JPS6245038A - Wafer processing - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To prevent the wafers picked up and contained from being stained by a method wherein wafers in wafer cassette are processed successively from the bottom one to the upper ones. CONSTITUTION:The position of centering hand CH i.e. the position of delivery or recovery and the position of bottom wafer WF1 are almost aligned with each other to pick up and contain the wafers at the position nearest to the position wherein overall scanning for detecting wafer positions is finished. In such a case, the upper wafers are not stained by means of processing the wafers from the bottom one to the upper ones. When the delivery or recovery of wafers is set up at the position near the wafer WF2 in the central position i.e. almost the intermediate position of wafer cassette, the total distance of vertical movement of finger FG can be reduced to be optimum.

Description

【発明の詳細な説明】 〔分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field] The present invention relates to a wafer processing method used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, and the like.

［従来技術］ 従来この種の方法においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収納
の際にウェハが汚れることがあった。[Prior Art] Conventionally, this type of method has had drawbacks in accuracy, productivity, occupied area, etc., and in particular, the wafers have been contaminated when they are taken out and stored.

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
にウェハ汚れのないウェハ処理方法を提供することを目
的とする。[Objective] The present invention solves the above-mentioned difficulties and provides a wafer processing method that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and in particular does not cause wafer contamination when taking out and storing wafers. purpose.

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫＩ〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ　、ＷＫ’
Ｄ２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動
して各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載
用のフィンガ、ＡＭｌ　、ＡＭ２はアームである。Ｇｌ
　、　Ｇ２　。[Embodiment] FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer prober according to an embodiment of the present invention. In the figure, WKI to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDl, WK'
D2 is a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other via a support plate KS, FG is a finger for mounting wafers, and AMl and AM2 are arms. Gl
, G2.

Ｇ３は軸で、アームＡＭ１　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
エハカセッ＋−Ｗ　ＫからアームＡＭ１．ＡＭ２及びフ
ィンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリン
グハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上
のウェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷ
Ｆは静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる。G3 is the shaft, arms AM1, AM2 and fingers FG
is constructed so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AD is configured to be able to move up and down and rotate freely by mounting the arm and finger. From wafer cassette +-WK to arm AM1. Wafer WF carried out by AM2 and finger FG is centered by centering hand CH and transferred onto wafer chuck WC on XY stage ST. Transferred wafer W
F is repositioned by capacitive sensor QS.

またこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビモ
ニタＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされる
。At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a television monitor TVD.

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微ｆｆ１ＯＰの真下に設定され、目視ＷＡ察
または自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示の
プローブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定の
チップテスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦ
はフィンガＦＧ１アームＡＭＩ　、ＡＭ２によりウェハ
カセットＷＫの元の位置に戻される。以上の動作を繰り
返すことによりウェハカセットＷＫ内の各ウェハＷＦに
ついて順次チップテスト動作が行なわれる。The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand CH, is set directly below the microscope ff1OP by moving the XY stage ST, and the chip terminals on the wafer WF and probe terminals (not shown) are visually inspected by WA or automatically. Alignment is performed. After that, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF
is returned to its original position in the wafer cassette WK by fingers FG1 arms AMI and AM2. By repeating the above operations, the chip test operation is sequentially performed on each wafer WF in the wafer cassette WK.

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
Ｉ　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
I and AM2 are rotated 90° clockwise with respect to FIG. In the same figure, for example, wafer cassette WK4
is the wafer cassette drive unit W together with the wafer cassette WK3.
The wafer is raised to a predetermined wafer delivery and collection position by KD2.

フィンガＦＧ及びアームＡＭＩ　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板Ｅ８に
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＯごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう。The fingers FG and the arms AMI and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store wafers WF1 to WF4, etc. The arm telescopic drive unit AD is moved up and down together with the base KD by the movable plate E8 of the elevating mechanism HD, and the wafers WF1 to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD along with the base KO, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck WC.

ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源１−　ｚ
からのレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射す
るハーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全
反射ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレ
ーザ光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達す
る。保護ケースｓＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの
反射レーザ光を検出する。LZ is a semiconductor laser source, HM is a semiconductor laser source 1-z
A half mirror that irradiates the laser beam LW from the wafer cassette toward the wafer cassette side, and transmits the laser beam LW reflected by the total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer end of the wafer cassette to the semiconductor laser sensor PS. do. A semiconductor laser sensor PS inside the protective case sB detects this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The current position of F can be reliably known, and malfunctions such as collision between finger FG and wafer WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate EB, and the plate LS is provided with a hole LH, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and there is no hole at the position shown in FIG. Be cut off.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２，３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror HM
As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor laser sensor PS is arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed. A vacuum tube TU for wafer suction passes through this telescopic arm.
This can be done by groove fitting, gluing, or other methods. As a result, the arm, which has a large range of movement, and the tube move around in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号Ｒ生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＩ−１は各々可動板ＥＢの位置
を検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光
素子である。In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are means for generating a signal R for the uppermost (lower) position of the wafer, each consisting of a protrusion, for example, and LE and PI-1 in the elevating mechanism HD detect the position of the movable plate EB, and detect the position of the wafer. This is a light emitting/receiving element that determines the delivery or collection position.

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＬＩ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。The finger FG has a simple structure of two upper and lower plates FGLI and FGL glued together, as shown in FIGS. 4A, B, and C.

上板ＦＧＬＩには貫通孔Ｕ１〜ＵＩＯが設けられ、下板
ＦＧＬには溝Ｌｌ、貫通孔Ｌ２〜Ｌ７が設けられる。そ
して溝Ｌ１と孔（Ｊｌ　、　ＣＩ２　。Upper plate FGLI is provided with through holes U1 to UIO, and lower plate FGL is provided with grooves Ll and through holes L2 to L7. and groove L1 and hole (Jl, CI2.

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｉ
Ｊ１０、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴＵが
接続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸引室
内の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して密室
となりウェハ吸着が行なわれる。また、孔Ｌ１８．　Ｃ
Ｉ９．　Ｌ６　、　Ｌ７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ
，ＳＬが嵌合される。ビンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウ
ェハＷＦの端面を位置決めするための位置部材で、４イ
ンチ、６インチ、８インチ等の直径の異なるウェハに対
して孔Ｕ４　、　ＩＪ６　、　ＣＩ８のいずれかを選択
してビンＳＬを嵌合させる。ビンＳＲも同様に孔ＩＪ５
　、　Ｕ７　。A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove L1 is the hole I
J10, tube TU is connected and exhausted via tube holder TH. When a wafer is placed on the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, the wafer is suctioned and becomes a closed chamber, where wafer suction is performed. Also, hole L18. C
I9. L6, L7, etc. have bin SR as shown in Figure 4C.
, SL are fitted. As shown in Fig. 3, the bins SR and SL are positioning members for positioning the end face of the wafer WF, and are used to locate holes U4, IJ6, and CI8 for wafers with different diameters such as 4 inches, 6 inches, and 8 inches. Select and fit the bottle SL. Similarly, the bottle SR has hole IJ5.
, U7.

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。Select U9 and fit it. This makes it possible to optimally determine the bin position for wafers of different diameters, which is preferable.

上段のウェハカセットＷＫ１　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、に３３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WK1 and WK3 are constructed such that, for example, support plates KS3 and 33B can be bent outward by a hinge mechanism CT. This makes it easy to replace the lower cassettes WK2 and WK4, which is preferable. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length corresponding to a single cassette is provided at the position corresponding to the wafer removal and storage position (the upper position of the cassette in Figure 1). That's fine.

前述ノセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３，ＫＯ２等も読取らせることができる。The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO2 etc. can also be read.

即ちＫＯ２、に０４等は論理ｒ１Ｊ、ｒＯＪを表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してに０３等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。That is, KO2, 04, etc. consist of codes representing logic r1J, rOJ, and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read the code information such as 03, etc., thereby knowing the cassette identification number. .

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはつエバを識別するコ
ード情報で、ウニ八番号、ウェハカセット番号、ロフト
番号等が準備される。この情報の書込にはレヂクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる。、ＣＩ−ＩＰは検査される回路チップ領域を
示す。FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the same figure, code information for identifying the WCN evaporator is prepared, such as the Uni-Hachi number, the wafer cassette number, and the loft number. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticule original plate, laser printing, ink, etc.
The television camera TVK shown in FIG. 1 is used to read this information. , CI-IP indicates the circuit chip area to be inspected.

Ｍ６図はウェハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出しておけば良い
。Figure M6 is a front view looking at the opening of the wafer cassette WK.
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, it is sufficient to accurately detect the position of each wafer and calculate the safest insertion position of the finger FG, that is, the center position P1 to P26 between each wafer, etc., before the finger moves in and out.

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１．７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のウェハＷＦ２５を検出した段
階で最初の距離６２Ｇが決定され、同様に２枚目のウェ
ハＷ　Ｆ　２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定され
、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。FIG. 7A is a control block diagram for this purpose, and FIG. 8 is a flowchart showing the control procedure, which is stored as microinstructions in the read-only memory ROM shown in FIG. 1.7. The operation will be explained below according to this procedure. do. In step SAI, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend and starts detecting the wafer position, for example, when it detects the uppermost position signal generation means KS4U shown in FIG. The first distance 62G is determined when the sensor PS detects the first wafer WF25, the distance d25 is determined when the second wafer WF24 is detected, and the following is similarly detected up to the bottom dl. do.

このときセンサＰ　Ｓを一定の速度即ちセンサＰＳの応
答速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これによ
り全体検出、速度の低下は免れ得ない。At this time, the sensor PS may be raised at a constant speed, that is, at a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably causes a decrease in overall detection and speed.

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位＠Ｄ１〜［）２６を予め記憶さ
せておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い
。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位置
情報［］２６をマイクロプロセッサＭＰｔＪが取り込み
、この情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定
する。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１
〜Ｔ１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶
されており、まずＴ１に対応する２進化された時間情報
がＭＰＬＩの制御によってダウンカウンタＤＫに格納さ
れる。同時に７リツプフロツプＦＦがセットされ、また
モータドライブ回路ＭＤＩｆｉ動作する。モータドライ
ブ回路ＭＤ内には４進カウンタが内蔵されており、その
最初の出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動
パルス（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始める
。Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present. Therefore, the positions of each wafer in a standard wafer cassette @D1 to [)26 may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents. That is, first, the microprocessor MPtJ takes in the standard position information []26 from the address AD1 of the ROM, and based on this information, determines the pulse train DM of FIG. 7B, for example. Pulse width T1 of each pulse of this drive pulse train DM
-T10 are stored in a table format in an unillustrated portion of the ROM, and first, the binarized time information corresponding to T1 is stored in the down counter DK under the control of the MPLI. At the same time, the 7 lip-flop FF is set, and the motor drive circuit MDIfi also operates. A quaternary counter is built in the motor drive circuit MD, and the first output thereof opens the AND gate A1, and the first drive pulse (T1) starts the pulse motor PM.

ダウンカウンタＤＫは発振器ｏＳＣの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデコーダＤＣがこれを検出してフリ
ップ７０ツブＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、　
Ａ３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終
了する。Down counter DK starts subtraction in response to the oscillation pulse of oscillator oSC, and when the value reaches a specific value, for example O, a specific value decoder, for example O decoder DC, detects this and resets flip 70 tube FF. This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gate A2,
A3 and A4 are sequentially passed, and driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．７４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のウェハＷＦ２５の近辺に
近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次第
に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け、
ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達する
とセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分η一定の
低速度で下降する。このときはパルス幅Ｔ７の駆動パル
スでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦＩの位
置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　、　Ｔ１
０のように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速度は
次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所定量
下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ２を
指定し、位置情報［）ｍを取り出す。この位置情報［］
ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報［）２５〜Ｄ
２が共通となり、位置情報Ｄｍのデータ領域はアドレス
ＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前記
同様の作動を位置情報Ｑｍに従って繰り返し、最後にＲ
ＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下辺の位置情報Ｄ１
に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最下位
置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する。こ
のようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次か
らの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確となる
。Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. Below, as shown in FIG. 7B, the pulse width gradually becomes shorter as <T3.74, and the descending speed of the sensor PS gradually increases, and the pulse width T
At the repeat drive period 4, the lowering speed is lowered at a constant high speed. Furthermore, when approaching the vicinity of the first wafer WF25 shown in FIG. 6, the pulse width shown in FIG. 7B gradually becomes longer to T5 and T6, and the sensor PS continues to descend while being decelerated.
When the sensor PS reaches the vicinity of the location of the wafer WF25, the sensor PS descends at a low speed constant η enough to detect the laser reflected light. At this time, the pulse motor PM is driven by a drive pulse with a pulse width T7. When the position detection of the wafer WFI is completed, the pulse widths T8, T9, T1
0, the descending speed of the sensor PS gradually increases, and it continues to descend at a constant high speed as before. When it descends by a predetermined amount, specify the second address AD2 of the ROM in FIG. 7A, and set the position. Extract information [)m. This location information []
m is the standard position information [)25~D expressed as the wafer spacing.
2 is common, and only one address AD2 is sufficient as the data area for the position information Dm. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information Qm, and finally R
Specify the address AD3 of OM and the position information D1 of the bottom side
Accordingly, the same operation as described above is performed, and the sensor PS detects the lowest position signal generating means KS4L and stops the lowering. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，Ｏ）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用ずれ
ばさらに好ましい。Also, if it is detected that the wafer does not actually exist during this wafer position detection, it is written to the RAM.If this wafer presence/absence information (1, O) is written to the RAM along with the wafer position information, the wafer can be detected. This is convenient because it allows you to quickly skip positions that do not exist. It is further preferable to store standard position information of other wafer cassettes of different sizes at addresses AD4 to AD6 of the ROM and use them selectively.

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位置ｄ１／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサＭ
ＰＵが算出し、６値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如く記
憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフィン
ガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で算
出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３
　）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦＧ
を位置させることができる。この位置での停止には第７
図Ａの目標値格納レジスタＯＲ、アップカウンタＵＫ１
両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは、
この時のフィンガＦＧの上界速度曲線を示す。Next, in step SA2, the detected center positions d1/2 to d26/2 between each wafer are determined by the microprocessor M.
The PU calculates and stores the six values in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WF1, the finger FG is raised from the current position (lowest point) to the position d1/2 calculated in step SA2 (step SA3).
). As a result, the finger FG is placed at the safest point P1 in Figure 6.
can be located. To stop at this position, the seventh
Target value storage register OR, up counter UK1 in Figure A
Both matching circuits CO are used. Waveform B in Fig. 6 is
The upper limit velocity curve of the finger FG at this time is shown.

この地点Ｐ１でアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに昇降機構）−１０を駆動してフィン
ガＦＧをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる
。これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接
触することができるので、前述の真空吸引機構がオンと
なって作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ス
テップ５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、さらにｄ
２／２だけ上昇（ステップＳＡ７　）Ｌ、次いでウェハ
ＷＦＩを吸着したままウェハカセットＷＫから引抜（ス
テップ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆動
部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステー
ジＳＴに正対させ、アームＡＭｌ　、ＡＭ２を伸長して
ウェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣ
Ｈに引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦＩは、セ
ンタリングハンドＣＨからざらにＸＹステージＳＴに引
渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の
処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。At this point P1, extend arms AM1 and AM2 and insert finger FG into wafer cassette WK (step SA
4) and then drive the lifting mechanism)-10 to raise the finger FG by d1/2 (step SA5). The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WF1, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG attracts the wafer WF1 (step 5A6). Then finger FG, then d
Lift up by 2/2 (step SA7) L, then pull out from the wafer cassette WK while holding the wafer WFI (step 5A8). Next, the arm telescopic drive unit AD is rotated by 90 degrees by the drive unit MO to make the finger FG face the XY stage ST, and the arms AMl and AM2 are extended to move the wafer WF1 from the finger FG to the centering hand C.
Transfer to H (step SA9). The wafer WFI is roughly transferred from the centering hand CH to the XY stage ST (step S A10), and undergoes processing such as circuit burning and inspection (step S5A11).

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣ）Ｉを介してフィンガＦ
Ｇに回収され、再び吸＠（ステップ５Ａ１２．１３）さ
れる。次にアームＡＭ１．ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦ１の収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図の６１　＋ｄ２　／２の位置即ち安
全点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させる。こ
の位＠Ｐ２にてアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長しフィン
ガＦＧをつエムカセットＷＫに挿入（ステップ５Ａ１５
）する。When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage ST to the finger F via the centering hand C)I.
It is collected by G and sucked again (step 5A12.13). Next, arm AM1. AM2 is contracted and rotated, and the finger FG is lowered from the current position (the highest point) to the position of 61 + d2 /2 in FIG. 6, that is, the safety point P2 (step S A 14), in order to store the wafer WF1. At this time @P2, extend arm AMI and AM2 and insert into M cassette WK with finger FG (step 5A15)
)do.

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦ１は元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがざらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）されフィン
ガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ　Ａ　
１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハＷＦ
２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．ｄ３　
／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にｎ＝
２６になるまで行なう。Next, lower the finger FG by d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WF1 rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WFI is separated from the finger FG (step S A 17), and then the finger FG is roughly d2/2 is lowered (Step S A 18), and only the finger FG is pulled out from the cassette WK (Step S A
19) To be killed. The above control allows the wafer WF1 to be taken out and stored accurately and safely. Then wafer WF
2 takeout and storage control is now d2 /2. d3
Perform the same procedure as above based on the value of /2, and similarly, n=
Do this until you reach 26.

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
にお・いて、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この
点を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェ
ハの位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置に
あるウェハＷＦ１の取出しのためにＡ点でフィンガＦＧ
のカセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終
了し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行な
われ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行な
われ、Ｅ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセ
ットＷＫへの挿入が開始され、Ｅ点でその収納が終了し
、その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始
まることを示している。FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG, and when descending from this point to the Y point (end point), the position of the wafer is detected, and then the wafer WF1 located closest to that position is detected. Finger FG at point A to take out the
Insertion of the wafer into the cassette WK is started, removal is completed at point 8, transfer to centering hand CH is performed at point 0, collection from centering hand CH is performed at point D, and storage of the wafer is completed at point E. Therefore, the insertion of the finger FG into the cassette WK is started, the storage is finished at point E, and the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位＠ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９８図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様であ
る。In the figure, all three wafers, WF1 to WF3, are used for ease of understanding.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position @X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH, and near the uppermost wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 98, which is preferable. This also applies to FIG. 9D.

１９８図はセンタリングハンドＣ）ｌの位置即ちウェハ
引き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦ１の位
置がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガ
の待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は
図示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くな
る。第９Ｂ図のフィンガ待機位ＭＸを最上位ウェハＷＦ
３の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合で
もフィンガの上下方向全体移動量は第９Ｂ図とほぼ同様
に第９Ａ、９Ｄ図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ
図を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位
置検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェ
ハから取出し、収納が始まることは好ましい。またウェ
ハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが
少なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは回
収位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカセ
ットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に設
定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移動
の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全てのウ
ェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置に運
ばなければならないことからして明らかである。この利
点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように無
駄な時間を少しでも節約することはこの種装置において
ウェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極めて好
ましい。Figure 198 shows an example in which the position of the centering hand C)l, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest wafer WF1 are set to be approximately on the same line, and the standby position of the finger is also set on the same line. In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. The finger standby position MX in Figure 9B is the top wafer WF.
Even when the finger is set at a position near point 3, that is, at position Y in FIG. 9B, the overall vertical movement of the finger is almost the same as in FIG. 9B, and is longer than in FIGS. 9A and 9D.
This is clear from the diagram. However, it is preferable that each of the wafers be taken out and stored starting from the wafer closest to the position where all scanning for wafer position detection has been completed. Furthermore, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top so that the upper wafers are less contaminated. The example in FIG. 9C shows a state in which the wafer delivery or collection position (the position of the centering hand CH) is set at approximately the center position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the total distance of the vertical movement of the finger FG is the least and most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a wafer transfer or collection location. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. Saving even a small amount of wasted time in this manner contributes to improving the overall speed of wafer processing in this type of apparatus, and is therefore extremely desirable.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を書き込み、さらに右隣りに位置情報として
［）ｍを書き込む。Ｄｍは前述したようにウェハの標準
位置情報である。このように処理すればウェハＷＦ２が
存在しないことにょるセンサＰＳの計測ミス即らウェハ
ＷＦＩを検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤認
する危険を避けることができる。In general, the wafer cassette does not always contain all the wafers, and there are cases where defective wafers are removed in the previous process and transferred to this prober, and in this case, there are no wafers. In this case, the overall processing speed can be improved by skipping operations related to wafer removal and storage of the fingers FG. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is written as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is written in d26/2. Write to RAM as d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, it writes logic "0" to the address Ad2 of the RAM, and further writes [)m as position information to the right-hand side. As described above, Dm is the standard position information of the wafer. By processing in this way, it is possible to avoid a measurement error of the sensor PS due to the absence of the wafer WF2, that is, the risk of misidentifying the detected wafer WFI as the wafer WF2.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
ＦＩの取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報ｒＯＪを検出したらｄｌ　／２＋Ｄｍ
＋６３　／２の演算を行なえば第６図の８３点の近辺を
求めることができる。したがって１２点をスキップして
２１点がら８３点にフィンガＦＧを高速に上昇させるこ
とができ好ましい。Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the above-mentioned wafer unloading mode, the wafer W
After taking out or storing FI, RAM address Ad2
If the no-wafer information rOJ is detected, dl /2+Dm
By performing the calculation +63/2, the vicinity of 83 points in FIG. 6 can be obtained. Therefore, it is preferable that the finger FG can be rapidly increased from 21 points to 83 points by skipping 12 points.

上図例において基準位！ｆｆＸ、Ｙ、Ｚは第２図の始点
信号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（または
ＬＥ、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例
えば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。In the example above, the reference position! ffX, Y, and Z may be selectively made to correspond to the positions of the starting point signal generating means KS4 U, KS4 L, EB (or LE, PH), etc. in FIG. For example, in the example of FIG. 9A, X=KS4U.

Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとし、第９Ｆ図の例ｒ　ハＸ　＝　Ｌ　
Ｅ（ま１．ｔＰＨ，ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌと’ｔｈば
良い。Let Y = KS4 L, and the example r in Figure 9F is X = L
E(ma1.tPH, EB), Y=KS4 L and 'th is fine.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９８，９０
．９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。When the wafer cassettes have different diameters of 8 inches, the heights of the wafer cassettes also differ (the distance between each wafer is different), so the 98th and 90th
．． An apparatus of a type in which the lower side (common end) X or Y can be shared, as in the example shown in FIG. 9F, is preferable because it can handle various wafer sizes.

［効　果］ 以上の如く本発明はウェハ汚れの防止に極めて多大に寄
与し得るものである。[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to the prevention of wafer contamination.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の一実施例のＩＲ観斜視図、第２図はそ
の一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４
Ａ図、第４Ｂ図、第４ｃ図はフィンガの構成開口、第５
図はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正
面図、第７図は本発明の制御ブロツク図、第７Ｂ図はそ
の制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図
、第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ川用ィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセットFIG. 1 is an IR perspective view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged side view, FIG. 3 is a partially enlarged top view, and FIG.
Figure A, Figure 4B, and Figure 4C are the configuration openings of the fingers, and Figure 5.
6 is a front view of the opening of the wafer cassette, FIG. 7 is a control block diagram of the present invention, FIG. 7B is a waveform diagram for its control, FIG. 8 is a flowchart for its control, and FIG. 9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG river finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、ウェハカセットから処理前のウェハを取出して処理
した後、また元の位置に収納するウェハ処理方法であつ
て、上記ウェハカセット内の各ウェハを下から上に向か
つて順次処理することを特徴とするウェハ処理方法。 ２、前記ウェハを直進型ハンドにより取出し及び収納す
る特許請求の範囲１項記載のウェハ処理方法。[Claims] 1. A wafer processing method in which unprocessed wafers are taken out from a wafer cassette, processed, and then returned to their original positions, and each wafer in the wafer cassette is oriented from bottom to top. A wafer processing method characterized by sequential processing. 2. The wafer processing method according to claim 1, wherein the wafer is taken out and stored by a linear hand.