JPS6097394A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動装置 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動装置Info
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- JPS6097394A JPS6097394A JP58206514A JP20651483A JPS6097394A JP S6097394 A JPS6097394 A JP S6097394A JP 58206514 A JP58206514 A JP 58206514A JP 20651483 A JP20651483 A JP 20651483A JP S6097394 A JPS6097394 A JP S6097394A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、高電圧駆動を要する、交流駆動型容量性フラ
ット・マトリックスディプレイパネルである薄膜ＥＬ表
示装置の駆動装置に関するものである。
ット・マトリックスディプレイパネルである薄膜ＥＬ表
示装置の駆動装置に関するものである。
例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜ＥＬ表示装置
は次のように構成される。
は次のように構成される。
第１図に図示のように、ガラス基板１の上にＩｎ２Ｏ３
よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例え
ばＹ２Ｏ３、Ｓ ｉ３Ｎ４％ Ｔ ｉ０２、Ａｔ２０３
等の誘電物質層３ 、Ｍｎ等の活性剤をドープしたＺｎ
ＳよりなるＥＬ層４、上記と同じ＜ Ｙ２Ｏ３，３ｊ
３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｔ２０３等の誘電物質層３′を蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
５００〜１００ＯＯＡの膜厚に積層して３層構造にし、
その上に上記透明電極２と直交する方向にＡＡ、０３よ
シなる帯状の背面電極５を平行に設ける。
よりなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例え
ばＹ２Ｏ３、Ｓ ｉ３Ｎ４％ Ｔ ｉ０２、Ａｔ２０３
等の誘電物質層３ 、Ｍｎ等の活性剤をドープしたＺｎ
ＳよりなるＥＬ層４、上記と同じ＜ Ｙ２Ｏ３，３ｊ
３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ａｔ２０３等の誘電物質層３′を蒸
着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次
５００〜１００ＯＯＡの膜厚に積層して３層構造にし、
その上に上記透明電極２と直交する方向にＡＡ、０３よ
シなる帯状の背面電極５を平行に設ける。
上記薄膜ＥＬ素子はその電極間に、誘電物質３．３′で
挾持されたＥＬ物質４を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、該
薄膜ＥＬ素子は第２図に示す電圧−輝度特性（実線）か
ら明らかな如く、２００Ｖ程度の比較的高電圧を印加し
て駆動される０ 〈従来技術〉 従来、このような薄膜Ｅ Ｌ表示装置のため、プルアッ
プ機能のみを有する高耐圧Ｎ−ｃｈＭＯｓドライバとプ
ルアップ機能を有するダイオードを組合わせてその駆動
回路を構成している。第３図に従来の駆動回路構成例を
示す。公知文献としては例えば、日経エレクトロニクス
、１９７９年４月２日号の特集「薄膜エレクトロルミネ
セント（ＥＬ）文字ディスプレイの実用化技術」がある
。
挾持されたＥＬ物質４を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、該
薄膜ＥＬ素子は第２図に示す電圧−輝度特性（実線）か
ら明らかな如く、２００Ｖ程度の比較的高電圧を印加し
て駆動される０ 〈従来技術〉 従来、このような薄膜Ｅ Ｌ表示装置のため、プルアッ
プ機能のみを有する高耐圧Ｎ−ｃｈＭＯｓドライバとプ
ルアップ機能を有するダイオードを組合わせてその駆動
回路を構成している。第３図に従来の駆動回路構成例を
示す。公知文献としては例えば、日経エレクトロニクス
、１９７９年４月２日号の特集「薄膜エレクトロルミネ
セント（ＥＬ）文字ディスプレイの実用化技術」がある
。
第３図において、１０は前記の薄膜ＥＬ表示装置を示し
、この図ではＸ方向の電極をデータ側電極とし、Ｙ方向
電極を走査側電極とし、電極のみを示している。
、この図ではＸ方向の電極をデータ側電極とし、Ｙ方向
電極を走査側電極とし、電極のみを示している。
２０．３０は走査側Ｎ−ｃｈＭＯ８Ｉｃで、２１．３１
はＩＣ中のシフトレジスタ等の論理回路である。
はＩＣ中のシフトレジスタ等の論理回路である。
４０はＹ方向電極の奇数番目のラインにカソード側が接
続されたアノード共通のダイオードアレイであり、走査
側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス保護を
する。５０はＹ方向電極の偶数番目のラインにカソード
側が接続されたアノード共通のダイオードアレイであり
、走査側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス
保護をする。
続されたアノード共通のダイオードアレイであり、走査
側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス保護を
する。５０はＹ方向電極の偶数番目のラインにカソード
側が接続されたアノード共通のダイオードアレイであり
、走査側駆動線分離及びスイッチング素子の逆バイアス
保護をする。
６０はデータ側Ｎ−ｃｈＭＯ３Ｉｃで、６１はＩＣ中の
シフトレジスタ等の論理回路である。
シフトレジスタ等の論理回路である。
７０はデータ側のダイオードアレイを示し、これはデー
タ側駆動線の分離と後述する高耐圧トランジスタよりな
るスイッチング素子の逆バイアスを保護する作用をする
。
タ側駆動線の分離と後述する高耐圧トランジスタよりな
るスイッチング素子の逆バイアスを保護する作用をする
。
８０．９０は書込み及びリフレッシュ駆動回路、１００
は予備充電駆動回路、１１０は引き上げ充電駆動回路で
ある。
は予備充電駆動回路、１１０は引き上げ充電駆動回路で
ある。
次にこの回路の動作を第４図のタイムチャートとともに
説明する。第４図は第３図中の絵素Ａ、Ｂを代表例とし
、各々の印加電圧波形を示すものである。
説明する。第４図は第３図中の絵素Ａ、Ｂを代表例とし
、各々の印加電圧波形を示すものである。
第１段階ＴＪ：予備充電期間
まず、走査側電極に接続されたＩＣ２０，３０内のすべ
ての高耐圧ＭＯＳトランジスタをオン状態にする。同時
に予備充電駆動回路１００をオン状態にしくこの時デー
タ側ＩＣ６０内の全ＭＯＳトランジスタはオフ状態）、
データ側ダイオードアレイ７０を介してパネル全面を充
電する。この結果、走査側電極はすべて０■になり、一
方データ側駆動電極はすべて３０Ｖになる。
ての高耐圧ＭＯＳトランジスタをオン状態にする。同時
に予備充電駆動回路１００をオン状態にしくこの時デー
タ側ＩＣ６０内の全ＭＯＳトランジスタはオフ状態）、
データ側ダイオードアレイ７０を介してパネル全面を充
電する。この結果、走査側電極はすべて０■になり、一
方データ側駆動電極はすべて３０Ｖになる。
次に、走査側ＩＣ２０，３０内の全ＭＯ８）ランジスタ
をオフ状態にして、引き上げ充電駆動回路１１０をオン
に切換え、走査側ダイオードアレイ４０．５０を介して
すべての走査側電極を３０Ｖまで引き上げる。ＥＬマト
リックスの電極交点が容量結合している性質からすべて
のデータ側駆動電極は６０Ｖまで引き上げられる０この
後、ＩＣ６０内の選択されたデータ側駆動電極に接続さ
れたＭＯＳ）ランジスタのみオフ状態のままにし、他の
データ側駆動電極に接続されたトランジスタをオン状態
に切換え、データ側の非選択電極の電荷を放電する。こ
の結果、選択されたデータ側電極の６０Ｖを保ち、非選
択電極ばＯｖになる。今、走査側電極はすべて３０Ｖに
引き上げられているため、走査側電極から見れば、選択
されたデータ側電極は＋３０Ｖ、非選択電極は一３０Ｖ
の状態にある。
をオフ状態にして、引き上げ充電駆動回路１１０をオン
に切換え、走査側ダイオードアレイ４０．５０を介して
すべての走査側電極を３０Ｖまで引き上げる。ＥＬマト
リックスの電極交点が容量結合している性質からすべて
のデータ側駆動電極は６０Ｖまで引き上げられる０この
後、ＩＣ６０内の選択されたデータ側駆動電極に接続さ
れたＭＯＳ）ランジスタのみオフ状態のままにし、他の
データ側駆動電極に接続されたトランジスタをオン状態
に切換え、データ側の非選択電極の電荷を放電する。こ
の結果、選択されたデータ側電極の６０Ｖを保ち、非選
択電極ばＯｖになる。今、走査側電極はすべて３０Ｖに
引き上げられているため、走査側電極から見れば、選択
されたデータ側電極は＋３０Ｖ、非選択電極は一３０Ｖ
の状態にある。
第３段階Ｔ３：書込み駆動期間
選択された走査側電極が偶数番目である時、奇数側書込
み及びリフレッシュ駆動回路８０をオン状態に肱走査側
ダイオードプレイ４０を介してすべての奇数側走査電極
を＋１９０■に引き上げる。この時、先に述べた容量結
合の性質から、選択されたデータ側駆動電極は＋２２０
ｖに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は＋１６
０ｖに引き上げられる。この後、ＩＣ３０内の選択され
た走査電極（今の場合偶数番目）に対応するＭＣｌ５）
ランジスタのみをオンに切換えるとこの走査電極がｏｖ
となり、結局選択交点絵素には発光するのに十分な書込
み電圧２２０Ｖ（尖頭値）が加わる。他方、選択された
走査側電極上の非選択絵素には発光しきい値以下の１６
０Ｖ（尖頭値）が加わる。
み及びリフレッシュ駆動回路８０をオン状態に肱走査側
ダイオードプレイ４０を介してすべての奇数側走査電極
を＋１９０■に引き上げる。この時、先に述べた容量結
合の性質から、選択されたデータ側駆動電極は＋２２０
ｖに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は＋１６
０ｖに引き上げられる。この後、ＩＣ３０内の選択され
た走査電極（今の場合偶数番目）に対応するＭＣｌ５）
ランジスタのみをオンに切換えるとこの走査電極がｏｖ
となり、結局選択交点絵素には発光するのに十分な書込
み電圧２２０Ｖ（尖頭値）が加わる。他方、選択された
走査側電極上の非選択絵素には発光しきい値以下の１６
０Ｖ（尖頭値）が加わる。
なお、上述したように選択されたデータ側駆動電極は＋
２２０Ｖに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は
＋１．６０Ｖに引き上げられるものの、奇数番目の走査
側電極及び選択された走査側を除く偶数番目の走査側電
極から見れば、選択されたデータ側電極は＋３０Ｖ、非
選択電極は一３０Ｖの状態の１まで、第２段階Ｔ２がら
の変化はない。
２２０Ｖに引き上げられ、非選択のデータ側駆動電極は
＋１．６０Ｖに引き上げられるものの、奇数番目の走査
側電極及び選択された走査側を除く偶数番目の走査側電
極から見れば、選択されたデータ側電極は＋３０Ｖ、非
選択電極は一３０Ｖの状態の１まで、第２段階Ｔ２がら
の変化はない。
選択された走査側電極が奇数番目の時は、偶数側書込み
及びリフレッシュ駆動回路９ｏをオン状態にし、走査側
ダイオードアレイ５ｏを介してすべての偶数側走査電極
を＋１９０Ｖｔで引き上げる。
及びリフレッシュ駆動回路９ｏをオン状態にし、走査側
ダイオードアレイ５ｏを介してすべての偶数側走査電極
を＋１９０Ｖｔで引き上げる。
書込み後、逆極性のりフレッシュパルス印加以上の３段
階による線順次書込み駆動を、走査側電極すべてについ
て行ない、１画面分の書込み終了後、ＩＣ６０内の全デ
ータ側トランジスタをオン状態にし、同時に書込み及び
リフレッシュ駆動回路８０．９０をオン状態にすると、
走査側ダイオードアレイ４０．５０を介して、書込み駆
動とは極性が逆で振幅１９０Ｖのリフレッシュパルスが
パネル全面にわたって加わる。
階による線順次書込み駆動を、走査側電極すべてについ
て行ない、１画面分の書込み終了後、ＩＣ６０内の全デ
ータ側トランジスタをオン状態にし、同時に書込み及び
リフレッシュ駆動回路８０．９０をオン状態にすると、
走査側ダイオードアレイ４０．５０を介して、書込み駆
動とは極性が逆で振幅１９０Ｖのリフレッシュパルスが
パネル全面にわたって加わる。
第４図において、実線は上記３段階による各線順次書込
み駆動時にデータ側電極が選択された場合であり、破線
は選択されなかった場合である。
み駆動時にデータ側電極が選択された場合であり、破線
は選択されなかった場合である。
以上に説明したように、従来の駆動装置においては、第
４図に示す如く、リフレッシュパルスに対して書込みパ
ルスの位相が走査電極にそって順次変わり、また、デー
タ側電極の選択、非選択によって予備充電電圧によるＤ
Ｃ電圧が生じる。この２つのことは、交流駆動型である
薄膜Ｅ Ｔ、表示装置において、電圧−輝度特性に変化
を生じさせ、例えば第２図の破線の如くになって、表示
品質の低下など長期信頼性の上で望ましくない現象を起
させている。
４図に示す如く、リフレッシュパルスに対して書込みパ
ルスの位相が走査電極にそって順次変わり、また、デー
タ側電極の選択、非選択によって予備充電電圧によるＤ
Ｃ電圧が生じる。この２つのことは、交流駆動型である
薄膜Ｅ Ｔ、表示装置において、電圧−輝度特性に変化
を生じさせ、例えば第２図の破線の如くになって、表示
品質の低下など長期信頼性の上で望ましくない現象を起
させている。
〈発明の目的〉
本発明は上記点に鑑み、走査側電極の駆動回路として、
プルダウン機能のみを有するＮ−ｃｈＭＯｓドライバと
プルアップ機能のみを有するＰ−ｃｈＭＯｓドライバを
巧みに組み合わせ、交流駆動型、容量性の薄膜ＥＬ装置
に対して最も適したパルスを印加し得る駆動装置を提供
するものである。
プルダウン機能のみを有するＮ−ｃｈＭＯｓドライバと
プルアップ機能のみを有するＰ−ｃｈＭＯｓドライバを
巧みに組み合わせ、交流駆動型、容量性の薄膜ＥＬ装置
に対して最も適したパルスを印加し得る駆動装置を提供
するものである。
〈実施例〉
第５図に本発明における駆動回路構成例を示す。
第６図は第５図中の絵素Ｃ及びＤを代表例とし各各の印
加電圧波形を示すタイムチャートである。
加電圧波形を示すタイムチャートである。
第５図において、第３図と同一機能を有する部分につい
ては第３図と同じ符号を付して示す。従って同一部分に
ついては説明を省略する。
ては第３図と同じ符号を付して示す。従って同一部分に
ついては説明を省略する。
３１０．３２０は奇数番目、偶数番目の各々走査（１１
，１１ダイオードアレイ４０．５０の代りに設けられた
Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣで、３１１，３２１は各ＩＣ
中のシフトレジスタ等の論理回路である。
，１１ダイオードアレイ４０．５０の代りに設けられた
Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣで、３１１，３２１は各ＩＣ
中のシフトレジスタ等の論理回路である。
３３０ 、３４０は書込み駆動回路である。
絵素Ｃを含む走査側電極Ｘ２を選択走査側電極とする場
合を例として説明する。本案駆動装置ではフィールド毎
に極性を反転して駆動される。第１のフィールドを奇数
フィールド、紀２のフィールドを偶数フィールドと呼ぶ
。
合を例として説明する。本案駆動装置ではフィールド毎
に極性を反転して駆動される。第１のフィールドを奇数
フィールド、紀２のフィールドを偶数フィールドと呼ぶ
。
走査側Ｎ−ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ２０、３０内のすべての
ＭＯＳトランジスタＮＴ、〜ＮＴｉをオン状態にする。
ＭＯＳトランジスタＮＴ、〜ＮＴｉをオン状態にする。
同時に予備充電駆動回路１０００［圧■＋ｘ ）をオン
状態にし、データ側ダイオードアレイ７０を介してパネ
ル全面を充電する。この時、データ側Ｎ−ｃｈＭｏ Ｓ
Ｉ Ｃ６０内の全ＭＯ８）ランジスクＮ ｔ 、 〜
Ｎ ｔ ｉ及び走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３１０。
状態にし、データ側ダイオードアレイ７０を介してパネ
ル全面を充電する。この時、データ側Ｎ−ｃｈＭｏ Ｓ
Ｉ Ｃ６０内の全ＭＯ８）ランジスクＮ ｔ 、 〜
Ｎ ｔ ｉ及び走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３１０。
３２０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴＩ〜ＰＴｉはすべ
てオフ状態に保たれる。
てオフ状態に保たれる。
奇数フィールド第２段階Ｔ２：放電期間次に走査側Ｎ−
ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ２０、３０内の全ＭＯＳトランジス
タＮＴ、〜ＮＴｉをオフ状態にして、かつデータ側Ｎ−
ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ６０内の選択されたデータ側、駆
動電極に接続されたＭＯＳトランジスタのみオフ状態の
ままにし、他のデータ側駆動電極に接続されたＭＯＳ）
ランジスタをオン状態に切換える。まだ同時に、走査側
Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３１０，３２０内の全ＭＯ−８）ラ
ンジスタＰＴ、〜ＰＴｉをオン状態にする。データ側の
非選択電極の電荷は、オンしているデータ側Ｎ−ｃｈＭ
Ｏ８ＩＣ６０内のＭＯＳ）ランジスタと、走査側Ｐ−ｃ
ｈＭＯ８ＩＣ３１０，３２０内のＭＯＳトランジスタＰ
Ｔ、〜ＰＴｌ及び書込み駆動回路３３０．３４０内のダ
イオード３３１，３４１による接地ループ形成で放電す
る。選択されたデータ側電極の電荷はそのまま保持する
。
ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ２０、３０内の全ＭＯＳトランジス
タＮＴ、〜ＮＴｉをオフ状態にして、かつデータ側Ｎ−
ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ６０内の選択されたデータ側、駆
動電極に接続されたＭＯＳトランジスタのみオフ状態の
ままにし、他のデータ側駆動電極に接続されたＭＯＳ）
ランジスタをオン状態に切換える。まだ同時に、走査側
Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３１０，３２０内の全ＭＯ−８）ラ
ンジスタＰＴ、〜ＰＴｉをオン状態にする。データ側の
非選択電極の電荷は、オンしているデータ側Ｎ−ｃｈＭ
Ｏ８ＩＣ６０内のＭＯＳ）ランジスタと、走査側Ｐ−ｃ
ｈＭＯ８ＩＣ３１０，３２０内のＭＯＳトランジスタＰ
Ｔ、〜ＰＴｌ及び書込み駆動回路３３０．３４０内のダ
イオード３３１，３４１による接地ループ形成で放電す
る。選択されたデータ側電極の電荷はそのまま保持する
。
この実施例では引き上げ充電はなく、走査側電極はＯ■
で、走査側電極からみて選択され左データ側電極は＋３
０ｖ１非選択電極はｏＶの状態にある。
で、走査側電極からみて選択され左データ側電極は＋３
０ｖ１非選択電極はｏＶの状態にある。
選択された走査側電極がＸ２であるとすると、走査側Ｎ
−ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ３０内のＸ２に接続されたＭＯＳ
）ランジスタＮＴ２のみをオン状態に切換え、同時に偶
数番目の方の走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３２０内の全Ｍ
Ｏ８）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉをオフ状態にする。つ
まりこの時、対向する奇数番目の方の走査側Ｐ−ｃｈＭ
ｏ Ｓ Ｉ Ｃ３１０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ、
〜Ｐ Ｔｉ −１はオン状態にある。この走査側Ｐ−ｃ
ｈＭＯＳ Ｉ Ｃ３１０内のＭｏｓトランジスタＰＴ、
〜Ｐ Ｔｉ −＋を介してすべての奇数側走査電極を＋
１９０ｖに引き上げられる。そして、上記選択された走
査側電極Ｘ２に接続された走査側ＭＯ３ＩＣ３０内のＭ
ＯＳトランジスタＮＴ２のみをオン状態とすることによ
り、容量結合の性質から、選択されたデータ１１！ｌ駆
動電極は＋２２０Ｖに引き上げられ、非選択のデー・夕
電極は＋１９０Ｖに引き上げられる。
−ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ３０内のＸ２に接続されたＭＯＳ
）ランジスタＮＴ２のみをオン状態に切換え、同時に偶
数番目の方の走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３２０内の全Ｍ
Ｏ８）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉをオフ状態にする。つ
まりこの時、対向する奇数番目の方の走査側Ｐ−ｃｈＭ
ｏ Ｓ Ｉ Ｃ３１０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ、
〜Ｐ Ｔｉ −１はオン状態にある。この走査側Ｐ−ｃ
ｈＭＯＳ Ｉ Ｃ３１０内のＭｏｓトランジスタＰＴ、
〜Ｐ Ｔｉ −＋を介してすべての奇数側走査電極を＋
１９０ｖに引き上げられる。そして、上記選択された走
査側電極Ｘ２に接続された走査側ＭＯ３ＩＣ３０内のＭ
ＯＳトランジスタＮＴ２のみをオン状態とすることによ
り、容量結合の性質から、選択されたデータ１１！ｌ駆
動電極は＋２２０Ｖに引き上げられ、非選択のデー・夕
電極は＋１９０Ｖに引き上げられる。
選択された走査側電極が奇数番目の時は、偶数番目の方
の走査側Ｐ−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ３２０内の全ＭＯ８
）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉをオン状態にして、すべて
の偶数側走査電極が＋１９０ｖに引き上げられる。
の走査側Ｐ−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ３２０内の全ＭＯ８
）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉをオン状態にして、すべて
の偶数側走査電極が＋１９０ｖに引き上げられる。
書込み駆動回路３３０．３４０はこの第３段階の書込み
駆動期間内にオン状態（選択された走査側電極が偶数番
目の時は３３０がオン、奇数番目の時は３４０がオン）
となるが、奇数フィールドにおいては上記し、たように
ＶＷ（＝１９０Ｖ）が供給される。後述するが偶数フィ
ールドの時は切換えられて、ＶＷ＋ＶＭ（＝２２０Ｖ
） が供給サレる０ 以上走査側電極Ｘ２を例とした第１段階から第３段階と
同様の駆動を、走査側電極Ｘ、からＸｉまで順次駆動す
ることによって奇数フィールドの駆動を完了し、ひきつ
づき偶数フィールドの駆動を始める。
駆動期間内にオン状態（選択された走査側電極が偶数番
目の時は３３０がオン、奇数番目の時は３４０がオン）
となるが、奇数フィールドにおいては上記し、たように
ＶＷ（＝１９０Ｖ）が供給される。後述するが偶数フィ
ールドの時は切換えられて、ＶＷ＋ＶＭ（＝２２０Ｖ
） が供給サレる０ 以上走査側電極Ｘ２を例とした第１段階から第３段階と
同様の駆動を、走査側電極Ｘ、からＸｉまで順次駆動す
ることによって奇数フィールドの駆動を完了し、ひきつ
づき偶数フィールドの駆動を始める。
この予備充電期間は奇数フィールド第１段階と全く同様
に行なう。
に行なう。
ここでは、データ側Ｎ−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ６０内の
選択されたデータ側駆動電極に接続されたＭＯＳトラン
ジスタをオン状態に切換え、他のデータ側駆動電極に接
続されたＭＯＳ）ランジスタをオフ状態のままとする。
選択されたデータ側駆動電極に接続されたＭＯＳトラン
ジスタをオン状態に切換え、他のデータ側駆動電極に接
続されたＭＯＳ）ランジスタをオフ状態のままとする。
従ってデータ側の選択された電極の電荷が、オンしてい
るデータ側Ｎ−ｃｈＭＯ８ＩＣ６０内のＭＯＳ）ランジ
スタと、走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３１０，３２０内の
ＭＯＳ）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉ及び書込み駆動回路
３３０．３４０内のダイオード３３１．３４１を介して
放電する。
るデータ側Ｎ−ｃｈＭＯ８ＩＣ６０内のＭＯＳ）ランジ
スタと、走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８ＩＣ３１０，３２０内の
ＭＯＳ）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉ及び書込み駆動回路
３３０．３４０内のダイオード３３１．３４１を介して
放電する。
選択された走査側電極がＸ２であるとすると、走査側Ｐ
−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ３２０内のＸ２に接続されたＭ
ＯＳ）ランジスタＰＴ２のみをオン状態のままとし、同
時に奇数番目の方の走査側Ｎ−ｃｈＭＯ８Ｉｃ２０内の
全ＭＯ８）ランジスタＮＴ、〜ＮＴｉ−＋をオン状態に
切換える。そして、偶数１＋ｌ＋ 書込み駆動回路３４
０がオン状態となりＶ ｗ 十Ｖ Ｉａ ＝ ２２０
Ｖを供給するので、容量結合の性質から選択されたデー
タ側駆動電極は一２２０Ｖに引き下げられ、非選択のデ
ータ電極は一１９０ｖに引き下げられる。
−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ３２０内のＸ２に接続されたＭ
ＯＳ）ランジスタＰＴ２のみをオン状態のままとし、同
時に奇数番目の方の走査側Ｎ−ｃｈＭＯ８Ｉｃ２０内の
全ＭＯ８）ランジスタＮＴ、〜ＮＴｉ−＋をオン状態に
切換える。そして、偶数１＋ｌ＋ 書込み駆動回路３４
０がオン状態となりＶ ｗ 十Ｖ Ｉａ ＝ ２２０
Ｖを供給するので、容量結合の性質から選択されたデー
タ側駆動電極は一２２０Ｖに引き下げられ、非選択のデ
ータ電極は一１９０ｖに引き下げられる。
選択された走査側電極が偶数番目の時は、奇数側書込み
駆動回路３３０がオン状態となり２２０ｖを供給する。
駆動回路３３０がオン状態となり２２０ｖを供給する。
またこの時、走査側Ｐ−ｃｈＭＯ８Ｉｃ３１０内の選択
された走査側電極に接続された１つのＭＯＳトランジス
タと、対向する走査側Ｎ−ａｈＭＯ８ＩＣ３０内の全Ｍ
Ｏ８）ランジスタＮＴ２〜ＮＴｉがオン状態となる。
された走査側電極に接続された１つのＭＯＳトランジス
タと、対向する走査側Ｎ−ａｈＭＯ８ＩＣ３０内の全Ｍ
Ｏ８）ランジスタＮＴ２〜ＮＴｉがオン状態となる。
以上の第１段階から第３段階の駆動を、走査側電極Ｘ、
〜Ｘｉまで順次駆動することによって偶数フィールドの
、駆動を完了する。
〜Ｘｉまで順次駆動することによって偶数フィールドの
、駆動を完了する。
第２図のタイムチャートに明らかなように、結局選択交
点絵素には、奇数フィールドと偶数フィールドとで極性
を反転した、発光に十分な書込み電圧２２０Ｖ（尖頭値
）が加わる。つまり、奇数フィールドと偶数フィールド
の２フイールドによって薄膜ＥＬ表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素には１９０’ｌ尖
頭値）が加わるが、これは発光しきい値以下である。
点絵素には、奇数フィールドと偶数フィールドとで極性
を反転した、発光に十分な書込み電圧２２０Ｖ（尖頭値
）が加わる。つまり、奇数フィールドと偶数フィールド
の２フイールドによって薄膜ＥＬ表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素には１９０’ｌ尖
頭値）が加わるが、これは発光しきい値以下である。
ここにおいて、正、負の書込みパルスが加えられるタイ
ミング関係゛は、いずれの走査側電極においても同じで
あり、従来の駆動装置におけるような書込みパルスとリ
フレッシュパルスの位相ズレというようなものがない。
ミング関係゛は、いずれの走査側電極においても同じで
あり、従来の駆動装置におけるような書込みパルスとリ
フレッシュパルスの位相ズレというようなものがない。
また予備充電電圧によるＤＣ電圧も、略々奇数、偶数フ
ィールドによってキャンセルすることができる。
ィールドによってキャンセルすることができる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明は、走査側電極の駆動回路としてＮ
−ｃｈＭＯｓドライバとＰ−ｃｈＭＯｓドライバを備え
、フィールド（１画面の線順次駆動）毎に極性を反転す
る、いわゆるフィールド反転駆動を実現するものであり
、交流駆動型、容量性の薄膜ＥＬ装置に対し、表示品質
における長期信頼性の上で良好な結果を与える有用な駆
動装置が提供できる。
−ｃｈＭＯｓドライバとＰ−ｃｈＭＯｓドライバを備え
、フィールド（１画面の線順次駆動）毎に極性を反転す
る、いわゆるフィールド反転駆動を実現するものであり
、交流駆動型、容量性の薄膜ＥＬ装置に対し、表示品質
における長期信頼性の上で良好な結果を与える有用な駆
動装置が提供できる。
第１図は薄膜ＥＬ表示装置の一部切欠き斜視図、第２図
は薄膜ＥＬ表示装置の印加電圧−輝度特性図、第３図は
従来例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆動装置回路図、第４
図は第３図の絵素Ａ、Ｂの印加電圧波形を示すタイムチ
ャート、第５図は本発明の一実施例を示す薄膜ＥＬ表示
装置の駆動装置回路図、第６図は第５図の絵素Ｃ，Ｄの
印加電圧波形を示すタイムチャートである。 １０・・・薄膜ＥＬ表示装置、２０・３０・・・走査側
高耐圧Ｎ−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ、３１０・３２０・＝
走査側高耐圧Ｐ−ｃｈＭｏＳ Ｉ Ｃ，２１−３１・３
１１−３２１−論理回路、 ６０−・・データ側高耐圧
Ｎ−ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ。 ７０・・・データ側ダイオードアレイ、１００・・・予
備充電駆動回路、３３０・３４０・・・書込み駆動回路
。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）手続補正書 昭和５９年 ７月２７日 特許庁長官殿 特願昭５８−２０６５１４ ２、発明の名称 薄膜ＥＬ表示装置の駆動装置 ３、補正をする老 事件との関係 特許出願人 住 所 畢５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号４
、代 埋 人 住 所 畳５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号自
発 ６、補正の対象 Ｍｌ書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 ｆ＋） 明細書の第３頁第８行乃至第９行の１プルアッ
プ機能」を「プルダウン機能」と訂正します。 （２）明細書の第８頁第１５行乃至第１６行の１ＤＣ電
圧が生じる。この２つのことは、」を「ＤＣ電圧が生じ
、更に、リフレッシュパルスと１ｉ込みパルスの振幅の
非対称を生じる。この３つのことは、」と訂正します。 （３）明細書の第１５頁第７行の「第２図」を「第６図
」と訂正します。 （４）明細書の第１５頁第１８行乃至第１９行の位相ズ
レというようなものがない。」を「位相ズレ、また振幅
の非対称というようなものがない。」と訂正しまず。 （５）明細書の第１５頁第１９行乃至第１６頁第１行の
「また予備充電電圧による・・・キャンセルすることが
できる。」を抹消しまず。 以 上
は薄膜ＥＬ表示装置の印加電圧−輝度特性図、第３図は
従来例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆動装置回路図、第４
図は第３図の絵素Ａ、Ｂの印加電圧波形を示すタイムチ
ャート、第５図は本発明の一実施例を示す薄膜ＥＬ表示
装置の駆動装置回路図、第６図は第５図の絵素Ｃ，Ｄの
印加電圧波形を示すタイムチャートである。 １０・・・薄膜ＥＬ表示装置、２０・３０・・・走査側
高耐圧Ｎ−ｃｈＭｏ Ｓ Ｉ Ｃ、３１０・３２０・＝
走査側高耐圧Ｐ−ｃｈＭｏＳ Ｉ Ｃ，２１−３１・３
１１−３２１−論理回路、 ６０−・・データ側高耐圧
Ｎ−ｃｈＭＯＳ Ｉ Ｃ。 ７０・・・データ側ダイオードアレイ、１００・・・予
備充電駆動回路、３３０・３４０・・・書込み駆動回路
。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）手続補正書 昭和５９年 ７月２７日 特許庁長官殿 特願昭５８−２０６５１４ ２、発明の名称 薄膜ＥＬ表示装置の駆動装置 ３、補正をする老 事件との関係 特許出願人 住 所 畢５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号４
、代 埋 人 住 所 畳５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号自
発 ６、補正の対象 Ｍｌ書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 ｆ＋） 明細書の第３頁第８行乃至第９行の１プルアッ
プ機能」を「プルダウン機能」と訂正します。 （２）明細書の第８頁第１５行乃至第１６行の１ＤＣ電
圧が生じる。この２つのことは、」を「ＤＣ電圧が生じ
、更に、リフレッシュパルスと１ｉ込みパルスの振幅の
非対称を生じる。この３つのことは、」と訂正します。 （３）明細書の第１５頁第７行の「第２図」を「第６図
」と訂正します。 （４）明細書の第１５頁第１８行乃至第１９行の位相ズ
レというようなものがない。」を「位相ズレ、また振幅
の非対称というようなものがない。」と訂正しまず。 （５）明細書の第１５頁第１９行乃至第１６頁第１行の
「また予備充電電圧による・・・キャンセルすることが
できる。」を抹消しまず。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＥＬ層を、互いに交差する方向に配列された走査側
電極とデータ側電極間に介設した薄膜ＥＬ表示装置の駆
動装置において、 ′１．】数番目、偶数番目の走査側電極のそれぞれに、
他端を接地したＮ−ａｈ高耐圧ＭＯＳドライバ及び他端
を書込み駆動回路に導ひいたＰ−ｃｈ高耐圧ＭＯＳドラ
イバを接続し、フィールド毎に、前記Ｎ−ａｈ高耐圧Ｍ
ＯＳドライバの一つのＭＯＳ）ランジスタと対向する前
記Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯＳドライバの全ＭＯ８）ランジス
タ、または前記Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯＳドライバの一つの
ＭＯＳ）ランジスタと対向する前記Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ
Ｓドライバの全ＭＯ８）ランジスタを選択的にオン状態
に切換えるフィールド反転駆動のだめの論理回路手段を
有してなることを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置の駆動装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206514A JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動装置 |
| DE19843439719 DE3439719A1 (de) | 1983-10-31 | 1984-10-30 | Treiberschaltung und verfahren zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
| GB08427528A GB2149182B (en) | 1983-10-31 | 1984-10-31 | Electroluminescent panels |
| US07/186,743 US4893060A (en) | 1983-10-31 | 1988-04-25 | Drive circuit for a thin-film electroluminescent display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206514A JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097394A true JPS6097394A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0118434B2 JPH0118434B2 (ja) | 1989-04-05 |
Family
ID=16524622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206514A Granted JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4893060A (ja) |
| JP (1) | JPS6097394A (ja) |
| DE (1) | DE3439719A1 (ja) |
| GB (1) | GB2149182B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370291A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | 富士通株式会社 | マトリツクス表示パネルの駆動回路 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60247694A (ja) | 1984-05-23 | 1985-12-07 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| JPS6183596A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| JPS6289090A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | シャープ株式会社 | Ｅｌパネル駆動装置 |
| DE3724086A1 (de) * | 1986-07-22 | 1988-02-04 | Sharp Kk | Treiberschaltung fuer eine duennschichtige elektrolumineszenzanzeige |
| JPH07109798B2 (ja) * | 1987-01-06 | 1995-11-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| FI91684C (fi) * | 1992-05-15 | 1994-07-25 | Planar International Oy Ltd | Menetelmä ja laitteisto elektroluminenssimatriisinäytön ohjaamiseksi |
| WO1994014154A1 (en) * | 1992-12-10 | 1994-06-23 | Westinghouse Electric Corporation | Increased brightness drive system for an electroluminescent display panel |
| US5519414A (en) * | 1993-02-19 | 1996-05-21 | Off World Laboratories, Inc. | Video display and driver apparatus and method |
| JP2850728B2 (ja) * | 1993-11-15 | 1999-01-27 | 株式会社デンソー | Ｅｌ表示装置の駆動装置及び駆動方法 |
| AU4147696A (en) * | 1994-11-09 | 1996-06-06 | Off World Laboratories, Inc. | Video display and driver apparatus and method |
| JP3485175B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2004-01-13 | 日本電気株式会社 | エレクトロルミネセンスディスプレイ |
| EP1771257A4 (en) * | 2004-05-27 | 2009-10-21 | Sigma Lab Arizona Inc | LARGE-FLOOR ELECTROLUMINESCENTS LIGHT-EMITTING DEVICES |
| TWI331741B (en) * | 2006-10-14 | 2010-10-11 | Au Optronics Corp | System and driving method for color sequencial liquid crystal display (lcd) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3885196A (en) * | 1972-11-30 | 1975-05-20 | Us Army | Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry |
| US4237456A (en) * | 1976-07-30 | 1980-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Drive system for a thin-film EL display panel |
| US4338598A (en) * | 1980-01-07 | 1982-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel with power saving features |
| US4485379A (en) * | 1981-02-17 | 1984-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit and method for driving a thin-film EL panel |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58206514A patent/JPS6097394A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-30 DE DE19843439719 patent/DE3439719A1/de active Granted
- 1984-10-31 GB GB08427528A patent/GB2149182B/en not_active Expired
-
1988
- 1988-04-25 US US07/186,743 patent/US4893060A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370291A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | 富士通株式会社 | マトリツクス表示パネルの駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2149182B (en) | 1987-06-03 |
| GB2149182A (en) | 1985-06-05 |
| US4893060A (en) | 1990-01-09 |
| GB8427528D0 (en) | 1984-12-05 |
| JPH0118434B2 (ja) | 1989-04-05 |
| DE3439719C2 (ja) | 1987-07-02 |
| DE3439719A1 (de) | 1985-08-01 |
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