JPS6149391B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6149391B2 JPS6149391B2 JP12347883A JP12347883A JPS6149391B2 JP S6149391 B2 JPS6149391 B2 JP S6149391B2 JP 12347883 A JP12347883 A JP 12347883A JP 12347883 A JP12347883 A JP 12347883A JP S6149391 B2 JPS6149391 B2 JP S6149391B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- susceptor
- holder
- reaction tube
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は反応管内において試料表面に結晶成
長を行う気相成長用装置に関する。
長を行う気相成長用装置に関する。
従来この種の気相成長用装置として第１図を用
いて説明する。
いて説明する。
第１図において、１は反応管、２は試料、３は
この試料２を加熱するためのサセプタ、４はこの
サセプタ３を固定するためのホルダー、５は試料
２、サセプタ３およびホルダ４を反応管１へ出し
入れする挿入棒、６はサセプタ３を加熱するため
の高周波コイル、７は結晶成長用すべき気体を供
給するための供給管である。
この試料２を加熱するためのサセプタ、４はこの
サセプタ３を固定するためのホルダー、５は試料
２、サセプタ３およびホルダ４を反応管１へ出し
入れする挿入棒、６はサセプタ３を加熱するため
の高周波コイル、７は結晶成長用すべき気体を供
給するための供給管である。
第１図に示す構成において、試料２の表面に封
入された気体を気相成長させる方法を説明する。
挿入棒５に装着されたホルダー４にサセプタ３と
試料２を順次載せ、これらを挿入棒５により反応
管１内へ入れる。次に高周波コイル６を起動させ
サセプタ３を加熱させることにより試料２を加熱
し、供給管７から気体を流し、試料２の表面に気
相成長を行なう。
入された気体を気相成長させる方法を説明する。
挿入棒５に装着されたホルダー４にサセプタ３と
試料２を順次載せ、これらを挿入棒５により反応
管１内へ入れる。次に高周波コイル６を起動させ
サセプタ３を加熱させることにより試料２を加熱
し、供給管７から気体を流し、試料２の表面に気
相成長を行なう。
しかし、かかる従来の気相成長装置では、試料
２の反応管１内への出し入れの時や気相成長中
に、反応管１内に存するほこりや管壁の付着物が
試料上へ落ちることによつて成長膜の表面状態を
悪くする欠点があつた。
２の反応管１内への出し入れの時や気相成長中
に、反応管１内に存するほこりや管壁の付着物が
試料上へ落ちることによつて成長膜の表面状態を
悪くする欠点があつた。
この発明はかかる欠点を解消するためになされ
たもので、サセプタの下面に試料を設け、試料表
面を下向きに設置することにより、試料表面上へ
の成長膜以外の付着物が付着することを防ぎ、結
晶膜中に不純物が混入しない新規な気相成長用装
置を提供するものである。
たもので、サセプタの下面に試料を設け、試料表
面を下向きに設置することにより、試料表面上へ
の成長膜以外の付着物が付着することを防ぎ、結
晶膜中に不純物が混入しない新規な気相成長用装
置を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を第２図ａ，ｂを用
いて説明する。
いて説明する。
第２図ｂは第２図ａ中Ａ―Ａ線で切断したとき
の断面図であり、その主要部を示す。第２図にお
いて、１は円筒形の反応管、２は試料、３は試料
２を加熱するためのサセプタで、ほぼ三角柱状と
なし試料２を第２図ａに示すように下向き側面に
配置するものである。４は試料２サセプタ３を固
定するためのホルダで、第２図ｂに示すように窓
部４ａを有し、この窓部４ａを通して試料２の表
面を導入される気体にさらしている。また、ホル
ダー４は第２図ｂに示すように試料２の両端部を
支持しているので、試料２はホルダー４とサセプ
タ３にはさまれて保持される。５は試料２、サセ
プタ３およびホルダー４を反応管内へ出し入れる
す挿入棒、６はサセプタ３を加熱するための高周
波コイル、７は結晶成長の材料となる気体の供給
管である。
の断面図であり、その主要部を示す。第２図にお
いて、１は円筒形の反応管、２は試料、３は試料
２を加熱するためのサセプタで、ほぼ三角柱状と
なし試料２を第２図ａに示すように下向き側面に
配置するものである。４は試料２サセプタ３を固
定するためのホルダで、第２図ｂに示すように窓
部４ａを有し、この窓部４ａを通して試料２の表
面を導入される気体にさらしている。また、ホル
ダー４は第２図ｂに示すように試料２の両端部を
支持しているので、試料２はホルダー４とサセプ
タ３にはさまれて保持される。５は試料２、サセ
プタ３およびホルダー４を反応管内へ出し入れる
す挿入棒、６はサセプタ３を加熱するための高周
波コイル、７は結晶成長の材料となる気体の供給
管である。
このように、上記実施例ではホルダー４上に試
料２の表面を下向きに配置し、試料２上にサセプ
タ３を載せて試料２を保持し、挿入棒５により反
応管１へ試料を挿入し、気相結晶成長を行なう。
したがつて試料２表面が下向きになつており、試
料２の出し入れの時や成長中に反応管の管壁の付
着物等の落下により試料２表面が汚染されない。
料２の表面を下向きに配置し、試料２上にサセプ
タ３を載せて試料２を保持し、挿入棒５により反
応管１へ試料を挿入し、気相結晶成長を行なう。
したがつて試料２表面が下向きになつており、試
料２の出し入れの時や成長中に反応管の管壁の付
着物等の落下により試料２表面が汚染されない。
以上のように、この発明は気相成長すべき試料
の表面を下向きにして成長を行なうように構成し
たので、試料の出し入れ時や成長中に反応管の管
壁の付着物等の落下により試料表面が汚染されな
いという効果がある。
の表面を下向きにして成長を行なうように構成し
たので、試料の出し入れ時や成長中に反応管の管
壁の付着物等の落下により試料表面が汚染されな
いという効果がある。
第１図は従来の気相成長用装置を示す断面側面
図、第２図ａはこの発明による一実施例を示す断
面側面図、第２図ｂは第２図ａ中のＡ―Ａ線で切
断したときの主要部を示す断面図である。 １……反応管、２……試料、３……サセプタ、
４……ホルダー、５……挿入棒、６……高周波コ
イル、７……気体の供給管。なお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
図、第２図ａはこの発明による一実施例を示す断
面側面図、第２図ｂは第２図ａ中のＡ―Ａ線で切
断したときの主要部を示す断面図である。 １……反応管、２……試料、３……サセプタ、
４……ホルダー、５……挿入棒、６……高周波コ
イル、７……気体の供給管。なお、図中、同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 気相成長すべき試料が載置され、この試料の
気相成長させる一方の主表面を露出させる窓を有
するホルダーと、上記試料を加熱し、上記試料の
他方の主表面に接して載置されるサセプタと、こ
のサセプタと上記ホルダーを内蔵する反応管の周
囲に設けられ、上記サセプタを加熱する高周波コ
イルとを備えたことを特徴とする気相成長用装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347883A JPS6017076A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347883A JPS6017076A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長用装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017076A JPS6017076A (ja) | 1985-01-28 |
| JPS6149391B2 true JPS6149391B2 (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=14861621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12347883A Granted JPS6017076A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017076A (ja) |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12347883A patent/JPS6017076A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6017076A (ja) | 1985-01-28 |
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