵素のデータ側電極電位は0Vになる。充電が完了す
ると、スイッチSW6,SW7を“OFF”にする。
SFETを“ON”にし、制御信号“NGC”によりス
イッチSW2を“ON”にすることで、走査側全電極を
0Vに保つ。同時に制御信号“M1”によりスイッチS
W6を“ON”にする。このとき、データ側のドライバ
ーDDr1〜DDriは表示データ信号“DATA”に従っ
て発光の場合にはPch MOSFETを“ON”にし、
非発光の場合Nch MOSFETを“ON”にする。こ
こで表示データ信号が“H”で発光、“L”で非発光と
した場合、入力表示データ信号(“DATA”)をそのま
まデータ側ドライバーIC40に入力する必要があるの
で、上記データ反転コントロール回路500における反
転信号“RVC”は“L”にしておく。(但しデータ側
ドライバーIC40はデータ信号が“H”のときPch
MOSFETが“ON”してNch MOSFETが“O
FF”、データ信号が“L”のときPch MOSFET
が“OFF”してNch MOSFETが“ON”するも
のとする。また線順次駆動を行っているため、表示デー
タ“DATA”は前ライン駆動時に転送が行なわれ、ラ
ッチにより保持されている。)さらに、制御信号“MD
W”によりスイッチSW8を“ON”にしてコンデンサ
ーCmに1/4Vmを充電する。次に制御信号“MDW”
によりスイッチSW8を“OFF”にした後、制御信号
“MUP”によりスイッチSW7を“ON”させること
で、発光絵素だけに段階的に1/2Vmの第1変調電圧
がデータ側に充電され、非発光絵素には充電されず非発
光絵素のデータ側電極電位は0Vになる。充電が完了す
ると、スイッチSW6,SW7を“OFF”にする。
2.N駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(TN2) 選択走査電極に接続しているドライバーのみNch MO
SFETを“ON”にし、他の走査側ドライバーはPch
MOSFETを“ON”にする。同時に走査側全ドラ
イバーIC20,30のプルアップ共通線には制御信号
“PM2”によりスイッチSW5を“ON”にして変調
電圧1/4Vmを印加し、その後制御信号“MUP”に
よりスイッチSW7を“ON”にすることで変調電圧1
/2Vmを印加する。また、走査側全ドライバーIC2
0,30のプルダウン共通線には制御信号“NVC”に
よりスイッチSW1を“ON”にすることにより負極性
の書き込み電圧−Vw を印加する。一方、データ側ドラ
イバーIC40は上述のN駆動における第1変調電圧充
電期間(TN1)の駆動を継続する。
間(TN2) 選択走査電極に接続しているドライバーのみNch MO
SFETを“ON”にし、他の走査側ドライバーはPch
MOSFETを“ON”にする。同時に走査側全ドラ
イバーIC20,30のプルアップ共通線には制御信号
“PM2”によりスイッチSW5を“ON”にして変調
電圧1/4Vmを印加し、その後制御信号“MUP”に
よりスイッチSW7を“ON”にすることで変調電圧1
/2Vmを印加する。また、走査側全ドライバーIC2
0,30のプルダウン共通線には制御信号“NVC”に
よりスイッチSW1を“ON”にすることにより負極性
の書き込み電圧−Vw を印加する。一方、データ側ドラ
イバーIC40は上述のN駆動における第1変調電圧充
電期間(TN1)の駆動を継続する。
これにより、発光絵素にはN駆動における第1変調電圧
充電期間(TN1)にデータ側に変調電圧1/2Vmが充電
されているため、データ側電極電位はVmとなる。これ
と同時に選択走査電極には負極性の書き込み電圧−Vw
が印加されるため、発光絵素にはVm−(−Vw)=Vw+
Vmが印加され発光する。また、非発光絵素はデータ側
電極電位が0Vであり、上述のように選択走査電極には
負極性の書き込み電圧−Vwが印加されるため、非発光
絵素には0V−(−Vw)=Vwが印加されるが、発光しき
い電圧Vth以下なので発光しない。
充電期間(TN1)にデータ側に変調電圧1/2Vmが充電
されているため、データ側電極電位はVmとなる。これ
と同時に選択走査電極には負極性の書き込み電圧−Vw
が印加されるため、発光絵素にはVm−(−Vw)=Vw+
Vmが印加され発光する。また、非発光絵素はデータ側
電極電位が0Vであり、上述のように選択走査電極には
負極性の書き込み電圧−Vwが印加されるため、非発光
絵素には0V−(−Vw)=Vwが印加されるが、発光しき
い電圧Vth以下なので発光しない。
3.N駆動における書き込み電圧放電および第2変調電
圧リカバリー期間(TN3) 制御信号“NVC”,“PM2”,“MUP”によりス
イッチSW1,SW5,SW7を“OFF”にした後、
走査側全ドライバーSDr1〜SDriのNch MOSFE
Tを“ON”することにより書き込み電圧は放電され、
走査側全電極電位は1/2Vmとなる。そこで、次に制
御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“ON”にすることで、第2変調電圧充
電期間(TN2)に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして、
走査側全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電
極の発光絵素に接続された電極電位は、3/4Vmにな
る。
圧リカバリー期間(TN3) 制御信号“NVC”,“PM2”,“MUP”によりス
イッチSW1,SW5,SW7を“OFF”にした後、
走査側全ドライバーSDr1〜SDriのNch MOSFE
Tを“ON”することにより書き込み電圧は放電され、
走査側全電極電位は1/2Vmとなる。そこで、次に制
御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“ON”にすることで、第2変調電圧充
電期間(TN2)に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして、
走査側全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電
極の発光絵素に接続された電極電位は、3/4Vmにな
る。
4.N駆動における第2変調電位放電および第1変調電
圧リカバリー期間(TN4) 制御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“OFF”にした後、制御信号“NG
C”によりスイッチSW2を“ON”にすると走査側電
極電位は0Vになる。またデータ側発光絵素に接続され
た電極電位は1/2Vm になる。ここで制御信号“M1
R”,“MDW”によりスイッチSW6′,SW8を
“ON”にすることで、第1変調電圧期間(TN1)にデ
ータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコン
デンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全電極電位
は1/4Vmとなる。
圧リカバリー期間(TN4) 制御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“OFF”にした後、制御信号“NG
C”によりスイッチSW2を“ON”にすると走査側電
極電位は0Vになる。またデータ側発光絵素に接続され
た電極電位は1/2Vm になる。ここで制御信号“M1
R”,“MDW”によりスイッチSW6′,SW8を
“ON”にすることで、第1変調電圧期間(TN1)にデ
ータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコン
デンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全電極電位
は1/4Vmとなる。
5.P駆動における第1変調電圧充電期間 (TP1) 走査側の全てのドライバーSDr1〜SDriのNch MO
SFETを“ON”にし、制御信号“NGC”によりス
イッチSW2を“ON”にすることで、走査側全電極を
0Vに保つ。同時に制御信号“M1”によりスイッチS
W6を“ON”にする。このときデータ側のドライバー
DDr1〜DDriは表示データ信号の“DATA”の反転
信号に従って発光の場合にはNch MOSFETを“O
N”にし、非発光の場合Pch MOSFETを“ON”
にする。ここで入力表示データ信号“DATA”の反転
信号をデータ側ドライバーIC40に入力する必要があ
るので、データ反転コントロール回路500における反
転信号“RVC”は“H”にしておく。さらに、制御信
号“MDW”によりスイッチSW8を“ON”にしてコ
ンデンサCmに1/4Vmを充電する。次に、制御信号
“MDW”によりスイッチSW8を“OFF”にした
後、制御信号“MUP”によりスイッチSW7を“O
N”にすることで、非発光絵素だけに段階的に1/2V
mの第1変調電圧がデータ側に充電される。このとき発
光絵素には充電されず発光絵素のデータ側電極電位は0
Vになる。充電が完了するとSW6,SW7は“OF
F”にする。
SFETを“ON”にし、制御信号“NGC”によりス
イッチSW2を“ON”にすることで、走査側全電極を
0Vに保つ。同時に制御信号“M1”によりスイッチS
W6を“ON”にする。このときデータ側のドライバー
DDr1〜DDriは表示データ信号の“DATA”の反転
信号に従って発光の場合にはNch MOSFETを“O
N”にし、非発光の場合Pch MOSFETを“ON”
にする。ここで入力表示データ信号“DATA”の反転
信号をデータ側ドライバーIC40に入力する必要があ
るので、データ反転コントロール回路500における反
転信号“RVC”は“H”にしておく。さらに、制御信
号“MDW”によりスイッチSW8を“ON”にしてコ
ンデンサCmに1/4Vmを充電する。次に、制御信号
“MDW”によりスイッチSW8を“OFF”にした
後、制御信号“MUP”によりスイッチSW7を“O
N”にすることで、非発光絵素だけに段階的に1/2V
mの第1変調電圧がデータ側に充電される。このとき発
光絵素には充電されず発光絵素のデータ側電極電位は0
Vになる。充電が完了するとSW6,SW7は“OF
F”にする。
6.P駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(TP2) 選択走査電極に接続しているドライバーのみPch MO
SFETを“ON”にし、他の走査側ドライバーはNch
MOSFETを“ON”にする。同時に走査側全ドラ
イバーIC20,30のプルアップ共通線には、制御信
号“PVC”によりスイッチSW4を“ON”にするこ
とで正極性の書き込み電圧Vw+Vmを印加する。また走
査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共通線に
は制御信号“NM2”によりスイッチSW3を“ON”
にして変調電圧1/4Vmを印加し、その後、制御信号
“MUP”によりスイッチSW7を“ON”にすること
で変調電圧1/2Vmを印加する。一方、データ側ドラ
イバー40はP駆動における第1変調電圧充電期間(T
P1)の駆動を継続する。
間(TP2) 選択走査電極に接続しているドライバーのみPch MO
SFETを“ON”にし、他の走査側ドライバーはNch
MOSFETを“ON”にする。同時に走査側全ドラ
イバーIC20,30のプルアップ共通線には、制御信
号“PVC”によりスイッチSW4を“ON”にするこ
とで正極性の書き込み電圧Vw+Vmを印加する。また走
査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共通線に
は制御信号“NM2”によりスイッチSW3を“ON”
にして変調電圧1/4Vmを印加し、その後、制御信号
“MUP”によりスイッチSW7を“ON”にすること
で変調電圧1/2Vmを印加する。一方、データ側ドラ
イバー40はP駆動における第1変調電圧充電期間(T
P1)の駆動を継続する。
これにより、発光絵素にはデータ側電極電位が0Vであ
るので段階的に1/2Vmの第2変調電圧が走査側に充
電され、これと同時に選択走査電極には正極性の書き込
み電圧Vw+Vmが印加されるため、発光絵素には(Vw+
Vm)−0V=Vw+Vmが印加され発光する。また非発光
絵素には第1変調電圧充電期間(TP1)にデータ側に変
調電圧1/2Vmが充電されているため、データ側電極
電位はVmとなる。これと同時に、上述のように選択走
査電極には正極性の書き込み電圧Vw+Vmが印加されて
いるため、非発光絵素には(Vw+Vm)−Vm=Vwが印加
されるが、発光しきい電圧Vth以下なので発光しない。
るので段階的に1/2Vmの第2変調電圧が走査側に充
電され、これと同時に選択走査電極には正極性の書き込
み電圧Vw+Vmが印加されるため、発光絵素には(Vw+
Vm)−0V=Vw+Vmが印加され発光する。また非発光
絵素には第1変調電圧充電期間(TP1)にデータ側に変
調電圧1/2Vmが充電されているため、データ側電極
電位はVmとなる。これと同時に、上述のように選択走
査電極には正極性の書き込み電圧Vw+Vmが印加されて
いるため、非発光絵素には(Vw+Vm)−Vm=Vwが印加
されるが、発光しきい電圧Vth以下なので発光しない。
7.P駆動における書き込み電圧放電および第2変調電
圧リカバリー期間(TP3) 制御信号“PVC”,“NM2”,“MUP”によりス
イッチSW4,SW3,SW7を“OFF”にした後、
走査側ドライバーSDr1〜SDriのNch MOSFET
を“ON”することにより書き込み電圧は放電され、走
査側全電極電位は1/2Vmとなる。そこで、次に、制
御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“ON”にすることで、第2変調電圧充
電期間(TP2)に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして走
査側全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電極
の非発光絵素に接続された電極電位は3/4Vmにな
る。
圧リカバリー期間(TP3) 制御信号“PVC”,“NM2”,“MUP”によりス
イッチSW4,SW3,SW7を“OFF”にした後、
走査側ドライバーSDr1〜SDriのNch MOSFET
を“ON”することにより書き込み電圧は放電され、走
査側全電極電位は1/2Vmとなる。そこで、次に、制
御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“ON”にすることで、第2変調電圧充
電期間(TP2)に走査側電極をプラスとして蓄積された
電荷の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして走
査側全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電極
の非発光絵素に接続された電極電位は3/4Vmにな
る。
8.P駆動における第2変調電圧放電および第1変調電
圧リカバリー期間(TP4) 制御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“OFF”にした後、制御信号“NG
C”によりスイッチSW2を“ON”にすることにより
走査側電極電位は0Vになる。またデータ側非発光絵素
に接続された電極電位は1/2Vmになる。ここで制御
信号“M1R”,“MDW”によりスイッチSW6′,
SW8を“ON”にすることで、第1変調電圧期間(T
P1)にデータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一
部がコンデンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全
電極電位は1/4Vmとなる。
圧リカバリー期間(TP4) 制御信号“NM2R”,“MDW”によりスイッチSW
3′,SW8を“OFF”にした後、制御信号“NG
C”によりスイッチSW2を“ON”にすることにより
走査側電極電位は0Vになる。またデータ側非発光絵素
に接続された電極電位は1/2Vmになる。ここで制御
信号“M1R”,“MDW”によりスイッチSW6′,
SW8を“ON”にすることで、第1変調電圧期間(T
P1)にデータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一
部がコンデンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全
電極電位は1/4Vmとなる。
(B) PNフィールド 1.P駆動における第1変調電圧充電期間 (TP5) NPフィールドP駆動における第1変調電圧充電期間
(TP1)と同様の駆動を行う。
(TP1)と同様の駆動を行う。
2.P駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(TP6) NPフィールドP駆動における第2変調電圧充電および
書き込み期間(TP2)と同様の駆動を行う。
間(TP6) NPフィールドP駆動における第2変調電圧充電および
書き込み期間(TP2)と同様の駆動を行う。
3.P駆動における書き込み電圧放電および第2変調電
圧リカバリー期間(TP7) NPフィールドP駆動における書き込み電圧放電および
第2変調電圧リカバリー期間(TP3)と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間(TP7) NPフィールドP駆動における書き込み電圧放電および
第2変調電圧リカバリー期間(TP3)と同様の駆動を行
う。
4.P駆動における第2変調電圧放電および第1変調電
圧リカバリー期間(TP8) NPフィールドP駆動における書き込み電圧放電および
第2変調電圧リカバリー期間(TP4)と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間(TP8) NPフィールドP駆動における書き込み電圧放電および
第2変調電圧リカバリー期間(TP4)と同様の駆動を行
う。
5.N駆動における第1変調電圧充電期間 (TN5) NPフィールドN駆動における第1変調電圧充電期間
(TN1)と同様の駆動を行う。
(TN1)と同様の駆動を行う。
6.N駆動における第2変調電圧充電および書き込み期
間(TN6) NPフィールドN駆動における第2変調電圧充電および
書き込み期間(TN2)と同様の駆動を行う。
間(TN6) NPフィールドN駆動における第2変調電圧充電および
書き込み期間(TN2)と同様の駆動を行う。
7.N駆動における書き込み電圧放電および第2変調電
圧リカバリー期間(TN7) NPフィールドN駆動における書き込み電圧放電および
第2変調電圧リカバリー期間(TN3)と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間(TN7) NPフィールドN駆動における書き込み電圧放電および
第2変調電圧リカバリー期間(TN3)と同様の駆動を行
う。
8.N駆動における第2変調電圧放電および第1変調電
圧リカバリー期間(TN8) NPフィールドN駆動における第2変調電圧放電および
第1変調電圧リカバリー期間(TN4)と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間(TN8) NPフィールドN駆動における第2変調電圧放電および
第1変調電圧リカバリー期間(TN4)と同様の駆動を行
う。
以上のように、この駆動回路ではNPフィールドとPN
フィールドの駆動タイミングより構成されており、NP
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してN
駆動を、偶数番目選択ラインに対してP駆動を実行し、
PNフィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜
EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルス
を印加するものである。第3図に、絵素A,絵素Bに印
加される電圧波形の代表例を示している。
フィールドの駆動タイミングより構成されており、NP
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してN
駆動を、偶数番目選択ラインに対してP駆動を実行し、
PNフィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜
EL表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルス
を印加するものである。第3図に、絵素A,絵素Bに印
加される電圧波形の代表例を示している。
ところで、従来の駆動回路では、発光後のEL表示素子
内に蓄積されている書き込み電圧充電による電荷および
変調電圧充電による電荷を、駆動回路内の抵抗を通して
放電していた。しかし、この実施例における駆動回路で
は、この変調蓄積電荷を再利用することが可能な駆動回
路を用いている(但し書き込み蓄積電荷の再利用につい
ては省略しているが、変調電圧充電による電荷の再利用
の手法と同様にして行うことができる。)したがって、
この駆動回路では、変調蓄積電荷を放電する従来の駆動
回路に対して変調消費電力は25%低減されるが、この
理由を第4図に示す回路のモデル図に従って説明する。
内に蓄積されている書き込み電圧充電による電荷および
変調電圧充電による電荷を、駆動回路内の抵抗を通して
放電していた。しかし、この実施例における駆動回路で
は、この変調蓄積電荷を再利用することが可能な駆動回
路を用いている(但し書き込み蓄積電荷の再利用につい
ては省略しているが、変調電圧充電による電荷の再利用
の手法と同様にして行うことができる。)したがって、
この駆動回路では、変調蓄積電荷を放電する従来の駆動
回路に対して変調消費電力は25%低減されるが、この
理由を第4図に示す回路のモデル図に従って説明する。
第4図(a)はEL素子表示(容量Co)にスイッチSWaを
“ON”にして電圧Vo(実施例においては1/2Vmに
相当)の充電を行なっている図である。ここでRは駆動
回路内の抵抗を示している。このときEL表示素子に蓄
えられるエネルギーは1/2 CoVo2、Rで消費されるエネ
ルギーは1/2CoVO2となる。次に、この状態でスイッ
チSWaを“OFF”にし、スイッチSWbを“ON”に
して平衡状態になったときのEL表示素子から外部コン
デンサーに(容量C)に移動したエネルギーを調べること
にする。ここで外部コンデンサーCはあらかじめ電圧1
/2Voが充電されているものとする(但しC>>Co)。
また、回路に流れる電流をi,EL表示素子Coに充電さ
れている電荷をqo,外部コンデンサーCに充電されてい
る電荷をqとすると、 が成り立つため、式(1),(2),(3)より が得られる。一方、回路方程式より、 R・i+q/C−qo/Co=0 …(5) が成り立つため、式(5)に式(3),(4)を代入して、得
られる微分方程式を解くと、 が得られる。よって式(3)より となり、抵抗Rで消費されるエネルギーPRは t→∞では となる。またEL表示素子に残るエネルギーは、両端電
圧が1/2Voとなるため となる。よってEL表示素子Coから外部コンデンサー
Cに蓄積されるエネルギー(リカバリーエネルギー)は、 となる。
“ON”にして電圧Vo(実施例においては1/2Vmに
相当)の充電を行なっている図である。ここでRは駆動
回路内の抵抗を示している。このときEL表示素子に蓄
えられるエネルギーは1/2 CoVo2、Rで消費されるエネ
ルギーは1/2CoVO2となる。次に、この状態でスイッ
チSWaを“OFF”にし、スイッチSWbを“ON”に
して平衡状態になったときのEL表示素子から外部コン
デンサーに(容量C)に移動したエネルギーを調べること
にする。ここで外部コンデンサーCはあらかじめ電圧1
/2Voが充電されているものとする(但しC>>Co)。
また、回路に流れる電流をi,EL表示素子Coに充電さ
れている電荷をqo,外部コンデンサーCに充電されてい
る電荷をqとすると、 が成り立つため、式(1),(2),(3)より が得られる。一方、回路方程式より、 R・i+q/C−qo/Co=0 …(5) が成り立つため、式(5)に式(3),(4)を代入して、得
られる微分方程式を解くと、 が得られる。よって式(3)より となり、抵抗Rで消費されるエネルギーPRは t→∞では となる。またEL表示素子に残るエネルギーは、両端電
圧が1/2Voとなるため となる。よってEL表示素子Coから外部コンデンサー
Cに蓄積されるエネルギー(リカバリーエネルギー)は、 となる。
したがって、通常のEL表示素子Coの充電・放電で
は、 のエネルギーが必要となるため、25%がリカバリーで
きることになる。
は、 のエネルギーが必要となるため、25%がリカバリーで
きることになる。
上記本実施例では、薄膜EL表示装置10の走査側電極
およびデータ側電極夫々に双方向性スイッチング素子を
接続しているが、走査側電極のみもしくはデータ側電極
のみに双方向性スイッチング素子を接続して、EL表示
素子に蓄積した電荷を再利用しても同様の効果が得られ
本発明の要旨をそこなわないものである。
およびデータ側電極夫々に双方向性スイッチング素子を
接続しているが、走査側電極のみもしくはデータ側電極
のみに双方向性スイッチング素子を接続して、EL表示
素子に蓄積した電荷を再利用しても同様の効果が得られ
本発明の要旨をそこなわないものである。
<発明の効果> 以上より明らかなように、この発明の薄膜EL表示装置
の駆動回路は、双方向性スイッチング回路の動作によっ
て、薄膜EL表示素子における走査側電極およびデータ
側電極の少なくとも一方に接続された高耐圧ドライバー
ICのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に書
き込み電圧および変調電圧を印加し、上記高耐圧ドライ
バーICの双方向性スイッチング素子の動作によって、
表示画素を構成するEL層に発光閾値以上の電圧を印加
して発光させて画像を表示し、第1スイッチング回路の
動作によって、上記薄膜EL表示素子のEL層に蓄積さ
れた電荷を外部に取り出してコンデンサーに蓄積し、次
の画像表示に際して、上記高耐圧ドライバーICのプル
アップ共通線あるいはプルダウン共通線に上記双方向性
スイッチング回路に動作によって書き込み電圧または変
調電圧を印加する際に、第2スイッチング回路の動作に
よって、上記コンデンサーに蓄積された電荷を取り出し
て上記双方向性スイッチング回路に送出するので、発光
後の薄膜EL表示素子に蓄積されている変調蓄積電荷を
上記コンデンサーに蓄積し、次の表示時における書き込
み電圧印加時または変調電圧印加時に再利用できる。
の駆動回路は、双方向性スイッチング回路の動作によっ
て、薄膜EL表示素子における走査側電極およびデータ
側電極の少なくとも一方に接続された高耐圧ドライバー
ICのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に書
き込み電圧および変調電圧を印加し、上記高耐圧ドライ
バーICの双方向性スイッチング素子の動作によって、
表示画素を構成するEL層に発光閾値以上の電圧を印加
して発光させて画像を表示し、第1スイッチング回路の
動作によって、上記薄膜EL表示素子のEL層に蓄積さ
れた電荷を外部に取り出してコンデンサーに蓄積し、次
の画像表示に際して、上記高耐圧ドライバーICのプル
アップ共通線あるいはプルダウン共通線に上記双方向性
スイッチング回路に動作によって書き込み電圧または変
調電圧を印加する際に、第2スイッチング回路の動作に
よって、上記コンデンサーに蓄積された電荷を取り出し
て上記双方向性スイッチング回路に送出するので、発光
後の薄膜EL表示素子に蓄積されている変調蓄積電荷を
上記コンデンサーに蓄積し、次の表示時における書き込
み電圧印加時または変調電圧印加時に再利用できる。
したがって、この発明によれば、従来の利点を損なわず
に駆動電力の大部分(約7割)を占めている変調消費電力
を従来駆動に比べて25%低減することができる。ま
た、書き込みエネルギーについても同様な方法が取れる
ため、書き込み消費電力についても25%低減すること
ができ、消費電力を大幅に節約できる。
に駆動電力の大部分(約7割)を占めている変調消費電力
を従来駆動に比べて25%低減することができる。ま
た、書き込みエネルギーについても同様な方法が取れる
ため、書き込み消費電力についても25%低減すること
ができ、消費電力を大幅に節約できる。
第1図はこの発明の一実施例の薄膜EL表示装置の駆動
回路図、第2図は高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの構成例を示す図、第3図は第1図の動作を説明す
るタイムチャートおよび絵素に印加される電圧波形の例
を示す図、第4図は駆動回路のリカバリー回路モデル
図、第5図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第
6図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を
示す図である。 10……薄膜EL表示装置、 20,30……走査側高耐圧プッシュ・プルドライバー
IC(第1双方向性スイッチング回路)、 40……データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーIC
(第2双方向性スイッチング回路)、 100……走査側高耐圧プッシュ・プルドライバーのプ
ルダウン共通線電位切換回路およびリカバリー回路(第
3双方向性スイッチング回路)、 200……走査側高耐圧プッシュ・プルドライバーのプ
ルアップ共通線電位切換回路(第4双方向性スイッチン
グ回路)、 300……データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーの
プルアップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路
(第5双方向性スイッチング回路)、 400……1/2変調電圧ステップ充電回路およびリカ
バリー回路、500……データ反転コントロール回路。
回路図、第2図は高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライ
バーの構成例を示す図、第3図は第1図の動作を説明す
るタイムチャートおよび絵素に印加される電圧波形の例
を示す図、第4図は駆動回路のリカバリー回路モデル
図、第5図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第
6図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を
示す図である。 10……薄膜EL表示装置、 20,30……走査側高耐圧プッシュ・プルドライバー
IC(第1双方向性スイッチング回路)、 40……データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーIC
(第2双方向性スイッチング回路)、 100……走査側高耐圧プッシュ・プルドライバーのプ
ルダウン共通線電位切換回路およびリカバリー回路(第
3双方向性スイッチング回路)、 200……走査側高耐圧プッシュ・プルドライバーのプ
ルアップ共通線電位切換回路(第4双方向性スイッチン
グ回路)、 300……データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーの
プルアップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路
(第5双方向性スイッチング回路)、 400……1/2変調電圧ステップ充電回路およびリカ
バリー回路、500……データ反転コントロール回路。
Claims (1)
- 【請求項1】互いに交差する方向に配列された走査側電
極およびデータ側電極の間にEL層を介設して成る薄膜
EL表示素子における上記走査側電極およびデータ側電
極の少なくとも一方にプッシュ・プル機能を有する双方
向性スイッチング素子で構成された高耐圧ドライバーI
Cが接続されると共に、上記高耐圧ドライバーICのプ
ルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に双方向性ス
イッチング回路によって書き込み電圧および変調電圧を
印加し、上記双方向性スイッチング素子の動作によって
上記EL層に発光閾値以上の電圧を印加して薄膜EL表
示素子に画像を表示する薄膜EL表示装置の駆動回路に
おいて、 上記双方向性スイッチング回路と高耐圧ドライバーIC
のスイッチング素子との動作によって上記薄膜EL表示
素子に蓄積された電荷を、上記EL層が発光した後に外
部に取り出すための第1スイッチング回路と、 上記第1スイッチング回路の動作によって上記薄膜EL
表示素子から外部に取り出された電荷を蓄積するコンデ
ンサーと、 上記コンデンサーに蓄積された電荷を、上記双方向性ス
イッチング回路の動作によって上記高耐圧ドライバーI
Cのプルアップ共通線あるいはプルダウン共通線に書き
込み電圧または変調電圧を印加する際に取り出して、上
記双方向性スイッチング回路に送出する第2スイッチン
グ回路を備えたことを特徴とする薄膜EL表示装置の駆
動回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283515A JPH0634153B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
DE19873724086 DE3724086A1 (de) | 1986-07-22 | 1987-07-21 | Treiberschaltung fuer eine duennschichtige elektrolumineszenzanzeige |
GB8717368A GB2194377B (en) | 1986-07-22 | 1987-07-22 | Driving circuit of thin membrane el display apparatus |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283515A JPH0634153B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63135996A JPS63135996A (ja) | 1988-06-08 |
JPH0634153B2 true JPH0634153B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17666535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61283515A Expired - Lifetime JPH0634153B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-11-27 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (7)
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JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
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KR100560471B1 (ko) * | 2003-11-10 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동 방법 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283515A patent/JPH0634153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS63135996A (ja) | 1988-06-08 |
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