JPS6236238A - Wafer processing device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To simplify the construction of a location sensing mechanism by moving a plurality of wafer cassettes to a specific position, and by irradiating a beam for location sensing only onto a cassette in the position where wafer is set and removed and processing is performed. CONSTITUTION:A driving part AD for setting and removal of wafers, which is movable vertically and rotatable, is installed between a plurality of wafer cassettes WK (WK3, WK4) arranged symmetrically to above the below and to the right and left. These wafer cassettes WK3, WK4 are moved vertically by a driver device WKD2. The beam from a laser source LZ of said driving part AD passes through a half mirror HM and between wafers WFi, and is total reflected by a mirror FM to proceed reversely for a sensor PS. Only one mirror FM is provided for upper and lower cassettes. If the driving part AD is moved vertically by an elevator mechanism HD to sense PS the reflection of laser beam, a finger FG retained in a specific place in vertical spacing intrudes in the cassette to perform setting or removal of the wafer WFi. This allows precision sensing of location of all cassettes with a set of optical system and two reflex mirrors.

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］　　。[Detailed description of the invention] [Division].

本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。The present invention relates to a wafer processing apparatus used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, circuit baking, surface inspection, chip operation testing, etc.

［従来技術〕 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウニ八位置検出のための
反射ミラーの構成に問題があった。[Prior Art] Conventionally, this type of device has had drawbacks in its accuracy, productivity, occupied area, etc., and in particular, there have been problems in the configuration of the reflecting mirror for detecting the position of sea urchins.

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハ位置検出のための反射
ミラーの数を減少させたウェハ処理装置を提供すること
を目的とする。[Objective] The present invention solves the above-mentioned difficulties and provides a wafer processing apparatus that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and in particular reduces the number of reflecting mirrors for detecting the wafer position. The purpose is to

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫ１〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、ＡＭｌ、ＡＭ２はアームである。Ｇ１　、
　Ｇ２　。[Embodiment] FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer prober according to an embodiment of the present invention. In the figure, WK1 to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDl, WKD
Reference numeral 2 designates a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other via a support plate KS, FG a finger for mounting wafers, and AMl and AM2 arms. G1,
G2.

Ｇ３は軸で、アームＡＭ１．ＡＭ２及びフィンガＦＧが
伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記アー
ム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部であ
る。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガを
搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウェ
ハカセットＷＫからアームＡＭ１　、ＡＭ２及びフィン
ガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリングハ
ンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上のウ
ェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷＦは
静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる。また
このときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビモニタ
ＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされる。G3 is the shaft, and arm AM1. AM2 and finger FG are configured to be telescopically movable. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AD is configured to be able to move up and down and rotate freely by mounting the arm and finger. Wafer WF carried out from wafer cassette WK by arms AM1, AM2 and fingers FG is centered by centering hand CH and transferred onto wafer chuck WC on XY stage ST. The transferred wafer WF is repositioned by the capacitive sensor QS. At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a television monitor TVD.

センタリングハンドＣ）ＩによりウェハチャックＷＣに
正確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴの
移動に−より顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察ま
たは自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプ
ローブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチ
ップテスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦは
フィンガＦＧ１アームＡＭ１　、ＡＭ２によりウェハカ
セットＷＫの元の位置に戻される。以上の動作を繰り返
すことによりウェハカセットＷＫ内の各ウェハＷＦにつ
いて順次チップテスト動作が行なわれる。The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand C)I, is set directly below the microscope OP by the movement of the XY stage ST, and the chip terminals on the wafer WF and a probe (not shown) are detected by visual observation or automatically. Alignment with the terminal is performed. Thereafter, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF is returned to its original position in the wafer cassette WK by the fingers FG1 arms AM1 and AM2. By repeating the above operations, the chip test operation is sequentially performed on each wafer WF in the wafer cassette WK.

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
１　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
1, AM2 is rotated 90° clockwise with respect to FIG. In the same figure, for example, wafer cassette WK4
is the wafer cassette drive unit W together with the wafer cassette WK3.
The wafer is raised to a predetermined wafer delivery and collection position by KD2.

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦＩ〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックｗＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう。The fingers FG and the arms AM1 and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store the wafers WF1 to WF4, etc. The arm telescopic drive unit AD is moved up and down together with the base KD by the movable plate EB of the elevating mechanism HD, and the wafers WFI to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD together with the base KD, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck wC.

ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。LZ is a semiconductor laser source, HM is a half mirror that irradiates the laser beam LW from the semiconductor laser source LZ toward the wafer cassette side, and the laser beam is reflected by a total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer edge of the wafer cassette. The laser beam LW is transmitted and transmitted to the semiconductor laser sensor PS.

保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの反射
レーザ光を検出する。A semiconductor laser sensor PS inside the protective case SB detects this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The current position of F can be reliably known, and malfunctions such as collision between finger FG and wafer WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板Ｅ８と一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate E8, and the plate LS is provided with a hole LH, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and there is no hole at the position shown in FIG. Be cut off.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２，３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チ゛　　　ユースＴＵ
が貫通、満嵌入、接着等の方法により沿わせられる。こ
れにより移動範囲の大きいアームとチューブが連動して
動き回るのでチューブとアームがからみ合うこともなく
また全体スペースも小型に構成することができる。Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror HM
As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor laser sensor PS is arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed. This telescoping arm has a vacuum channel for wafer suction.
are aligned by a method such as penetration, full insertion, or adhesion. As a result, the arm, which has a large range of movement, and the tube move around in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板Ｅ８の位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回５収位置を定める発受光素
子である。In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are wafer uppermost (lower) position signal generating means each consisting of, for example, a protrusion, and LE and PH in the lifting mechanism HD detect the position of the movable plate E8, and are used to transfer or rotate the wafer. 5. It is a light emitting/receiving element that determines the storage position.

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。上
板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜Ｕ１０が設けられ、下板ＦＧ
Ｌには溝１１．貫通孔Ｌ２〜Ｌ７が設けられる。そして
溝Ｌ１と孔Ｕ１．．ＬＩ２゜Ｕ３とで真空吸引空が形成
される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ１０、チューブホルダーＴ
　Ｈを介してチューブＴＬＩが接続され排気される。第
４図Ｂの如く形成される吸引！内の上部にウェハが載置
されるとウェハを吸引して密至となりウェハ吸着が行な
われる。また、孔Ｌｊｇ−，ＣＩ９　、　Ｌ６　、１７
等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，ＳＬが嵌合される。ビ
ンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウェハＷＦの端面を位置決
めするための位置部材で、４インチ、６インチ、８イン
チ等の直径の異なるウェハに対して孔Ｕ４．ＵＳ、ＬＩ
８のいずれかを選択してビンＳＬを嵌合させる。ビンＳ
Ｒも同様に孔ｕｓ　、　Ｕ７　。The finger FG has a simple configuration of two upper and lower plates FGU and FGL glued together as shown in FIGS. 4A, B, and C. The upper plate FGU is provided with through holes U1 to U10, and the lower plate FG is provided with through holes U1 to U10.
L has a groove 11. Through holes L2 to L7 are provided. And groove L1 and hole U1. ．． A vacuum suction space is formed by LI2°U3. That is, the groove L1 is the hole U10, the tube holder T
A tube TLI is connected via H and exhausted. Suction formed as shown in Figure 4B! When a wafer is placed on the upper part of the inside, the wafer is attracted and the wafer is attracted tightly. In addition, holes Ljg-, CI9, L6, 17
Bins SR and SL are fitted into the holes as shown in FIG. 4C. As shown in FIG. 3, the bins SR and SL are positioning members for positioning the end face of the wafer WF, and the holes U4. US, LI
8 and fit the bottle SL therein. Bin S
Similarly, R also has holes us and U7.

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに、対して最適にビン位置を定めることができ好ま
しい。Select U9 and fit it. This is preferable because the bin position can be determined optimally for wafers having different diameters.

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、に８３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお１、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設け
る必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置（第１図カセ
ット上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応
した長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WKI and WK3 are constructed such that support plates KS3 and 83B can be bent outward by a hinge mechanism CT. This makes it easy to replace the lower cassettes WK2 and WK4, which is preferable. 1. It is not necessary to provide two upper and lower mirrors FM behind the cassette; just one mirror with a length corresponding to a single cassette is placed at a position corresponding to the wafer removal and storage position (the upper position of the cassette in Figure 1). Just be prepared.

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３、ＫＯ４等も読取らせることができる。The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO4 etc. can also be read.

即ちＫＯ３、ＫＯ４等は論理ｒＩＪ、ｒＯＪ’を表わす
コードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水
平方向に移動してＫＯ３等のコード情報を読取り、これ
によりカセット識別番号を知ることができる。That is, KO3, KO4, etc. are made up of codes representing logical rIJ, rOJ', and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read the code information of KO3, etc., thereby making it possible to know the cassette identification number.

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられ　　・る。ＣＩ−ＩＰは検査される回路チップ領
域を示す。FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the figure, WCN is code information for identifying a wafer, and a wafer number, wafer cassette number, lot number, etc. are prepared. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticle original plate, laser printing, ink, etc.
The television camera TVK shown in Figure 1 is used to read this information. CI-IP indicates the circuit chip area to be inspected.

第６図はウェハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強講枠て示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出し□７゜４□、
。、。。ＩＩＪｔｌ１７０ｙ９１ｉ１．１８９　　　：
ておけば良い。Figure 6 is a front view of the opening of the wafer cassette WK.
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, the case where the wafers WF2 and WF3 have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers is illustrated in an exaggerated manner. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, before the finger moves in and out, the position of each wafer is accurately detected in advance, and the safest entry position of the finger FG, that is, the center position P1 to P26 between each wafer, etc. is calculated.
. ,. . IIJtl170y91i1.189:
Just leave it there.

はその制御手順を示すフローチャートで第１，７図のリ
ードオンリーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納さ
れているもので、以下この手順に従つて動作を説明する
。ステップＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレ
ーザセンサＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置
信号発生手段に８４　Ｕを検出したときからウェハ位置
検出を開始する。センサＰＳが最初のウェハＷＦ２５を
検出した段階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２
枚目のウェハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決
定され、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。is a flowchart showing the control procedure, which is stored as a microinstruction in the read-only memory ROM shown in FIGS. 1 and 7, and the operation will be explained below according to this procedure. In step SAI, the wafer position detection means, for example, the laser sensor PS starts to descend, and starts detecting the wafer position when, for example, the uppermost position signal generation means of FIG. 6 detects 84 U. The first distance d26 is determined at the stage when the sensor PS detects the first wafer WF25, and similarly 2
The distance d25 is determined at the stage when the wafer WF24 is detected, and detection is performed in the same manner up to the lowest dl.

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。At this time, the sensor PS may be raised at a constant speed, that is, at a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably reduces the overall detection speed.

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置Ｄ１〜０２６を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い。Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present. Therefore, the positions D1 to 026 of each wafer in a standard wafer cassette may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents.

即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位置情
報０２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、この
情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定する。That is, first, the microprocessor MPU takes in the standard position information 026 from the address AD1 of the ROM, and based on this information, determines the pulse train DM of FIG. 7B, for example.

この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜ＴＩ
ＯはＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶されて
おり、まずＴ１に対応する２進化された時間情報がＭＰ
Ｕの制御によってダウンカウンタＤＫに格納される。同
時にフリップ７０ツブＦＦがセットされ、またモータド
ライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回路ＭＯ内
には４進カウンタが内蔵されており、その最初の出力に
よりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パルス（Ｔ１
）によりパルスモータＰＭが起動を始める。Pulse width T1 to TI of each pulse of this drive pulse train DM
O is stored in a table format in an unillustrated part of the ROM, and first, the binarized time information corresponding to T1 is stored in MP.
It is stored in the down counter DK under the control of U. At the same time, the flip 70 knob FF is set and the motor drive circuit MD is operated. The motor drive circuit MO has a built-in quaternary counter, and its first output opens the AND gate A1, and the first drive pulse (T1
), the pulse motor PM starts to start.

ダウンカウンタＤＫは発振器○ＳＣの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えば０になると特定
値デコーダ例えば０デコーダＤＣがこれを検出してフリ
ップ７０ツブＦＦをリセットする。これにより駆動パル
ス丁１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、Ａ
３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了
する。The down counter DK starts subtraction in response to the oscillation pulse of the oscillator SC, and when the value reaches a specific value, for example 0, a specific value decoder, for example a 0 decoder DC, detects this and resets the flip 70 block FF. This ends drive pulse number 1. Similarly, AND gates A2 and A
3 and A4 in sequence, and the driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のウェハＷ　Ｆ　２５の近
辺に近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と
次第に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続
け、ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達
するとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一
定の低速度で下降する。このときはパルス幅ＴＩの駆動
パルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦ１
の位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　、　
Ｔ１０のように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速
度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所
定量下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ
２を指定し、位置情報ｐｍを取り出す。この位置情報Ｄ
ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｄ２５〜Ｄ２
が共通となり、位置情報Ｄｍのデータ領域はアドレスＡ
Ｄ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前記同
様の作動を位置情報［）ｍに従って繰り返し、最後にＲ
ＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下部の位置情報Ｄ１
に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最下位
置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する。こ
のようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次か
らの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確となる
。Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. As shown in FIG. 7B below, <T3. The pulse width gradually becomes shorter from T4, and the descending speed of the sensor PS gradually increases until the pulse width T4.
At the repeat drive period 4, the lowering speed is lowered at a constant high speed. Furthermore, as the first wafer WF 25 shown in FIG. 6 approaches, the pulse width shown in FIG. When the sensor PS reaches the vicinity, the sensor PS descends at a constant low speed sufficient to detect the laser reflected light. At this time, the pulse motor PM is driven by a drive pulse having a pulse width TI. Wafer WF1
When the position detection is completed, the pulse widths T8, T9,
The sensor PS gradually becomes shorter like T10, and the descending speed of the sensor PS gradually increases, and it continues to descend at a constant high speed as before, and when it descends by a predetermined amount, the second address AD of the ROM in FIG. 7A is
2 and extract the position information pm. This location information D
m is the standard position information D25 to D2 when expressed in terms of wafer spacing.
is common, and the data area of location information Dm is address A.
Address 1 of D2 is sufficient. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information [)m, and finally R
Specify the OM address AD3 and the bottom position information D1
Accordingly, the same operation as described above is performed, and the sensor PS detects the lowest position signal generating means KS4L and stops the lowering. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，Ｏ）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡ０４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばさらに好ましい。Also, if it is detected that the wafer does not actually exist during this wafer position detection, it is written to the RAM.If this wafer presence/absence information (1, O) is written to the RAM along with the wafer position information, the wafer can be detected. This is convenient because it allows you to quickly skip positions that do not exist. It is further preferable to store standard position information of other wafer cassettes of different sizes at addresses A04 to AD6 of the ROM and to selectively use them.

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位ｒａｄｌ／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサ
ＭＰＬＪが算出し、各位を第７図ＡのＲＡＭに図示の如
く記憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフ
ィンガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２
で算出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳ
Ａ３　）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガ
ＦＧを位置させることができる。この位置での停止には
第７図Ａの目標値格納レジスタＯＲ、アップカウンタＵ
Ｋ１両者の一致回路ｃｏが用いられる。第６図の波形Ｂ
は、この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。Next, in step SA2, the microprocessor MPLJ calculates the detected center positions radl/2 to d26/2 between each wafer, and stores each position in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WF1, the finger FG is moved from the current position (lowest point) to step SA2.
(Step S)
A3). This allows the finger FG to be positioned at the safest point P1 in FIG. To stop at this position, use the target value storage register OR and up counter U in Fig. 7A.
A matching circuit co for both K1 is used. Waveform B in Figure 6
shows the rising speed curve of the finger FG at this time.

この地点Ｐ１でアームＡＭ１．ＡＭ２を伸長させてフィ
ンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ４
　）させ、さらに昇降機構ＨＤを駆動してフィンガＦＧ
をｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる。これ
でフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接触する
ことができるので、前述の真空吸引機構がオンとなって
作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ステップ
５Ａ６）する。その侵フィンガＦＧを、ざらにｄ２／２
だけ上昇（ステップ５Ａ７）し、次いでウェハＷＦ１を
吸着したままウェハカセットＷＫから引抜くステップＳ
Ａ８　）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆動部ＭＯ
により９０’回転してフィンガＦＧをＸＹステージＳＴ
に正対させ、アームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長してウェハ
ＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣＨに引
渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦＩは、センタリ
ングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに引渡（ス
テップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の処理（
ステップ５ＡＩＩ）が行なわれる。At this point P1, arm AM1. Extend AM2 and insert finger FG into wafer cassette WK (step SA4
), and then drive the lifting mechanism HD to lift the finger FG.
is increased by d1/2 (step SA5). The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WF1, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG attracts the wafer WF1 (step 5A6). Roughly d2/2 that invasion finger FG
(step 5A7), and then in step S, the wafer WF1 is pulled out from the wafer cassette WK while being sucked.
A8 )<. Next, connect the arm extension/contraction drive unit AD to the drive unit MO.
Rotate the finger FG by 90' and move it to the XY stage ST.
The arms AM1 and AM2 are extended to transfer the wafer WF1 from the fingers FG to the centering hand CH (step SA9). The wafer WFI is further transferred from the centering hand CH to the XY stage ST (step S A 10), where it undergoes processing such as circuit burning and inspection (
Step 5AII) is performed.

処理が終了すると処理済みウェハＷＦＩはＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、☆
エバＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図のｄｌ　＋−ｄ２　／２の位置即ち
安全点Ｐ２まで下降（ステップ５Ａ１４）させる。この
位置Ｐ２にてアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長しフィンガ
ＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ　Ａ　１
５）する。When the processing is completed, the processed wafer WFI is transferred from the XY stage ST to the finger FG via the centering hand CH.
is collected and adsorbed again (step 5A12.13). Next, contract and rotate arms AM1 and AM2, ☆
In order to store the Eva WFI, the finger FG is lowered from the current position (the highest point) to the position dl + - d2 /2 in FIG. 6, that is, the safety point P2 (step 5A14). At this position P2, arms AM1 and AM2 are extended and fingers FG are inserted into wafer cassette WK (step S A1
5) Do.

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下ｌＩｉ！（ステッ
プ５Ａ１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位
置の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフ
とされるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ス
テップＳ　Ａ　１７）され、その情フィンガＦＧがざら
にｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）されフィ
ンガＦＧだけがカセットＷ　Ｋ　ｈｌら引抜（ステップ
Ｓ　Ａ　１９）かれる。以上のＩＩＪＩ９によりウェハ
ＷＦＩの取出し及び収納が正確、安全に行なわれる。次
いでウェハＷＦ２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２
　／／：２．ｉ３／２の値に基いて上記と同様に行ない
、以下同様にｎ−２６に、なるまで行なう。Then lower the finger FG by d2/2 lIi! (Step 5A16). As a result, the wafer WFI rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WFI is separated from the finger FG (step S A 17), and the finger FG is roughly d2/ 2 (step SA18), and only the finger FG is pulled out from the cassette WKhl (step SA19). The above IIJI9 allows the wafer WFI to be taken out and stored accurately and safely. Next, d2 controls the unloading and storage of wafer WF2.
//:2. The same procedure as above is performed based on the value of i3/2, and the same procedure is repeated until n-26 is reached.

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷｆｌの取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、Ｂ点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行なわ
れ、０点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行なわ
れ、Ｅ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセッ
トＷＫへの挿入が開始され、Ｅ点でその収納が終了し、
その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始ま
ることを示している。FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG, which detects the position of the wafer as it descends from this point to the Y point (end point), and then picks up the wafer Wfl closest to that position. Therefore, insertion of the finger FG into the cassette WK starts at point A, removal ends at point B, transfer to the centering hand CH occurs at point 0, and recovery from the centering hand CH occurs at point 0. , insertion of the finger FG into the cassette WK for wafer storage starts at point E, and the storage ends at point E,
This indicates that the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをＷＦＩ〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
５８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフ
ィンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣＨとほ
ぼ同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定
しである。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動
距離の合計　　　　′が短かく好ましい。これは第９Ｄ
図も同様である。In the figure, for the sake of clarity, all three wafers from WFI to WF3 are shown.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH and near the top wafer WF3. Therefore, compared to the example of FIG. 9B, the total vertical movement distance ' is shorter, which is preferable. This is the 9th D
The same applies to the figures.

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦ１の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第９Ｂ図とほぼ同様に
第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ図
を見れば明らかである。しかし前記各測具にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが少
なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは回収
位置くセンタリングハンドＣ）−１の位置）をウェハカ
セットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に
設定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移
動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全ての
ウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置に
運ばなければならないことからして明らかである。この
利点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように
無駄な時間を少しでも部約することはこの種装置におい
てウェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極めて
好ましい。FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest wafer WF1 are set to be approximately on the same line, and the standby position of the finger is also set on the same line, In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position X in Figure 9B to the top wafer WF3.
As shown in Figure 9E, even when the finger is set at a position near , that is, at position Y in Figure 9B, the overall vertical movement of the finger is almost the same as in Figure 9B and longer than in Figures 9A and 90. It is obvious. However, it is preferable that the wafers closest to the position where all the scanning for wafer position detection has been completed are taken out and then the storage is started. Furthermore, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top so that the upper wafers are less contaminated. The example in FIG. 9C shows that the wafer delivery or collection position (centering hand C)-1) is set at approximately the center of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the finger FG is moved up and down. The total distance is the smallest and the most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a wafer transfer or collection location. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. It is extremely desirable to reduce wasted time as much as possible because it can contribute to improving the overall speed of wafer processing in this type of apparatus.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を書き込み、さらに右隣りに位置情報として
Ｄｍを書き込む。□ｍは前述したようにウェハの標準位
置情報である。このように処理すればウェハＷＦ２が存
在しないことによるセンサＰＳの計測ミス即ちウェハＷ
Ｆ１を検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤認す
る危険を避けることができる。In general, the wafer cassette does not always contain all the wafers, and there are cases in which defective wafers have been removed in the previous process before being transferred to the blower, and in this case, there are no wafers present. In this case, the overall processing speed can be improved by skipping operations related to wafer removal and storage of the fingers FG. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is written as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is written in d26/2. Write to RAM as d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, it writes logic "0" to the address Ad2 of the RAM, and further writes Dm as position information to the right-hand neighbor. □m is the standard position information of the wafer as described above. If this process is performed, a measurement error of sensor PS due to the absence of wafer WF2, that is, wafer W
It is possible to avoid the risk of erroneously identifying wafer WF2 when F1 is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
Ｆ１の取出しまたは収納の後ＲＡＭのアドレスＡｄ２の
ウェハ無し情報ｒＯＪを検出したらｄｌ　／２＋Ｄｍ＋
ｄ３　／２の演算を行なえば第６図の１３点の近辺を求
めることができる。したがって０２点をスキップして１
１点から１３点にフィンガＦＧを高速に上昇させること
ができ好ましい。Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the above-mentioned wafer unloading mode, the wafer W
After taking out or storing F1, if no wafer information rOJ at RAM address Ad2 is detected, dl /2+Dm+
By performing the calculation of d3/2, the vicinity of the 13 points in FIG. 6 can be obtained. Therefore, 02 points are skipped and 1
It is preferable that the finger FG can be raised from 1 point to 13 points at high speed.

上図例において基準位置Ｘ、Ｙ、Ｚは第２図の始点信号
発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（またはＬＥ
、Ｐａ１）等の位置を選択的に対応させれば良い。例え
ば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。In the example shown above, the reference positions X, Y, Z are the starting point signal generating means KS4 U, KS4 L, EB (or LE
, Pa1), etc. may be selectively made to correspond. For example, in the example of FIG. 9A, X=KS4U.

Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとし、第９Ｆ図の例ではＸ＝ＬＥ（また
はＰＨ，ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとすれば良い。Y=KS4L, and in the example of FIG. 9F, X=LE (or PH, EB) and Y=KS4L.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９Ｂ、９Ｄ
、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。When the wafer cassettes have different diameters of 8 inches, the heights of the wafer cassettes also differ (the distance between each wafer is different), so 9B and 9D
, 9F, a type of apparatus in which the lower side (common end) X or Y can be shared is preferable because it can handle various wafer sizes.

［効　果］ 以上の如く本発明はウェハ位置検出用反射ミラーの簡略
化に極めて多大に寄与し得るものである。[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to the simplification of a reflecting mirror for wafer position detection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＷＫＤ・・・ウェハカセット駆動部 ＭＰＬＪ・・・マイクロプロセッサ ＲＯＭ・・・リードオンリメモリ ＲＡＭ・・・ランダムアクセスメモリ ＦＭ・・・反射ミラーFig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
4B and 4C are configuration examples of fingers, FIG. 5 is a front view of the wafer, FIG. 6 is a front view of the opening of the wafer cassette, and FIG. 7 is a control block diagram of the present invention, and FIG. 7B is is a control waveform diagram, FIG. 8 is a control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette WKD...Wafer cassette drive unit MPLJ...Microprocessor ROM...Read-only memory RAM...Random access memory FM ...reflection mirror

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、所定のウェハ挿脱位置に位置するウェハカセットか
ら処理前のウェハを取出して所定の受渡し位置に搬送し
または処理後のウェハを上記受渡し位置で回収して上記
ウェハ挿脱位置に位置するウェハカセットに搬送し収納
するウェハ搬送手段、及び該ウェハカセット内に光を照
射する光源と該ウェハカセット内を通過した光を該ウェ
ハカセット内へ向けて反射するミラーと該反射ミラーで
反射して該ウェハカセット内を再度通過した光を検出す
る光電検出器とを備えたウェハ位置検出手段を有するウ
ェハ処理装置であつて、複数個のウェハカセットを支持
する手段を有するとともに、これらの複数のウェハカセ
ットのうち上記ウェハ挿脱位置のウェハカセットに対し
てのみ上記ウェハ位置検出用反射ミラーを備えたことを
特徴とするウェハ処理装置。 ２、前記ウェハカセット支持手段が、ウェハカセットを
２個上下に積重ねる如く支持して上下に移動することに
より一方のウェハカセットを前記ウェハ挿脱位置に位置
させるものであり、前記反射ミラーが、上記ウェハ挿脱
位置にのみ設けられている特許請求の範囲第１項記載の
ウェハ処理装置。 ３、前記ウェハ搬送手段が、前記処理後のウェハを前記
処理前の該ウェハが取出された元のウェハカセットの元
の位置に収納する特許請求の範囲第１または２項記載の
ウェハ処理装置。[Claims] 1. Take out an unprocessed wafer from a wafer cassette located at a predetermined wafer insertion/extraction position and transport it to a predetermined delivery position, or collect the processed wafer at the delivery position and insert the wafer into the wafer cassette. A wafer transport means for transporting and storing a wafer in a wafer cassette located in a removed position, a light source for irradiating light into the wafer cassette, a mirror for reflecting light passed through the wafer cassette toward the inside of the wafer cassette, and the reflection. A wafer processing apparatus having a wafer position detection means including a photoelectric detector for detecting light reflected by a mirror and passed through the wafer cassette again, the apparatus having means for supporting a plurality of wafer cassettes; A wafer processing apparatus characterized in that the wafer position detection reflective mirror is provided only for the wafer cassette at the wafer insertion/removal position among the plurality of wafer cassettes. 2. The wafer cassette supporting means supports two wafer cassettes in a vertically stacked manner and moves one wafer cassette up and down to position one of the wafer cassettes at the wafer insertion/removal position, and the reflecting mirror is The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the wafer processing apparatus is provided only at the wafer insertion/removal position. 3. The wafer processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the wafer transport means stores the processed wafer in the original position of the wafer cassette from which the unprocessed wafer was taken out.