JPS6187406A - 高周波増幅装置 - Google Patents
高周波増幅装置Info
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- JPS6187406A JPS6187406A JP20848984A JP20848984A JPS6187406A JP S6187406 A JPS6187406 A JP S6187406A JP 20848984 A JP20848984 A JP 20848984A JP 20848984 A JP20848984 A JP 20848984A JP S6187406 A JPS6187406 A JP S6187406A
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジョン用チューナやＣＡＴＶコンバー
タ等に使用される高周波増幅装置に関するものである。
タ等に使用される高周波増幅装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、ＣＡＴＶコンバータやテレビジョン用チューナと
して、アップダウン方式が採用されてきているが、その
入力部のＲＦ増幅器として出力非同調の広帯域アンプで
構成されることが門い。特に最近では化合物半導体の開
発により、低雑音で３次歪の少ないＧａＡｓ−ＦＥＴを
用いた広帯域アンプが使われるようになってきた。
して、アップダウン方式が採用されてきているが、その
入力部のＲＦ増幅器として出力非同調の広帯域アンプで
構成されることが門い。特に最近では化合物半導体の開
発により、低雑音で３次歪の少ないＧａＡｓ−ＦＥＴを
用いた広帯域アンプが使われるようになってきた。
従来の広帯域高周波増幅装置について、第７図を用いて
説明する。第７図において、（１）は結合コンデンサ、
（２） （３）は抵抗、（４）は電界効果トランジスタ
（以下、「ＦＥＴ」と記す）、（５）はチョークコイル
、（Ａ）〜（Ｅ）は端子である。端子（Ａ）から信号が
入力され、結合コンデンサ（１）を介してＦＥＴ（４）
の第１ゲートに入力される。第１ゲートには端子（Ｃ）
より抵抗（２）を介して、また第２ケートには端子（Ｂ
）より抵抗（３）を介して、それぞれバイアスが与えら
れている。ＦＥＴ（４）のソースは接地され、ドレイン
はチョークコイル（５）を通じて端子（１）点より電源
に接続されている。出力は端子（Ｆ）点より取出される
。
説明する。第７図において、（１）は結合コンデンサ、
（２） （３）は抵抗、（４）は電界効果トランジスタ
（以下、「ＦＥＴ」と記す）、（５）はチョークコイル
、（Ａ）〜（Ｅ）は端子である。端子（Ａ）から信号が
入力され、結合コンデンサ（１）を介してＦＥＴ（４）
の第１ゲートに入力される。第１ゲートには端子（Ｃ）
より抵抗（２）を介して、また第２ケートには端子（Ｂ
）より抵抗（３）を介して、それぞれバイアスが与えら
れている。ＦＥＴ（４）のソースは接地され、ドレイン
はチョークコイル（５）を通じて端子（１）点より電源
に接続されている。出力は端子（Ｆ）点より取出される
。
この非同調型の広帯域増幅装置を例えばＵＨＦ帯で使用
する場合、日本のチャンネルでは４７０ＭＨｚ〜７７０
ＭＨｚである。一般的に広帯域用のＦＥＴでは、この周
波数帯でのゲインはｌＯ〜１５ｄＢで、システム構成上
、あと２〜３ｄＢのゲインアップが望まれる。
する場合、日本のチャンネルでは４７０ＭＨｚ〜７７０
ＭＨｚである。一般的に広帯域用のＦＥＴでは、この周
波数帯でのゲインはｌＯ〜１５ｄＢで、システム構成上
、あと２〜３ｄＢのゲインアップが望まれる。
特にＵＨＦのハイチャンネルにおいては、プリント基板
に実装した場合、箔の容量等でロスが発生し、さらにゲ
インが低下する。
に実装した場合、箔の容量等でロスが発生し、さらにゲ
インが低下する。
また、第７図の増幅器の前段に同調用フィルタを構成す
る場合を考えると、第８図に示すような構成が一般的で
ある。第８図において、（６）は結合コンデンサ、（７
）は共振体、（８）は可変容量ダイオード、（９）は直
流カット用コンデンサ、（１０）は抵抗、（１１）はコ
ンデンサ、（Ｆ）〜（Ｈ）は端子である。
る場合を考えると、第８図に示すような構成が一般的で
ある。第８図において、（６）は結合コンデンサ、（７
）は共振体、（８）は可変容量ダイオード、（９）は直
流カット用コンデンサ、（１０）は抵抗、（１１）はコ
ンデンサ、（Ｆ）〜（Ｈ）は端子である。
端子（Ｆ）からの入力信号は、結合コンデンサ（６）を
通り、共振体（７）に入力される。共振体（７）の一端
は接地され、直流カット用コンデンサ（９）を介して接
地されている。可変容量ダイオード（８）のカソードに
は端子（Ｇ）より抵抗（ｌＯ）を介して同調のための電
圧が印加されている。
通り、共振体（７）に入力される。共振体（７）の一端
は接地され、直流カット用コンデンサ（９）を介して接
地されている。可変容量ダイオード（８）のカソードに
は端子（Ｇ）より抵抗（ｌＯ）を介して同調のための電
圧が印加されている。
このような入力同調回路を前置した場合、低い同調周波
数帯では可変容量ダイオード（８）のロスが増大し、同
調フィルタの挿入損が増大す゛る。また高い周波数帯に
おいては、Ｑが一定なら周波数が高くなると帯域幅が拡
がり１選択度特性が劣化する。
数帯では可変容量ダイオード（８）のロスが増大し、同
調フィルタの挿入損が増大す゛る。また高い周波数帯に
おいては、Ｑが一定なら周波数が高くなると帯域幅が拡
がり１選択度特性が劣化する。
以上のように、従来の高周波増幅装置においては、低域
及び高域におけるゲインの低下と、高域における選択度
特性の劣化とが問題であった。
及び高域におけるゲインの低下と、高域における選択度
特性の劣化とが問題であった。
発明の目的 ゛
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、広帯域にゲ
インを増加させ、且つ高域での選択度を向上させること
のできる高周波増幅装置を提供することを目的とする。
インを増加させ、且つ高域での選択度を向上させること
のできる高周波増幅装置を提供することを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の高周波増幅装置は、
電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタの
ドレインに一端が接続された第１のコイルと、この第１
のコイルの他端に一端が接続されかつ他端が交流的に接
地された第２のコイルと、前記電界効果トランジスタの
ドレインとアースとの間または前記第１のコイルと第２
のコイルとの直列回路の両端間に接続された共振用の第
１のコンデンサと、第３のコイルと第２のコンデンサと
の直列回路からなりかつ前記第２のコイルの両端間また
は前記第１のコイルと第２のコイルとの接続点とアース
との間に接続された直列共振回路と、前記第１のコイル
と第２のコイルとの接続点に接続された出力端子とを備
えた構成としたものである。
電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタの
ドレインに一端が接続された第１のコイルと、この第１
のコイルの他端に一端が接続されかつ他端が交流的に接
地された第２のコイルと、前記電界効果トランジスタの
ドレインとアースとの間または前記第１のコイルと第２
のコイルとの直列回路の両端間に接続された共振用の第
１のコンデンサと、第３のコイルと第２のコンデンサと
の直列回路からなりかつ前記第２のコイルの両端間また
は前記第１のコイルと第２のコイルとの接続点とアース
との間に接続された直列共振回路と、前記第１のコイル
と第２のコイルとの接続点に接続された出力端子とを備
えた構成としたものである。
かかる構成によれば、第１及び第２のコイルと第１のコ
ンデンサとによりＱの低い共振回路を構成してゲインを
上げ、且つ第３のコイルと第２のコンデンサとからなる
直列共振回路によるトラップを構成して高域の選択度特
性の改善を図ることができる。
ンデンサとによりＱの低い共振回路を構成してゲインを
上げ、且つ第３のコイルと第２のコンデンサとからなる
直列共振回路によるトラップを構成して高域の選択度特
性の改善を図ることができる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例における高周波増幅装置の回
路図で、第７図に示す構成要素と同一の構成要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。第１図において
、（１２） （１３）は空心のコイル、（１４）は＝１
イル（１２）（１３）と共振する共振用のコンデンサで
、このコンデンサ（１４）はＦＥＴ（４）のドレインと
アースとの間に挿入されているが、直列に接続されたコ
イル（１２）（１３）と並列に接続しても良い。コンデ
ンサ（１５）とコイル（１６）との直列回路は、コイル
（１３）と並列に接続され、直列共振回路を形成してい
るが、この直列共振回路の一端は接地しても良い。（１
７）は端子（Ｄ）から供給される電源のバイパスコンデ
ンサである。
路図で、第７図に示す構成要素と同一の構成要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。第１図において
、（１２） （１３）は空心のコイル、（１４）は＝１
イル（１２）（１３）と共振する共振用のコンデンサで
、このコンデンサ（１４）はＦＥＴ（４）のドレインと
アースとの間に挿入されているが、直列に接続されたコ
イル（１２）（１３）と並列に接続しても良い。コンデ
ンサ（１５）とコイル（１６）との直列回路は、コイル
（１３）と並列に接続され、直列共振回路を形成してい
るが、この直列共振回路の一端は接地しても良い。（１
７）は端子（Ｄ）から供給される電源のバイパスコンデ
ンサである。
次に動作を説明する。一般１と広帯域増幅器の場合、出
力は非同調の為、チョークコイルを接続するが１本実施
例では利得改善の為、可変容量ダイオード等を使わずに
若干の同調を持たすものである。第１図において、 （
Ｌ、ｔ）（Ｌ、）はコイル（１２） （１３）に相当す
る数１０ｎＨの空心コイル、（Ｃ１）はコンデンサ（１
４）に相当する１〜２ｐＦの容量で、Ｌを大きく、Ｃを
小さく選び、共振回路のＱを低くすることにより、ブロ
ードな特性が得られる。また共振周波数を６００ＭＨｚ
付近に選ぶことにより、高域と低域とのバランスがとれ
た特性が得られる。その状態を第３図に実線（ａ）で示
す。に示す、また出力を空心コイル（Ｌ、）と（Ｌ２）
との交点から取出しているが。
力は非同調の為、チョークコイルを接続するが１本実施
例では利得改善の為、可変容量ダイオード等を使わずに
若干の同調を持たすものである。第１図において、 （
Ｌ、ｔ）（Ｌ、）はコイル（１２） （１３）に相当す
る数１０ｎＨの空心コイル、（Ｃ１）はコンデンサ（１
４）に相当する１〜２ｐＦの容量で、Ｌを大きく、Ｃを
小さく選び、共振回路のＱを低くすることにより、ブロ
ードな特性が得られる。また共振周波数を６００ＭＨｚ
付近に選ぶことにより、高域と低域とのバランスがとれ
た特性が得られる。その状態を第３図に実線（ａ）で示
す。に示す、また出力を空心コイル（Ｌ、）と（Ｌ２）
との交点から取出しているが。
これは次段の出力インピーダンスが一般的には低く設計
されている事が多い為、タップダウンにより、次段との
マツチングゲインを稼ぐ為である。
されている事が多い為、タップダウンにより、次段との
マツチングゲインを稼ぐ為である。
このようにして得られた特性は、第３図にに破線（ｂ）
で示す従来例の利得より２〜３ｄＢ改善されたものとな
る。
で示す従来例の利得より２〜３ｄＢ改善されたものとな
る。
第４図に本実施例における高周波増幅装置の出力部分の
全回路を示す、これは第２図の回路に、コンデンサ（１
５）に相当する容量（Ｃ３）とコイル（１６）に相当す
るコイル（し、）との直列回路が付加されたものである
。簡単の為、直接共振回路に関係する部分だけを示した
のが第５図（Ａ）である、第５図（Ａ）のりアクタンス
を同図（Ｂ）に示す。第５図（Ｂ）において、ω、＝１
／石＝マＬ、＋Ｃ，）−で***振、ω、＝１／儒で直列
共振を示す。即ちω、の***振によりゲインが増大し、
若干高い周波数ω２で直列共振トラップが構成される為
、全体の特性は第６図に示すようになり、全体的にゲイ
ンの改善と高域の帯域特性の改善とを達成できる。
全回路を示す、これは第２図の回路に、コンデンサ（１
５）に相当する容量（Ｃ３）とコイル（１６）に相当す
るコイル（し、）との直列回路が付加されたものである
。簡単の為、直接共振回路に関係する部分だけを示した
のが第５図（Ａ）である、第５図（Ａ）のりアクタンス
を同図（Ｂ）に示す。第５図（Ｂ）において、ω、＝１
／石＝マＬ、＋Ｃ，）−で***振、ω、＝１／儒で直列
共振を示す。即ちω、の***振によりゲインが増大し、
若干高い周波数ω２で直列共振トラップが構成される為
、全体の特性は第６図に示すようになり、全体的にゲイ
ンの改善と高域の帯域特性の改善とを達成できる。
なお、第５図（Ａ）のコイル（Ｌ、）のインダクタンス
は数ｎｌ（と小さい為、特に部品で構成する必要はなく
、容量（Ｃ２）のリードインダクタンスやプリント箔に
よるパターンコイルで充分構成できる。
は数ｎｌ（と小さい為、特に部品で構成する必要はなく
、容量（Ｃ２）のリードインダクタンスやプリント箔に
よるパターンコイルで充分構成できる。
また前記Ｆ Ｅ Ｔ （４）としては１例えば帰還型Ｇ
３Ａｓ−ＦＥＴ等を用いることができ、さらにはこの帰
還型ＧａＡｓ−ＦＥＴを、集積回路内に内蔵し。
３Ａｓ−ＦＥＴ等を用いることができ、さらにはこの帰
還型ＧａＡｓ−ＦＥＴを、集積回路内に内蔵し。
ドレイン端子を外部端子に引出すように構成してもよい
。
。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、ゲインの低い広帯
域増幅器の利得を改善し、且つ入力側に入力同調回路を
前置した時に問題となる高域側での選択度の劣化を同時
に改善することができる。
域増幅器の利得を改善し、且つ入力側に入力同調回路を
前置した時に問題となる高域側での選択度の劣化を同時
に改善することができる。
また第３のコイルは固゛定部品で構成しなくても良い為
、第２のコンデンサのみの追加でよく、安価に製造でき
る。
、第２のコンデンサのみの追加でよく、安価に製造でき
る。
第１図は本発明の一実施例における高周波増幅装置の回
路図、第２図は同高周波増幅装置の要部の回路図、第３
図は第２図に示す回路の周波数特性と従来装置における
周波数特性との説明図、第４図は本発明の一実施例にお
ける高周波増幅装置の出力部分の回路図、第５図（Ａ）
は同出力部分の要部の回路図、同図ＣＢ）は同リアクタ
ンス特性の説明図、第６図は本発明の一実施例における
高周波増幅装置の周波数特性の説明図、第７図は従来の
広帯域増幅装置の回路図、第８図は広帯域増幅装置に前
置される入力同調フィルタの回路図である。 （４）・・・電界効果トランジスタ、（１２）・・・第
１のコイル、（１３）・・・第２のコイル、（１４）・
・・第１のコンデンサ、（１５）・・・第２のコンデン
サ、（１６）・・・第３のコイル
路図、第２図は同高周波増幅装置の要部の回路図、第３
図は第２図に示す回路の周波数特性と従来装置における
周波数特性との説明図、第４図は本発明の一実施例にお
ける高周波増幅装置の出力部分の回路図、第５図（Ａ）
は同出力部分の要部の回路図、同図ＣＢ）は同リアクタ
ンス特性の説明図、第６図は本発明の一実施例における
高周波増幅装置の周波数特性の説明図、第７図は従来の
広帯域増幅装置の回路図、第８図は広帯域増幅装置に前
置される入力同調フィルタの回路図である。 （４）・・・電界効果トランジスタ、（１２）・・・第
１のコイル、（１３）・・・第２のコイル、（１４）・
・・第１のコンデンサ、（１５）・・・第２のコンデン
サ、（１６）・・・第３のコイル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電界効果トランジスタと、この電界効果トランジス
タのドレインに一端が接続された第１のコイルと、この
第１のコイルの他端に一端が接続されかつ他端が交流的
に接地された第２のコイルと、前記電界効果トランジス
タのドレインとアースとの間または前記第１のコイルと
第２のコイルとの直列回路の両端間に接続された共振用
の第１のコンデンサと、第３のコイルと第２のコンデン
サとの直列回路からなりかつ前記第２のコイルの両端間
または前記第１のコイルと第２のコイルとの接続点とア
ースとの間に接続された直列共振回路と、前記第１のコ
イルと第２のコイルとの接続点に接続された出力端子と
を備えた高周波増幅装置。 ２、第３のコイルとして、プリント基板のパターン箔を
用いた特許請求の範囲第１項記載の高周波増幅装置。 ３、第３のコイルとして、第２のコンデンサのリードイ
ンダクタンスを利用した特許請求の範囲第１項記載の高
周波増幅装置。 ４、電界効果トランジスタとして、帰還型ＧａＡｓ・Ｆ
ＥＴを用いた特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
れかに記載の高周波増幅装置。 ５、帰還型ＧａＡｓ・ＦＥＴは、集積回路内に内蔵され
、ドレイン端子が外部端子に引出された特許請求の範囲
第４項記載の高周波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20848984A JPS6187406A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20848984A JPS6187406A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 高周波増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187406A true JPS6187406A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16557007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20848984A Pending JPS6187406A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187406A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279612A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 | Hitachi Ltd | 高周波増幅回路 |
| FR2651936A1 (fr) * | 1989-09-13 | 1991-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | Amplificateur a transistor a effet de champ, notamment utilise dans une bande micro-onde. |
| JPH04249905A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体増幅装置 |
| JPH05327371A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Ｆｅｔ増幅器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135951B1 (ja) * | 1971-04-14 | 1976-10-05 | ||
| JPS58123217A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | Hitachi Ltd | フイルタ回路 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20848984A patent/JPS6187406A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135951B1 (ja) * | 1971-04-14 | 1976-10-05 | ||
| JPS58123217A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | Hitachi Ltd | フイルタ回路 |
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| FR2651936A1 (fr) * | 1989-09-13 | 1991-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | Amplificateur a transistor a effet de champ, notamment utilise dans une bande micro-onde. |
| JPH04249905A (ja) * | 1991-01-07 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体増幅装置 |
| JPH05327371A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Ｆｅｔ増幅器 |
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