JPS6236252A - Wafer processing device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To correctly insert and demount a cassette by installing a starting- point information generating part for a wafer in the vicinity of a common standard point for setting plural kinds of wafer cassettes having different sizes and detecting the starting point of the wafer. CONSTITUTION:A wafer insertion driving part AD which can be moved vertically and turned is installed between a plurality of wafer cassettes WK (WK3, WK4) arranged in symmetry in the vertical and transverse directions. Said cassettes are accommodated, keeping the supporting plate KS3 and KS4 as standard position. Projections KS3U, KS3L, and KS4U, KS4L are formed onto the rear walls KS3B and KS4B of the supporting plate, and the upper-side starting point and the lower-side starting point of the cassettes are formed. The light supplied from the laser light source LZ in the driving part AD passes through a half mirror HM, and the reflected light LW by the rear walls KS3B and KS4B is transmitted into an optical sensor PS. The starting point of the cassette is detected by the reflected light LW. Therefore, a wafer can be correctly inserted and demounted even for the cassette having different sizes.

Description

【発明の詳細な説明】 Ｅ分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field E] The present invention relates to a wafer processing apparatus used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, and the like.

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハ位置検出機構の始
点情報発生機構に問題があった。[Prior Art] Conventionally, this type of apparatus has problems with its accuracy, productivity, occupying area, etc., and in particular, there have been problems with the starting point information generating mechanism of the wafer position detecting mechanism.

［目　的１ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハ位置検出のための簡易
な始点情報発生機構を備えたウェハ処理装置を提供する
ことを目的とする。[Objective 1] The present invention solves the above-mentioned difficulties and provides a wafer processing apparatus that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and is particularly equipped with a simple starting point information generation mechanism for detecting the wafer position. The purpose is to

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウェハブローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫ１〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、ＡＭｌ　、ＡＭ２はアームである。Ｇｌ　
、　Ｇ２　。[Embodiment] FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer blobber according to an embodiment of the present invention. In the figure, WK1 to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDl, WKD
Reference numeral 2 designates a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other through a support plate KS, FG a finger for mounting wafers, and AMl and AM2 arms. Gl
, G2.

Ｇ３は軸で、アームＡＭ１　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するだめの駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
ェハカセットＷＫからアームＡｌｌ　、ＡＭ２及びフィ
ンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリング
ハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上の
ウェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷＦ
は静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる。ま
たこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビモニ
タＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされる。G3 is the shaft, arms AM1, AM2 and fingers FG
is constructed so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AD is configured to be able to move up and down and rotate freely by mounting the arm and finger. Wafer WF carried out from wafer cassette WK by arms All, AM2 and fingers FG is centered by centering hand CH and transferred onto wafer chuck WC on XY stage ST. Transferred wafer WF
is repositioned by capacitive sensor QS. At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a television monitor TVD.

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはｘＹステージＳＴの移
動により顕微１ｔＯＰの真下に設定され、目視観察また
は自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロ
ーブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチッ
プテスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦはフ
ィンガＦＧ１アームＡＭ１　、ＡＭ２によりウェハカセ
ットＷＫの元の位置に戻−される。以上の動作を繰り返
すことによりウェハカセットＷＫ内の各ウェハＷＦにつ
いて順次チップテスト動作が行なわれる。The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand CH, is set directly below the microscope 1tOP by moving the xY stage ST, and the positions of the chip terminals and probe terminals (not shown) on the wafer WF are determined by visual observation or automatically. A match is made. Thereafter, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF is returned to its original position in the wafer cassette WK by the fingers FG1 arms AM1 and AM2. By repeating the above operations, the chip test operation is sequentially performed on each wafer WF in the wafer cassette WK.

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
Ｉ　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
I and AM2 are rotated 90° clockwise with respect to FIG. In the same figure, for example, wafer cassette WK4
is the wafer cassette drive unit W together with the wafer cassette WK3.
The wafer is raised to a predetermined wafer delivery and collection position by KD2.

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう。The fingers FG and the arms AM1 and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store the wafers WF1 to WF4, etc. The arm telescopic drive unit AD is moved up and down together with the base KD by the movable plate EB of the elevating mechanism HD, and the wafers WF1 to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD along with the base KD, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck WC.

しＺは半導体レーデ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。Z is a semiconductor laser source, HM is a half mirror that irradiates the laser beam LW from the semiconductor laser source LZ toward the wafer cassette side, and it is reflected by a total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer edge of the wafer cassette. The generated laser light LW is transmitted and transmitted to the semiconductor laser sensor PS.

保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰ、Ｓはこの反
射レーザ光を検出する。Semiconductor laser sensors P and S inside the protective case SB detect this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The current position of F can be reliably known, and malfunctions such as collision between finger FG and wafer WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate EB, and the plate LS is provided with a hole LH, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and there is no hole at the position shown in FIG. Be cut off.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２．３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror HM
, the semiconductor laser sensor PS is arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend, as shown in FIG. 2.3. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed. A vacuum tube TU for wafer suction passes through this telescopic arm.
This can be done by groove fitting, gluing, or other methods. As a result, the arm, which has a large range of movement, and the tube move around in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板ＥＢの位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素子
である。In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are wafer uppermost (lower) position signal generating means, each consisting of a protrusion, for example, and LE and PH in the elevating mechanism HD detect the position of the movable plate EB, and are used to transfer or collect the wafer. It is a light emitting/receiving element that determines the position.

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。上
板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜ＩＪ１Ｇが設けられ、下板Ｆ
ＧＬには溝１１．貝通孔Ｌ２〜Ｌ７が設けられる。そし
て１ＩＬ１と孔Ｕｌ　、　Ｕ２　。The finger FG has a simple configuration of two upper and lower plates FGU and FGL glued together as shown in FIGS. 4A, B, and C. The upper plate FGU is provided with through holes U1 to IJ1G, and the lower plate FGU is provided with through holes U1 to IJ1G.
GL has a groove 11. Shell through holes L2 to L7 are provided. and 1IL1 and holes Ul, U2.

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ
ＩＯ、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴｕが接
続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸引室内
の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して密室と
なりウェハ吸着が行なわれる。また、孔Ｕ８．Ｕ９．Ｌ
６．Ｌ７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，ＳＬが嵌合さ
れる。ビンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウェハＷＦの端面
を位置決めするための位置部材で、４インチ、６インチ
、８インチ等の直径の異なるウェハに対して孔Ｕ４　、
Ｕ６　、ｕａのいずれかを選択してビンＳＬを嵌合させ
る。ビンＳＲも同様に孔Ｕ５　、　ＩＪ７　。A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove L1 is the hole U.
The tube Tu is connected via the IO and the tube holder TH and is exhausted. When a wafer is placed on the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, the wafer is suctioned and becomes a closed chamber, where wafer suction is performed. Also, hole U8. U9. L
6. Bins SR and SL are fitted into L7 and the like as shown in FIG. 4C. The bins SR and SL are positioning members for positioning the end face of the wafer WF as shown in FIG.
Either U6 or ua is selected and the bin SL is fitted. Bin SR also has holes U5 and IJ7.

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。Select U9 and fit it. This makes it possible to optimally determine the bin position for wafers of different diameters, which is preferable.

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位Ｍ（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WKI and WK3 are constructed so that, for example, support plates KS3 and KS3B can be bent outward by a hinge mechanism CT. This makes it easy to replace the lower cassettes WK2 and WK4, which is preferable. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length corresponding to a single cassette is provided at the position corresponding to the wafer takeout and storage position M (the upper position of the cassette in Figure 1). Just be prepared.

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３、ＫＯ４等も読取らせることができる。The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO4 etc. can also be read.

即ちＫＯ３、ＫＯ４等は論理「１」、「０」を表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してＫＯ３等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。That is, KO3, KO4, etc. consist of codes representing logical "1" and "0", and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read the code information of KO3, etc., thereby knowing the cassette identification number. I can do it.

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる＠ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す。FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the figure, WCN is code information for identifying a wafer, and a wafer number, wafer cassette number, lot number, etc. are prepared. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticle original plate, laser printing, ink, etc.
To read this information, the television camera TVK of FIG. 1 is used. @CHP indicates the circuit chip area to be inspected.

第６図はウェハカセットＷＫの間口部を見起正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ闇の中心位ｔｐｉ〜Ｐ２６等を算出しておけば良い
。FIG. 6 is a front view of the frontage of the wafer cassette WK.
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, before the finger moves in and out, the position of each wafer may be accurately detected in advance, and the safest entry position of the finger FG, that is, the center position of each wafer's darkness tpi to P26, etc., may be calculated.

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１，７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡ１ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のウェハＷＦ２５を検出した段
階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２枚目のウェ
ハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定され、以
下同様に最下部のｄｌまで検出する。FIG. 7A is a control block diagram for this purpose, and FIG. 8 is a flowchart showing the control procedure, which is stored as microinstructions in the read-only memory ROM shown in FIGS. 1 and 7. The operation will be explained below according to this procedure. do. In step SA1, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend and starts detecting the wafer position, for example, when it detects the uppermost position signal generation means KS4U shown in FIG. The first distance d26 is determined when the sensor PS detects the first wafer WF25, the distance d25 is similarly determined when the second wafer WF24 is detected, and the detection is performed in the same manner up to the lowest dl.

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。At this time, the sensor PS may be raised at a constant speed, that is, at a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably reduces the overall detection speed.

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置Ｄ１〜Ｄ２６を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い。Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present. Therefore, the positions D1 to D26 of each wafer in a standard wafer cassette may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents.

即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位置情
報０２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、この
情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定する。That is, first, the microprocessor MPU takes in the standard position information 026 from the address AD1 of the ROM, and based on this information, determines the pulse train DM of FIG. 7B, for example.

この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜Ｔ１
０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶されて
おり、まずＴ１に対応する２進化された時間情報がＭＰ
Ｕの制御によってダウンカウンタＤＫに格納される。同
時にフリップ７０ツブＦＦがセットされ、またモータド
ライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回路ＭＤ内
には４進カウンタが内蔵されており、その最初の出力に
よりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パルス（Ｔ１
）によりパルスモータＰＭが起動を始める。Pulse width T1 to T1 of each pulse of this drive pulse train DM
0 is stored in a table format in an unillustrated part of the ROM, and first, the binarized time information corresponding to T1 is stored in MP.
It is stored in the down counter DK under the control of U. At the same time, the flip 70 knob FF is set and the motor drive circuit MD is operated. The motor drive circuit MD has a built-in quaternary counter, and the first output of the counter opens the AND gate A1, and the first drive pulse (T1
), the pulse motor PM starts to start.

ダウンカウンタＤＫは発振器ｏＳＣの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデコーダ［）Ｃがこれを検出してフ
リップ７０ツブＦＦをリセットする。これにより駆動パ
ルスＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、
Ａ３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終
了する。Down counter DK starts subtraction in response to the oscillation pulse of oscillator oSC, and when the value reaches a specific value, for example O, a specific value decoder, for example O decoder [)C, detects this and resets flip 70 tube FF. This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gate A2,
A3 and A4 are sequentially passed, and driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３　、Ｔ４と次第にパルス幅は短かくな
っていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅
Ｔ４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降す
る。さらに、第６図に示す最初のウェハＷＦ２５の近辺
に近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次
第に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け
、ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達す
るとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一定
の低速度で下降する。このときはパルス幅ＴＩの駆動パ
ルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦＩの
位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、Ｔ９　、Ｔ１０
のように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速度は次
第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所定量下
降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ２を指
定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情報［）ｍは
ウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｄ２５〜Ｄ２が共
通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はアドレスＡＤ
２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前記同様
の作動を位置情報［）ｍに従って繰り返し、最後にＲＯ
ＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下部の位置情報Ｄ１に
従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最下位置
信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する。この
ようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次から
の本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確となる。Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. Thereafter, as shown in FIG. 7B, the pulse width gradually becomes shorter as <T3 and T4, and the falling speed of the sensor PS gradually increases, and when the pulse width T4 is repeatedly driven, it falls at a constant high speed. Furthermore, as it approaches the first wafer WF25 shown in FIG. 6, the pulse width shown in FIG. When the sensor PS arrives, it descends at a constant low speed sufficient for the sensor PS to detect the laser reflected light. At this time, the pulse motor PM is driven by a drive pulse having a pulse width TI. When the position detection of the wafer WFI is completed, the pulse widths T8, T9, T10
The sensor PS gradually becomes shorter, and the descending speed of the sensor PS gradually increases, and it continues to descend at a constant high speed as before. When it descends by a predetermined amount, the second address AD2 of the ROM in FIG. 7A is specified, and the position information is stored. Take out Dm. When this positional information [)m is expressed in terms of wafer spacing, the standard positional information D25 to D2 are common, and the data area of the positional information [)m is the address AD.
Address 2 of 1 is sufficient. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information [)m, and finally RO
The address AD3 of M is designated, and the same operation as described above is performed according to the bottom position information D1, and the sensor PS detects the bottom position signal generating means KS4L and stops the descent. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばざらに好ましい。Also, if it is detected that no wafer actually exists during this wafer position detection, that fact is written in the RAM.If this wafer presence/absence information (1,0) is written in the RAM together with the wafer position information, the wafer can be detected. This is convenient because it allows you to quickly skip positions that do not exist. It is also more preferable to store standard position information of other wafer cassettes of different sizes at addresses AD4 to AD6 of the ROM and to selectively use them.

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位ｌｄｌ／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサＭ
ＰＵが算出し、８値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如（記
憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフィン
ガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で算
出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３
　＞。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦＧ
を位置させることができる。この位置での停止には第７
図Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵに１
両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは、
この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。Next, in step SA2, the detected center position ldl/2~d26/2 between each wafer is determined by the microprocessor M.
PU calculates and stores the 8 values in the RAM of FIG. position (step SA3)
>. As a result, the finger FG is placed at the safest point P1 in Figure 6.
can be located. To stop at this position, the seventh
1 in target value storage register OR and up counter U in figure A
Both matching circuits CO are used. Waveform B in Fig. 6 is
The rising speed curve of the finger FG at this time is shown.

この地点Ｐ１でアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに昇降機構ＨＤを駆動してフィンガＦ
Ｇをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる。こ
れでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下面に接触す
ることができるので、前述の真空吸引機構がオンとなっ
て作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ステッ
プ５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、きらにｄ２／
２だけ上昇（ステップＳＡ７　）ｂ、次いでウェハＷＦ
１を吸着したままウェハカセットＷＫから用法（ステッ
プ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆動部Ｍ
Ｏにより９０′″回転してフィンガＦＧをＸＹステージ
ＳＴに正対させ、アームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長してウ
ェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣＨ
に引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦＩは、セン
タリングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに引渡
（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の処
理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。。At this point P1, extend arms AM1 and AM2 and insert finger FG into wafer cassette WK (step SA
4) and then drive the lifting mechanism HD to move the finger F.
G is increased by d1/2 (step SA5). The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WFI, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG attracts the wafer WF1 (step 5A6). Then move finger FG to d2/
2 (step SA7)b, then wafer WF
1 from the wafer cassette WK while adsorbing it (step 5A8). Next, the arm extension/contraction drive unit AD is connected to the drive unit M.
The finger FG is rotated 90'' by O to directly face the XY stage ST, and the arms AM1 and AM2 are extended to move the wafer WF1 from the finger FG to the centering hand CH.
(Step SA9). The wafer WFI is further transferred from the centering hand CH to the XY stage ST (step S A10), and undergoes processing such as circuit burning and inspection (step S5A11). .

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図の６１＋ｄ２　／２の位置即ち安全
点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）−させる。こ
の位ｌ！Ｐ２にてアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長しフィ
ンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ　Ａ
　１５）する。When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage ST to the finger FG via the centering hand CH.
is collected and adsorbed again (step 5A12.13). Next, the arms AM1 and AM2 are retracted and rotated, and the finger FG is lowered from the current position (the highest point) to the position 61+d2/2 in FIG. 6, that is, the safety point P2, in order to store the wafer WFI (step S 14) - to make. This much! At P2, extend arms AM1 and AM2 and insert finger FG into wafer cassette WK (step SA
15) Do.

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがさらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１Ｂ）されフィン
ガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ　Ａ　
１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハＷＦ
２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．６３／
２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にｎ−２
６になるまで行なう。Next, lower the finger FG by d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WFI rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WFI is separated from the finger FG (step S A 17), and then the finger FG is further moved by d2/2. It is lowered (step S A 1B) and only the finger FG is pulled out from the cassette WK (step S A
19) To be killed. The above control allows the wafer WF1 to be taken out and stored accurately and safely. Then wafer WF
2 takeout and storage control is now d2 /2.63/
Perform the same procedure as above based on the value of 2, and then similarly calculate n-2
Do this until it reaches 6.

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦ１の取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行なわ
れ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行なわ
れ、Ｅ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセッ
トＷＫへの挿入が開始され、１点でその収納が終了し、
その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始ま
ることを示している。FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG, which detects the position of the wafer as it descends from this point to the Y point (end point), and then picks up the wafer WF1 closest to that position. Therefore, the insertion of the finger FG into the cassette WK starts at point A, the ejection ends at point 8, the transfer to centering hand CH takes place at point 0, and the collection from centering hand CH takes place at point D. , insertion of the finger FG into the cassette WK for wafer storage starts at point E, and the storage ends at point 1,
This indicates that the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様であ
る。In the figure, all three wafers, WF1 to WF3, are used for ease of understanding.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH and near the top wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 9B, which is preferable. This also applies to FIG. 9D.

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦ１の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図めＹの位置に設定した場合でも
フィ□ンガの上下方向全体移動層は第９Ｂ図とほぼ同様
に第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなることは１９Ｅ
図を見れば明らかである。しかし前記各測具にウニ□へ
位置検出のための全走査が終了した位置から最も近い′
ウェハから取出し、収納が始まることは好ましい。また
ウェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚
れが牛体く好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまた
は回収位ＩＩ（センタリングハンドＣＨの位置）をウェ
ハカセットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近
辺に設定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上
下移動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全
てのウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位
置に運ばなければならない二とからして明らかである。FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest wafer WF1 are set to be approximately on the same line, and the standby position of the finger is also set on the same line, In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position X in Figure 9B to the top wafer WF3.
19E. Even when the finger is set at a position near , that is, at position Y in Figure 9B, the overall moving layer in the vertical direction of the finger is almost the same as in Figure 9B, and is longer than in the cases in Figures 9A and 90.
This is clear from the diagram. However, for each of the measuring tools, there is a
It is preferable to remove the wafer and start storing it. Also, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top to avoid contamination on the upper wafers. The example in FIG. 9C shows a state in which the wafer transfer or collection position II (the position of the centering hand CH) is set at approximately the center position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the total vertical movement of the finger FG is The distance is the shortest and the most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a wafer transfer or collection location.

この利点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このよ
うに無駄な時間を少しでも節約することはこの種装置に
おいてウェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極
めて好ましい。This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. Saving even a small amount of wasted time in this way contributes to improving the overall speed of wafer processing in this type of apparatus, and is therefore extremely desirable.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を書き込み、さらに右隣りに位置情報として
［）ｍを門き込む。［］ｍは許述したようにウェハの標
準位置情報である。このように処理すればウェハＷＦ２
が存在しないことによるセンサＰＳの計測ミス即ちウェ
ハＷＦＩを検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤
認する危険を避けることができる。In general, the wafer cassette does not always contain all the wafers, and there are cases in which defective wafers have been removed in the previous process before being transferred to the blower, and in this case, there are no wafers present. In this case, the overall processing speed can be improved by skipping operations related to wafer removal and storage of the fingers FG. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is written as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is written in d26/2. Write to RAM as d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, a logic "0" is written to the address Ad2 of the RAM, and furthermore, [)m is entered as position information to the right neighbor. []m is the standard position information of the wafer, as mentioned above. If processed in this way, wafer WF2
It is possible to avoid a measurement error of the sensor PS due to the absence of the wafer WFI, that is, the risk of mistakenly identifying the wafer WFI as the wafer WF2 when it is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
ＦＩの取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報「０」を検出したらｄｌ　／２＋Ｄｍ
＋ｄ３　／２（Ｄ演算を行なえば第６図の２３点の近辺
を求めることができる。したがって１２点をスキップし
て２１点から２３点にフィンガＦＧを高速に上昇させる
ことができ好ましい。Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the above-mentioned wafer unloading mode, the wafer W
After taking out or storing FI, RAM address Ad2
When detecting wafer no information “0”, dl /2+Dm
+d3/2 (D operation can be performed to obtain the vicinity of the 23rd point in FIG. 6. Therefore, it is preferable to skip the 12th point and increase the finger FG from the 21st point to the 23rd point at high speed.

上図例において基準位１ｆｆＸ、Ｙ、Ｚは第２図の始点
信号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（または
ＬＥ、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例
えば第９Ａ図の例ではＸ−ＫＳ４　Ｕ。In the example shown above, the reference positions 1ffX, Y, and Z may be selectively made to correspond to the positions of the starting point signal generating means KS4 U, KS4 L, EB (or LE, PH), etc. in FIG. 2. For example, in the example of FIG. 9A, it is X-KS4 U.

Ｙ−ＫＳ４　Ｌとり、、、第９Ｆ図の例’ｔ’ハＸ−Ｌ
Ｅ（またはＰＨ，ＥＢ）、Ｙ−ＫＳ４　Ｌとすれば良い
。　５ また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。Y-KS4 L,...Example 't' in Figure 9F X-L
E (or PH, EB), Y-KS4 L may be used. 5. Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９８，９０
．９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。When the wafer cassettes have different diameters of 8 inches, the heights of the wafer cassettes also differ (the distance between each wafer is different), so the 98th and 90th
．． An apparatus of a type in which the lower side (common end) X or Y can be shared, as in the example shown in FIG. 9F, is preferable because it can handle various wafer sizes.

［効　果］ 以上の如く本発明はウェハ始点情報発生機構の簡略化に
極めて多大に寄与し得るものである。[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to the simplification of the wafer starting point information generation mechanism.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＷＫＤ・・・ウェハカセット駆動部 ＭＰＵ・・・マイクロプロセッサ ＲＯＭ・・・リードオンリメモリ ＲＡＭ・・・ランダムアクセスメモリ ＫＳ３　ｔＪ、ＫＳ３　Ｌ、ＫＳ４　ＬＪ、ＫＳ４　Ｌ
・・・始点信号発生手段（突起）Fig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
4B and 4C are configuration examples of fingers, FIG. 5 is a front view of the wafer, FIG. 6 is a front view of the opening of the wafer cassette, and FIG. 7 is a control block diagram of the present invention, and FIG. 7B is is a control waveform diagram, FIG. 8 is a control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette WKD...Wafer cassette drive unit MPU...Microprocessor ROM...Read only memory RAM...Random access memory KS3 tJ, KS3 L, KS4 LJ, KS4 L
...Starting point signal generation means (protrusion)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、所定の位置にセットされたウェハカセットに対して
ウェハを取出しまたは挿入するウェハ挿脱手段を備えた
ウェハ処理装置であって、互いに異なる大きさの複数種
のウェハカセットのそれぞれを共通の位置を基準として
セットする手段と、該基準位置の近傍にウェハ位置検出
のための始点情報発生部とを有することを特徴とするウ
ェハ処理装置。 ２、前記ウェハ挿脱手段が、前記ウェハカセットから処
理前のウェハを取出して所定の受渡し位置まで搬送し、
かつ処理済みのウェハを上記受渡し位置で回収して上記
ウェハカセットの所定の収納位置まで搬送し収納するも
のであり、前記基準位置が、上記受渡し位置と同一高さ
に設定されている特許請求の範囲第１項記載のウェハ処
理装置。 ３、前記基準位置が、ウェハカセットの頂部とほぼ同一
の高さに設定されている前記特許請求の範囲第１または
２項記載のウェハ処理装置。 ４、前記始点情報発生部が、突起及び該突起を検出する
検出系とを含む特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理
装置。[Claims] 1. A wafer processing apparatus equipped with a wafer insertion/removal means for taking out or inserting a wafer into a wafer cassette set at a predetermined position, the apparatus comprising a plurality of types of wafer cassettes of different sizes. What is claimed is: 1. A wafer processing apparatus comprising means for setting each of the wafers based on a common position as a reference, and a starting point information generating section for detecting a wafer position in the vicinity of the reference position. 2. The wafer insertion/removal means takes out an unprocessed wafer from the wafer cassette and transports it to a predetermined delivery position;
The processed wafer is collected at the delivery position and transported to and stored in a predetermined storage position of the wafer cassette, and the reference position is set at the same height as the delivery position. The wafer processing apparatus according to scope 1. 3. The wafer processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the reference position is set at approximately the same height as the top of the wafer cassette. 4. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the starting point information generating section includes a protrusion and a detection system for detecting the protrusion.