JPS6245037A - Wafer processing - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To accelerate the processing speed in case of picking up and containing wafers by a method wherein a laser sensor is lowered at low speed near the wafer existing position while at high speed near the wafer non-existing position. CONSTITUTION:The detection of wafer position is started when a wafer position detector such as a laser sensor PS starts descending to detect, e.g., the top position signal transmitter KS4U. When the first wafer WF25 is detected by the laser sensor PS, the first distance d26 is decided and when the second wafer WF24 is detected, the second distance d25 is decided likewise down to the distance d1 at the bottom part. The time data corresponding to the pulse width T2 are stored in downcounter DK with T3, T4 gradually decreasing the values while gradually increasing the descending speed of sensor PS up to the specified high speed in the repeated driving period of the pulse width T4. Finally when the laser sensor PS reaches near the existing position of wafer 25, the sensor PS descends at the specified low speed easy to detect the laser reflected beams.

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
＋Ｓ焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ
処理方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field] The present invention relates to a wafer processing method used for processing wafers for manufacturing high-density integrated circuits, ie, step+S baking, surface inspection, chip operation testing, and the like.

［従来技術〕 従来この種の方法においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収納
の際の処理速度が遅かった。[Prior Art] Conventionally, this type of method has had drawbacks in its accuracy, productivity, occupied area, etc., and in particular, the processing speed when taking out and storing wafers was slow.

［目　的１ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
の処理速度を向上させたウェハ処理方法を提供すること
を目的とする。[Objective 1] The present invention solves the above-mentioned difficulties and provides a wafer processing method that has features such as ultra-precision, high productivity, and miniaturization, and particularly improves processing speed during wafer removal and storage. The purpose is to

［実施例１ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハブローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫ１〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ、ＷＫＤ２
は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動して
各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用の
フィンガ、Ａｌｌ　、ＡＭ２はアームである。Ｇｌ　、
　Ｇ２　。Embodiment 1 FIG. 1 shows an overall schematic diagram of a wafer blobber according to an embodiment of the present invention. In the figure, WK1 to WK4 are four wafer cassettes that store a large number of wafers WF, and are stacked in two stages with their respective openings facing each other. WKDl, WKD2
1 is a drive unit for vertically moving each of the two stages of wafer cassettes in conjunction with each other via a support plate KS, FG is a finger for mounting wafers, and All and AM2 are arms. Gl,
G2.

Ｇ３は軸で、アームＡＭ１　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
ェハカセットＷＫからアームＡＭ１．ＡＭ２及びフィン
ガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリングハ
ンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上のウ
エハヂャツクＷＣ上に移される。移されたウェハＷＦは
静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる。また
このときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビモニタ
下ＶＤによって目視手動または自動位置決めされる。G3 is the shaft, arms AM1, AM2 and fingers FG
is constructed so that it can be moved telescopically. AD is a drive unit for telescopically moving the arm and finger. Further, this drive unit AD is configured to be able to move up and down and rotate freely by mounting the arm and finger. From wafer cassette WK to arm AM1. Wafer WF carried out by AM2 and finger FG is centered by centering hand CH and transferred onto wafer jack WC on XY stage ST. The transferred wafer WF is repositioned by the capacitive sensor QS. At this time, the positioning is performed manually or automatically by visual observation using a television (TV) camera TVK and a TV monitor VD.

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチップ
テスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦはフィ
ンガＦＧ１アームＡＭ１　、八Ｍ２によりウェハカセッ
トＷＫの元の位置に戻される。以上の動作を繰り返すこ
とによりウェハカセットＷＫ内の各ウェハＷＦについて
順次チップテスト動作が行なわれる。The wafer WF, which has been accurately positioned on the wafer chuck WC by the centering hand CH, is set directly below the microscope OP by moving the XY stage ST, and the positions of the chip terminals and probe terminals (not shown) on the wafer WF are determined by visual observation or automatically. A match is made. Thereafter, a predetermined chip test operation is performed, and after the test, the wafer WF is returned to its original position in the wafer cassette WK by the fingers FG1 and 8M2. By repeating the above operations, the chip test operation is sequentially performed on each wafer WF in the wafer cassette WK.

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
Ｉ　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０”回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウニバカピット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び゛回収位置まで上
昇される。Second. FIG. 3 is a side view and a top view of the main part of FIG. 1, showing how the wafer WF is taken out and stored from the wafer cassette WK. However, finger FG and arm AM
I, AM2 are rotated 90" clockwise with respect to FIG. 1. In the same figure, for example, wafer cassette WK4
is the Univa Pit drive unit W along with the wafer cassette WK3.
The wafer is raised to a predetermined wafer delivery and recovery position by KD2.

フィンガＦＧ及びアームＡＭＩ　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部△Ｄは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう。The fingers FG and the arms AMI and AM2 are expanded and contracted by a pulse motor SM built in the arm expansion/contraction drive unit AD to take out or store wafers WF1 to WF4, etc. The arm telescopic drive unit △D is moved up and down together with the base KD by the movable plate EB of the lifting mechanism HD, and the wafers WF1 to WF4 are moved up and down together with the base KD.
A specific wafer is selected from among the following. MO is a rotation drive unit for rotating the arm extension/contraction drive unit AD along with the base KD, and performs a wafer transfer operation between the wafer cassette WK and the wafer chuck WC.

ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。LZ is a semiconductor laser source, HM is a half mirror that irradiates the laser beam LW from the semiconductor laser source LZ toward the wafer cassette side, and the laser beam is reflected by a total reflection mirror FM (FMR or FML) provided at the outer edge of the wafer cassette. The laser beam LW is transmitted and transmitted to the semiconductor laser sensor PS.

保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの反射
レーザ光を検出する。A semiconductor laser sensor PS inside the protective case SB detects this reflected laser light.

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。Since this apparatus is configured as described above, the wafer W
The current position of F can be reliably known, and malfunctions such as collision between finger FG and wafer WF can be prevented.

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。Furthermore, since a semiconductor laser source is used as a light source, the accuracy of wafer position detection is significantly improved compared to a light emitting diode or the like. Furthermore, since the laser beam can be blocked according to the rotation of the drive unit AD, safe operation can be achieved. That is, the laser beam blocking plate LS is integrated with the plate EB, and the plate LS is provided with a hole LH, and the laser beam passes through the hole LH at the position shown in FIG. 2, and there is no hole at the position shown in FIG. Be cut off.

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。This is preferable because the laser beam is emitted only at necessary positions and not at unnecessary positions, ensuring safety during maintenance and inspection.

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２．３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動ぎ回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。Furthermore, since the semiconductor laser source LZ is arranged so that the light emission direction is directed upward as shown in FIG. Pulse motor SM for expansion and contraction
This is preferable as it allows coexistence with Also half mirror HM
, the semiconductor laser sensor PS is arranged at a position opposite to the direction in which the fingers FG extend, as shown in FIG. 2.3. This is preferable because the optical path of the sensor PS is not blocked by the arm and the extension and contraction of the arm is not obstructed. A vacuum tube TU for wafer suction passes through this telescopic arm.
This can be done by groove fitting, gluing, or other methods. As a result, the arm, which has a large range of movement, and the tube move in conjunction with each other, so the tube and arm do not become entangled, and the overall space can be made smaller.

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板ＥＢの位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素子
である。In FIG. 2, KS4 U and KS4 L are wafer uppermost (lower) position signal generating means, each consisting of a protrusion, for example, and LE and PH in the elevating mechanism HD detect the position of the movable plate EB, and are used to transfer or collect the wafer. It is a light emitting/receiving element that determines the position.

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。上
板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜ＵＩＯが設けられ、下板ＦＧ
Ｌには溝１１　、　ＩＥＩ通孔し２〜Ｌ７が設けられる
。そして溝Ｌ１と孔ｔＪ１　、　ｌＪ２　。The finger FG has a simple configuration of two upper and lower plates FGU and FGL glued together as shown in FIGS. 4A, B, and C. The upper plate FGU is provided with through holes U1 to UIO, and the lower plate FG is provided with through holes U1 to UIO.
L is provided with a groove 11 and IEI holes 2 to L7. and groove L1 and holes tJ1 and lJ2.

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ
ＩＯ、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴＵが接
続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸引室内
の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して密室と
なりウェハ吸着が行なわれる。また、孔Ｕ８．Ｕ９，１
６．１７等には第４図Ｃの如くピンＳＲ，ＳＬが嵌合さ
れる。ピンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウェハＷＦの端面
を位置決めするための位置部材で、４インチ、６インチ
、８インチ等の直径の異なるウェハに対して孔Ｕ４．Ｕ
６．Ｕ８のいずれかを選択してピンＳＬを嵌合させる。A vacuum suction chamber is formed with U3. That is, the groove L1 is the hole U.
The tube TU is connected via the IO and the tube holder TH and is exhausted. When a wafer is placed on the upper part of the suction chamber formed as shown in FIG. 4B, the wafer is suctioned and becomes a closed chamber, where wafer suction is performed. Also, hole U8. U9,1
6.17 etc., pins SR and SL are fitted as shown in FIG. 4C. The pins SR and SL are positioning members for positioning the end face of the wafer WF as shown in FIG. 3, and are used for positioning the holes U4. U
6. Select one of U8 and fit the pin SL.

ピンＳＲも同様に孔Ｕ５　、　ｌＪ７　。Similarly, pin SR has holes U5 and lJ7.

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の貢なるウ
ェハに対して最適にピン位置を定めることができ好まし
い。Select U9 and fit it. This is preferable because the pin positions can be determined optimally for wafers of different diameters.

上段のウェハカセットＷＫ１　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。As shown in FIG. 2, the upper wafer cassettes WK1 and WK3 are constructed so that, for example, support plates KS3 and KS3B can be bent outward by a hinge mechanism CT. This makes it easy to replace the lower cassettes WK2 and WK4, which is preferable. Note that it is not necessary to provide two mirrors FM at the rear of the cassette, one above the other, and only one mirror with a length corresponding to a single cassette is provided at the position corresponding to the wafer removal and storage position (the upper position of the cassette in Figure 1). That's fine.

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３、ＫＯ２等も読取らせることができる。The aforementioned sensor PS is the wafer cassette identification code information KC.
3. KO2 etc. can also be read.

即ちＫＯ２、ＫＯ２等は論理ｒ１Ｊ、ｒＯＪを表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。That is, KO2, KO2, etc. are made up of codes representing logic r1J, rOJ, and the sensor SP moves vertically and/or horizontally to read code information such as KO2, etc., thereby making it possible to know the cassette identification number.

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる。ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す。FIG. 5 shows an example of a wafer WF used for circuit burning, inspection, etc. In the figure, WCN is code information for identifying a wafer, and a wafer number, wafer cassette number, lot number, etc. are prepared. Various methods are used to write this information, such as exposure printing from the reticle original plate, laser printing, ink, etc.
The television camera TVK shown in FIG. 1 is used to read this information. CHP indicates the circuit chip area to be tested.

第６図はウェハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出しておけば良い
。Figure 6 is a front view of the opening of the wafer cassette WK.
A state in which, for example, 25 wafers WF of FIG. 5 are stored is shown. Here, wafers WF2 and WF3 are shown with emphasis on the case where they have been deformed into arcuate shapes due to various treatments of the wafers. Strictly speaking, it is generally considered that the wafer has lost its flatness, so it is necessary to pay close attention to the insertion position of the fingers FG when taking out the wafer. Therefore, it is sufficient to accurately detect the position of each wafer and calculate the safest insertion position of the finger FG, that is, the center position P1 to P26 between each wafer, etc., before the finger moves in and out.

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１，７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡ１ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰｓが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときがらウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のウェハＷＦ２５を検出した段
階で最初の距離ｄ２Ｇが決定され、同様に２枚目のウェ
ハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定され、以
下同様に最下部のｄｌまで検出する。FIG. 7A is a control block diagram for this purpose, and FIG. 8 is a flowchart showing the control procedure, which is stored as microinstructions in the read-only memory ROM shown in FIGS. 1 and 7. The operation will be explained below according to this procedure. do. In step SA1, the wafer position detecting means, for example, the laser sensor Ps starts to descend, and starts detecting the wafer position when it detects, for example, the uppermost position signal generating means KS4U in FIG. The first distance d2G is determined when the sensor PS detects the first wafer WF25, the distance d25 is similarly determined when the second wafer WF24 is detected, and the detection is performed in the same manner up to the lowest dl.

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。At this time, the sensor PS may be raised at a constant speed, that is, at a constant speed that is lower than the response speed of the sensor PS, but this inevitably reduces the overall detection speed.

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置０１〜［）２６を予め記憶さ
せてＪ３き、この記憶内容に従って動作制御させれば良
い。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤＩから標準の位
置情報［）２６をマイクロプロセッサＭＰｔＪが取り込
み、この情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決
定する。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅丁
１〜Ｔ１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記
憶されており、まずＴ１に対応する２進化された時間情
報がＭＰＬＩの制御によってダウンカウンタＤＫに格納
される。同時にフリップフロップＦＦがセットされ、ま
たモータドライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ
回路ＭＤ内には４進カウンタが内蔵されており、その最
初の出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パ
ルス（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始める。Therefore, as shown by waveform A in FIGS. 6 and 7B, the sensor PS is lowered at high speed at the position where the wafer is not present.
It is sufficient to move at a low speed at the position where the wafer is present. Therefore, the positions 01 to [)26 of each wafer in a standard wafer cassette may be stored in advance in a part of the ROM shown in FIG. 7A, and the operation may be controlled according to the stored contents. That is, first, the microprocessor MPtJ takes in the standard position information [ ) 26 from the address ADI of the ROM, and based on this information, determines, for example, the pulse train DM of FIG. 7B. The pulse widths T1 to T10 of each pulse of this drive pulse train DM are stored in a table format in an unillustrated part of the ROM, and first, the binarized time information corresponding to T1 is stored in the down counter DK under the control of the MPLI. Stored. At the same time, flip-flop FF is set and motor drive circuit MD operates. A quaternary counter is built in the motor drive circuit MD, and the first output thereof opens the AND gate A1, and the first drive pulse (T1) starts the pulse motor PM.

ダウンカウンタＤＫは発振器Ｏ８Ｃの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデコーダＤＣがこれを検出してフリ
ップフロップＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、Ａ
３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了
する。Down counter DK starts subtraction in response to an oscillation pulse from oscillator O8C, and when the value reaches a specific value, for example O, a specific value decoder, for example O decoder DC, detects this and resets flip-flop FF. This ends the drive pulse T1. Similarly, AND gates A2 and A
3 and A4 in sequence, and the driving with the pulse width T1 is completed.

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のウェハＷ　Ｆ　２５の近
辺に近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と
次第に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続
け、ウェハＷ　Ｆ　２５の存在位置付近にセンサＰＳが
到達するとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分
な一定の低速度で下降する。このときはパルス幅■７の
駆動パルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷ
Ｆ１の位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　
、　Ｔ１０のように次第に短かくなり、センサＰＳの下
降速度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け
、所定量下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレス
ＡＤ２を指定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情
報Ｄｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｄ２５〜
Ｄ２が共通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はアド
レスＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで
前記同様の作動を位置情報Ｄｍに従って繰り返し、最後
にＲＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下辺の位置情報
Ｄ１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最
下位置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する
。このようにして各ウェハの実際の位置を検出するので
次′からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確
となる。Next, time information corresponding to the pulse width T2 is stored in the down counter DK, and the same operation as above is performed. As shown in FIG. 7B below, <T3. The pulse width gradually becomes shorter from T4, and the descending speed of the sensor PS gradually increases until the pulse width T4.
At the repeat drive period 4, the lowering speed is lowered at a constant high speed. Furthermore, as the first wafer WF 25 shown in FIG. 6 approaches, the pulse width shown in FIG. When the sensor PS reaches the vicinity of the existing position, the sensor PS descends at a constant low speed sufficient to detect the laser reflected light. At this time, the pulse motor PM is driven by a drive pulse with a pulse width of 7. Wafer W
When the position detection of F1 is completed, the pulse width T8, T9
, T10, the descending speed of the sensor PS gradually increases, and it continues to descend at a constant high speed as before, and when it descends by a predetermined amount, it specifies the second address AD2 of the ROM in FIG. 7A, Extract position information Dm. This positional information Dm is expressed in terms of wafer spacing, and is standard positional information D25~
D2 is common, and the data area for the position information [)m is only at address AD2. Thereafter, the same operation as described above is repeated until D2 according to the position information Dm, and finally, the address AD3 of the ROM is specified, and the same operation as described above is performed according to the position information D1 of the lowest side, so that the sensor PS generates the lowest position signal generating means KS4L. Detect and stop descending. Since the actual position of each wafer is detected in this way, the next full-scale wafer removal and storage becomes extremely accurate.

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０＞をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばさらに好ましい。Also, if it is detected that the wafer does not actually exist during this wafer position detection, it will be written to the RAM. This is convenient because non-existent positions can be skipped at high speed.It is further preferable to store standard position information of other wafer cassettes of different sizes at addresses AD4 to AD6 of the ROM and use it selectively.

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位ｊｌｄｌ　／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッ
サＭＰｔＪが算出し、６値を第７図ＡのＲＡＭに図示の
如く記憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのために
フィンガＦＧを現在位置く最下位点）からステップＳＡ
２で算出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップ
ＳＡ’３）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィン
ガＦＧを位置させることができる。この位置での停止に
は第７図Ａの目標値格納レジスタＯＲ、アップカウンタ
ＵＫ１両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形
Ｂは、この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。Next, in step SA2, the microprocessor MPtJ calculates the detected center positions jldl/2 to d26/2 between each wafer, and stores the six values in the RAM of FIG. 7A as shown. Next, in order to take out the wafer WF1, the finger FG is moved from the lowest point (currently located) to step SA.
It is raised to the position d1/2 calculated in step 2 (step SA'3). This allows the finger FG to be positioned at the safest point P1 in FIG. To stop at this position, the matching circuit CO of both the target value storage register OR and the up counter UK1 in FIG. 7A is used. Waveform B in FIG. 6 shows the rising speed curve of the finger FG at this time.

この地点Ｐ・１でアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させて
フィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップ５
Ａ４）’させ、ざらに昇降機構ＨＤを駆動してフィンガ
ＦＧをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　＞させる。At this point P.1, arms AM1 and AM2 are extended and fingers FG are inserted into wafer cassette WK (step 5).
A4)' and roughly drive the lifting mechanism HD to raise the finger FG by d1/2 (step SA5).

これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下面に接触
することができるので、前述の真空吸引機構がオンとな
って作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦＩを吸＠（ステ
ップ５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、ざらにｄ２
／２だけ上昇（ステップＳＡ７　）　Ｌ、、次いでウェ
ハＷＦ１を吸着したままウェハカセットＷＫから引抜（
ステップ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆
動部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステ
ージＳＴに正対させ、アームＡＭｌ　、ＡＭ２を伸長し
てウェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンド
ＣＨに引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦ１は、
センタリングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに
引渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等
の処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。The upper surface of the finger FG can now come into contact with the lower surface of the wafer WFI, so the vacuum suction mechanism described above is turned on and operated, and the finger FG sucks the wafer WFI (step 5A6). Then move finger FG to d2
/2 (step SA7) L, then pull out the wafer cassette WK with the wafer WF1 still adsorbed (
Step 5A8)<. Next, the arm telescopic drive unit AD is rotated by 90 degrees by the drive unit MO to make the finger FG face the XY stage ST, and the arms AMl and AM2 are extended to transfer the wafer WF1 from the finger FG to the centering hand CH (step SA9). )vinegar. Wafer WF1 is
The centering hand CH further transfers it to the XY stage ST (step S A10), where it undergoes processing such as circuit burning and inspection (step S5A11).

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップＳ△１２．１３）され
る。次にアームＡＭＩ　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図のｄｌ＋ｄ２／２の位置即ち安全点
Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させる。この位
置Ｐ２にてアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長しフィンガＦ
ＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップ５Ａ１５）す
る。When the processing is completed, the processed wafer WF1 is transferred from the XY stage ST to the finger FG via the centering hand CH.
is collected and adsorbed again (step SΔ12.13). Next, the arms AMI and AM2 are retracted and rotated, and the finger FG is lowered from the current position (the highest point) to the position of dl+d2/2 in FIG. 6, that is, the safety point P2 (step S A 14) Let. At this position P2, arms AMI and AM2 are extended and finger F
G is inserted into the wafer cassette WK (step 5A15).

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦ１は元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦ１はフィンガＦＧから離１１１（
ステップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがさ
らにｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）されフ
ィンガＦＧだけがカセットＷＫから引抜くステ、ツブＳ
　Ａ　１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の
取出し及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェ
ハＷＦ２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．
ｄ３　／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様
にｎ＝２６になるまで行なう。Next, lower the finger FG by d2/2 (step S
A 16) Let it happen. As a result, the wafer WF1 rides on the protrusions KR and KL at the original position, and then the vacuum suction mechanism is turned off, so the wafer WF1 is separated from the fingers FG by 111 (
Step S A 17), then the finger FG is further lowered by d2/2 (Step S A 18), and only the finger FG is pulled out from the cassette WK.
A 19) It will be destroyed. The above control allows the wafer WF1 to be taken out and stored accurately and safely. Next, the unloading and storing of wafer WF2 is controlled by d2/2.
The same procedure as above is performed based on the value of d3/2, and the same procedure is repeated until n=26.

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点として７点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦＩの取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行なわ
れ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行なわ
れ、１点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセッ
トＷＫへの挿入が開始され、Ｆ点でその収納が終了し、
その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始ま
ることを示している。FIG. 9A schematically shows the above situation. In the figure, X indicates the standby position of the finger FG, which detects the position of the wafer as it descends from this point to point 7 (end point), and then picks up the wafer WFI closest to that position. Therefore, the insertion of the finger FG into the cassette WK starts at point A, the ejection ends at point 8, the transfer to centering hand CH takes place at point 0, and the collection from centering hand CH takes place at point D. , the insertion of the finger FG into the cassette WK for wafer storage starts at point 1, and the storage ends at point F,
This indicates that the removal and storage of the second wafer WF starts from that position.

図では分り易くするためウェハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、がっ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様であ
る。In the figure, all three wafers, WF1 to WF3, are used for ease of understanding.
Shown as a sheet. Further, the processes corresponding to each point A to F are indicated by the same reference numerals in the flowchart of FIG. Further, the standby position X of the finger FG is set at approximately the same height as the centering hand CH, and is set near the uppermost wafer WF3. Therefore, the total vertical movement distance is shorter than in the example shown in FIG. 9B, which is preferable. This also applies to FIG. 9D.

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦＩの位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動■は第９Ｂ図とほぼ同様に
第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ図
を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが少
なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは回収
位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカセッ
トのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に設定
した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移動の
合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全てのウェ
ハは所定の定点即ちつ工ハ引渡しまたは回収位置に運ば
なければならないことからして明らかである。この利点
は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように無駄
な時間を少しでも節約することはこの種装置においてウ
ェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極めて好ま
しい。FIG. 9B shows an example in which the position of the centering hand CH, that is, the wafer delivery or collection position, and the position of the lowest wafer WFI are set to be almost on the same line, and the standby position of the finger is also set on the same line, In this case, as shown in the figure, the total distance of vertical movement of the finger becomes long. Move the finger standby position X in Figure 9B to the top wafer WF3.
As shown in Figure 9E, even when the finger is set at a position near , that is, at position Y in Figure 9B, the overall movement of the finger in the vertical direction is almost the same as in Figure 9B, and is longer than in Figures 9A and 90. It is obvious. However, it is preferable that each of the wafers be taken out and stored starting from the wafer closest to the position where all scanning for wafer position detection has been completed. Furthermore, it is preferable to process the wafers from the bottom to the top so that the upper wafers are less contaminated. The example in FIG. 9C shows a state in which the wafer delivery or collection position (the position of the centering hand CH) is set at approximately the center position of the wafer cassette, that is, near the middle wafer WF2, and in this case, the total distance of the vertical movement of the finger FG is the least and most preferable. This is evident since all wafers must be transported to a predetermined fixed point, ie, a transfer or collection location. This advantage can be similarly expected in the case of FIG. 9F. Saving even a small amount of wasted time in this way contributes to improving the overall speed of wafer processing in this type of apparatus, and is therefore extremely desirable.

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブローパに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理ｒＯＪを書き込み、さらに右隣りに位置情報として
Ｄｍを書き込む。Ｄｍは前述したようにウェハの標準位
置情報である。このように処理すればウェハＷＦ２が存
在しないことによるセンサＰＳの計測ミス即ちウェハＷ
Ｆ１を検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤認す
る危険を避けることができる。In general, the wafer cassette does not always contain all the wafers, and there are cases where defective wafers have been removed in the previous process and then transferred to this blower, and in this case, there are no wafers present. In this case, the overall processing speed can be improved by skipping operations related to wafer removal and storage of the fingers FG. This will be explained below. In FIG. 6, it is assumed that the wafer WF2 is now missing. As explained above, when it is detected that each wafer exists at a predetermined position, R in FIG.
Logic "1" is written as shown in AM, and half the value of the position information of each wafer is written in d26/2. Write to RAM as d25/2. When the sensor PS detects that the missing wafer WF2 does not exist, it writes the logic rOJ to the address Ad2 of the RAM, and further writes Dm as position information to the right-hand neighbor. As described above, Dm is the standard position information of the wafer. If this process is performed, a measurement error of sensor PS due to the absence of wafer WF2, that is, wafer W
It is possible to avoid the risk of erroneously identifying wafer WF2 when F1 is detected.

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち眞述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
Ｆ１の取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報ｒＯＪを検出したらｄｌ　／２＋Ｄｍ
＋ｄ３　／２の演算を行なえば第６図の８３点の近辺を
求めることができる。したがってＰ２点をスキップして
２１点から８３点にフィンガＦＧを＾速に上昇させるこ
とができ好ましい。Also, wafer WF2 that does not exist during wafer unloading processing
It is possible to increase the speed by omitting the wasteful operation of taking out the material. That is, in the wafer unloading mode described above, the wafer W
After removing or storing F1, RAM address Ad2
If the no-wafer information rOJ is detected, dl /2+Dm
By performing the calculation +d3/2, the vicinity of the 83 points in FIG. 6 can be obtained. Therefore, it is preferable to skip the P2 point and increase the finger FG from the 21st point to the 83rd point quickly.

上図例において基準位置Ｘ、Ｙ、Ｚは第２図の始点信号
発生手段ＫＳ４　ＬＪ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（またはＬ
Ｅ、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例え
ば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。In the example shown above, the reference positions X, Y, Z are the starting point signal generating means KS4 LJ, KS4 L, EB (or L
E, PH), etc. may be selectively made to correspond. For example, in the example of FIG. 9A, X=KS4U.

Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとし、第９Ｆ図の例ではＸ＝ＬＥ（また
はＰＨ，ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとすれば良い。Y=KS4L, and in the example of FIG. 9F, X=LE (or PH, EB) and Y=KS4L.

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。Furthermore, it is clear that the orientation of the wafer cassette is not limited to vertical, but may be set diagonally or horizontally (FIGS. 9C and 9F). Also, the wafer is 4 inches.

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９Ｂ；　９
Ｄ、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを
共用できる形式の装置が種々のウェハナイスに対処し得
る点で好ましい。When the wafer cassettes have different diameters of 8 inches, the heights of the wafer cassettes also differ (the distance between each wafer is different), so No. 9B;
An apparatus of a type in which the lower side (common end) X or Y can be shared, as shown in the examples in FIGS. D and 9F, is preferable because it can accommodate various wafer needs.

［効　果コ 以上の如く本発明はその高生産性に極めて多大に寄与し
得るものである。[Effects] As described above, the present invention can greatly contribute to high productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成開園、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの間口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセットFig. 1 is an overview perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially enlarged side view thereof, Fig. 3 is a partially enlarged top view thereof, and Fig. 4A
Figures 4B and 4C show the configuration of the fingers, Figure 5 is the front view of the wafer, Figure 6 is a front view of the wafer cassette, Figure 7 is a control block diagram of the present invention, and Figure 7B is the front view of the wafer cassette. The control waveform diagram, FIG. 8 is the control flowchart diagram,
9A to 9F are explanatory diagrams of the operation of the fingers. FG...Finger AM...Arm PS...Sensor WK...Wafer cassette

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、ウェハ位置検出手段をウェハ存在位置近辺では低速
に、ウェハ不存在位置近辺では高速に移動させることを
特徴とするウェハ処理方法。 ２、前記ウェハの存在及び不存在の情報が、標準のウェ
ハ収納位置情報である特許請求の範囲第１項記載のウェ
ハ処理方法。 ３、ウェハ収納位置に対してウェハを取出しまたは収納
するウェハ挿脱手段を、ウェハ存在位置近辺では低速に
、ウェハ不存在位置近辺では高速に移動させることを特
徴とするウェハ処理方法。 ４、前記ウェハの位置を予め検出し、このウェハ検出情
報に基づいて前記移動速度を制御する特許請求の範囲第
３項記載のウェハ処理方法。[Claims] 1. A wafer processing method characterized by moving the wafer position detecting means at a low speed near the wafer existing position and at high speed near the wafer non-existing position. 2. The wafer processing method according to claim 1, wherein the information on the presence or absence of the wafer is standard wafer storage position information. 3. A wafer processing method characterized by moving a wafer insertion/removal means for taking out or storing a wafer with respect to a wafer storage position at a low speed near the wafer presence position and at high speed near the wafer nonexistence position. 4. The wafer processing method according to claim 3, wherein the position of the wafer is detected in advance and the moving speed is controlled based on this wafer detection information.