JPS6334592A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリックスデ
イスプレィパネル、すなわち、薄膜ＥＬ表示装置の駆動
回路に関するものである。

〈従来の技術〉 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜ＥＬ表示装置
は次のように構成される。

第４図に図示のように、ガラス基板ｌの上てＩ　ｎ２０
３　よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に
例えばＹ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｌＯ２、Ａｔ２０３等
の誘電物質層３、Ｍｎ等の活性剤をドープしたＺｎＳよ
りなるＥＬ層４、上記と同じ＜　Ｙ２０３、Ｓｉ３Ｎ４
、ＴｉＯ２、Ａｚ２ｏ３　等の誘電物質層３′を蒸着法
、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次５０
０〜＋ｏｏｏｏＸの膜厚に積層して３層構造にし、その
上に上記透明電極２と直交する方向にＡｔ２０３よりな
る帯状の背面電極５を平行に設ける。

上記薄膜ＥＬ素子はその電極２，５間に、誘電物質３，
３′で挾持されたＥＬ物質４を介在させたものであるか
ら、等価回路的には容量性素子と見ることができる。ま
た、前記薄膜ＥＬ素子は第５図に示す電圧−輝度特性か
ら明らかな如く、２００Ｖ程度の比較的高電圧を印加し
て駆動される。

この薄膜ＥＬ素子は交流電界によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。

従来、このような薄膜ＥＬ表示装置のためデータ側各電
極には変調電圧ＶＭを充電するダイオードと０Ｖに放電
させるスイッチング回路を接続すると共如、走査側電極
の駆動回路としてＮｃｈＭＯＳドライバーとＰｃｈ　　
ＭＯＳドライバーを備え、フィールド反転駆動を行ない
、さらに１走査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性
を反転する駆動回路。

あるいは、走査側電極数の増加に対応し、データ側電極
の各々にＥＬ層に対して変調電圧ＶＭを充電するＰｃｈ
高耐圧ＭＯＳドライバーと、Ｏｖに放電させるＮｃｈ高
耐圧ＭＯＳドライバーを接続することにより、書き込み
駆動中てデータ側電極を表示データに従って変調電圧の
充放電を１度に行う駆動回路が提案されている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、これらの提案において走査電極の１ラインに対
して２個以上のドライバーＩＣ（Ｎｃｈ高耐圧ＭＯＳド
ライバーＩＣ及びＰｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバーＩＣ等
）を必要としていた。また、走査側電極に正、負の高電
圧パルスを印加させるため、Ｎｃｈ高耐圧ＭＯＳドライ
バー及びＰｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバーの各制御信号を
フローティングさせる必要があり、そのため各制御信号
用のアイソレーター及び各々フローティング電源（ドラ
イバー制御信号用インタフェース回路）が必要となって
いた。よってＥＬ駆動装置の薄型・コンパクト化及び低
コスト化を阻んでいた。

さらに、データ側から走査側へ、変調電圧ＶＭを一変に
表示装置全体に充電しているため、駆動電力全体の約７
割が変調消費電力であるＥＬ表示装置にとって、この変
調消費電力が非常に多くなり、走査ライン数及びデータ
ライン数の増加による大表示容量化に対しては、不適格
な面があった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、薄
型・コンパクト化及び低コスト化が可能となり、また、
変調時における消費電力を大幅に低減できる駆動回路を
提供することを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉 本発明は、ＥＬ層を互いに交差する方向に配列した走査
側電極とデータ側電極間に介設して構成された薄膜ＥＬ
表示装置において、後述する第１及び第２スイッチング
回路はプッシュ・プル機能をもち、単一電位のシフトレ
ジスタ、ゲート等の論理回路で制御される高耐圧ドライ
バーＩＣを含んでなるものであり、走査側電極の各々に
、データ側電極に対して負極性の電圧及び正極性の電圧
を印加する第１スイッチング回路を接続し、この第１ス
イッチング回路における前記高耐圧ドライバーＩＣのプ
ルダウン用共通線には負極性書き込み電圧と’／２変調
電圧とＯｖに切り替える第３スイッチング回路を接続し
、プルアップ用共通線には正極性書き込み電圧と１／２
変調電圧とに切り替える第４スイッチング回路を接続す
るとともに、データ側電極の各々に前記走査側電極に対
応するＥＬ層に対して変調電圧の充・放電を行う第２ス
イッチング回路を接続し、この第２スイッチング回路に
おける前記高耐圧ドライバーＩＣのプルダウン用共通線
け０Ｖに接続し、プルアンプ用共通線には該共通線をフ
ローティングレベル及び１／／２変調電圧に切換える第
５スイッチング回路を接続し、前記第３．第４．第５の
贋変調電圧を供給するスイッチング回路には１／２変調
電圧を分割して段階的に供給する第６スイッチング回路
を接続してなることを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路である。

く作　用〉 上記により、プッシュ・プル機能をもつ高耐圧ドライバ
ーＩＣを用いているので走査側ドライバーに入力する制
御信号のインターフェース回路ヲ簡素化し、かつ、変調
消費電力を大幅に低減できる。

〈実施例〉 以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。

第１図はこの発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。

１０は発光しきい電圧Ｖｔｈ　（Ｖｗ−’／２ＶＭ　＜
Ｖｔｈ＜　Ｖｗ　＋　’／２　ＶＭ　）の薄膜ＥＬ表示
装置を示し、この図ではＸ方向電極をデータ側電極とし
Ｙ方向電極を走査側電極として電極のみを示している。

２０゜３０はＹ方向電極の奇数ラインと偶数ラインにそ
れぞれ対応する走査側高耐圧プッシュプルタイプドライ
バーＩＣ（第１スイッチング回路に相当）である。２１
．３１は各走査側ドライバーＩＣ２０，３０中のシフト
レジスタ等の論理回路であり、５ｃａｎ　　ｄａｔａ、
ＰＵＰ、ＰＤＷ等の制御信号によりシフトレジスタ中の
５ｃａｎ　　ｄａｔａに対応してプルアップもしくはプ
ルダウン素子がＯＮする状態、５ｃａｎ　　ｄａｔａに
関係なく全てのプルアップもしくはプルダウン素子がＯ
Ｎする状態をつくりだすものであるｏ４０はＸ方向電極
に対応するデータ側高耐圧プッシュプルタイプドライノ
＜　−ＩＣ（第２スイッチング回路に相当）であり、４
１はデータ側ドライバーＩＣ４０中のシフトレジスタ等
の論理回路である。第２図（、）に示す高耐圧プッシュ
プルタイプドライバーの一構成例を第２図（ｂ）に示す
。第２図（ｂ）において、５０１はプルアップ用のＰｃ
ｈ高耐圧ＭＯ５ＦＥＴ、５０２はプルダウン用のＮｃｈ
高耐圧ＭＯ９ＦＥＴ、５０３，５０４は各々のＦＥＴに
対して逆方向に電流を流すためのダイオードである。５
０１，５０２は入力データに応じてレベルシフタ等の回
路によりＯＮ、ＯＦＦが行なわれる。この高耐圧プッシ
ュプルタイプドライバーは、プルアップ機能をもつスイ
ッチング素子とプルダウン機能をもつスイッチング素子
で構成されていれば差しつかえない。

１００は走査側ドライバー２０．３０のプルダウン共通
線電位を切換える回路（第３スイッチング回路に相当）
であり、制御信号ＮＶＣ，ＮＧＣ。

ＮＭ８により負極性の書き込み電圧−Ｖｗ　＋　’／２
ＶＭと変調電圧１／２ｖＭと０Ｖに切換えるスイッチＳ
ＷＩ。

ＳＷ２．ＳＷ３より構成されている。

２００は走査側ドライバー２０．３０のプルアップ共通
線電位を切換える回路（第４スイツチンλ グ回路に相当）であり、制御信号ＰＶＣ，ＰＭ望により
正極性の書き込み電圧ＶＷ　＋　１／２　Ｖ　Ｍと変調
電圧’／２　Ｖ　Ｍ　に切換えるスイッチＳＷ４．ＳＷ
５より構成されている。

３００はデータ側ドライバー４０のプルアップ共通線電
位を切換える回路（第５スイッチング回路に相当）であ
り、制御信号Ｍ＋により変調電圧’／２　Ｖ　Ｍとフロ
ーティング状態に切換えるスイッチＳＷ６より構成され
ている。

４００は制御信号ＭＤＷによりスイッチ５Ｗ８ｉＯＮＬ
、コンデンサＣＭに変調電圧’／４ＶＭを充電し、その
後にスイッチＳＷ８を０ＦＦＬ、制御信号ＭＵＰにより
スイッチＳＷＴをＯＮすることで、’／４　ＶＭの変調
電圧の引加後、’／２　ＶＭの変調電圧を供給する回路
（第６スイッチング回路に相当）であり、制御信号Ｍ＋
、ＮＭ２．ＰＭ２により制御されるスイッチＳＷ３．Ｓ
Ｗ５．ＳＷ６に接続される。

５００はデータ反転コントロール回路である。

次に、第３図のタイムチャートを用いて、第１図の動作
について説明する０ ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むＹｌと絵素Ｂを含む
Ｙ２の走査電極が選択されるものとする。

また、この駆動装置ではｌライン毎に絵素に印加される
書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走査側選
択電極に接続されている高耐圧ドライバーＩＣ２０，３
０のプルダウン用ＭＯ８ＦＥＴをＯＮし、その電極ライ
ン上の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラインの
駆動タイミングをＮ、駆動タイミングと呼び、一方、プ
ルアップ用ＭＯ３ＦＥＴをＯＮＬ、その電極ライン上の
絵素に正の書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タ
イミングをＰ駆動タイミングと呼ぶことにする。

又、走査側奇数ラインに対してＮ駆動をし、偶数ライン
に対してＰ駆動を実行するフィールド（画面）をＮＰフ
ィールド、その逆のフィールドをＰＮフィールドと呼ぶ
ことにする。

（Ａ）ＮＰフィールド 走査側の全てのドライバーＳＤ、ｌ〜５ＤｒｉのＮｃｈ
　ＭＯＳＦＥＴをＯＮさせ、制御信号ＮＧＣによりスイ
ッチＳＷ２をＯＮさせることで、走査側全電極を０Ｖに
保つ。同時に制御信号Ｍ１によりスイッチＳＷ６をＯＮ
させる。この時、データ側のドライバーＤＤｒｌ〜ＤＤ
、ｉは表示データ信号に従い発光の場合Ｐｃｈ　　ＭＯ
ＳＦＥＴをＯＮにし、非発光の場合Ｎｃｈ　　ＭＯＳＦ
ＥＴをＯＮＫする。ここで表示データ信号が”Ｈ”で発
光、　“Ｌ″で非発光の場合、入力表示データ信号（Ｄ
ＡＴＡ）をそのままドライバーＩＣ４０に入力する必要
があるので、データ反転コントロール回路５００におけ
る信号ＲＶＣは“Ｌ”にしておく。（但しドライバーＩ
Ｃｉ″Ｈ”でＰｃｈ　ＭＯＳＦＥＴがＯＮ、　Ｎｃｈ　
ＭＯＳＦＥＴがＯＦＦし、”Ｌ”でＰｃｈ　ＭＯＳＦＥ
ＴがＯＦ　Ｆ　、　Ｎｃｈ　ＭＯＳＦＥＴがＯＮするも
のとする。また、線順次駆動を行なっているため、表示
データは前ライン駆動時に転送が行なわれ、ラッチによ
り保持される。）ここで、発光絵素に’／４　ＶＭの変
調電圧を印加するとともに、制御信号ＭＤＷＫよりスイ
ッチＳＷ８を０ＮＩＣしてコンデンサＣＭに’／４　Ｖ
Ｍの変調電圧を充電する。次に制御信号ＭＤＷＫ：より
スイッチＳＷ８をＯＦＦにした後、制御信号ＭＵＰによ
りスイッチＳＷ７をＯＮさせ、発光絵素に’／２ＶＭの
変調電圧を印加する。これにより発光絵素だけに段階的
に第１変調電圧’／２ＶＭがデータ側に充電され、非発
光絵素には充電されず、データ側電極電位は０Ｖに保た
れる。充電が完了すると、スイッチＳＷ６．ＳＷ７はＯ
ＦＦにする。

選択走査電極に接続のドライバーのみＮｃｈＭＯ８ＦＥ
ＴをＯＮさせ、他の走査側ドライバーはＰｃｈ　　ＭＯ
ＳＦＥＴをＯＮさせる。同時に走査側全ドライバーＩＣ
２０，３０のプルアップ共通線には、制御信号２■場に
よりスイッチＳＷ５をＯＮにして’／４ＶＭの変調電圧
を印加し、その後に制御信号ＭＵＰによりＳＷ７をＯＮ
することで’／２ＶＭの変調電圧を印加する。

また、プルダウン共通線洗は制御信号ＮＶＣによりスイ
ッチＳＷＩをＯＮにし、負極性の書き込み電圧−Ｖｗ　
＋　”／２　Ｖ　ｐａを印加する。一方、データ側ドラ
イバー４０は、Ｎ駆動における第１変調電圧充電期間（
ＴＮＩ）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素にはＮ駆動における第１変調電圧
充電期間（ＴＮＩ）にデータ側に’／２ＶＭの変調電圧
が充電されているため、データ側電極電位はＶＭとなり
、選択走査側電極には負極性の書き込み電圧−ＶＷ　＋
　１／２　ＶＭが印加されるため、発光絵素にけＶＭ−
（−Ｖｗ＋’／２ＶＭ）＝ＶＷ＋’／２ＶＭが印加され
発光する。

また、非発光絵素はデータ側電極電位が０■であり、選
択走査側電極には負極性の書き込み電圧−ｖｗ＋】７２
７Ｍが印加されているため、非発光性絵素にハＯＶ　−
（−Ｖｗ＋　’／２ＶＭ　）＝Ｖｗ　−’／２　ＶＭが
印加されるが、発光しきい値電圧Ｖｔｈ以下なので発光
しない。

制御信号ＮＶＣ，ＰＭ！Ｌ、ＭＵＰＫよりスイッチＳＷ
Ｉ、ＳＷ５．ＳＷ７をＯＦＦにした後、制御信号ＮＧＣ
によりスイッチＳ　Ｗ　２をＯＮさせ、同時に走査側全
ドライバーのＮｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをＯＮさせる。こ
れにより、書き込み電圧及び第２変調電圧は放電され、
全走査電極は０Ｖになる。

走査側の全てのドライバー５Ｄｒｌ〜ＳＤ　、　ｉのＮ
ｃｈ　ＭＯＳＦＥＴをＯＮさせ制御信号ＮＧＣによりス
イッチＳＷ２をＯＮさせておくことで、走査側全電極の
電位を０Ｖに保つ。同時に、制御信号Ｍｌによりスイッ
チＳＷ６をＯＮさせる。この時、データ側のドライバー
ＤＤ　ｒｌ−ＤＤ　ｒｉは表示データ信号の反転信号に
従い発光の場合Ｎｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをＯＮにし、非
発光の場合Ｐｃｈ　　ＭＯＳＦＥＴをＯＮにする。

ここで入力表示データ信号（ＤＡＴＡ）の反転信号をド
ライバーＩＣ４０に入力する必要があるので、データ反
転コントロール回路５００における信号ＲＶＣは′Ｈ＃
にしておく。また、非発光絵素に’／ＬＶＭの変調電圧
を印加するとともに、制御信号ＭＤＷによりスイッチｓ
ｗｓをＯＮにしてコンデンサＣＭに’／４ＶＭの変調電
圧を充電する。次に制御信号ＭＤＷによりスイッチＳＷ
ＳをＯＦＦにした後、制御信号ＭＵＰによりスイッチＳ
Ｗ７をＯＮさせて非発光絵素に’／２ＶＭの変調電圧を
印加する。この時、発光絵素には充電されずデータ側電
極電位は０Ｖになる。これにより非発光絵素だけに、変
調電圧’／２ＶＭが段階的にデータ側に充電される。充
電が完了するとスイッチＳＷ６．ＳＷ７はＯＦＦにする
。

選択走査電極に接続のドライバーのみＰｃｈＭＯ３ＦＥ
ＴをＯＮさせ、他の走査側ドライバーはＮｃｈ　ＭＯＳ
ＦＥＴをＯＮさせる。同時に走査側全ドライバーＩＣ２
０，３０のプルアップ共通線には、制御信号ＰＶＣによ
りスイッチＳＷ４をＯＮにし、正極性の書き込み電圧Ｖ
Ｗ　＋　１／２　ＶＭを印加する。また、プルダウン共
通線には、制御信号ＮＭ♂によりスイッチＳＷ４をＯＮ
にして、１／４ＶＭの変調電圧を印加し、その後に制御
信号ＭＵＰによりスイッチＳＷ８をＯＮすることで段階
的に’／２ＶＭの変調電圧を印加する。一方、データ側
ドライバー４０はＰ駆動における第１変調電圧充電期間
（ＴＰ　＋　）の駆動を継続する。

これにより、発光絵素は選択走査電極に正極性の書き込
み電圧Ｖｗ　＋　’／２　ＶＭが印加され、データ側電
極電位がＯＶであるので、発光絵素には（”Ｗ　”　Ｉ
／２ｖＭ　）　　ＯＶ　＝ＶＷ　＋　ｌ／２　Ｖ　Ｍが
印加され発光する。また非発光絵素はＰ駆動における第
１変調電圧充電期間（Ｔｐｌ）にデータ側に’／２ＶＭ
の変調電圧が充電されているため、データ側電極電位は
ＶＭとなり、選択走査側電極には正極性の書き込み電圧
ｖｗ＋１／／２ｖＭが印加されているため、非発光絵素
には（Ｖｗ　＋　’／２ＶＭ）　−ＶＭ　＝ＶＷ−１／
２ＶＭが引加されるが発光しきい値電圧Ｖｔｈ以下なの
で発光しない。

制御信号ＮＭ−＆、ＰＶＣ，ＭＵＰによりスイッチＳＷ
３．ＳＷ４．ＳＷ７をＯＦＦにした後制御信号ＮＧＣに
よりスイッチＳＷ２をＯＮさせ、同時に走査側全ドライ
バーのＮｃｈ　ＭＯＳＦＥＴをＯＮさせる。これにより
書き込み電圧及び第２変調電圧は放電され、全走査電極
はＯｖになる。

（Ｂ）ＰＮフィールド ＮＰフィールドＰ駆動における第１変調電圧充電期間（
Ｔｐ　＋　）と同様の駆動を行う。

ＮＰフィールドＰ駆動における第２変調電圧充電及び書
き込み期間（ＴＰ２）と同様の駆動を行う。

ＮＰフィールドＰ駆動における放電期間（Ｔｐａ）と同
様の駆動を行う。

ＮＰフィールドＮ駆動における第１変調電圧充電期間（
ＴＮＩ）と同様の駆動を行う。

ＮＰフィールドＮ駆動における第２変調電圧充電及び書
き込み期間（ＴＮ２）と同様の駆動を行う。

ＮＰフィールドＮ駆動における放電期間（ＴＮ３）と同
様の駆動を行う。

以上のように、この駆動回路ではＮＰフィールドとＰＮ
フィールドの駆動タイミングより構成されており、ＮＰ
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してＮ
駆動を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実行し、
ＰＮフィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜
ＥＬ表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルス
を閉じるものである。第５図には、絵素人、絵素Ｂに印
加される電圧波形を代表例として示している。

ところで、従来の駆動回路であれば、Ｎ駆動では発光絵
素にはＶＭを充電し、非発光絵素には充電しない。Ｐ駆
動では発光絵素には充電せず非発光絵素にはＶＭを充電
するため、発光・非発光絵素に対して変調消費電力は変
化せず、たとえば全面発光状態における１ライン駆動時
の平均変調消費電力は、全絵素の容量をＣとすると（Ｎ
駆動での消費電力中Ｐ駆動での消費電力）全２＝（ＣＶ
Ｍ”＋　Ｏ）＋２＝　１／２ＣＶＭとなる。

一方、この駆動回路であれば、Ｎ駆動では発光・非発光
絵素ともに’／２ＶＭが充電され、Ｐ駆動でも発光・非
発光絵素ともに’／２ＶＭが充電されるため、全面発光
状態における１ライン駆動時の平均変調消費電力は、（
Ｎ駆動での消費電力＋Ｐ駆動での消費電力）　全２＝　
（Ｃ（”／２ＶＭ）２＋Ｃ（／２ＶＭ）２１　＋　２＝
’／４ＣＶＭとなる。

このように、この駆動回路では従来の駆動回路での変調
消費電力に対してｌ／／２低減される。またｌ／／２変
調電圧を２段階にわけて印加することによりさらにＶ４
低減される。よって全体としてはｈ低減される。

また、走査側ドライバーＩＣ２０，３０は、Ｎ駆動時で
は（ＶＷ＋’／２ＶＭ）　−１／２ＶＭ＝ＶＷ　、　Ｐ
駆動時でも’／２ＶＭ　　（ＶＷ＋　１／２ＶＭ）＝Ｖ
Ｗ　　（７）耐圧を必要とするが、この時の発光絵素に
印加される電圧ばＶｗ　＋’／２　ＶＭとなるので、発
光絵素に印加できる電圧は、走査側ドライバーＩＣ耐圧
＋’／２ＶＭまで印加できるため、耐圧の低いＩＣ，も
しくは薄膜ＥＬ表示装置の発光しきい値電圧が高いもの
に対しても、対応が可能である。

さらに、この、駆動回路では単一のシフトレジスタとド
ライバー制御信号により出力段ドライバーのプルアップ
及びプルダウンを制御しているが、従来の駆動回路であ
ればプルアップ制御用のシフトレジスタと制御信号、プ
ルダウン制御用のシフトレジスタと制御信号が必要であ
り、また、走査電極に正及び負の高電圧パルスを印加さ
せるためには、両方の制御信号をフローティングさせな
ければならない。しかしプッシュプルタイプ高耐圧ドラ
イバーではフローティング制御信号は従来の半分となり
、ドライバー制御信号用インタフェース回路の削減につ
ながりコスト低減に寄与する。

また従来の駆動回路では走査電極１ライン当りの高耐圧
ドライバーは２個以上必要としていたが、プッシュプル
タイプ高耐圧ドライバーでは１個の為、大幅なコスト低
減かつ、薄型コンパクト化が行なわれる。

〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、駆動電力の大部分（約７
割）を占めている変調消費電力を従来駆動に比べ偽に低
減することができるので、装置全体として大幅に消費電
力が節約できる。さらに、プルアップ機能とプルダウン
機能を合せ持つ高耐圧ドライバーを使用することで、走
査側ドライバーに入力する制御信号のインタフェース回
路を簡素化しかつ、走査電極Ｉライン当りのドライバー
コストが低減するため、装置全体として大幅なコスト低
減が可能となりかつ薄型・コンパクトな薄膜ＥＬ表示装
置の駆動回路を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す電気回路図、第２図
（ａ）　、　（ｂ）はプッシュプルタイプドライバーの
一構成例、第３図は第１図の動作を説明するタイムチャ
ート、第４図は薄膜ＥＬ表示装置の一部切欠き斜視図、
第５図は薄膜ＥＬ表示装置の印加電圧に対する輝度特性
を示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＥＬ層を、互いに交差する方向に配列した走査側電
   極とデータ側電極間に介設して構成した薄膜ＥＬ表示装
   置において、 走査側電極の各々に、該走査側電極を介してデータ側電
   極に対して負極性及び正極性の電圧を印加する第１スイ
   ッチング回路を接続するとともに、データ側電極の各々
   に、前記走査側電極に対応するＥＬ層に対して変調電圧
   を充放電する第２スイッチング回路を接続し、 前記第１及び第２スイッチング回路は、プッシュ・プル
   機能をもち単一電位の論理回路で制御される高耐圧ドラ
   イバＩＣを含んでなり、前記第１スイッチング回路にお
   ける高耐圧ドライバＩＣのプルダウン用共通線には、負
   極性の書き込み電圧と１／２変調電圧と０Ｖに切り替え
   る第３スイッチング回路、およびプルアップ用共通線に
   は正極性の書き込み電圧と１／２変調電圧に切り替える
   第４スイッチング回路を接続し、 前記第２スイッチング回路における高耐圧ドライバＩＣ
   のプルダウン用共通線は０Ｖに接続し、プルアップ用共
   通線には該共通線をフローティングレベルと１／２変調
   電圧に切り替える第５スイッチング回路を接続し、 前記第３、第４、第５の１／２変調電圧を供給するスイ
   ッチング回路には、１／２変調電圧を分割して段階的に
   供給する第６スイッチング回路を接続してなることを特
   徴とする薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路。