JPS6017076A - 気相成長用装置 - Google Patents
気相成長用装置Info
- Publication number
- JPS6017076A JPS6017076A JP12347883A JP12347883A JPS6017076A JP S6017076 A JPS6017076 A JP S6017076A JP 12347883 A JP12347883 A JP 12347883A JP 12347883 A JP12347883 A JP 12347883A JP S6017076 A JPS6017076 A JP S6017076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- susceptor
- holder
- reaction tube
- downward
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は反応管内において試料表面に結晶成長を行う
気相成長用装置に関する。
気相成長用装置に関する。
従来この種の気相成長用装置として第１図を用いて説明
する。
する。
第１図において、（１）は反応管、、＜２）は試料、（
３）はこの試料（２）を加熱するためのサセプタ、（４
）はとのサセプタ（３）を固定するためのホルダー％（
５）は試料（２）、サセプタ（３）およびホルダ（４）
を反応管（１）へ出し入れする挿入棒、（６）はサセプ
タ（３）を加熱するための高周波コイル、（７）は結晶
成長用すべき気体を供給するための供給管である。
３）はこの試料（２）を加熱するためのサセプタ、（４
）はとのサセプタ（３）を固定するためのホルダー％（
５）は試料（２）、サセプタ（３）およびホルダ（４）
を反応管（１）へ出し入れする挿入棒、（６）はサセプ
タ（３）を加熱するための高周波コイル、（７）は結晶
成長用すべき気体を供給するための供給管である。
第１図に示す構成において、試料（２）の表面に封入さ
れた気体を気相成長させる方法を説明する。
れた気体を気相成長させる方法を説明する。
挿入棒（５）に装着されたホルダー（４）にサセプタ（
３）と試料（２）を順次載せ、これらを挿入棒（５）に
より反応管（１）内へ入れる。次に高周波コイＡ／ （
６）を起動させサセプタ（３）を加熱させることにより
試料（２）を加熱し、供給管（７）から気体を流し、試
料（２）の表面に気相成長を行なう。
３）と試料（２）を順次載せ、これらを挿入棒（５）に
より反応管（１）内へ入れる。次に高周波コイＡ／ （
６）を起動させサセプタ（３）を加熱させることにより
試料（２）を加熱し、供給管（７）から気体を流し、試
料（２）の表面に気相成長を行なう。
しかし、かかる従来の気相成長装置では、試料（２）の
反応管（１）内への出し入れの時や気相成長中に、反応
管（１）内に存するほこりや管壁の付着物が試料上へ落
ちることによって成長膜の表面状態を悪くする欠点があ
った。
反応管（１）内への出し入れの時や気相成長中に、反応
管（１）内に存するほこりや管壁の付着物が試料上へ落
ちることによって成長膜の表面状態を悪くする欠点があ
った。
この発明はかかる欠点を解消するためになされたもので
、サセプタの下面に試料を設け、試料表面を下向きに設
置することにより、試料表面上への成長膜以外の付着物
が付着することを防ぎ、結晶膜中に不純物が混入しない
新規な気相成長用装置を提供するものである。
、サセプタの下面に試料を設け、試料表面を下向きに設
置することにより、試料表面上への成長膜以外の付着物
が付着することを防ぎ、結晶膜中に不純物が混入しない
新規な気相成長用装置を提供するものである。
以下、との発明の一実施例を第２図（ω（ｂｌ ｌｅ用
いて説明する。
いて説明する。
第２図■は第１図Ｇ）中Ａ−Ａ線で切断したときの断面
図であり、その主要部を゛示す。第２図において、（１
）は円筒形の反応％ｆ、（２）は試料、（３）は試料（
２）を加熱するためのサセプタで、はぼ三角柱状となし
試料（２）を第２図Ｇ）に示すように下向き側面に配置
するものである。（４）は試料（２）サセプタ（３）を
固定するためのホルダで、第２図■に示すように窓り（
３）にはさまれて保持される。（５）は試料（２）、サ
セプタ（３）およびホルダー（４）を反応管内へ出し入
れする挿入棒、（６）はサセプタ（３）を加熱するため
の高周波コイル、（７）は結晶成長の材料となる気体の
供給管である。
図であり、その主要部を゛示す。第２図において、（１
）は円筒形の反応％ｆ、（２）は試料、（３）は試料（
２）を加熱するためのサセプタで、はぼ三角柱状となし
試料（２）を第２図Ｇ）に示すように下向き側面に配置
するものである。（４）は試料（２）サセプタ（３）を
固定するためのホルダで、第２図■に示すように窓り（
３）にはさまれて保持される。（５）は試料（２）、サ
セプタ（３）およびホルダー（４）を反応管内へ出し入
れする挿入棒、（６）はサセプタ（３）を加熱するため
の高周波コイル、（７）は結晶成長の材料となる気体の
供給管である。
このように、上記実施例ではホルダー（４）上に試料（
２）の表面を下向きに配置し、試料（２）上にサセプタ
（３）を載せて試料（２）を保持し、挿入棒（５）によ
り反応管（１）へ試料を挿入し、気相結晶成長を行なう
。
２）の表面を下向きに配置し、試料（２）上にサセプタ
（３）を載せて試料（２）を保持し、挿入棒（５）によ
り反応管（１）へ試料を挿入し、気相結晶成長を行なう
。
したがって試料（２）表面が下向きに゛なっており、試
料（２）の出し入れの時や成長中に反応管の管壁の付着
物等の落下により試料（２）表面が汚染されない。
料（２）の出し入れの時や成長中に反応管の管壁の付着
物等の落下により試料（２）表面が汚染されない。
以上のように、この発明は気相成長すべき試料の表面を
下向きにして成長を行なうように構成したので、試料の
出し入れ時や成長中に反応管の管壁の付着物等の落下に
より試料表面が汚染されないという効果がある。
下向きにして成長を行なうように構成したので、試料の
出し入れ時や成長中に反応管の管壁の付着物等の落下に
より試料表面が汚染されないという効果がある。
第１図は従来の気相成長用装置ｄを示す断面側面図、第
２図（ωはこの発明による一実施例を示す断体の供給管 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 出願人 工莱技術院長 川 １） 裕 部 手続補正書（自発） 、３ｔ ” 昭和！７年 を月さ７日 特許庁長官殿 １、 事件の表示 特願昭 ５８−１２８４７８号２、
発明の名称 気相成長用装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目８番１＠４、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ５、補正の内容 明細書中筒８頁第５行目に「第１図（ａ）Ｊとあるのを
ｒ第２図（ａ）Ｊと補正する。 以上
２図（ωはこの発明による一実施例を示す断体の供給管 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 出願人 工莱技術院長 川 １） 裕 部 手続補正書（自発） 、３ｔ ” 昭和！７年 を月さ７日 特許庁長官殿 １、 事件の表示 特願昭 ５８−１２８４７８号２、
発明の名称 気相成長用装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目８番１＠４、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ５、補正の内容 明細書中筒８頁第５行目に「第１図（ａ）Ｊとあるのを
ｒ第２図（ａ）Ｊと補正する。 以上
Claims (1)
- 方の主表面に接して載置されるサセプタと、このサセプ
タと上記ホルダーを内蔵する反応管の周囲に設けられ、
上記す七ブタを加熱する高周波コイルとを備えたことを
特徴とする気相成長用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347883A JPS6017076A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12347883A JPS6017076A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長用装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017076A true JPS6017076A (ja) | 1985-01-28 |
| JPS6149391B2 JPS6149391B2 (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=14861621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12347883A Granted JPS6017076A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017076A (ja) |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12347883A patent/JPS6017076A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6149391B2 (ja) | 1986-10-29 |
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