JPS59132122A - 気相結晶成長方法 - Google Patents
気相結晶成長方法Info
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- JPS59132122A JPS59132122A JP702383A JP702383A JPS59132122A JP S59132122 A JPS59132122 A JP S59132122A JP 702383 A JP702383 A JP 702383A JP 702383 A JP702383 A JP 702383A JP S59132122 A JPS59132122 A JP S59132122A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発向の技術分野〕
この発明は気相結晶成長方法に関するものである。
従来例によるこの種の気相結晶成長方法を第１図に示す
。すなわち、この第１図において、符号（１）は円筒形
の反応管、（２）はこの反応管（１）の外部に設けられ
た加熱用の高周波コイル、（３）は反応管（１）内への
被処理物挿入用の挿脱棒、（４）はこの挿脱棒（３）上
に装着されるサセプタ、（５）はこのサセプタ（４）上
に載置される被処理物としてのＧａＡ、とかＳｉの単結
晶基板である。
。すなわち、この第１図において、符号（１）は円筒形
の反応管、（２）はこの反応管（１）の外部に設けられ
た加熱用の高周波コイル、（３）は反応管（１）内への
被処理物挿入用の挿脱棒、（４）はこの挿脱棒（３）上
に装着されるサセプタ、（５）はこのサセプタ（４）上
に載置される被処理物としてのＧａＡ、とかＳｉの単結
晶基板である。
この従来装置における処理、すなわち気相結晶成長は、
挿脱棒（３）に装着させたサセプタ（４）上に、被処理
物である単結晶基板（５）を載置して、これを反応管（
１）内へ挿入し、高周波コイル（２）に通電して
−サセプタ（４）、ひいては単結晶基板（５）全加熱す
ると共に、反応管（１）内にＡＢＨｓとか、その他ＴＭ
Ｇ（）リメチルガリウム）、もしくはＳｉＨ４などの被
成長物に対応した気体（６）を流すことによシ、加熱状
態にある単結晶基板（５）上で気体（６）を反応させて
、目的とする気相成長、換言するとＩｎＰとかＧａＡｓ
彦どの結晶成長を行なわせるものである。
挿脱棒（３）に装着させたサセプタ（４）上に、被処理
物である単結晶基板（５）を載置して、これを反応管（
１）内へ挿入し、高周波コイル（２）に通電して
−サセプタ（４）、ひいては単結晶基板（５）全加熱す
ると共に、反応管（１）内にＡＢＨｓとか、その他ＴＭ
Ｇ（）リメチルガリウム）、もしくはＳｉＨ４などの被
成長物に対応した気体（６）を流すことによシ、加熱状
態にある単結晶基板（５）上で気体（６）を反応させて
、目的とする気相成長、換言するとＩｎＰとかＧａＡｓ
彦どの結晶成長を行なわせるものである。
しかし乍らこのような従来装置による気相結晶成長方法
においては、円筒形の反応管（１）内にあって、サセプ
タ（４）上に載置されて挿入される単結晶基板（５）の
被成長面と、反応管０）の内壁面との間隔に差を生じて
平行でないために、被成長面に対する反応気体（６）の
流れが一定せず、結果的に一定膜 厚の結晶成長を得難
いという不都合があシ、またこれに対して角形の反応管
では、加圧とか減圧による差圧に弱くて、差圧を生ずる
気相成長には実用的でたい憾みがあるほか、別にこれら
の方法ではサセプタ（４）の発熱で加熱された気体（６
）が分解されて反応管（１）内面に付着し、この反応管
（１）全汚染するなどの諸欠点があった。
においては、円筒形の反応管（１）内にあって、サセプ
タ（４）上に載置されて挿入される単結晶基板（５）の
被成長面と、反応管０）の内壁面との間隔に差を生じて
平行でないために、被成長面に対する反応気体（６）の
流れが一定せず、結果的に一定膜 厚の結晶成長を得難
いという不都合があシ、またこれに対して角形の反応管
では、加圧とか減圧による差圧に弱くて、差圧を生ずる
気相成長には実用的でたい憾みがあるほか、別にこれら
の方法ではサセプタ（４）の発熱で加熱された気体（６
）が分解されて反応管（１）内面に付着し、この反応管
（１）全汚染するなどの諸欠点があった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、円筒形の反応
管を使用する気相結晶成長において、サセプタ上にあっ
て、被処理物である単結晶基板と共に、この基板上での
気体の流れを一定にするためのコ字形断面をもつ角形整
流カバーを、同単結晶基板を跨いで載置させ、この状態
で気相結晶成長を行なわせるようにしたものである。
管を使用する気相結晶成長において、サセプタ上にあっ
て、被処理物である単結晶基板と共に、この基板上での
気体の流れを一定にするためのコ字形断面をもつ角形整
流カバーを、同単結晶基板を跨いで載置させ、この状態
で気相結晶成長を行なわせるようにしたものである。
以下、この発明に係わる気相結晶成長方法の一実施例に
つき、第２図を参照して詳細に説明する。
つき、第２図を参照して詳細に説明する。
この第２図実施例において、前記第１図従来例と同一符
号は同一まだは相当部分を示しておシ、この実施例方法
では、前記サセプタ（４）上にあって、単結晶基板（５
）ヲ跨ぐようにしてコ字形断面をもつ角形整流カバー（
７）を載置させ、この状態のま＼気相結晶成長を行なわ
せるようにしたものである。
号は同一まだは相当部分を示しておシ、この実施例方法
では、前記サセプタ（４）上にあって、単結晶基板（５
）ヲ跨ぐようにしてコ字形断面をもつ角形整流カバー（
７）を載置させ、この状態のま＼気相結晶成長を行なわ
せるようにしたものである。
すなわち、さらに詳述すると、前記挿脱棒（３）に装着
させたサセプタ（４）上に、被処理物である単結晶基板
（５］と共に、この単結晶基板（５）を跨ぐようにして
、角形整流カバーσ）を被嵌載置させ、これを円筒形の
反応管（１）内に挿入させ、高周波コイル（２）に通電
してサセプタ（４）全加熱し、このサセプタ（４）の発
熱によシ間接的に単結晶基板（５）を加熱すると共に、
反応管（１）内に被成長物対応の気体（６）ヲ流して、
単結晶基板（５）の被成長面に結晶成長を行なわせるの
である。
させたサセプタ（４）上に、被処理物である単結晶基板
（５］と共に、この単結晶基板（５）を跨ぐようにして
、角形整流カバーσ）を被嵌載置させ、これを円筒形の
反応管（１）内に挿入させ、高周波コイル（２）に通電
してサセプタ（４）全加熱し、このサセプタ（４）の発
熱によシ間接的に単結晶基板（５）を加熱すると共に、
反応管（１）内に被成長物対応の気体（６）ヲ流して、
単結晶基板（５）の被成長面に結晶成長を行なわせるの
である。
しかしてこの実施例方法にあっては、単結晶基板（５）
を跨ぐようにして、角形整流カバー（７）を載置させで
あるために、単結晶基板（５）の被成長面と、角形整眞
カＱ ＝、（７）の内壁面とが、どの位置にあっても平
行とな広従ってこの角形整流カバーＣＩ）内。
を跨ぐようにして、角形整流カバー（７）を載置させで
あるために、単結晶基板（５）の被成長面と、角形整眞
カＱ ＝、（７）の内壁面とが、どの位置にあっても平
行とな広従ってこの角形整流カバーＣＩ）内。
ひいては被成長面に接して流れる気体（６）の流れが一
定して、気体の熱分解反応がこの角形整流カバーσ）の
内部と、その付近に限定されるために、被成長面での成
長を一定膜厚で行ない得られ、かつ反応管内壁への付着
汚染を減少できるのである。
定して、気体の熱分解反応がこの角形整流カバーσ）の
内部と、その付近に限定されるために、被成長面での成
長を一定膜厚で行ない得られ、かつ反応管内壁への付着
汚染を減少できるのである。
以上詳述したようにこの発明方法によるときは、サセプ
タ上にあって、被処理物である単結晶基板と共に、この
基板上での気体の流れを一定にするためのコ字形断面を
もつ角形整流カバーを、同単結晶基板を跨ぐようにして
被嵌載置させて結晶成長を行なわせるようにしたから、
単結晶基板の被成長面に流れる気体が一定になって、均
一膜厚め、結晶成長を得られる利点があシ、また気体の
熱分解反応が角形整流カバー・とその付近に限定される
ために、反応管内壁面への付着汚染を可及的に減少でき
る副次的効果もあυ、角形整流カバーの取り換えるのみ
で反応管を連続使用できるなどの、特長を有するもので
ある。
タ上にあって、被処理物である単結晶基板と共に、この
基板上での気体の流れを一定にするためのコ字形断面を
もつ角形整流カバーを、同単結晶基板を跨ぐようにして
被嵌載置させて結晶成長を行なわせるようにしたから、
単結晶基板の被成長面に流れる気体が一定になって、均
一膜厚め、結晶成長を得られる利点があシ、また気体の
熱分解反応が角形整流カバー・とその付近に限定される
ために、反応管内壁面への付着汚染を可及的に減少でき
る副次的効果もあυ、角形整流カバーの取り換えるのみ
で反応管を連続使用できるなどの、特長を有するもので
ある。
第１図は従来方法による気相結晶成長装置を示す断面説
明図、第２図はこの発明の一実施例による気相結晶成長
状態の要部を示す説明図である。 （１）・・・・円筒形反応管、（２）・・・・加熱用高
周波コイル、（３）・・・・挿脱棒、（４）・・・・サ
セプタ、（５）・・・・単結晶基板（被処理物）、（６
）・・・・被成長気体、（７）・・・・コ字形断面の角
形整流カバー。 代 理 人 葛 野 信 −特許
庁長官殿 １・事件の表示 特願昭 ５８−７０２３号２、発
明の名称 気相結晶成長方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図 面 ６、補正の内容 （１１明細書第１頁第１４行の「発向の技術分野」を「
発明の技術分野」と補正する。 （２）図面の第１図を別紙の通シ補正する。 以 上
明図、第２図はこの発明の一実施例による気相結晶成長
状態の要部を示す説明図である。 （１）・・・・円筒形反応管、（２）・・・・加熱用高
周波コイル、（３）・・・・挿脱棒、（４）・・・・サ
セプタ、（５）・・・・単結晶基板（被処理物）、（６
）・・・・被成長気体、（７）・・・・コ字形断面の角
形整流カバー。 代 理 人 葛 野 信 −特許
庁長官殿 １・事件の表示 特願昭 ５８−７０２３号２、発
明の名称 気相結晶成長方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図 面 ６、補正の内容 （１１明細書第１頁第１４行の「発向の技術分野」を「
発明の技術分野」と補正する。 （２）図面の第１図を別紙の通シ補正する。 以 上
Claims (1)
- 円筒形反応管を使用する気相成長において、前記反応管
内に挿入されるサセプタ上に、被処理物である単結晶基
板と共に、この基板上での被成長物対応の気体の流れを
可及的一定にするためのコ字形断面をもつ角形整流カバ
ーを、この単結晶基板を跨ぐようにして被嵌載置させ、
この状態のま＼で結晶成長を行なわせるようにしたこと
を特徴とする気相結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP702383A JPS59132122A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 気相結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP702383A JPS59132122A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 気相結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132122A true JPS59132122A (ja) | 1984-07-30 |
Family
ID=11654437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP702383A Pending JPS59132122A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 気相結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132122A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182723A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Nec Corp | 半導体気相成長装置 |
| US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
| US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
| US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP702383A patent/JPS59132122A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182723A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Nec Corp | 半導体気相成長装置 |
| US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
| US8871422B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-10-28 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
| US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
| US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
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