JPS5922416A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
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- JPS5922416A JPS5922416A JP57131598A JP13159882A JPS5922416A JP S5922416 A JPS5922416 A JP S5922416A JP 57131598 A JP57131598 A JP 57131598A JP 13159882 A JP13159882 A JP 13159882A JP S5922416 A JPS5922416 A JP S5922416A
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- transistor
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3052—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ラジオ受信機特に大入力に対する特性をよく
した電子同調、車載用、ＡＭラジオの高周波増幅回路に
関する。
した電子同調、車載用、ＡＭラジオの高周波増幅回路に
関する。
電子同調ラジオ受信機では選局用素子として可変容量ダ
イオードを使用するが、この素子は加わる電圧によって
容量が変るので非線形歪を生じる、車載用ラジオではア
ンテナは容量性であるので該素子とアンテナとで直接同
調回路を組むことはできない、等の理由から第１図また
は第２図に示す入力回路が採用される。第１図では端子
ｌＯにアンテナを接続して電界効果トランジスタ１−２
によりアンテナ出力を増幅し、同調はＬ Ｃ共振回路１
４でとる。１６は高周波増幅器、１８はその負荷である
共振回路で、この出力が次段のミクサＭＩχ段へ導かれ
る。Ａ、ＧＣは増幅器１６へ、また抵抗２０を介してト
ランジスタ１２へ加えられる。。
イオードを使用するが、この素子は加わる電圧によって
容量が変るので非線形歪を生じる、車載用ラジオではア
ンテナは容量性であるので該素子とアンテナとで直接同
調回路を組むことはできない、等の理由から第１図また
は第２図に示す入力回路が採用される。第１図では端子
ｌＯにアンテナを接続して電界効果トランジスタ１−２
によりアンテナ出力を増幅し、同調はＬ Ｃ共振回路１
４でとる。１６は高周波増幅器、１８はその負荷である
共振回路で、この出力が次段のミクサＭＩχ段へ導かれ
る。Ａ、ＧＣは増幅器１６へ、また抵抗２０を介してト
ランジスタ１２へ加えられる。。
この回路は非同調入力型であって不要波も希望波と同様
にトランジスタ１２に入力し増幅されてしまうので、大
入力に対する特性、中でも混変調特性がよくない。
にトランジスタ１２に入力し増幅されてしまうので、大
入力に対する特性、中でも混変調特性がよくない。
第２図はトランジスタ１２のソースに共振回路２２と負
帰還用抵抗３０を接続し、希望波では回路２２が共振し
てインピーダンス零従って負帰還がかからず、不要波で
は負、帰還がかかって該不要波は余り増幅されないよう
にしたものである。この結果妨害波（不要波）に対しで
や−強くなるが、次のような問題がある。即ち希望波で
は負帰還はかからずトランジスタ１２のｇｍによる増幅
が行なわれるのが、ｇｍは非線形かつ有限で、共振回路
１４．２２のＱ及び利得はｇｍに依存するため混変調特
性がよくない。特に共振回路１４は希望波で共振すると
き、共振回路２２は零インピーダンスになるので高い電
圧を受け、その容量素子として使用する可変容量ダイオ
ードが大きな非線形歪を生じる。またこの回路ではトラ
ンジスタ１２０入力側への負帰還をかけにくいので、出
力側にトランジスタ２４をアッテネータとして接続する
という構成をとるが、このトランジスタ２４は共振回路
１４のＱを下げ、また自らの非線形が回路に導入されて
しまうという問題がある。
帰還用抵抗３０を接続し、希望波では回路２２が共振し
てインピーダンス零従って負帰還がかからず、不要波で
は負、帰還がかかって該不要波は余り増幅されないよう
にしたものである。この結果妨害波（不要波）に対しで
や−強くなるが、次のような問題がある。即ち希望波で
は負帰還はかからずトランジスタ１２のｇｍによる増幅
が行なわれるのが、ｇｍは非線形かつ有限で、共振回路
１４．２２のＱ及び利得はｇｍに依存するため混変調特
性がよくない。特に共振回路１４は希望波で共振すると
き、共振回路２２は零インピーダンスになるので高い電
圧を受け、その容量素子として使用する可変容量ダイオ
ードが大きな非線形歪を生じる。またこの回路ではトラ
ンジスタ１２０入力側への負帰還をかけにくいので、出
力側にトランジスタ２４をアッテネータとして接続する
という構成をとるが、このトランジスタ２４は共振回路
１４のＱを下げ、また自らの非線形が回路に導入されて
しまうという問題がある。
本発明はか＼る点を改善し、優れた混変調特性を示すア
ンテナ入力回路を提供しようとするものである。本発明
の高周波増幅回路はゲートに入力信号が加えられソース
に希望周波数で共振する直列共振回路が接続された第１
のトランジスタと、エミッタを共通の第２のトランジス
タへ接続した第３．第４のトランジスタを備え、該第２
のトランジスタのベースへは第１のトランジスタの出力
を加え、第３のトランジスタのコレクタは直接そして第
４のトランジスタのコレクタは前記希望周波数で共振す
る並列共振回路を介して第１のトランジスタのソースへ
接続して負帰還を加えるようにし、更に第３．第４のト
ランジスタのベースへはこれらのトランジスタのコレク
タ電流比を変えるようにＡＧＣ電圧を加え、前記並列共
振回路より出力を得るようにしてなることを特徴とする
が、次に第３図に示す実施例を参照しながらこれを説明
する。
ンテナ入力回路を提供しようとするものである。本発明
の高周波増幅回路はゲートに入力信号が加えられソース
に希望周波数で共振する直列共振回路が接続された第１
のトランジスタと、エミッタを共通の第２のトランジス
タへ接続した第３．第４のトランジスタを備え、該第２
のトランジスタのベースへは第１のトランジスタの出力
を加え、第３のトランジスタのコレクタは直接そして第
４のトランジスタのコレクタは前記希望周波数で共振す
る並列共振回路を介して第１のトランジスタのソースへ
接続して負帰還を加えるようにし、更に第３．第４のト
ランジスタのベースへはこれらのトランジスタのコレク
タ電流比を変えるようにＡＧＣ電圧を加え、前記並列共
振回路より出力を得るようにしてなることを特徴とする
が、次に第３図に示す実施例を参照しながらこれを説明
する。
第３図で１２および１４．２２は前述の電界効果トラン
ジスタおよび共振回路である。３４．３６はエミッタ同
志を接続した差動対トランジスタで、その共通エミッタ
回路にトランジスタ３８が接続され、トランジスタ１２
の出力が該トランジスタ３８のベースに印加される。ト
ランジスタ３４のコレクタは直接そしてトランジスタ３
６のコレクタは並列共振回路１４を介してトランジスタ
１２のソースへ接続され、これにより負帰還がかけられ
る。４０，４２，４４．４６はコンデンサ、４Ｂ、５０
，５２，５４，５６，５８，６０，６２゜６４は抵抗で
ある。Ｖｄｄは電源電圧を示し、この電圧による電流は
５２．１２．３４または１４の１次コイルと３６．３８
．６０の経路、４８と５０の経路、５と３４のベースま
たは５８と６２及び３６のベースの経路等を流れる。こ
の回路の等価回路を第４図に示す。この図に示すように
トランジスタ１２のゲート・ソース間電圧をＶｇｓとす
るとドレインに流れる電流はｇｍ−Ｖｇｓ、トランジス
タ、３８の電流増幅率をβとすると該トランジスタのエ
ミッタに流れる電流はｇｍ−Ｖｇｓ・β、直列共振回路
２２へはこれらの電流が流れるので該共振回路のインピ
ーダンスをｚＳ、入力電圧をＥｌとして次式が成立する
。
ジスタおよび共振回路である。３４．３６はエミッタ同
志を接続した差動対トランジスタで、その共通エミッタ
回路にトランジスタ３８が接続され、トランジスタ１２
の出力が該トランジスタ３８のベースに印加される。ト
ランジスタ３４のコレクタは直接そしてトランジスタ３
６のコレクタは並列共振回路１４を介してトランジスタ
１２のソースへ接続され、これにより負帰還がかけられ
る。４０，４２，４４．４６はコンデンサ、４Ｂ、５０
，５２，５４，５６，５８，６０，６２゜６４は抵抗で
ある。Ｖｄｄは電源電圧を示し、この電圧による電流は
５２．１２．３４または１４の１次コイルと３６．３８
．６０の経路、４８と５０の経路、５と３４のベースま
たは５８と６２及び３６のベースの経路等を流れる。こ
の回路の等価回路を第４図に示す。この図に示すように
トランジスタ１２のゲート・ソース間電圧をＶｇｓとす
るとドレインに流れる電流はｇｍ−Ｖｇｓ、トランジス
タ、３８の電流増幅率をβとすると該トランジスタのエ
ミッタに流れる電流はｇｍ−Ｖｇｓ・β、直列共振回路
２２へはこれらの電流が流れるので該共振回路のインピ
ーダンスをｚＳ、入力電圧をＥｌとして次式が成立する
。
Ｅ ＋ ＝Ｖｇｓ＋ｇｍ・Ｖｇｓ （１＋β） Ｚｓ
−４ｌｌまた並列共振回路１４のインピーダンスを
２１１、出力電圧をＥ２とすると次式が成立する。
−４ｌｌまた並列共振回路１４のインピーダンスを
２１１、出力電圧をＥ２とすると次式が成立する。
Ｅ２＝ｇｍ・Ｖｇｓ・β・ＫＺＩ、 ・・・
・・・（２）こ−でＫは分流比で１／にははｔ；’ ｌ
４− ｅＫＴ で表わされ、バイアス電圧ＶＢによ
り変る。これらの（１）。
・・・（２）こ−でＫは分流比で１／にははｔ；’ ｌ
４− ｅＫＴ で表わされ、バイアス電圧ＶＢによ
り変る。これらの（１）。
（２）式より次式が得られる。
Ｅ２＝Ｅ１・ｇｍ・β・Ｚ＋−に／ （１＋ｇｍ （１
＋β）Ｚ８） ・・・・・・
（３）βは１００程度と１より遥かに大きいのでＥ２’
＝Ｅ＋ ・Ｚｌ、・Ｋ／Ｚｓ ・・・・
・・（４）となる。これより、分流比Ｋを一定とすれば
利得はインピーダンスＺｓとｚｌ、の比で決定され、ト
ランジスタのｇｍ、 βなどのパラメータを含まない
から利得の値は極めて安定でかつ殆んど非線形性を伴な
わず、混変調特性は優れていることが分る。
＋β）Ｚ８） ・・・・・・
（３）βは１００程度と１より遥かに大きいのでＥ２’
＝Ｅ＋ ・Ｚｌ、・Ｋ／Ｚｓ ・・・・
・・（４）となる。これより、分流比Ｋを一定とすれば
利得はインピーダンスＺｓとｚｌ、の比で決定され、ト
ランジスタのｇｍ、 βなどのパラメータを含まない
から利得の値は極めて安定でかつ殆んど非線形性を伴な
わず、混変調特性は優れていることが分る。
また共振周波数での回路１４．２２のインピーダンスＺ
ｓ、 Ｚ、はＱで表わされるから（４）式はＥ２＃Ｅ＋
Ｑ＋、Ｑ２ ・Ｋ ・・・・・・（５）
となり、これより利得は相当に大きいことが分る。
ｓ、 Ｚ、はＱで表わされるから（４）式はＥ２＃Ｅ＋
Ｑ＋、Ｑ２ ・Ｋ ・・・・・・（５）
となり、これより利得は相当に大きいことが分る。
利得が大きいとＡＧＣが必要となるが、これは分流比Ｋ
を変えることに行なえる。第３図で抵抗６４を介してト
ランジスタ３６のベースへ加わる電圧ＡＧＣがこの制御
電圧である。Ｋは値は前記のように電圧ＶＢに対しては
非線形であるが、入力信号には無関係であるため、混変
調の原因にはならない。またこの回路では共振周波数つ
まり希望周波数では直列共振回路２２のインピーダンス
は著減しまた並列共振回路１４ではインピーダンスが著
増していずれも負帰還がか−りにくくなり、希望周波数
を外れると大きく負帰還がか−って利得が落ちるので、
選択度は良好である。
を変えることに行なえる。第３図で抵抗６４を介してト
ランジスタ３６のベースへ加わる電圧ＡＧＣがこの制御
電圧である。Ｋは値は前記のように電圧ＶＢに対しては
非線形であるが、入力信号には無関係であるため、混変
調の原因にはならない。またこの回路では共振周波数つ
まり希望周波数では直列共振回路２２のインピーダンス
は著減しまた並列共振回路１４ではインピーダンスが著
増していずれも負帰還がか−りにくくなり、希望周波数
を外れると大きく負帰還がか−って利得が落ちるので、
選択度は良好である。
同調回路１４．２２の可変容量には通常の機械式可変コ
ンデンサの他に、可変容量ダイオードなどを用いてもよ
い。第５図は可変容量ダイオードを用いた場合の要部回
路例を示し、１４ａ、２２ａは該可変容量ダイオード、
ＴＢはバイアス電源、１４ｂ、２２ｂは電流制限用抵抗
である。
ンデンサの他に、可変容量ダイオードなどを用いてもよ
い。第５図は可変容量ダイオードを用いた場合の要部回
路例を示し、１４ａ、２２ａは該可変容量ダイオード、
ＴＢはバイアス電源、１４ｂ、２２ｂは電流制限用抵抗
である。
以上説明したように本発明によれば非同調入力型の構成
をとりながら混変調が少なく、非線形歪みなどを導入す
ることなくＡＧＣをかけることができ、かつ利得は高い
ので、車輌用ラジオ受信機に実施して甚だ有効である。
をとりながら混変調が少なく、非線形歪みなどを導入す
ることなくＡＧＣをかけることができ、かつ利得は高い
ので、車輌用ラジオ受信機に実施して甚だ有効である。
第１図および第２図は従来例を示す回路図、第３図は本
発明の実施例を示す回路図、第４図は第３図の等価回路
図、第５図は一部の変形例を示す回路図である。 図面で、１２．３Ｂ、３４．３６は第１．第２゜第３．
第４のトランジスタ、２２は直列共振回路、１４は並列
共振回路である。 出 廓 人 富士通テン株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔
発明の実施例を示す回路図、第４図は第３図の等価回路
図、第５図は一部の変形例を示す回路図である。 図面で、１２．３Ｂ、３４．３６は第１．第２゜第３．
第４のトランジスタ、２２は直列共振回路、１４は並列
共振回路である。 出 廓 人 富士通テン株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ゲートに入力信号が加えられソースに希望周波数で共振
する直列共振回路が接続された第１のトランジスタと、 エミッタを共通の第２のトランジスタへ接続した第３．
第４のトランジスタを備え、 該第２のトランジスタのベースへは第１のトランジスタ
の出力を加え、第３のトランジスタのコレクタは直接そ
して第４のトランジスタのコレクタは前記希望周波数で
共振する並列共振回路を介して第１のトランジスタのソ
ースへ接続して負帰還を加えるようにし、更に第３．第
４のトランジスタのベースへはこれらのトランジスタの
コレクタ電流比を変えるようにＡＧＣ電圧を加え、前記
並列共振回路より出力を得るようにしてなることを特徴
とする高周波増幅回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131598A JPS5922416A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 高周波増幅回路 |
| US06/515,171 US4535301A (en) | 1982-07-28 | 1983-07-19 | High frequency amplifier circuit |
| CA000432906A CA1195390A (en) | 1982-07-28 | 1983-07-21 | High frequency amplifier circuit |
| AU17286/83A AU552839B2 (en) | 1982-07-28 | 1983-07-26 | R f amplifier |
| DE3327107A DE3327107C2 (de) | 1982-07-28 | 1983-07-27 | Hochfrequenzverstärkerschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131598A JPS5922416A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 高周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922416A true JPS5922416A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0145768B2 JPH0145768B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=15061801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131598A Granted JPS5922416A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 高周波増幅回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4535301A (ja) |
| JP (1) | JPS5922416A (ja) |
| AU (1) | AU552839B2 (ja) |
| CA (1) | CA1195390A (ja) |
| DE (1) | DE3327107C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115419A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-23 | ローベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | スイツチング出力段 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170602A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ波集積回路 |
| US5252820A (en) * | 1991-03-11 | 1993-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion circuit having a tuning circuit and changeover switcher |
| WO2007108103A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | アナログ回路 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2734112C2 (de) * | 1977-07-28 | 1982-11-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verstärkende Zweikreis-Bandfilteranordnung |
| GB2002608B (en) * | 1977-08-01 | 1982-03-24 | Pioneer Electronic Corp | Automatic gain control circuit |
| DE2833056C3 (de) * | 1978-07-27 | 1984-02-16 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | HF-Verstärker |
| US4353036A (en) * | 1980-08-29 | 1982-10-05 | Rca Corporation | Field effect transistor amplifier with variable gain control |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57131598A patent/JPS5922416A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-19 US US06/515,171 patent/US4535301A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-21 CA CA000432906A patent/CA1195390A/en not_active Expired
- 1983-07-26 AU AU17286/83A patent/AU552839B2/en not_active Expired
- 1983-07-27 DE DE3327107A patent/DE3327107C2/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115419A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-23 | ローベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | スイツチング出力段 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3327107C2 (de) | 1985-12-12 |
| DE3327107A1 (de) | 1984-02-09 |
| US4535301A (en) | 1985-08-13 |
| AU552839B2 (en) | 1986-06-19 |
| CA1195390A (en) | 1985-10-15 |
| AU1728683A (en) | 1984-02-02 |
| JPH0145768B2 (ja) | 1989-10-04 |
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