JPS61180428A - 半導体液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化合物半導体の液相エピタキシャル成長装置に
係シ、特に高純度なｉ−ｖ族半導体を成長するための改
良に関する。

〔従来の技術〕

従来、ｉ−ｖ族の半導体の液相エピタキシャル成長装置
は一般に第２図に示すように、円筒型のヒータ４の内部
に石英反応管１が挿入され、更にその内部にエピタキシ
ャル成長用ポート５が配されている。

一般に石英管内でＩ−ｖ族半導体のエピタキシャル成長
を行なうと、成長した結晶の純度が悪化することが知ら
れておシ、その対策として、　ＰＢＮ（パイロリティッ
ク・ポロン・ナイトライド）製のライナー管２を挿入す
る等の工夫がなされている。

〔発明が解決しまうとする問題点〕

上記の従来の装置では次のような欠点がある。

■　ヒータ内壁と反応管１との間隙１反応管１とライナ
ー管２との間隙等無駄なスペースが多い。

■　石英反応管１が加熱されているため、管内のガスに
不純物が混入する。この不純物はＰＢＮライナー管２の
開口部から、成長用ポート３に向けて拡散し、成長用原
料を汚染する。

上記■によシ炉の有効径が小さくなるという問題が生じ
、上記■によｐ　ＰＢＮライナー管を使用したことによ
る純度向上の効果が減殺されてしまうという問題が生じ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明においては、カーボン製円筒型ヒータと、その内
壁に密着したＰＥＮ製反応管よ多構成される半導体液相
エピタキシャル成長装置を提供するものである。

〔作用〕

上記によれは、カーボン製円筒型ヒータと反応管とが密
着しており、無駄なスペースが生じない。

また、ｉ−ｖ族半導体の純度悪化の原因になる石英が反
応管内にないため、高純度なＩ−Ｖ族半導体をエピタキ
シャル成長できる。なお、ＰＢＮとカーボン製円筒型ヒ
ータは密着するにあたり、熱膨張係数がほぼ等しいから
、問題が生じることはない。

〔実施例〕

第１図に本発明の実施例を示しておｐ、ＰＢＮ反応管１
１が円筒型に形成されておフ、該ＰＢＮ反応管１１の外
周にカーボンヒータ１２が密着して一体化されている。

そして、カーボンヒータ１２には電極１４．１５が設け
られておシ、成長時に通電してカーボンヒータ１２ヲ加
熱し、ＰＢＮ反応管１１内の成長用ボート１３を所定温
度に加熱する。

ＰＲＨの円筒をＣＶＤ法で作製する場合、カーボン製の
里を用いるのが一般的である。ＰＢＮとカーボンとは密
着し、且つ、熱膨張係数がほぼ等しい。

本発明の実施例においては、このカーボンの型の一部を
ヒータとして利用することによｐ、ＰＢＮ反応管１１と
一体になったヒータが構成できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、以上に説明したように、■ヒータと反
応管が密着しておシ、無駄なスペースが無い。したがっ
て、ヒータの内径を有効利用できる。■成長層の純度悪
化の原因になる石英が反応管内に無いため、高純度のＩ
−■族半導体をエピタキシャル成長できる、という効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の断面構成を示す図、第２図は
従来の装置の断面構成図。 主な符号 １１・・・（ｐＢｙ　）反応管、 １２・・・カーボンヒータ、 １３・・・成長用ボート、 １４、１５・・・電極 特許出願人　住友電気工業株式会社 代理人　弁理士　玉　蟲　久　丘部 カーボンヒータ ［＝＝＝＝＝〒トー１３　　成長用ポート実施例ｆ）断
面構成図 第７図 従来の装置の断面構成図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　カーボン製円筒型ヒータと、その内壁に外壁が密着し
   ているパイロリティック・ボロン・ナイトライド（ＰＢ
   Ｎ）製の反応管とを有することを特徴とする半導体液相
   エピタキシャル成長装置。