JPS6236252A - ウエハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｅ分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハ位置検出機構の始
点情報発生機構に問題があった。

［目　的１ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハ位置検出のための簡易
な始点情報発生機構を備えたウェハ処理装置を提供する
ことを目的とする。

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウェハブローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫ１〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、ＡＭｌ　、ＡＭ２はアームである。Ｇｌ　
、　Ｇ２　。

Ｇ３は軸で、アームＡＭ１　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するだめの駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
ェハカセットＷＫからアームＡｌｌ　、ＡＭ２及びフィ
ンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリング
ハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上の
ウェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷＦ
は静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる。ま
たこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビモニ
タＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされる。

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはｘＹステージＳＴの移
動により顕微１ｔＯＰの真下に設定され、目視観察また
は自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロ
ーブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチッ
プテスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦはフ
ィンガＦＧ１アームＡＭ１　、ＡＭ２によりウェハカセ
ットＷＫの元の位置に戻−される。以上の動作を繰り返
すことによりウェハカセットＷＫ内の各ウェハＷＦにつ
いて順次チップテスト動作が行なわれる。

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
Ｉ　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう。

しＺは半導体レーデ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。

保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰ、Ｓはこの反
射レーザ光を検出する。

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２．３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板ＥＢの位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素子
である。

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。上
板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜ＩＪ１Ｇが設けられ、下板Ｆ
ＧＬには溝１１．貝通孔Ｌ２〜Ｌ７が設けられる。そし
て１ＩＬ１と孔Ｕｌ　、　Ｕ２　。

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ
ＩＯ、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴｕが接
続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸引室内
の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して密室と
なりウェハ吸着が行なわれる。また、孔Ｕ８．Ｕ９．Ｌ
６．Ｌ７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，ＳＬが嵌合さ
れる。ビンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウェハＷＦの端面
を位置決めするための位置部材で、４インチ、６インチ
、８インチ等の直径の異なるウェハに対して孔Ｕ４　、
Ｕ６　、ｕａのいずれかを選択してビンＳＬを嵌合させ
る。ビンＳＲも同様に孔Ｕ５　、　ＩＪ７　。

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位Ｍ（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３、ＫＯ４等も読取らせることができる。

即ちＫＯ３、ＫＯ４等は論理「１」、「０」を表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してＫＯ３等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる＠ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す。

第６図はウェハカセットＷＫの間口部を見起正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ闇の中心位ｔｐｉ〜Ｐ２６等を算出しておけば良い
。

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１，７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡ１ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のウェハＷＦ２５を検出した段
階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２枚目のウェ
ハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定され、以
下同様に最下部のｄｌまで検出する。

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置Ｄ１〜Ｄ２６を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い。

即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位置情
報０２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、この
情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定する。

この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜Ｔ１
０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶されて
おり、まずＴ１に対応する２進化された時間情報がＭＰ
Ｕの制御によってダウンカウンタＤＫに格納される。同
時にフリップ７０ツブＦＦがセットされ、またモータド
ライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回路ＭＤ内
には４進カウンタが内蔵されており、その最初の出力に
よりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パルス（Ｔ１
）によりパルスモータＰＭが起動を始める。

ダウンカウンタＤＫは発振器ｏＳＣの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデコーダ［）Ｃがこれを検出してフ
リップ７０ツブＦＦをリセットする。これにより駆動パ
ルスＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、
Ａ３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終
了する。

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３　、Ｔ４と次第にパルス幅は短かくな
っていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅
Ｔ４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降す
る。さらに、第６図に示す最初のウェハＷＦ２５の近辺
に近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次
第に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け
、ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達す
るとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一定
の低速度で下降する。このときはパルス幅ＴＩの駆動パ
ルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦＩの
位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、Ｔ９　、Ｔ１０
のように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速度は次
第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所定量下
降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ２を指
定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情報［）ｍは
ウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｄ２５〜Ｄ２が共
通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はアドレスＡＤ
２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前記同様
の作動を位置情報［）ｍに従って繰り返し、最後にＲＯ
ＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下部の位置情報Ｄ１に
従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最下位置
信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する。この
ようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次から
の本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確となる。

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばざらに好ましい。

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位ｌｄｌ／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサＭ
ＰＵが算出し、８値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如（記
憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフィン
ガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で算
出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３
　＞。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦＧ
を位置させることができる。この位置での停止には第７
図Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵに１
両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは、
この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。

この地点Ｐ１でアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに昇降機構ＨＤを駆動してフィンガＦ
Ｇをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる。こ
れでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下面に接触す
ることができるので、前述の真空吸引機構がオンとなっ
て作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ステッ
プ５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、きらにｄ２／
２だけ上昇（ステップＳＡ７　）ｂ、次いでウェハＷＦ
１を吸着したままウェハカセットＷＫから用法（ステッ
プ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆動部Ｍ
Ｏにより９０′″回転してフィンガＦＧをＸＹステージ
ＳＴに正対させ、アームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長してウ
ェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣＨ
に引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦＩは、セン
タリングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに引渡
（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の処
理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。。

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図の６１＋ｄ２　／２の位置即ち安全
点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）−させる。こ
の位ｌ！Ｐ２にてアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長しフィ
ンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ　Ａ
　１５）する。

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがさらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１Ｂ）されフィン
ガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ　Ａ　
１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハＷＦ
２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．６３／
２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にｎ−２
６になるまで行なう。

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦ１の取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行なわ
れ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行なわ
れ、Ｅ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセッ
トＷＫへの挿入が開始され、１点でその収納が終了し、
その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始ま
ることを示している。

図では分り易くするためウェハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様であ
る。

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦ１の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図めＹの位置に設定した場合でも
フィ□ンガの上下方向全体移動層は第９Ｂ図とほぼ同様
に第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなることは１９Ｅ
図を見れば明らかである。しかし前記各測具にウニ□へ
位置検出のための全走査が終了した位置から最も近い′
ウェハから取出し、収納が始まることは好ましい。また
ウェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚
れが牛体く好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまた
は回収位ＩＩ（センタリングハンドＣＨの位置）をウェ
ハカセットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近
辺に設定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上
下移動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全
てのウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位
置に運ばなければならない二とからして明らかである。

この利点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このよ
うに無駄な時間を少しでも節約することはこの種装置に
おいてウェハ処理のための全体速度の向上に貢献でき極
めて好ましい。

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を書き込み、さらに右隣りに位置情報として
［）ｍを門き込む。［］ｍは許述したようにウェハの標
準位置情報である。このように処理すればウェハＷＦ２
が存在しないことによるセンサＰＳの計測ミス即ちウェ
ハＷＦＩを検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤
認する危険を避けることができる。

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
ＦＩの取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報「０」を検出したらｄｌ　／２＋Ｄｍ
＋ｄ３　／２（Ｄ演算を行なえば第６図の２３点の近辺
を求めることができる。したがって１２点をスキップし
て２１点から２３点にフィンガＦＧを高速に上昇させる
ことができ好ましい。

上図例において基準位１ｆｆＸ、Ｙ、Ｚは第２図の始点
信号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（または
ＬＥ、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例
えば第９Ａ図の例ではＸ−ＫＳ４　Ｕ。

Ｙ−ＫＳ４　Ｌとり、、、第９Ｆ図の例’ｔ’ハＸ−Ｌ
Ｅ（またはＰＨ，ＥＢ）、Ｙ−ＫＳ４　Ｌとすれば良い
。　５ また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９８，９０
．９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。

［効　果］ 以上の如く本発明はウェハ始点情報発生機構の簡略化に
極めて多大に寄与し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＷＫＤ・・・ウェハカセット駆動部 ＭＰＵ・・・マイクロプロセッサ ＲＯＭ・・・リードオンリメモリ ＲＡＭ・・・ランダムアクセスメモリ ＫＳ３　ｔＪ、ＫＳ３　Ｌ、ＫＳ４　ＬＪ、ＫＳ４　Ｌ
・・・始点信号発生手段（突起）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の位置にセットされたウェハカセットに対して
   ウェハを取出しまたは挿入するウェハ挿脱手段を備えた
   ウェハ処理装置であって、互いに異なる大きさの複数種
   のウェハカセットのそれぞれを共通の位置を基準として
   セットする手段と、該基準位置の近傍にウェハ位置検出
   のための始点情報発生部とを有することを特徴とするウ
   ェハ処理装置。 ２、前記ウェハ挿脱手段が、前記ウェハカセットから処
   理前のウェハを取出して所定の受渡し位置まで搬送し、
   かつ処理済みのウェハを上記受渡し位置で回収して上記
   ウェハカセットの所定の収納位置まで搬送し収納するも
   のであり、前記基準位置が、上記受渡し位置と同一高さ
   に設定されている特許請求の範囲第１項記載のウェハ処
   理装置。 ３、前記基準位置が、ウェハカセットの頂部とほぼ同一
   の高さに設定されている前記特許請求の範囲第１または
   ２項記載のウェハ処理装置。 ４、前記始点情報発生部が、突起及び該突起を検出する
   検出系とを含む特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理
   装置。