JPS6097394A - 薄膜el表示装置の駆動装置 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動装置Info
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- JPS6097394A JPS6097394A JP58206514A JP20651483A JPS6097394A JP S6097394 A JPS6097394 A JP S6097394A JP 58206514 A JP58206514 A JP 58206514A JP 20651483 A JP20651483 A JP 20651483A JP S6097394 A JPS6097394 A JP S6097394A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、高電圧駆動を要する、交流駆動型容量性フラ
ット・マトリックスディプレイパネルである薄膜EL表
示装置の駆動装置に関するものである。
ット・マトリックスディプレイパネルである薄膜EL表
示装置の駆動装置に関するものである。
例えば、二重絶縁型(又は三層構造)薄膜EL表示装置
は次のように構成される。
は次のように構成される。
第1図に図示のように、ガラス基板1の上にIn2O3
よりなる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に例え
ばY2O3、S i3N4% T i02、At203
等の誘電物質層3 、Mn等の活性剤をドープしたZn
SよりなるEL層4、上記と同じ< Y2O3,3j
3N4、TiO2、At203等の誘電物質層3′を蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
500〜100OOAの膜厚に積層して3層構造にし、
その上に上記透明電極2と直交する方向にAA、03よ
シなる帯状の背面電極5を平行に設ける。
よりなる帯状の透明電極2を平行に設け、この上に例え
ばY2O3、S i3N4% T i02、At203
等の誘電物質層3 、Mn等の活性剤をドープしたZn
SよりなるEL層4、上記と同じ< Y2O3,3j
3N4、TiO2、At203等の誘電物質層3′を蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
500〜100OOAの膜厚に積層して3層構造にし、
その上に上記透明電極2と直交する方向にAA、03よ
シなる帯状の背面電極5を平行に設ける。
上記薄膜EL素子はその電極間に、誘電物質3.3′で
挾持されたEL物質4を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、該
薄膜EL素子は第2図に示す電圧−輝度特性(実線)か
ら明らかな如く、200V程度の比較的高電圧を印加し
て駆動される0 〈従来技術〉 従来、このような薄膜E L表示装置のため、プルアッ
プ機能のみを有する高耐圧N−chMOsドライバとプ
ルアップ機能を有するダイオードを組合わせてその駆動
回路を構成している。第3図に従来の駆動回路構成例を
示す。公知文献としては例えば、日経エレクトロニクス
、1979年4月2日号の特集「薄膜エレクトロルミネ
セント(EL)文字ディスプレイの実用化技術」がある
。
挾持されたEL物質4を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、該
薄膜EL素子は第2図に示す電圧−輝度特性(実線)か
ら明らかな如く、200V程度の比較的高電圧を印加し
て駆動される0 〈従来技術〉 従来、このような薄膜E L表示装置のため、プルアッ
プ機能のみを有する高耐圧N−chMOsドライバとプ
ルアップ機能を有するダイオードを組合わせてその駆動
回路を構成している。第3図に従来の駆動回路構成例を
示す。公知文献としては例えば、日経エレクトロニクス
、1979年4月2日号の特集「薄膜エレクトロルミネ
セント(EL)文字ディスプレイの実用化技術」がある
。
第3図において、10は前記の薄膜EL表示装置を示し
、この図ではX方向の電極をデータ側電極とし、Y方向
電極を走査側電極とし、電極のみを示している。
、この図ではX方向の電極をデータ側電極とし、Y方向
電極を走査側電極とし、電極のみを示している。
20.30は走査側N−chMO8Icで、21.31
はIC中のシフトレジスタ等の論理回路である。
はIC中のシフトレジスタ等の論理回路である。
40はY方向電極の奇数番目のラインにカソード側が接
続されたアノード共通のダイオードアレイであり、走査
側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス保護を
する。50はY方向電極の偶数番目のラインにカソード
側が接続されたアノード共通のダイオードアレイであり
、走査側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス
保護をする。
続されたアノード共通のダイオードアレイであり、走査
側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス保護を
する。50はY方向電極の偶数番目のラインにカソード
側が接続されたアノード共通のダイオードアレイであり
、走査側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス
保護をする。
60はデータ側N−chMO3Icで、61はIC中の
シフトレジスタ等の論理回路である。
シフトレジスタ等の論理回路である。
70はデータ側のダイオードアレイを示し、これはデー
タ側駆動線の分離と後述する高耐圧トランジスタよりな
るスイッチング素子の逆バイアスを保護する作用をする
。
タ側駆動線の分離と後述する高耐圧トランジスタよりな
るスイッチング素子の逆バイアスを保護する作用をする
。
80.90は書込み及びリフレッシュ駆動回路、100
は予備充電駆動回路、110は引き上げ充電駆動回路で
ある。
は予備充電駆動回路、110は引き上げ充電駆動回路で
ある。
次にこの回路の動作を第4図のタイムチャートとともに
説明する。第4図は第3図中の絵素A、Bを代表例とし
、各々の印加電圧波形を示すものである。
説明する。第4図は第3図中の絵素A、Bを代表例とし
、各々の印加電圧波形を示すものである。
第1段階TJ:予備充電期間
まず、走査側電極に接続されたIC20,30内のすべ
ての高耐圧MOSトランジスタをオン状態にする。同時
に予備充電駆動回路100をオン状態にしくこの時デー
タ側IC60内の全MOSトランジスタはオフ状態)、
データ側ダイオードアレイ70を介してパネル全面を充
電する。この結果、走査側電極はすべて0■になり、一
方データ側駆動電極はすべて30Vになる。
ての高耐圧MOSトランジスタをオン状態にする。同時
に予備充電駆動回路100をオン状態にしくこの時デー
タ側IC60内の全MOSトランジスタはオフ状態)、
データ側ダイオードアレイ70を介してパネル全面を充
電する。この結果、走査側電極はすべて0■になり、一
方データ側駆動電極はすべて30Vになる。
次に、走査側IC20,30内の全MO8)ランジスタ
をオフ状態にして、引き上げ充電駆動回路110をオン
に切換え、走査側ダイオードアレイ40.50を介して
すべての走査側電極を30Vまで引き上げる。ELマト
リックスの電極交点が容量結合している性質からすべて
のデータ側駆動電極は60Vまで引き上げられる0この
後、IC60内の選択されたデータ側駆動電極に接続さ
れたMOS)ランジスタのみオフ状態のままにし、他の
データ側駆動電極に接続されたトランジスタをオン状態
に切換え、データ側の非選択電極の電荷を放電する。こ
の結果、選択されたデータ側電極の60Vを保ち、非選
択電極ばOvになる。今、走査側電極はすべて30Vに
引き上げられているため、走査側電極から見れば、選択
されたデータ側電極は+30V、非選択電極は一30V
の状態にある。
をオフ状態にして、引き上げ充電駆動回路110をオン
に切換え、走査側ダイオードアレイ40.50を介して
すべての走査側電極を30Vまで引き上げる。ELマト
リックスの電極交点が容量結合している性質からすべて
のデータ側駆動電極は60Vまで引き上げられる0この
後、IC60内の選択されたデータ側駆動電極に接続さ
れたMOS)ランジスタのみオフ状態のままにし、他の
データ側駆動電極に接続されたトランジスタをオン状態
に切換え、データ側の非選択電極の電荷を放電する。こ
の結果、選択されたデータ側電極の60Vを保ち、非選
択電極ばOvになる。今、走査側電極はすべて30Vに
引き上げられているため、走査側電極から見れば、選択
されたデータ側電極は+30V、非選択電極は一30V
の状態にある。
第3段階T3:書込み駆動期間
選択された走査側電極が偶数番目である時、奇数側書込
み及びリフレッシュ駆動回路80をオン状態に肱走査側
ダイオードプレイ40を介してすべての奇数側走査電極
を+190■に引き上げる。この時、先に述べた容量結
合の性質から、選択されたデータ側駆動電極は+220
vに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は+16
0vに引き上げられる。この後、IC30内の選択され
た走査電極(今の場合偶数番目)に対応するMCl5)
ランジスタのみをオンに切換えるとこの走査電極がov
となり、結局選択交点絵素には発光するのに十分な書込
み電圧220V(尖頭値)が加わる。他方、選択された
走査側電極上の非選択絵素には発光しきい値以下の16
0V(尖頭値)が加わる。
み及びリフレッシュ駆動回路80をオン状態に肱走査側
ダイオードプレイ40を介してすべての奇数側走査電極
を+190■に引き上げる。この時、先に述べた容量結
合の性質から、選択されたデータ側駆動電極は+220
vに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は+16
0vに引き上げられる。この後、IC30内の選択され
た走査電極(今の場合偶数番目)に対応するMCl5)
ランジスタのみをオンに切換えるとこの走査電極がov
となり、結局選択交点絵素には発光するのに十分な書込
み電圧220V(尖頭値)が加わる。他方、選択された
走査側電極上の非選択絵素には発光しきい値以下の16
0V(尖頭値)が加わる。
なお、上述したように選択されたデータ側駆動電極は+
220Vに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は
+1.60Vに引き上げられるものの、奇数番目の走査
側電極及び選択された走査側を除く偶数番目の走査側電
極から見れば、選択されたデータ側電極は+30V、非
選択電極は一30Vの状態の1まで、第2段階T2がら
の変化はない。
220Vに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は
+1.60Vに引き上げられるものの、奇数番目の走査
側電極及び選択された走査側を除く偶数番目の走査側電
極から見れば、選択されたデータ側電極は+30V、非
選択電極は一30Vの状態の1まで、第2段階T2がら
の変化はない。
選択された走査側電極が奇数番目の時は、偶数側書込み
及びリフレッシュ駆動回路9oをオン状態にし、走査側
ダイオードアレイ5oを介してすべての偶数側走査電極
を+190Vtで引き上げる。
及びリフレッシュ駆動回路9oをオン状態にし、走査側
ダイオードアレイ5oを介してすべての偶数側走査電極
を+190Vtで引き上げる。
書込み後、逆極性のりフレッシュパルス印加以上の3段
階による線順次書込み駆動を、走査側電極すべてについ
て行ない、1画面分の書込み終了後、IC60内の全デ
ータ側トランジスタをオン状態にし、同時に書込み及び
リフレッシュ駆動回路80.90をオン状態にすると、
走査側ダイオードアレイ40.50を介して、書込み駆
動とは極性が逆で振幅190Vのリフレッシュパルスが
パネル全面にわたって加わる。
階による線順次書込み駆動を、走査側電極すべてについ
て行ない、1画面分の書込み終了後、IC60内の全デ
ータ側トランジスタをオン状態にし、同時に書込み及び
リフレッシュ駆動回路80.90をオン状態にすると、
走査側ダイオードアレイ40.50を介して、書込み駆
動とは極性が逆で振幅190Vのリフレッシュパルスが
パネル全面にわたって加わる。
第4図において、実線は上記3段階による各線順次書込
み駆動時にデータ側電極が選択された場合であり、破線
は選択されなかった場合である。
み駆動時にデータ側電極が選択された場合であり、破線
は選択されなかった場合である。
以上に説明したように、従来の駆動装置においては、第
4図に示す如く、リフレッシュパルスに対して書込みパ
ルスの位相が走査電極にそって順次変わり、また、デー
タ側電極の選択、非選択によって予備充電電圧によるD
C電圧が生じる。この2つのことは、交流駆動型である
薄膜E T、表示装置において、電圧−輝度特性に変化
を生じさせ、例えば第2図の破線の如くになって、表示
品質の低下など長期信頼性の上で望ましくない現象を起
させている。
4図に示す如く、リフレッシュパルスに対して書込みパ
ルスの位相が走査電極にそって順次変わり、また、デー
タ側電極の選択、非選択によって予備充電電圧によるD
C電圧が生じる。この2つのことは、交流駆動型である
薄膜E T、表示装置において、電圧−輝度特性に変化
を生じさせ、例えば第2図の破線の如くになって、表示
品質の低下など長期信頼性の上で望ましくない現象を起
させている。
〈発明の目的〉
本発明は上記点に鑑み、走査側電極の駆動回路として、
プルダウン機能のみを有するN−chMOsドライバと
プルアップ機能のみを有するP−chMOsドライバを
巧みに組み合わせ、交流駆動型、容量性の薄膜EL装置
に対して最も適したパルスを印加し得る駆動装置を提供
するものである。
プルダウン機能のみを有するN−chMOsドライバと
プルアップ機能のみを有するP−chMOsドライバを
巧みに組み合わせ、交流駆動型、容量性の薄膜EL装置
に対して最も適したパルスを印加し得る駆動装置を提供
するものである。
〈実施例〉
第5図に本発明における駆動回路構成例を示す。
第6図は第5図中の絵素C及びDを代表例とし各各の印
加電圧波形を示すタイムチャートである。
加電圧波形を示すタイムチャートである。
第5図において、第3図と同一機能を有する部分につい
ては第3図と同じ符号を付して示す。従って同一部分に
ついては説明を省略する。
ては第3図と同じ符号を付して示す。従って同一部分に
ついては説明を省略する。
310.320は奇数番目、偶数番目の各々走査(11
,11ダイオードアレイ40.50の代りに設けられた
P−ah高耐圧MO3ICで、311,321は各IC
中のシフトレジスタ等の論理回路である。
,11ダイオードアレイ40.50の代りに設けられた
P−ah高耐圧MO3ICで、311,321は各IC
中のシフトレジスタ等の論理回路である。
330 、340は書込み駆動回路である。
絵素Cを含む走査側電極X2を選択走査側電極とする場
合を例として説明する。本案駆動装置ではフィールド毎
に極性を反転して駆動される。第1のフィールドを奇数
フィールド、紀2のフィールドを偶数フィールドと呼ぶ
。
合を例として説明する。本案駆動装置ではフィールド毎
に極性を反転して駆動される。第1のフィールドを奇数
フィールド、紀2のフィールドを偶数フィールドと呼ぶ
。
走査側N−chMOS I C20、30内のすべての
MOSトランジスタNT、〜NTiをオン状態にする。
MOSトランジスタNT、〜NTiをオン状態にする。
同時に予備充電駆動回路1000[圧■+x )をオン
状態にし、データ側ダイオードアレイ70を介してパネ
ル全面を充電する。この時、データ側N−chMo S
I C60内の全MO8)ランジスクN t 、 〜
N t i及び走査側P−chMO8IC310。
状態にし、データ側ダイオードアレイ70を介してパネ
ル全面を充電する。この時、データ側N−chMo S
I C60内の全MO8)ランジスクN t 、 〜
N t i及び走査側P−chMO8IC310。
320内の全MOSトランジスタPTI〜PTiはすべ
てオフ状態に保たれる。
てオフ状態に保たれる。
奇数フィールド第2段階T2:放電期間次に走査側N−
chMOS I C20、30内の全MOSトランジス
タNT、〜NTiをオフ状態にして、かつデータ側N−
chMo S I C60内の選択されたデータ側、駆
動電極に接続されたMOSトランジスタのみオフ状態の
ままにし、他のデータ側駆動電極に接続されたMOS)
ランジスタをオン状態に切換える。まだ同時に、走査側
P−chMO8IC310,320内の全MO−8)ラ
ンジスタPT、〜PTiをオン状態にする。データ側の
非選択電極の電荷は、オンしているデータ側N−chM
O8IC60内のMOS)ランジスタと、走査側P−c
hMO8IC310,320内のMOSトランジスタP
T、〜PTl及び書込み駆動回路330.340内のダ
イオード331,341による接地ループ形成で放電す
る。選択されたデータ側電極の電荷はそのまま保持する
。
chMOS I C20、30内の全MOSトランジス
タNT、〜NTiをオフ状態にして、かつデータ側N−
chMo S I C60内の選択されたデータ側、駆
動電極に接続されたMOSトランジスタのみオフ状態の
ままにし、他のデータ側駆動電極に接続されたMOS)
ランジスタをオン状態に切換える。まだ同時に、走査側
P−chMO8IC310,320内の全MO−8)ラ
ンジスタPT、〜PTiをオン状態にする。データ側の
非選択電極の電荷は、オンしているデータ側N−chM
O8IC60内のMOS)ランジスタと、走査側P−c
hMO8IC310,320内のMOSトランジスタP
T、〜PTl及び書込み駆動回路330.340内のダ
イオード331,341による接地ループ形成で放電す
る。選択されたデータ側電極の電荷はそのまま保持する
。
この実施例では引き上げ充電はなく、走査側電極はO■
で、走査側電極からみて選択され左データ側電極は+3
0v1非選択電極はoVの状態にある。
で、走査側電極からみて選択され左データ側電極は+3
0v1非選択電極はoVの状態にある。
選択された走査側電極がX2であるとすると、走査側N
−chMOS I C30内のX2に接続されたMOS
)ランジスタNT2のみをオン状態に切換え、同時に偶
数番目の方の走査側P−chMO8IC320内の全M
O8)ランジスタPT2〜PTiをオフ状態にする。つ
まりこの時、対向する奇数番目の方の走査側P−chM
o S I C310内の全MOSトランジスタPT、
〜P Ti −1はオン状態にある。この走査側P−c
hMOS I C310内のMosトランジスタPT、
〜P Ti −+を介してすべての奇数側走査電極を+
190vに引き上げられる。そして、上記選択された走
査側電極X2に接続された走査側MO3IC30内のM
OSトランジスタNT2のみをオン状態とすることによ
り、容量結合の性質から、選択されたデータ11!l駆
動電極は+220Vに引き上げられ、非選択のデー・夕
電極は+190Vに引き上げられる。
−chMOS I C30内のX2に接続されたMOS
)ランジスタNT2のみをオン状態に切換え、同時に偶
数番目の方の走査側P−chMO8IC320内の全M
O8)ランジスタPT2〜PTiをオフ状態にする。つ
まりこの時、対向する奇数番目の方の走査側P−chM
o S I C310内の全MOSトランジスタPT、
〜P Ti −1はオン状態にある。この走査側P−c
hMOS I C310内のMosトランジスタPT、
〜P Ti −+を介してすべての奇数側走査電極を+
190vに引き上げられる。そして、上記選択された走
査側電極X2に接続された走査側MO3IC30内のM
OSトランジスタNT2のみをオン状態とすることによ
り、容量結合の性質から、選択されたデータ11!l駆
動電極は+220Vに引き上げられ、非選択のデー・夕
電極は+190Vに引き上げられる。
選択された走査側電極が奇数番目の時は、偶数番目の方
の走査側P−chMo S I C320内の全MO8
)ランジスタPT2〜PTiをオン状態にして、すべて
の偶数側走査電極が+190vに引き上げられる。
の走査側P−chMo S I C320内の全MO8
)ランジスタPT2〜PTiをオン状態にして、すべて
の偶数側走査電極が+190vに引き上げられる。
書込み駆動回路330.340はこの第3段階の書込み
駆動期間内にオン状態(選択された走査側電極が偶数番
目の時は330がオン、奇数番目の時は340がオン)
となるが、奇数フィールドにおいては上記し、たように
VW(=190V)が供給される。後述するが偶数フィ
ールドの時は切換えられて、VW+VM(=220V
) が供給サレる0 以上走査側電極X2を例とした第1段階から第3段階と
同様の駆動を、走査側電極X、からXiまで順次駆動す
ることによって奇数フィールドの駆動を完了し、ひきつ
づき偶数フィールドの駆動を始める。
駆動期間内にオン状態(選択された走査側電極が偶数番
目の時は330がオン、奇数番目の時は340がオン)
となるが、奇数フィールドにおいては上記し、たように
VW(=190V)が供給される。後述するが偶数フィ
ールドの時は切換えられて、VW+VM(=220V
) が供給サレる0 以上走査側電極X2を例とした第1段階から第3段階と
同様の駆動を、走査側電極X、からXiまで順次駆動す
ることによって奇数フィールドの駆動を完了し、ひきつ
づき偶数フィールドの駆動を始める。
この予備充電期間は奇数フィールド第1段階と全く同様
に行なう。
に行なう。
ここでは、データ側N−chMo S I C60内の
選択されたデータ側駆動電極に接続されたMOSトラン
ジスタをオン状態に切換え、他のデータ側駆動電極に接
続されたMOS)ランジスタをオフ状態のままとする。
選択されたデータ側駆動電極に接続されたMOSトラン
ジスタをオン状態に切換え、他のデータ側駆動電極に接
続されたMOS)ランジスタをオフ状態のままとする。
従ってデータ側の選択された電極の電荷が、オンしてい
るデータ側N−chMO8IC60内のMOS)ランジ
スタと、走査側P−chMO8IC310,320内の
MOS)ランジスタPT、〜PTi及び書込み駆動回路
330.340内のダイオード331.341を介して
放電する。
るデータ側N−chMO8IC60内のMOS)ランジ
スタと、走査側P−chMO8IC310,320内の
MOS)ランジスタPT、〜PTi及び書込み駆動回路
330.340内のダイオード331.341を介して
放電する。
選択された走査側電極がX2であるとすると、走査側P
−chMo S I C320内のX2に接続されたM
OS)ランジスタPT2のみをオン状態のままとし、同
時に奇数番目の方の走査側N−chMO8Ic20内の
全MO8)ランジスタNT、〜NTi−+をオン状態に
切換える。そして、偶数1+l+ 書込み駆動回路34
0がオン状態となりV w 十V Ia = 220
Vを供給するので、容量結合の性質から選択されたデー
タ側駆動電極は一220Vに引き下げられ、非選択のデ
ータ電極は一190vに引き下げられる。
−chMo S I C320内のX2に接続されたM
OS)ランジスタPT2のみをオン状態のままとし、同
時に奇数番目の方の走査側N−chMO8Ic20内の
全MO8)ランジスタNT、〜NTi−+をオン状態に
切換える。そして、偶数1+l+ 書込み駆動回路34
0がオン状態となりV w 十V Ia = 220
Vを供給するので、容量結合の性質から選択されたデー
タ側駆動電極は一220Vに引き下げられ、非選択のデ
ータ電極は一190vに引き下げられる。
選択された走査側電極が偶数番目の時は、奇数側書込み
駆動回路330がオン状態となり220vを供給する。
駆動回路330がオン状態となり220vを供給する。
またこの時、走査側P−chMO8Ic310内の選択
された走査側電極に接続された1つのMOSトランジス
タと、対向する走査側N−ahMO8IC30内の全M
O8)ランジスタNT2〜NTiがオン状態となる。
された走査側電極に接続された1つのMOSトランジス
タと、対向する走査側N−ahMO8IC30内の全M
O8)ランジスタNT2〜NTiがオン状態となる。
以上の第1段階から第3段階の駆動を、走査側電極X、
〜Xiまで順次駆動することによって偶数フィールドの
、駆動を完了する。
〜Xiまで順次駆動することによって偶数フィールドの
、駆動を完了する。
第2図のタイムチャートに明らかなように、結局選択交
点絵素には、奇数フィールドと偶数フィールドとで極性
を反転した、発光に十分な書込み電圧220V(尖頭値
)が加わる。つまり、奇数フィールドと偶数フィールド
の2フイールドによって薄膜EL表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素には190’l尖
頭値)が加わるが、これは発光しきい値以下である。
点絵素には、奇数フィールドと偶数フィールドとで極性
を反転した、発光に十分な書込み電圧220V(尖頭値
)が加わる。つまり、奇数フィールドと偶数フィールド
の2フイールドによって薄膜EL表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素には190’l尖
頭値)が加わるが、これは発光しきい値以下である。
ここにおいて、正、負の書込みパルスが加えられるタイ
ミング関係゛は、いずれの走査側電極においても同じで
あり、従来の駆動装置におけるような書込みパルスとリ
フレッシュパルスの位相ズレというようなものがない。
ミング関係゛は、いずれの走査側電極においても同じで
あり、従来の駆動装置におけるような書込みパルスとリ
フレッシュパルスの位相ズレというようなものがない。
また予備充電電圧によるDC電圧も、略々奇数、偶数フ
ィールドによってキャンセルすることができる。
ィールドによってキャンセルすることができる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明は、走査側電極の駆動回路としてN
−chMOsドライバとP−chMOsドライバを備え
、フィールド(1画面の線順次駆動)毎に極性を反転す
る、いわゆるフィールド反転駆動を実現するものであり
、交流駆動型、容量性の薄膜EL装置に対し、表示品質
における長期信頼性の上で良好な結果を与える有用な駆
動装置が提供できる。
−chMOsドライバとP−chMOsドライバを備え
、フィールド(1画面の線順次駆動)毎に極性を反転す
る、いわゆるフィールド反転駆動を実現するものであり
、交流駆動型、容量性の薄膜EL装置に対し、表示品質
における長期信頼性の上で良好な結果を与える有用な駆
動装置が提供できる。
第1図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第2図
は薄膜EL表示装置の印加電圧−輝度特性図、第3図は
従来例を示す薄膜EL表示装置の駆動装置回路図、第4
図は第3図の絵素A、Bの印加電圧波形を示すタイムチ
ャート、第5図は本発明の一実施例を示す薄膜EL表示
装置の駆動装置回路図、第6図は第5図の絵素C,Dの
印加電圧波形を示すタイムチャートである。 10・・・薄膜EL表示装置、20・30・・・走査側
高耐圧N−chMo S I C、310・320・=
走査側高耐圧P−chMoS I C,21−31・3
11−321−論理回路、 60−・・データ側高耐圧
N−chMOS I C。 70・・・データ側ダイオードアレイ、100・・・予
備充電駆動回路、330・340・・・書込み駆動回路
。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)手続補正書 昭和59年 7月27日 特許庁長官殿 特願昭58−206514 2、発明の名称 薄膜EL表示装置の駆動装置 3、補正をする老 事件との関係 特許出願人 住 所 畢545大阪市阿倍野区長池町22番22号4
、代 埋 人 住 所 畳545大阪市阿倍野区長池町22番22号自
発 6、補正の対象 Ml書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 f+) 明細書の第3頁第8行乃至第9行の1プルアッ
プ機能」を「プルダウン機能」と訂正します。 (2)明細書の第8頁第15行乃至第16行の1DC電
圧が生じる。この2つのことは、」を「DC電圧が生じ
、更に、リフレッシュパルスと1i込みパルスの振幅の
非対称を生じる。この3つのことは、」と訂正します。 (3)明細書の第15頁第7行の「第2図」を「第6図
」と訂正します。 (4)明細書の第15頁第18行乃至第19行の位相ズ
レというようなものがない。」を「位相ズレ、また振幅
の非対称というようなものがない。」と訂正しまず。 (5)明細書の第15頁第19行乃至第16頁第1行の
「また予備充電電圧による・・・キャンセルすることが
できる。」を抹消しまず。 以 上
は薄膜EL表示装置の印加電圧−輝度特性図、第3図は
従来例を示す薄膜EL表示装置の駆動装置回路図、第4
図は第3図の絵素A、Bの印加電圧波形を示すタイムチ
ャート、第5図は本発明の一実施例を示す薄膜EL表示
装置の駆動装置回路図、第6図は第5図の絵素C,Dの
印加電圧波形を示すタイムチャートである。 10・・・薄膜EL表示装置、20・30・・・走査側
高耐圧N−chMo S I C、310・320・=
走査側高耐圧P−chMoS I C,21−31・3
11−321−論理回路、 60−・・データ側高耐圧
N−chMOS I C。 70・・・データ側ダイオードアレイ、100・・・予
備充電駆動回路、330・340・・・書込み駆動回路
。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)手続補正書 昭和59年 7月27日 特許庁長官殿 特願昭58−206514 2、発明の名称 薄膜EL表示装置の駆動装置 3、補正をする老 事件との関係 特許出願人 住 所 畢545大阪市阿倍野区長池町22番22号4
、代 埋 人 住 所 畳545大阪市阿倍野区長池町22番22号自
発 6、補正の対象 Ml書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 f+) 明細書の第3頁第8行乃至第9行の1プルアッ
プ機能」を「プルダウン機能」と訂正します。 (2)明細書の第8頁第15行乃至第16行の1DC電
圧が生じる。この2つのことは、」を「DC電圧が生じ
、更に、リフレッシュパルスと1i込みパルスの振幅の
非対称を生じる。この3つのことは、」と訂正します。 (3)明細書の第15頁第7行の「第2図」を「第6図
」と訂正します。 (4)明細書の第15頁第18行乃至第19行の位相ズ
レというようなものがない。」を「位相ズレ、また振幅
の非対称というようなものがない。」と訂正しまず。 (5)明細書の第15頁第19行乃至第16頁第1行の
「また予備充電電圧による・・・キャンセルすることが
できる。」を抹消しまず。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、EL層を、互いに交差する方向に配列された走査側
電極とデータ側電極間に介設した薄膜EL表示装置の駆
動装置において、 ′1.】数番目、偶数番目の走査側電極のそれぞれに、
他端を接地したN−ah高耐圧MOSドライバ及び他端
を書込み駆動回路に導ひいたP−ch高耐圧MOSドラ
イバを接続し、フィールド毎に、前記N−ah高耐圧M
OSドライバの一つのMOS)ランジスタと対向する前
記P−ah高耐圧MOSドライバの全MO8)ランジス
タ、または前記P−ah高耐圧MOSドライバの一つの
MOS)ランジスタと対向する前記N−ah高耐圧MO
Sドライバの全MO8)ランジスタを選択的にオン状態
に切換えるフィールド反転駆動のだめの論理回路手段を
有してなることを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58206514A JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
DE19843439719 DE3439719A1 (de) | 1983-10-31 | 1984-10-30 | Treiberschaltung und verfahren zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
GB08427528A GB2149182B (en) | 1983-10-31 | 1984-10-31 | Electroluminescent panels |
US07/186,743 US4893060A (en) | 1983-10-31 | 1988-04-25 | Drive circuit for a thin-film electroluminescent display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58206514A JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6097394A true JPS6097394A (ja) | 1985-05-31 |
JPH0118434B2 JPH0118434B2 (ja) | 1989-04-05 |
Family
ID=16524622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58206514A Granted JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4893060A (ja) |
JP (1) | JPS6097394A (ja) |
DE (1) | DE3439719A1 (ja) |
GB (1) | GB2149182B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6370291A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | 富士通株式会社 | マトリツクス表示パネルの駆動回路 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60247694A (ja) | 1984-05-23 | 1985-12-07 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
JPS6183596A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
JPS6289090A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | シャープ株式会社 | Elパネル駆動装置 |
DE3724086A1 (de) * | 1986-07-22 | 1988-02-04 | Sharp Kk | Treiberschaltung fuer eine duennschichtige elektrolumineszenzanzeige |
JPH07109798B2 (ja) * | 1987-01-06 | 1995-11-22 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
FI91684C (fi) * | 1992-05-15 | 1994-07-25 | Planar International Oy Ltd | Menetelmä ja laitteisto elektroluminenssimatriisinäytön ohjaamiseksi |
WO1994014154A1 (en) * | 1992-12-10 | 1994-06-23 | Westinghouse Electric Corporation | Increased brightness drive system for an electroluminescent display panel |
US5519414A (en) * | 1993-02-19 | 1996-05-21 | Off World Laboratories, Inc. | Video display and driver apparatus and method |
JP2850728B2 (ja) * | 1993-11-15 | 1999-01-27 | 株式会社デンソー | El表示装置の駆動装置及び駆動方法 |
AU4147696A (en) * | 1994-11-09 | 1996-06-06 | Off World Laboratories, Inc. | Video display and driver apparatus and method |
JP3485175B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2004-01-13 | 日本電気株式会社 | エレクトロルミネセンスディスプレイ |
EP1771257A4 (en) * | 2004-05-27 | 2009-10-21 | Sigma Lab Arizona Inc | LARGE-FLOOR ELECTROLUMINESCENTS LIGHT-EMITTING DEVICES |
TWI331741B (en) * | 2006-10-14 | 2010-10-11 | Au Optronics Corp | System and driving method for color sequencial liquid crystal display (lcd) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3885196A (en) * | 1972-11-30 | 1975-05-20 | Us Army | Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry |
US4237456A (en) * | 1976-07-30 | 1980-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Drive system for a thin-film EL display panel |
US4338598A (en) * | 1980-01-07 | 1982-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel with power saving features |
US4485379A (en) * | 1981-02-17 | 1984-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit and method for driving a thin-film EL panel |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58206514A patent/JPS6097394A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-30 DE DE19843439719 patent/DE3439719A1/de active Granted
- 1984-10-31 GB GB08427528A patent/GB2149182B/en not_active Expired
-
1988
- 1988-04-25 US US07/186,743 patent/US4893060A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6370291A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | 富士通株式会社 | マトリツクス表示パネルの駆動回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2149182B (en) | 1987-06-03 |
GB2149182A (en) | 1985-06-05 |
US4893060A (en) | 1990-01-09 |
GB8427528D0 (en) | 1984-12-05 |
JPH0118434B2 (ja) | 1989-04-05 |
DE3439719C2 (ja) | 1987-07-02 |
DE3439719A1 (de) | 1985-08-01 |
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