JPS6245036A - Wafer processor - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To correspond to wafers with different sizes by a method wherein members aligning wafer ends are provided on wafer supporting members to be set up on multiple positions corresponding to various types of wafers with different sizes. CONSTITUTION:Aligning members can be provided on multiple positions corresponding to various types of wafers with different sizes. A wafer cassette WK4 together with another wafer cassette WK3 are lifted by a wafer cassette driving part WKD2 up to the specified wafer delivery and recovery position. A finger FG and arms AM1, AM2 are extended and retracted by a pulse motor SM built in an arm telescopically driving part AD to pick up or contain wafers WF1-WF4 etc. The driving part AD and a base KD are moved up and down by a movable plate EB of a lifting mechanism HD to select specified wafer out of the wafers WF1-WF4, etc. Finally a semiconductor laser senser PS receives the laser beams LW reflected and transmitted by a full reflection mirror FM provided on outer end of wafer cassette to detect the reflected laser beams.

Description

【発明の詳細な説明】 ｃ分　野コ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field C: The present invention relates to a wafer processing apparatus used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, and the like.

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収納
のためのフィンガ機構に問題があった。[Prior Art] Conventionally, this type of apparatus has had drawbacks in its accuracy, productivity, occupying area, etc., and in particular, there have been problems with the finger mechanism for taking out and storing wafers.

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納のた
めのフィンガ機構に大きさの異なるウェハに対応し得る
位置決め部材を備えたウェハ処理装置を提供することを
目的とする。[Objective] The present invention solves the above-mentioned difficulties, has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and is particularly capable of handling wafers of different sizes in the finger mechanism for taking out and storing wafers. An object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus including a positioning member.

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫＩ〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤＩ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、ＡＭＩ　、ＡＭ２はアームである。Ｇ１　
、　Ｇ２　。[Embodiment] FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer prober according to an embodiment of the present invention. In the figure, WKI to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDI, WKD
Reference numeral 2 designates a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other via a support plate KS, FG a finger for mounting wafers, and AMI and AM2 arms. G1
, G2.

Ｇ３は軸で、アームＡＭ１　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
ェハカセットＷＫからアームＡＭＩ　、八Ｍ２及びフィ
ンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリング
ハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上の
ウェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷＦ
は静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる。ま
たこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビモニ
タＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされる。G3 is the shaft, arms AM1, AM2 and fingers FG
is constructed so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AD is configured to be able to move up and down and rotate freely by mounting the arm and finger. The wafer WF carried out from the wafer cassette WK by the arms AMI, M2 and fingers FG is centered by the centering hand CH and transferred onto the wafer chuck WC on the XY stage ST. Transferred wafer WF
is repositioned by capacitive sensor QS. At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a television monitor TVD.

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微＆ｆｆ０Ｐの真下に設定され、目視観察ま
たは自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプ
ローブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチ
ップテスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦは
フィンガ上Ｇ１アームＡＭ１．ＡＭ２によりウェハカセ
ットＷＫの元の位置に戻される。以上の動作を繰り返す
ことによりウェハカセットＷＫ内の各ウェハＷＦについ
て順次チップテスト動作が行なわれる。The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand CH, is set directly below the microscope &ff0P by moving the XY stage ST, and the positions of the chip terminals and probe terminals (not shown) on the wafer WF are determined by visual observation or automatically. A match is made. After that, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF is transferred to the upper finger G1 arm AM1. The wafer cassette WK is returned to its original position by AM2. By repeating the above operations, the chip test operation is sequentially performed on each wafer WF in the wafer cassette WK.

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
１．ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転し
ている。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４は
ウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部ＷＫ
Ｄ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇さ
れる。Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
1. AM2 has been rotated 90° clockwise with respect to FIG. In the same figure, for example, the wafer cassette WK4 is connected to the wafer cassette drive unit WK3 together with the wafer cassette WK3.
D2 raises the wafer to a predetermined wafer delivery and collection position.

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう。The fingers FG and the arms AM1 and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store the wafers WF1 to WF4, etc. The arm telescopic drive unit AD is moved up and down together with the base KD by the movable plate EB of the elevating mechanism HD, and the wafers WF1 to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD together with the base KD, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck WC.

しＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ淵ＬＺから
のレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。Z is a semiconductor laser source, HM is a half mirror that irradiates laser light LW from the semiconductor laser edge LZ toward the wafer cassette side, and is reflected by a total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer edge of the wafer cassette. The generated laser light LW is transmitted and transmitted to the semiconductor laser sensor PS.

保護ケースＳ臼内の半導体レーザセンサＰＳはこの反射
レーザ光を検出する。A semiconductor laser sensor PS in the protective case S detects this reflected laser light.

このＩＦＦは、上記の如く構成されているため、ウェハ
ＷＦの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧ
とウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる
。また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダ
イオード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上す
る。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断
できるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳ
が板ＥＢと一体化され、かっ板ＬＳには孔ＬＨが設けら
れ、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図
の位置では孔がないため遮断される。Since this IFF is configured as described above, it is possible to reliably know the current position of the wafer WF, and the finger FG
It is possible to prevent malfunctions such as collision between the wafer WF and the wafer WF. Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser light blocking plate LS
is integrated with the plate EB, a hole LH is provided in the cover plate LS, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and is blocked at the position shown in FIG. 1 because there is no hole.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
１半導体レーしセンサＰＳは第２，３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームによりａ＃Ｔされること
なくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この
伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＬＩが貫
通、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これに
より移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き
回るのでチューブとアームがからみ合うこともなくまた
全体スペースも小型に構成することができる。Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror HM
1. The semiconductor laser sensor PS is arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend, as shown in FIGS. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not a#Ted by the arm, and the extension and contraction of the arm is not obstructed. A vacuum tube TLI for wafer suction is placed along this telescopic arm by a method such as penetration, groove insertion, or bonding. As a result, the arm, which has a large range of movement, and the tube move around in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板ＥＢの位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素子
である。In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are wafer uppermost (lower) position signal generating means, each consisting of a protrusion, for example, and LE and PH in the elevating mechanism HD detect the position of the movable plate EB, and are used to transfer or collect the wafer. It is a light emitting/receiving element that determines the position.

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＬ１．ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。The finger FG consists of two upper and lower plates FGL1. as shown in FIG. 4A, B and C. It consists of a simple structure of FGL glued together.

上板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜ＬＪ１０が設けられ、下板
ＦＧＬには溝１１．貫通孔し２〜Ｌ７が設けられる。そ
して溝Ｌ１と孔ｕｉ　、　Ｕ２　。The upper plate FGU is provided with through holes U1 to LJ10, and the lower plate FGL is provided with grooves 11. Through holes 2 to L7 are provided. and groove L1 and holes ui and U2.

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ
１０、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴＵが接
続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸引室内
の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して密室と
なりウェハ吸着が行なわれる。また、孔Ｕ８．Ｕ９．Ｌ
６，１７等には第４図Ｃの如くピンＳＲ，ＳＬが嵌合さ
れる。ピンＳＲ，８ｍは第３図の如くウェハＷＦの端面
を位置決めするための位置部材で、４インチ、６インチ
、８インチ等の直径の異なるウェハに対して孔ＬＩ４　
、　Ｕ６　、　Ｕ８のいずれかを選択してピンＳＬを嵌
合させる。ピンＳＲも同様に孔Ｕ５　、　Ｕ７　。A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove L1 is the hole U.
10. Tube TU is connected and exhausted via tube holder TH. When a wafer is placed on the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, the wafer is suctioned and becomes a closed chamber, where wafer suction is performed. Also, hole U8. U9. L
6, 17, etc., pins SR and SL are fitted as shown in FIG. 4C. The pin SR, 8m is a positioning member for positioning the end face of the wafer WF as shown in Fig. 3, and it is used for hole LI4 for wafers with different diameters such as 4 inches, 6 inches, 8 inches, etc.
, U6, or U8 and fit the pin SL therein. Similarly, pin SR has holes U5 and U7.

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にピン位置を定めることができ好まし
い。Select U9 and fit it. This is preferable because the pin positions can be determined optimally for wafers with different diameters.

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、に８３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置く第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WKI and WK3 are constructed such that support plates KS3 and 83B can be bent outward by a hinge mechanism CT. This makes it easy to replace the lower cassettes WK2 and WK4, which is preferable. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length corresponding to a single cassette is provided at a position corresponding to the wafer removal and storage position (the upper part of the cassette in Figure 1). That's fine.

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３、ＫＯ２等も読取らせることができる。The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO2 etc. can also be read.

即ちＫＯ２、ＫＯ２等は論理ｒＩＪ、ｒＯＪを表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してに０３等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。That is, KO2, KO2, etc. consist of codes representing logical rIJ, rOJ, and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read code information such as 03, thereby knowing the cassette identification number.

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロフト
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる。Ｃ）（Ｐは検査される回路チップ領域を示す
。FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the figure, WCN is code information for identifying a wafer, and includes a wafer number, wafer cassette number, loft number, etc. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticle original plate, laser printing, ink, etc.
The television camera TVK shown in FIG. 1 is used to read this information. C) (P indicates the circuit chip area to be tested.

第６図は１クエハカセツトＷＫの開口部を見た正面図で
、第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を
示す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の
処理により弧状に変形した場合を強調して示しである。FIG. 6 is a front view of the opening of the one-wafer cassette WK, showing how, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers.

このようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが
一般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィン
ガＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そ
こでフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正
確に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各
ウェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出しておけば良
い。Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, it is sufficient to accurately detect the position of each wafer and calculate the safest insertion position of the finger FG, that is, the center position P1 to P26 between each wafer, etc., before the finger moves in and out.

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１．７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のウェハＷ　Ｆ　２５を検出し
た段階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２枚目の
ウェハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定され
、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。FIG. 7A is a control block diagram for this purpose, and FIG. 8 is a flowchart showing the control procedure, which is stored as microinstructions in the read-only memory ROM shown in FIG. 1.7. The operation will be explained below according to this procedure. do. In step SAI, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend and starts detecting the wafer position, for example, when it detects the uppermost position signal generation means KS4U shown in FIG. The first distance d26 is determined when the sensor PS detects the first wafer WF25, the distance d25 is determined when the second wafer WF24 is detected, and the distance d25 is similarly determined until the lowest dl is detected. do.

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。At this time, the sensor PS may be raised at a constant speed, that is, at a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably reduces the overall detection speed.

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置Ｄ１〜［）２６を予め記憶さ
せておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い
。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位置
情報Ｄ２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、こ
の情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定する
。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜Ｔ
１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶され
ており、まずＴ１に対応する２進化された時間情報がＭ
ＰＵの制御によってダウンカウンタＤＫに格納される。Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present. Therefore, the positions D1 to D26 of each wafer in a standard wafer cassette may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents. That is, first, the microprocessor MPU takes in the standard position information D26 from the address AD1 of the ROM, and based on this information, determines the pulse train DM of FIG. 7B, for example. Pulse width T1 to T of each pulse of this drive pulse train DM
10 is stored in a table format in an unillustrated part of the ROM, and first, binary time information corresponding to T1 is stored in M.
It is stored in the down counter DK under the control of the PU.

同時にフリップフロップＦＦがセットされ、またモータ
ドライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回路ＭＤ
内には４進カウンタが内蔵されており、その最初の出力
によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パルス（Ｔ
１）によりパルスモータＰＭが起動を始める。At the same time, flip-flop FF is set and motor drive circuit MD operates. Motor drive circuit MD
There is a built-in quaternary counter, and its first output opens AND gate A1, which triggers the first drive pulse (T
1) starts the pulse motor PM.

ダウンカウンタＤＫは発振器Ｏ８Ｃの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えば０になると特定
値デコーダ例えばＯデコーダＤＣがこれを検出してフリ
ップフロップＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、Ａ
３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了
する。Down counter DK starts subtraction in response to an oscillation pulse from oscillator O8C, and when the value reaches a specific value, for example 0, a specific value decoder, for example O decoder DC, detects this and resets flip-flop FF. This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gates A2 and A
3 and A4 in sequence, and the driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。ざらに、第６図に示す最初のウェハＷＦ２５の近辺に
近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次第
に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け、
ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達する
とセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一定の
低速度で下降する。このときはパルス幅Ｔ７の駆動パル
スでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦ１の位
置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　、　ＴＩ
Ｏのように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速度は
次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所定回
下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ２を
指定し、位置情報［）ｍを取り出す。この位置情報［）
ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報０２５〜Ｄ２
が共通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はアドレス
ＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まぐ前記
同様の作動を位置情報Ｄｍに従って繰り返し、最後にＲ
ＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下辺の位置情報Ｄ１
に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最下位
置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する。こ
のようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次か
らの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確となる
。Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. As shown in FIG. 7B below, <T3. The pulse width gradually becomes shorter from T4, and the descending speed of the sensor PS gradually increases until the pulse width T4.
At the repeat drive period 4, the lowering speed is lowered at a constant high speed. Roughly speaking, as it approaches the first wafer WF25 shown in FIG. 6, the pulse width shown in FIG. 7B gradually becomes longer to T5 and T6, and the sensor PS continues to descend while being decelerated.
When the sensor PS reaches near the location of the wafer WF25, the sensor PS descends at a constant low speed sufficient to detect the laser reflected light. At this time, the pulse motor PM is driven by a drive pulse with a pulse width T7. When the position detection of wafer WF1 is completed, the pulse widths T8, T9, TI
The sensor PS gradually becomes shorter like O, and the descending speed of the sensor PS gradually increases, and it continues to descend at a constant high speed as before, and when it descends a predetermined number of times, the second address AD2 of the ROM in FIG. 7A is specified, and the position Extract information [)m. This location information [)
m is the standard position information 025 to D2 when expressed in terms of wafer spacing.
is common, and the data area for the position information [)m is only at address AD2. Thereafter, the same operation as described above for the D2 muzzle is repeated according to the position information Dm, and finally the R
Specify the address AD3 of OM and the position information D1 of the bottom side
Accordingly, the same operation as described above is performed, and the sensor PS detects the lowest position signal generating means KS4L and stops the lowering. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０＞をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる伯のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばさらに好ましい。Also, if it is detected that the wafer does not actually exist during this wafer position detection, it will be written to the RAM. This is convenient because non-existing positions can be skipped at high speed.It is further preferable to store standard position information for wafer cassettes of different sizes at addresses AD4 to AD6 in the ROM and use them selectively.

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位置ｄ１／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサＭ
ＰＵが算出し、６値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如く記
憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフィン
ガＦＧを坦在位置く最下位点）からステップＳＡ２で算
出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３
　）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦＧ
を位置させることができる。この位置での停止には第７
図Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵＫ１
両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは、
この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。Next, in step SA2, the detected center positions d1/2 to d26/2 between each wafer are determined by the microprocessor M.
The PU calculates and stores the six values in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WF1, the finger FG is raised from the flattened position (the lowest point) to the position d1/2 calculated in step SA2 (step SA3).
). As a result, the finger FG is placed at the safest point P1 in Figure 6.
can be located. To stop at this position, the seventh
Target value storage register OR, up counter UK1 in Figure A
Both matching circuits CO are used. Waveform B in Fig. 6 is
The rising speed curve of the finger FG at this time is shown.

この地点Ｐ１でアームＡＭ１．ＡＭ２を伸長させてフィ
ンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップ５Ａ４
１させ、さらに昇降機構ＨＤを駆動してフィンガＦＧを
ｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　’）させる。これ
でフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接触する
ことができるので、前述の真空吸引機構がオンとなって
作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ステップ
５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、ざらにｄ２／２
だけ上昇（ステップＳＡ７　）　Ｌ、、次いでウェハＷ
Ｆ１を吸着したままウェハカセットＷＫから引抜くステ
ップ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動ｆｇＪＡＤを駆
動部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステ
ージＳＴに正対させ、アームＡＭｌ　、ＡＭ２を伸長し
てウェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンド
Ｃ）−１に引１（ステツ７’ＳＡ９　）す。ウェハＷＦ
Ｉは、センタリングハンドＣＨからさらにＸＹステージ
ＳＴに引渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、
検査等の処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。At this point P1, arm AM1. Extend AM2 and insert finger FG into wafer cassette WK (step 5A4)
1, and further drives the lifting mechanism HD to raise the finger FG by d1/2 (step SA5'). The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WF1, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG attracts the wafer WF1 (step 5A6). After that, move the finger FG roughly to d2/2.
(step SA7) L, then wafer W
Step 5A8) where F1 is pulled out from the wafer cassette WK while still being adsorbed. Next, the arm extension/contraction drive fgJAD is rotated by 90 degrees by the drive unit MO to make the finger FG directly face the XY stage ST, and the arms AMl and AM2 are extended to pull the wafer WF1 from the finger FG to the centering hand C)-1. (Stets7'SA9). Wafer WF
I is further transferred from the centering hand CH to the XY stage ST (step S A 10), where the circuit is burned,
Processing such as inspection (step 5A11) is performed.

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦ１の収納のためにフィンガ「Ｇを現在位置（最
上位点）から第６図の６１　＋ｄ２　／２の位置即ち安
全点Ｐ２まで下降（ステップ５Ａ１４）させる。この位
置Ｐ２にてアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長しフィンガＦ
ＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ　Ａ　１５
）する。When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage ST to the finger FG via the centering hand CH.
is collected and adsorbed again (step 5A12.13). Next, the arms AM1 and AM2 are retracted and rotated to lower the finger "G" from the current position (the highest point) to the position 61 + d2 /2 in FIG. 5A14).At this position P2, extend arms AMI and AM2 and press finger F.
Insert G into wafer cassette WK (Step S A 15
)do.

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦ１はフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがさらに
ｄ２／２だけ下ＩＩＩ（ステップＳ　Ａ　１８）されフ
ィンガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ　
Ａ　１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取
出し及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハ
ＷＦ２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．ｄ
３　／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様に
ｎ＝２６になるまで行なう。Next, lower the finger FG by d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WFI rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WF1 is separated from the finger FG (step S A 17), and then the finger FG is further moved by d2/2. lower III (step S A 18) and only the finger FG is pulled out from the cassette WK (step S
A 19) It will be destroyed. The above control allows the wafer WF1 to be taken out and stored accurately and safely. Next, the unloading and storing of wafer WF2 is controlled by d2/2. d
The same procedure as above is performed based on the value of 3/2, and the same procedure is repeated until n=26.

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点として７点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦ１の取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行なわ
れ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行なわ
れ、Ｅ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセッ
トＷＫへの挿入が開始され、Ｆ点でその収納が終了し、
その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始ま
ることを示している。FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG, which detects the position of the wafer as it descends from this point to point 7 (end point), and then picks up the wafer WF1 closest to that position. Therefore, the insertion of the finger FG into the cassette WK starts at point A, the ejection ends at point 8, the transfer to centering hand CH takes place at point 0, and the collection from centering hand CH takes place at point D. , the insertion of the finger FG into the cassette WK for wafer storage starts at point E, and the storage ends at point F,
This indicates that the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位ＥＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様であ
る。In the figure, all three wafers, WF1 to WF3, are used for ease of understanding.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position EX of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH and near the top wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 9B, which is preferable. This also applies to FIG. 9D.

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
ぎ渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦＩの位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移ｖＪ量は第９Ｂ図とほぼ同様
に第９Ａ、９Ｄ図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ
図を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位
置検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェ
ハから取出し、収納が始まることは好ましい。ま・たウ
ェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れ
が少なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは
回収位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカ
セットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に
設定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移
動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全ての
ウェハは所定の定点即ちつ工ハ引渡しまたは回収位置に
運ばなければならないことからして明らかである。この
利点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように
無駄な時間を少しでも節約することはこの種装置におい
てウェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極めて
好ましい。FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer transfer or collection position, and the position of the lowest wafer WFI are set almost on the same line, and the standby position of the fingers is also set on the same line. In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position X in Figure 9B to the top wafer WF3.
Even when the finger is set at a position close to , that is, at position Y in Fig. 9B, the overall vertical movement vJ of the finger is almost the same as in Fig. 9B, and is longer than in Figs. 9A and 9D, as shown in Fig. 9E.
This is clear from the diagram. However, it is preferable that each of the wafers be taken out and stored starting from the wafer closest to the position where all scanning for wafer position detection has been completed. It is preferable to process the wafers from the bottom to the top because the upper wafers will be less contaminated. The example in FIG. 9C shows a state in which the wafer delivery or collection position (the position of the centering hand CH) is set at approximately the center position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the total distance of the vertical movement of the finger FG is the least and most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a transfer or collection location. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. Saving even a small amount of wasted time in this way contributes to improving the overall speed of wafer processing in this type of apparatus, and is therefore extremely desirable.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を田き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を書き込み、さらに右隣りに位置情報として
Ｄｍを書き込む。Ｄｍは前述したようにウェハの標準位
ご情報である。このように処理すればウェハＷＦ２が存
在しないことによるセンサＰＳの計測ミス即ちウェハＷ
Ｆ１を検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤認す
る危険を避けることができる。In general, the wafer cassette does not always contain all the wafers, and there are cases in which defective wafers have been removed in the previous process before being transferred to the blower, and in this case, there are no wafers present. In this case, the overall processing speed can be improved by skipping operations related to wafer removal and storage of the fingers FG. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is inserted as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is added to d26/2. Write to RAM as d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, it writes logic "0" to the address Ad2 of the RAM, and further writes Dm as position information to the right-hand neighbor. As mentioned above, Dm is the standard position information of the wafer. If this process is performed, a measurement error of sensor PS due to the absence of wafer WF2, that is, wafer W
It is possible to avoid the risk of erroneously identifying wafer WF2 when F1 is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
ＦＩの取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報「０」を検出したらｄｉ　／２＋Ｄｍ
＋ｄ３　／２の演算を行なえば第６図の２３点の近辺を
求めることができる。したがって２２点をスキップして
１１点がら２３点にフィンガＦＧを高速に上昇させるこ
とができ好ましい。Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the above-mentioned wafer unloading mode, the wafer W
After taking out or storing FI, RAM address Ad2
When the no-wafer information “0” is detected, di /2+Dm
By performing the calculation +d3/2, the vicinity of the 23 points in FIG. 6 can be obtained. Therefore, it is preferable to skip the 22nd point and increase the finger FG from the 11th point to the 23rd point at high speed.

上図例において基準位置Ｘ、Ｙ、Ｚは第２図の始点信号
発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（またはＬＥ
、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば
第９Ａ図の例ではＸ−ＫＳ４　ｔＪ。In the example shown above, the reference positions X, Y, Z are the starting point signal generating means KS4 U, KS4 L, EB (or LE
, PH), etc. may be selectively made to correspond. For example, in the example of FIG. 9A, it is X-KS4 tJ.

Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとし、第９Ｆ図の例ではＸ＝ＬＥ（また
はＰＨ，ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとすれば良い。Y=KS4L, and in the example of FIG. 9F, X=LE (or PH, EB) and Y=KS4L.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９８；　９
Ｄ、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを
共用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得
る点で好ましい。When the wafer cassettes have different diameters of 8 inches, the heights of the wafer cassettes also differ (the distance between each wafer is different), so No. 98;
It is preferable to use a type of apparatus in which the lower side (common end) X or Y can be shared, as shown in the examples shown in FIGS. D and 9F, since it can handle various wafer sizes.

［効　果コ 以上の如く本発明は大きさの異なるウェハに対する融通
性に極めて多大に寄与し得るものである。[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to flexibility in handling wafers of different sizes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４ｃ図はフィンガの構成開園、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＦＧＵ・・・上板 ＦＧＬ・・・下板 ＳＬ、ＳＲ・・・ピン Ｕ４〜ｌＪ９．Ｌ２〜Ｌ７・・・貫通孔ＡＭ・・・アー
ム ＷＫ・・・ウェハカセットFig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
Figures 4B and 4C show the configuration of the fingers, Figure 5 is the front view of the wafer, Figure 6 is the front view of the opening of the wafer cassette, Figure 7 is a control block diagram of the present invention, and Figure 7B is The control waveform diagram, FIG. 8 is the control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger FGU...Upper plate FGL...Lower plate SL, SR...Pins U4 to lJ9. L2 to L7...Through hole AM...Arm WK...Wafer cassette

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、複数個のウェハの中から１つずつを選択的に支持し
て移動可能なウェハ支持部材を有するウェハ処理装置に
おいて、該ウェハ支持部材上に、上記ウェハの端面を位
置決めする部材を設けるとともに、この位置決め部材を
大きさの異なる複数種のウェハの各々に対応する複数の
位置に設定可能としたことを特徴とするウェハ処理装置
。 ２、前記位置決め部材がピンであり、前記ウェハ支持部
材表面に、該ピンを嵌合するための取付孔が複数の箇所
に設けられている特許請求の範囲第１項記載のウェハ処
理装置。[Scope of Claims] 1. In a wafer processing apparatus having a wafer support member that is movable and selectively supports one of a plurality of wafers, an end face of the wafer is placed on the wafer support member. A wafer processing apparatus characterized in that a positioning member is provided and the positioning member can be set at a plurality of positions corresponding to each of a plurality of types of wafers of different sizes. 2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the positioning member is a pin, and mounting holes for fitting the pins are provided at a plurality of locations on the surface of the wafer support member.