JPS6236837A - Wafer processor - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To improve the operability of removing and containing a wafer cassette by providing supporting members for supporting the wafer cassettes respectively and a bending mechanism equipped to a part of the supporting members for altering the attitude of the cassette. CONSTITUTION:A wafer cassette WK4 is, for example, raised together with a wafer cassette WK3 by a wafer cassette driver WKD2 to the prescribed wafer delivering and recovering position. A finger FG and arms AM1, AM2 are telescoped by a pulse motor SM contained in an arm telescoping driver AD to remove or contain wafers WF1-WF4. The driver AD elevationally moves together with a base KD by a movable plate EB of an elevator mechanism HD to select a specific wafer of the wafers WF1-WF4. An MO is a rotary driver for rotating the driver AD at every base KD to convey the wafer between the cassette WK and a wafer chuck WC.

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のつ］−ハの処理即ち
回路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ
処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field] The present invention relates to a wafer processing apparatus used for high-density integrated circuit manufacturing, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, etc.

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハカセットの取出し
及び収納の際に操作上の問題があった。[Prior Art] Conventionally, this type of apparatus has drawbacks in its accuracy, productivity, and area occupied, and in particular, there have been operational problems when taking out and storing wafer cassettes.

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハカセットの取出し及び
収納の際の操作性を向上したウェハ処理装置を提供する
ことを目的とする。[Objective] The present invention solves the above-mentioned difficulties, and provides a wafer processing apparatus that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and has improved operability especially when taking out and storing wafer cassettes. The purpose is to

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫＩ〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤＩ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、ＡＭＩ　、ＡＭ２はアームである。Ｇ１　
、　Ｇ２　。[Embodiment] FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer prober according to an embodiment of the present invention. In the figure, WKI to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDI, WKD
Reference numeral 2 designates a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other via a support plate KS, FG a finger for mounting wafers, and AMI and AM2 arms. G1
, G2.

Ｇ３は軸で、アームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＩ）は前記アーム及びフィン
ガを搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。G3 is the axis, arm AMI, AM2 and finger FG
is constructed so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AI) is configured to be capable of vertical movement and rotation by mounting the arm and finger.

ウェハカセットＷＫからアームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフ
ィンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリン
グハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上
のウニハチＶツクＷＣ−［に移される。移されたウェハ
ＷＦは静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる
。またこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビ
モニタＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされ
る。The wafer WF carried out from the wafer cassette WK by arms AMI, AM2 and fingers FG is centered by a centering hand CH and transferred to a sea urchin hatch Vtsuk WC-[ on an XY stage ST. The transferred wafer WF is repositioned by the capacitive sensor QS. At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a television monitor TVD.

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたつ■ハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合せが行なわれる。その債所定のチップ
テスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷ「はフィ
ンガＦＧ１アームＡＭ１．ＡＭ２によりウエハノｊしッ
トＷＫの元の位置に戻される。以−トの動作を繰り返す
ことによりつＪバカセットＷＫ内の各つ−［ハＷＦにつ
いて順次チップテスト動作が行なわれる。The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand CH, is set directly below the microscope OP by moving the XY stage ST, and the chip terminals on the wafer WF and the probe terminals (not shown) are checked by visual observation or automatically. Alignment is performed. A predetermined chip test operation is performed on the bond, and after the test, the wafer W is returned to its original position in the wafer node WK by fingers FG1 and arm AM1.AM2. A chip test operation is sequentially performed for each WF in the backup set WK.

第２．第３図は第１図の要部側面図及びＬ面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷ［の取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
Ｉ　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０″回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。Second. FIG. 3 is a side view and an L side view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer W is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
I and AM2 have been rotated 90'' clockwise with respect to FIG. 1. In the same figure, for example, wafer cassette WK4
is the wafer cassette drive unit W together with the wafer cassette WK3.
The wafer is raised to a predetermined wafer delivery and collection position by KD2.

フィンガＦＧ及びアームＡＭＩ　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台Ｋｒ）と共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ
４等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアー
ム伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＯごと回転させるための回転
駆動部で、つ丁バカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間
のウェハ搬送動作を行なう。The fingers FG and the arms AMI and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store wafers WF1 to WF4, etc. The arm extension/contraction drive unit AD is moved up and down together with the base Kr) by the movable plate EB of the lifting mechanism HD, and the wafers WF1 to WF are
A specific wafer is selected from among the four. MO is a rotary drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD along with the base KO, and performs a wafer transfer operation between the binding support set WK and the wafer chuck WC.

ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光［Ｗをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ｍＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。LZ is a semiconductor laser source, HM is a half mirror that irradiates laser light [W from the semiconductor laser source LZ toward the wafer cassette side, and is reflected by a total reflection mirror FM (FMR or FML) installed at the outer edge of the wafer cassette. The generated laser light mW is transmitted and transmitted to the semiconductor laser sensor PS.

保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの反射
レーザ光を検出する。A semiconductor laser sensor PS inside the protective case SB detects this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
つＪハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The current position of finger F can be known reliably, and malfunctions such as collision between finger FG and finger WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate EB, and the plate LS is provided with a hole LH, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and there is no hole at the position shown in FIG. Be cut off.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２．３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror HM
, the semiconductor laser sensor PS is arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend, as shown in FIG. 2.3. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed. A vacuum tube TU for wafer suction passes through this telescopic arm.
This can be done by groove fitting, gluing, or other methods. As a result, the arm, which has a large range of movement, and the tube move around in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４１−は各々つ■ハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、を
降機構Ｈｌ）内のＩＥ、ＰＨは各々可動板［Ｂの位置を
検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素
子である。In Fig. 2, KS4 U and KS41- are the uppermost (lower) position signal generating means, for example, consisting of protrusions, and IE and PH in the lowering mechanism H1 detect the position of the movable plate [B]. , a light emitting/receiving element that determines the wafer delivery or collection position.

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃ４こ示す如く上下２
枚の板ＦＧＬＪ、ＦＧＩ−の張り合せの簡易な構成で成
る。上板Ｆ　Ｇ　ＬＪには貫通孔Ｕ　１〜ｔＪ１０が設
【）られ、下板ＦＧＩ−には満１−１１貫通孔Ｌ２〜１
７が設【フられる。そして溝Ｌ１と孔ｕｉ　、　Ｕ２　
。The fingers FG are arranged in two directions, upper and lower, as shown in Figure 4 A, B, and C4.
It consists of a simple structure of two plates FGLJ and FGI- pasted together. The upper plate FG LJ is provided with through holes U1 to tJ10, and the lower plate FGI- is provided with through holes L2 to 11.
7 is set. And groove L1 and hole ui, U2
.

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝］−１は孔
（Ｊｌｏ、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴ　
Ｕが接続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸
引室内の上部につ王ハが載置されるどウェハを吸引して
密室となりつＴハ吸着が行なわれる。また、孔ＬＪ８　
、Ｕ９　、Ｌ６．１７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，
Ｓｔ−が嵌合される。ビンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウ
ェハＷＦの端面を位置決めづるための位置部材で、４イ
ンチ、６インチ、８インチ等の直径の異なるウェハに対
して孔ｔＪ４　、Ｕ６　、Ｕ８のいずれかを選択してビ
ンＳ　ｌ−を嵌合させる。ビンＳＲも同様に孔ＩＪ５　
、　ＬＪ７　。A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove ]-1 is the hole (Jlo, which connects the tube T through the tube holder TH.
U is connected and exhausted. A wafer is placed in the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, and the wafer is sucked into the closed chamber, where suction of the wafer is carried out. Also, hole LJ8
, U9, L6.17, etc., as shown in Fig. 4C, the bin SR,
St- is fitted. As shown in Fig. 3, the bins SR and SL are positioning members for positioning the end face of the wafer WF, and any one of the holes tJ4, U6, and U8 is used for wafers with different diameters such as 4 inches, 6 inches, and 8 inches. Select and fit the bottle S l-. Similarly, the bottle SR has hole IJ5.
, LJ7.

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の責なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。Select U9 and fit it. This is preferable because the bin position can be determined optimally for the wafer depending on the diameter.

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のｈ
セラ１−ＷＫ２．ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WKI and WK3 are constructed so that, for example, support plates KS3 and KS3B can be bent outward by a hinge mechanism CT. This will cause the lower h
Cera1-WK2. This is preferable because the WK4 replacement operation becomes easy. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length corresponding to a single cassette is provided at the position corresponding to the wafer removal and storage position (the upper position of the cassette in Figure 1). That's fine.

前述のセンサＰＳはウエハカセツ１〜識別コード情報Ｋ
Ｃ３、ＫＯ２等も読取らせることができる。The aforementioned sensor PS is the wafer cassette 1 to identification code information K.
C3, KO2, etc. can also be read.

即ちＫＯ２、ＫＯ２等は論理「ｉｌ、ｒｏ、Ｉを表わす
コードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水
平方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取り、これ
によりカセット識別番号を知ることができる。That is, KO2, KO2, etc. consist of codes representing logic "il, ro, I," and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read the code information of KO2, etc., thereby knowing the cassette identification number. can.

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる。ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す。FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the figure, WCN is code information for identifying a wafer, and a wafer number, wafer cassette number, lot number, etc. are prepared. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticle original plate, laser printing, ink, etc.
The television camera TVK shown in FIG. 1 is used to read this information. CHP indicates the circuit chip area to be tested.

第６図はつ丁バカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので１ウエハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各つ■ハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦ　Ｇ（１’）＠安全突入位置
印ち各ウェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出してお
【ノば良い。Figure 6 is a front view looking at the opening of Hatsucho Bakaset WK,
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so when taking out a wafer, etc., it is necessary to pay close attention to the insertion position of the finger FG. Therefore, before moving the finger in and out, accurately detect the position of each wafer, and calculate the center position P1 to P26 of the finger FG (1') @ safe entry position mark, etc. between each wafer. [Noba good.

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１．７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡ１ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のつ■ハＷ　Ｆ　２５を検出し
た段階で最初の距１１ｄ２６が決定され、同様に２枚目
のウェハＷ　Ｆ　２４を検出した段階で距ｉｊｌ　Ｕ２
５が決定され、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。FIG. 7A is a control block diagram for this purpose, and FIG. 8 is a flowchart showing the control procedure, which is stored as microinstructions in the read-only memory ROM shown in FIG. 1.7. The operation will be explained below according to this procedure. do. In step SA1, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend and starts detecting the wafer position, for example, when it detects the uppermost position signal generation means KS4U shown in FIG. The first distance 11d26 is determined when the sensor PS detects the first wafer WF 25, and the distance ijl U2 is determined when the sensor PS detects the second wafer WF 24.
5 is determined, and the detection is performed in the same manner up to the lowest dl.

このときセンサＰＳを一定の速度即らセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で１弁させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。At this time, the sensor PS may be operated at one valve at a constant speed, that is, a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably reduces the overall detection speed.

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンＪｊ　Ｐ　Ｓを高速に下降
させ、ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良
い。そのため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウニバ
カヒツトにおける各ウェハの位１１１〜Ｄ２６を予め記
憶させておき、この記憶内容に従って動作制御させれば
食い。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡ１）１から標準
の位置情報１１２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り
込み、この情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＯＭを
決定する。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅
■１〜ＴＩＯはＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で
記憶されており、まずＴ１に対応する２進化された時間
情報がＭＰＵの制御によってダウンカウンタｌ）　Ｋに
格納される。同時にフリップフロップＦＦがセットされ
、またモータドライブ回路ＭＤが動作する。モータドラ
イブ回路Ｍｌ）内には４進カウンタが内蔵されており、
その最初の出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の
駆動パルス（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始
める。Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor Jj PS may be lowered at a high speed at a position where a wafer is not present, and moved at a low speed at a position where a wafer is present. Therefore, if the digits 111 to D26 of each wafer in a standard Univac hit are stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. That is, first, the microprocessor MPU takes in the standard position information 1126 from address A1)1 in the ROM, and based on this information, determines the pulse train OM shown in FIG. 7B, for example. The pulse widths 1 to TIO of each pulse of this drive pulse train DM are stored in a table format in an unillustrated part of the ROM, and first, the binarized time information corresponding to T1 is stored in a down counter under the control of the MPU. Stored in K. At the same time, flip-flop FF is set and motor drive circuit MD operates. A quaternary counter is built into the motor drive circuit Ml).
The first output opens the AND gate A1, and the first drive pulse (T1) starts the pulse motor PM.

ダウンカウンタＤＫは発撮器Ｏ８Ｃの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデ］−ダＤＣがこれを検出してフリ
ップフロップＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、Ａ
３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了
する。The down counter DK starts subtraction in response to the oscillation pulse of the oscillator O8C, and when the value reaches a specific value, for example O, the specific value decoder, for example O de]-da DC, detects this and resets the flip-flop FF. . This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gates A2 and A
3 and A4 in sequence, and the driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上聞と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のつ■ハＷＦ２５の近辺に
近づくと第７図［３に示づパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次
第に良くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け
、ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達す
るとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一定
の低速度で下降する。このときはパルス幅ＴＩの駆動パ
ルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦ１の
位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９’、　Ｔ
ＩＯのように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速度
は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所定
量下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ２
を指定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情報［）
ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｉ）２５〜Ｏ
２が共通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はアドレ
スＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前
記同様の作動を位置情Ｉ［ＩＤｍに従って繰り返し、最
後にＲＯＭのアドレスＡ１１３を指定し、最下辺の位置
情報Ｄ１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳ
が最下位置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止
する。このようにして各ウェハの実際の位置を検出する
ので次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正
確となる。Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. As shown in FIG. 7B below, <T3. The pulse width gradually becomes shorter from T4, and the descending speed of the sensor PS gradually increases until the pulse width T4.
At the repeat drive period 4, the lowering speed is lowered at a constant high speed. Furthermore, when approaching the vicinity of the first wafer WF25 shown in FIG. 6, the pulse width shown in FIG. When the sensor PS reaches the vicinity of the existing position, the sensor PS descends at a constant low speed sufficient to detect the laser reflected light. At this time, the pulse motor PM is driven by a drive pulse having a pulse width TI. When the position detection of wafer WF1 is completed, the pulse widths T8, T9', T
The sensor PS gradually becomes shorter like IO, and the descending speed of the sensor PS gradually increases.As before, it continues to descend at a constant high speed, and when it descends by a predetermined amount, the second address AD2 of the ROM in FIG.
is specified, and the position information Dm is extracted. This location information [)
m is the standard position information I) 25~O when expressed as the wafer spacing
2 is common, and address AD2 is sufficient as the data area for position information [)m. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information I[IDm, and finally, the address A113 of the ROM is designated, and the same operation as described above is performed according to the position information D1 on the bottom side, and the sensor PS
detects the lowest position signal generating means KS4L and stops the descent. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検用時に実際につ■ハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばさらに好ましい。Also, if it is detected that no wafer is actually present during this wafer position inspection, this fact is written in the RAM, and this wafer presence information (1, 0) is written in the RAM along with the wafer position information. This is convenient because it can quickly skip positions where no wafer exists. It is further preferable to store standard position information of other wafer cassettes of different sizes at addresses AD4 to AD6 of the ROM and to selectively use them.

次いでステップＳＡ２では、検出した各つ■ハ間の中心
位置ｄ１／２〜６２Ｂ／　２をマイクロプロセッサＭＰ
Ｕが御出し、各値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如く記憶
させる。次いでウェハＷＦＩの取出しのためにフィンガ
ＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で算出
したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３　
）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦＧを
位置させることができる。この位置での停止には第７図
Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵＫ１両
者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは、こ
の時のフィンガＦＧの１胃速度曲線を示す。Next, in step SA2, the detected center positions d1/2 to 62B/2 between each of the detected points are processed by the microprocessor MP.
U outputs and each value is stored in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WFI, the finger FG is raised from the current position (lowest point) to the position d1/2 calculated in step SA2 (step SA3).
). This allows the finger FG to be positioned at the safest point P1 in FIG. To stop at this position, the coincidence circuit CO of both the target value storage register OR and the up counter UK1 shown in FIG. 7A is used. Waveform B in FIG. 6 shows the 1 stomach velocity curve of finger FG at this time.

この地点Ｐ１でアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに碑降機構ＨＤを駆動してフィンガＦ
Ｇをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる。こ
れでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接触す
ることができるので、前述の真空吸引機構がオンとなっ
て作動し、フィンガＦＧがつＴハＷＦＩを吸着（ステッ
プ５Ａ６）ｉる。その後フィンガＦＧを、さらにｄ２／
２だけ一ト昇（ステップＳＡ７　）Ｌ、次いでウェハＷ
ＦＩを吸着したままウェハカセットＷＫから引抜（ステ
ップ５Ａ８）＜。続い−Ｃアーム伸縮駆動部八へを駆動
部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステー
ジＳＴに正対させ、アームＡＭｌ　、ＡＭ２を伸長して
つ■ハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣ
Ｈに引渡（ステップＳＡ９　）す。つ■ハＷＦ１は、セ
ンタリングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに引
渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の
処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。At this point P1, extend arms AM1 and AM2 and insert finger FG into wafer cassette WK (step SA
4), and then drive the lowering mechanism HD to lower the finger F.
G is increased by d1/2 (step SA5). This allows the upper surface of the finger FG to come into contact with the lower surface of the wafer WF1, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operates, and the finger FG attracts the T-wafer WFI (step 5A6). Then finger FG, then d2/
2 (step SA7) L, then wafer W
Pull out the wafer from the cassette WK with the FI still adsorbed (step 5A8). Continuing - Rotate the C-arm telescopic drive unit 8 by 90° using the drive unit MO to make the finger FG directly face the XY stage ST, extend the arms AMl and AM2, and move WF1 from the finger FG to the centering hand C.
Transfer to H (step SA9). (3) WF1 is further transferred from the centering hand CH to the XY stage ST (step S A10), and undergoes processing such as circuit burning and inspection (step S5A11).

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップＳ△１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦ１の収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図のｄｌ　＋６２　／２の位置即ち安
全点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させる。こ
の位ＭＰ２にてアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長しフィン
ガ１ＧをウェハカセットＷＫに挿入〈ステップ５Ａ１５
）する。When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage ST to the finger FG via the centering hand CH.
is collected and adsorbed again (step SΔ12.13). Next, the arms AM1 and AM2 are contracted and rotated, and the finger FG is lowered from the current position (the highest point) to the position of dl +62 /2 in FIG. 6, that is, the safety point P2, in order to store the wafer WF1 (step A 14) Let it happen. At this point, extend arms AM1 and AM2 at MP2 and insert finger 1G into wafer cassette WK <Step 5A15
)do.

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧからＩＩＩＢＪ
（ステップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧが
ざらにｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）され
フィンガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ
　Ａ　１９）かれる。以上の制御によりつ■ハＷＦ１の
取出し及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでつエ
バＷＦ２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．
ｄ３　／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様
にｎ−２６になるまで行なう。Next, lower the finger FG by d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WFI rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WFI moves from the finger FG to the IIIBJ.
(Step S A 17), and then the finger FG is roughly lowered by d2/2 (Step S A 18), and only the finger FG is pulled out from the cassette WK (Step S A 18).
A 19) It will be destroyed. With the above control, the WF1 can be taken out and stored accurately and safely. Next, the control for taking out and storing the Eva WF2 is controlled by d2/2.
The same procedure as above is performed based on the value of d3/2, and the same procedure is repeated until n-26 is reached.

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Δ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの時機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するとぎにつ■ハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦＩの取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣ）（への引渡しが行な
われ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行な
われ、［点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセ
ットＷＫへの挿入が開始され、Ｆ点でその収納が終了し
、その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始
まることを示している。FIG. 9Δ schematically represents the above situation. In the figure, X indicates the timing position of the finger FG, and after descending from this point to point Y (end point), the position of Insertion of the finger FG into the cassette WK begins at point A for ejection, the ejection is completed at point 8, transfer to centering hand C) (at point 0, and transfer from centering hand CH to point D). Retrieval is performed, and at point [the insertion of the finger FG into the cassette WK for wafer storage starts, the storage ends at point F, and the removal and storage of the second wafer WF starts from that position. It is shown that.

図では分り易くするためつ■ハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチＶ−トに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣ１−１と
ほぼ同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設
定しである。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移
動距離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様
である。In the figure, for the sake of clarity, all 3 of WF1 to WF3 are shown.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals on the flowchart V in FIG. Further, the standby position X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand C1-1 and near the uppermost wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 9B, which is preferable. This also applies to FIG. 9D.

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のつ工ハＷＦ１の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第９Ｂ図とほぼ同様に
第９Ａ、９Ｄ図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ図
を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが少
なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは回収
位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカセッ
トのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に設定
した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移動の
合Ｓ１距醋が最も少なく最も好ましい。これは全てのつ
■ハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置に運
ばなければならないことからして明らかである。この利
点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように無
駄な時間を少しでも節約づることはこの種装置において
ウェハ処理のための全体速度の向上に貫献でき極めて好
ましい。FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest workpiece WF1 are set almost on the same line, and the standby position of the fingers is also set on the same line. In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position X in Figure 9B to the top wafer WF3.
As shown in Figure 9E, even when the finger is set at a position near , that is, at position Y in Figure 9B, the overall vertical movement of the finger is almost the same as in Figure 9B and longer than in Figures 9A and 9D. It is obvious. However, it is preferable that each of the wafers be taken out and stored starting from the wafer closest to the position where all scanning for wafer position detection has been completed. Furthermore, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top so that the upper wafers are less contaminated. The example in FIG. 9C shows that the wafer delivery or collection position (the position of the centering hand CH) is set at approximately the center position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2. The distance is the least and is the most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a wafer transfer or retrieval location. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. It is extremely desirable to save as much wasted time as possible in this type of apparatus because it can contribute to improving the overall speed for processing wafers.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前■稈において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブ０−バに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに麿き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を南き込み、さらに右隣りに位置情報として
Ｄｍを崗き込む。［）ｍは前述したようにつ■ハの標準
（Ｏ置情報である。このように５１！ｌＩＩ＋′１ｊれ
ばつＪハＷ［２が存在しないことによるセン（、ＪＰＳ
の計測ミス即ちつ■ハＷＦ１を検出したときこれをウー
ｒハＷＦ２であると誤認する危険を避ｉすることかでき
る。Roughly speaking, not all wafers are always stored in the wafer cassette, and there are cases in which defective wafers are removed from the front culm before being transferred to the main stream, and in this case, If the operations related to wafer removal and storage of the fingers FG are skipped at a position where no wafer exists, the overall processing speed can be improved. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is written as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is written in d26/2. It is moved to RAM like d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, it writes a logic "0" into the address Ad2 of the RAM, and further writes Dm as position information to the right neighbor. [)m is the standard (O position information) of tsu■ha as mentioned above. In this way, if 51!lII+'1j then JhaW[2 is absent,
It is possible to avoid the measurement error, that is, the risk of mistakenly identifying WF1 as WF2 when WF1 is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存７ｆ　Ｌ、ないつＴハ
ＷＦ２を取出す無駄な動作を省略して＾連化を削ること
ができる。即ち前述のつ■ハ取出しｔ−ドにおいて、ウ
ェハＷＦ１の取出しまｊζは収納の後、ＲＡＭのアドレ
スＡｄ２のつ■ハ無し情報［０１を検出したらｄｌ　／
２＋Ｄｍ＋ｄ３　／２（ｆ＞演算を行なえば第６図の１
３点の近辺を求めることができる。したがってＰ２点を
スキップして１１点から１３点にフィンガＦＧを高速に
上昇さゼることができ好ましい。Furthermore, during the wafer unloading process, the unnecessary operation of taking out the 7f L and 7f WF2 can be omitted, thereby reducing the number of connections. That is, in the above-mentioned unloading mode, after the wafer WF1 is unloaded, the wafer WF1 is unloaded, and when the blank information [01 of the RAM address Ad2 is detected, dl /
2+Dm+d3/2(f>If you perform the calculation, 1 in Figure 6 is obtained.
It is possible to find the vicinity of three points. Therefore, it is preferable to skip the P2 point and quickly increase the finger FG from the 11th point to the 13th point.

−Ｆ図例において基準位＠ｘ、Ｙ、　７は第２図の始点
信号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、　「Ｂ（または
ＬＦ、ＰＩ−１）等の位置を選択的に対応させれば良い
。例えば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。- In the example of diagram F, the reference positions @x, Y, 7 may be selectively made to correspond to the positions of the start point signal generating means KS4 U, KS4 L, ``B (or LF, PI-1), etc. in Figure 2. For example, in the example of FIG. 9A, X=KS4U.

＝１９− Ｙ−ＫＳ４１−とし、第９Ｆ図の例ではＸ　＝　ｌ−Ｅ
（またはＰＩ−１，ＦＢ）、Ｙ−ＫＳ４　Ｌとすれば良
い。=19-Y-KS41-, and in the example of Figure 9F, X = l-E
(or PI-1, FB), Y-KS4 L may be used.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

８インチ等直径が異なるとぎウェハカセットの＾さも黄
なる（各つＴハ間の距離が異なる）ため、第９１−３，
９Ｄ、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹ
を共用できる形式の装置が種々のつ■ハサイズに対処し
得る点で好ましい。Because the wafer cassettes with different diameters of 8 inches also turn yellow (the distance between each T is different), No. 91-3,
X or Y on the lower side (common end) as shown in Figures 9D and 9F
A type of device that can be used in common is preferable because it can handle various sizes of disks.

［効　采］ 以１の如く本発明はその操作性向上に極めて多大に寄与
し得るものである。[Effects] As described in 1 below, the present invention can greatly contribute to improving the operability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＷＫＤ・・・ウェハカセット駆動部 Ｍ　Ｐ　Ｕ・・・マイクロプロセッサ ＲＯＭ・・・リードオンリメモリ ＲＡＭ・・・ランダムアクセスメモリ ＫＳ・・・支持板 ＣＴ・・・蝶番機構Fig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
4B and 4C are configuration examples of fingers, FIG. 5 is a front view of the wafer, FIG. 6 is a front view of the opening of the wafer cassette, and FIG. 7 is a control block diagram of the present invention, and FIG. 7B is is a control waveform diagram, FIG. 8 is a control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette WKD...Wafer cassette drive unit MPU...Microprocessor ROM...Read-only memory RAM...Random access Memory KS...Support plate CT...Hinge mechanism

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、複数のウェハカセットを各々支持する支持部材と、
該支持部材の一部に備えられ、上記ウェハカセットを姿
勢変更するための少なくとも１つの折曲り自在機構とを
有することを特徴とするウェハ処理装置。 ２、前記支持部材が、２個のウェハカセットを上下に積
重ねる如く支持するものであり、前記折曲り自在機構が
、上記支持部材の上半分及び上側ウェハカセットを後傾
させる蝶番機構を含む特許請求の範囲第１項記載のウェ
ハ処理装置。[Claims] 1. A support member that supports each of a plurality of wafer cassettes;
A wafer processing apparatus comprising at least one bendable mechanism provided in a part of the support member for changing the orientation of the wafer cassette. 2. A patent in which the support member supports two wafer cassettes in a vertically stacked manner, and the bendable mechanism includes a hinge mechanism that tilts the upper half of the support member and the upper wafer cassette backward. A wafer processing apparatus according to claim 1.