JPS61180428A - 半導体液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
半導体液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS61180428A JPS61180428A JP2105185A JP2105185A JPS61180428A JP S61180428 A JPS61180428 A JP S61180428A JP 2105185 A JP2105185 A JP 2105185A JP 2105185 A JP2105185 A JP 2105185A JP S61180428 A JPS61180428 A JP S61180428A
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- JP
- Japan
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- heater
- reaction tube
- epitaxial growth
- liquid phase
- carbon
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体の液相エピタキシャル成長装置に
係シ、特に高純度なi−v族半導体を成長するための改
良に関する。
係シ、特に高純度なi−v族半導体を成長するための改
良に関する。
従来、i−v族の半導体の液相エピタキシャル成長装置
は一般に第2図に示すように、円筒型のヒータ4の内部
に石英反応管1が挿入され、更にその内部にエピタキシ
ャル成長用ポート5が配されている。
は一般に第2図に示すように、円筒型のヒータ4の内部
に石英反応管1が挿入され、更にその内部にエピタキシ
ャル成長用ポート5が配されている。
一般に石英管内でI−v族半導体のエピタキシャル成長
を行なうと、成長した結晶の純度が悪化することが知ら
れておシ、その対策として、 PBN(パイロリティッ
ク・ポロン・ナイトライド)製のライナー管2を挿入す
る等の工夫がなされている。
を行なうと、成長した結晶の純度が悪化することが知ら
れておシ、その対策として、 PBN(パイロリティッ
ク・ポロン・ナイトライド)製のライナー管2を挿入す
る等の工夫がなされている。
上記の従来の装置では次のような欠点がある。
■ ヒータ内壁と反応管1との間隙1反応管1とライナ
ー管2との間隙等無駄なスペースが多い。
ー管2との間隙等無駄なスペースが多い。
■ 石英反応管1が加熱されているため、管内のガスに
不純物が混入する。この不純物はPBNライナー管2の
開口部から、成長用ポート3に向けて拡散し、成長用原
料を汚染する。
不純物が混入する。この不純物はPBNライナー管2の
開口部から、成長用ポート3に向けて拡散し、成長用原
料を汚染する。
上記■によシ炉の有効径が小さくなるという問題が生じ
、上記■によp PBNライナー管を使用したことによ
る純度向上の効果が減殺されてしまうという問題が生じ
る。
、上記■によp PBNライナー管を使用したことによ
る純度向上の効果が減殺されてしまうという問題が生じ
る。
本発明においては、カーボン製円筒型ヒータと、その内
壁に密着したPEN製反応管よ多構成される半導体液相
エピタキシャル成長装置を提供するものである。
壁に密着したPEN製反応管よ多構成される半導体液相
エピタキシャル成長装置を提供するものである。
上記によれは、カーボン製円筒型ヒータと反応管とが密
着しており、無駄なスペースが生じない。
着しており、無駄なスペースが生じない。
また、i−v族半導体の純度悪化の原因になる石英が反
応管内にないため、高純度なI−V族半導体をエピタキ
シャル成長できる。なお、PBNとカーボン製円筒型ヒ
ータは密着するにあたり、熱膨張係数がほぼ等しいから
、問題が生じることはない。
応管内にないため、高純度なI−V族半導体をエピタキ
シャル成長できる。なお、PBNとカーボン製円筒型ヒ
ータは密着するにあたり、熱膨張係数がほぼ等しいから
、問題が生じることはない。
第1図に本発明の実施例を示しておp、PBN反応管1
1が円筒型に形成されておフ、該PBN反応管11の外
周にカーボンヒータ12が密着して一体化されている。
1が円筒型に形成されておフ、該PBN反応管11の外
周にカーボンヒータ12が密着して一体化されている。
そして、カーボンヒータ12には電極14.15が設け
られておシ、成長時に通電してカーボンヒータ12ヲ加
熱し、PBN反応管11内の成長用ボート13を所定温
度に加熱する。
られておシ、成長時に通電してカーボンヒータ12ヲ加
熱し、PBN反応管11内の成長用ボート13を所定温
度に加熱する。
PRHの円筒をCVD法で作製する場合、カーボン製の
里を用いるのが一般的である。PBNとカーボンとは密
着し、且つ、熱膨張係数がほぼ等しい。
里を用いるのが一般的である。PBNとカーボンとは密
着し、且つ、熱膨張係数がほぼ等しい。
本発明の実施例においては、このカーボンの型の一部を
ヒータとして利用することによp、PBN反応管11と
一体になったヒータが構成できる。
ヒータとして利用することによp、PBN反応管11と
一体になったヒータが構成できる。
本発明によれば、以上に説明したように、■ヒータと反
応管が密着しておシ、無駄なスペースが無い。したがっ
て、ヒータの内径を有効利用できる。■成長層の純度悪
化の原因になる石英が反応管内に無いため、高純度のI
−■族半導体をエピタキシャル成長できる、という効果
が得られる。
応管が密着しておシ、無駄なスペースが無い。したがっ
て、ヒータの内径を有効利用できる。■成長層の純度悪
化の原因になる石英が反応管内に無いため、高純度のI
−■族半導体をエピタキシャル成長できる、という効果
が得られる。
第1図は本発明の実施例の断面構成を示す図、第2図は
従来の装置の断面構成図。 主な符号 11・・・(pBy )反応管、 12・・・カーボンヒータ、 13・・・成長用ボート、 14、15・・・電極 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久 丘部 カーボンヒータ [=====〒トー13 成長用ポート実施例f)断
面構成図 第7図 従来の装置の断面構成図 第2図
従来の装置の断面構成図。 主な符号 11・・・(pBy )反応管、 12・・・カーボンヒータ、 13・・・成長用ボート、 14、15・・・電極 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久 丘部 カーボンヒータ [=====〒トー13 成長用ポート実施例f)断
面構成図 第7図 従来の装置の断面構成図 第2図
Claims (1)
- カーボン製円筒型ヒータと、その内壁に外壁が密着し
ているパイロリティック・ボロン・ナイトライド(PB
N)製の反応管とを有することを特徴とする半導体液相
エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2105185A JPS61180428A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 半導体液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2105185A JPS61180428A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 半導体液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61180428A true JPS61180428A (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12044113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2105185A Pending JPS61180428A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 半導体液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61180428A (ja) |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP2105185A patent/JPS61180428A/ja active Pending
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