JPH034028Y2 - - Google Patents
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- JPH034028Y2 JPH034028Y2 JP15023387U JP15023387U JPH034028Y2 JP H034028 Y2 JPH034028 Y2 JP H034028Y2 JP 15023387 U JP15023387 U JP 15023387U JP 15023387 U JP15023387 U JP 15023387U JP H034028 Y2 JPH034028 Y2 JP H034028Y2
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- Japan
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- crystal
- substrate
- quartz tube
- heat sink
- internal heat
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- Expired
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案は半導体結晶の結晶成長装置に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術）
従来のこの種結晶成長装置は、第２図に示した
ように、Ａのように棒状の石英をヒートシンク１
０として用いたもの、Ｂのように石英管１の下端
に外部ヒートシンク１１を取付けて基板３上にエ
ピタキシヤル成長させている。
ように、Ａのように棒状の石英をヒートシンク１
０として用いたもの、Ｂのように石英管１の下端
に外部ヒートシンク１１を取付けて基板３上にエ
ピタキシヤル成長させている。
また、この場合の成長温度は850℃以上とし、
温度差は最大が３〜４℃／cmとなつている。
温度差は最大が３〜４℃／cmとなつている。
（考案が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のZnSeエピタキシヤル成
長においては、外部ヒートシンク１１や石英ヒー
トシンク１０を用いて成長させた場合に熱伝導率
が悪いため、結晶析出時に生じる生成熱を短時間
に効率よく逃がすことが困難である。
長においては、外部ヒートシンク１１や石英ヒー
トシンク１０を用いて成長させた場合に熱伝導率
が悪いため、結晶析出時に生じる生成熱を短時間
に効率よく逃がすことが困難である。
また、このために、結晶成長時にアンプルの結
晶析出部とその上部との間の温度差も余り多くと
ることができないため、結晶成長速度の低下につ
ながつている。
晶析出部とその上部との間の温度差も余り多くと
ることができないため、結晶成長速度の低下につ
ながつている。
さらに、外部ヒートシンクを用いた場合には、
基板結晶の底部とヒートシンクの頭部とが必ずし
も密着しないため、この部分が熱抵抗を大きく
し、ために結晶成長速度の低下原因の一つになつ
ている。
基板結晶の底部とヒートシンクの頭部とが必ずし
も密着しないため、この部分が熱抵抗を大きく
し、ために結晶成長速度の低下原因の一つになつ
ている。
そこで、本考案は上記欠点を除去した結晶成長
装置の提供を目的としている。
装置の提供を目的としている。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため、この考案は、−
族化合物の結晶成長装置に関し、有底石英管１内
に棒状の熱伝導率の高い物質からなる内部ヒート
シンク２を収納し、該内部ヒートシンク２の上面
に基板結晶３を当接させる態様で配置し、この基
板結晶３を基板止め４で保持し、この基板止め４
の上端に位置する石英管１の溶着部５を軟化溶着
して基板結晶３を固定した後前記石英管１にメル
ト６を充填して高真空とした後前記石英管１の開
口部を閉じて密封構造とした構成とし、上下に温
度差が形成された溶液により基板結晶上に結晶を
エピタキシヤル成長させる構成にされている。
族化合物の結晶成長装置に関し、有底石英管１内
に棒状の熱伝導率の高い物質からなる内部ヒート
シンク２を収納し、該内部ヒートシンク２の上面
に基板結晶３を当接させる態様で配置し、この基
板結晶３を基板止め４で保持し、この基板止め４
の上端に位置する石英管１の溶着部５を軟化溶着
して基板結晶３を固定した後前記石英管１にメル
ト６を充填して高真空とした後前記石英管１の開
口部を閉じて密封構造とした構成とし、上下に温
度差が形成された溶液により基板結晶上に結晶を
エピタキシヤル成長させる構成にされている。
（実施例）
以下本考案の一実施例をあらわした図面によつ
て説明する。
て説明する。
第１図において、ａは石英管１を密封構造とし
た成長用アンプルである。この石英管１は有底で
あり、この石英管１内には棒状の熱伝導率の高い
物質からなる内部ヒートシンク２が収納されてい
る。
た成長用アンプルである。この石英管１は有底で
あり、この石英管１内には棒状の熱伝導率の高い
物質からなる内部ヒートシンク２が収納されてい
る。
この熱伝導率の高い物質として用いられる物質
は、緻密質SiC、多孔質SiC、石英ガラス、グラ
フアイト、PBN“ａ”軸、PBN“ｃ”軸等であ
る。
は、緻密質SiC、多孔質SiC、石英ガラス、グラ
フアイト、PBN“ａ”軸、PBN“ｃ”軸等であ
る。
この内部ヒートシンク２の基板結晶設置面とな
る上端面は、＃ 1500前後でラツピングし、次に＃
4000前後でポリツシングして鏡面状態とされるの
がよい。
る上端面は、＃ 1500前後でラツピングし、次に＃
4000前後でポリツシングして鏡面状態とされるの
がよい。
また、内部ヒートシンク２として純度の低いカ
ーボンを使用する場合は、このカーボン表面に
SiCやPBNの薄い層を形成すると有効となる。
ーボンを使用する場合は、このカーボン表面に
SiCやPBNの薄い層を形成すると有効となる。
基板止め４は円筒状に形成され、基板結晶３が
溶液６上に浮上らないように溶着部５は外側から
熱を与えて軟化溶着されている。
溶液６上に浮上らないように溶着部５は外側から
熱を与えて軟化溶着されている。
さらに、内部ヒートシンク２と基板結晶３の接
触状態は結晶成長に大きな影響を与えるので、両
者の接触面をラツピング及びポリツシング処理す
ると有効であり、第２図の従来例のＡの場合も基
板結晶と石英ヒートシンクとの接触面をラツピン
グ、ポリツシング処理工程は本考案の場合と同様
に適用できる。
触状態は結晶成長に大きな影響を与えるので、両
者の接触面をラツピング及びポリツシング処理す
ると有効であり、第２図の従来例のＡの場合も基
板結晶と石英ヒートシンクとの接触面をラツピン
グ、ポリツシング処理工程は本考案の場合と同様
に適用できる。
次に結晶成長法は、アンプルａは温度分布の決
められた炉中に垂直に設置し、成長前には予め
Te／Se溶媒とソース結晶とを混合させたものを
用いる。
められた炉中に垂直に設置し、成長前には予め
Te／Se溶媒とソース結晶とを混合させたものを
用いる。
また、エピタキシヤル成長時の成長温度は650
℃以上とし、温度差は最大でも10℃／cm前後とす
るのがよい。
℃以上とし、温度差は最大でも10℃／cm前後とす
るのがよい。
なお、内部ヒートシンク２としてカーボンを用
いた場合と石英を用いた場合における同一条件下
での単位時間当りの成長速度を比較すると、カー
ボンの場合は3.0〜5.0μｍ／hrであり、石英の場
合は1.0〜2.0μｍ／hrである。
いた場合と石英を用いた場合における同一条件下
での単位時間当りの成長速度を比較すると、カー
ボンの場合は3.0〜5.0μｍ／hrであり、石英の場
合は1.0〜2.0μｍ／hrである。
さらに、本考案の場合の結晶成長速度は、例え
ば成長温度800〜850℃、温度差4.0〜5.0℃／cmで
は3.0〜5μｍ／hrの均一でフラツトなエピタキシ
ヤル成長面を得ることができる。
ば成長温度800〜850℃、温度差4.0〜5.0℃／cmで
は3.0〜5μｍ／hrの均一でフラツトなエピタキシ
ヤル成長面を得ることができる。
（考案の効果）
以上のように構成した本考案によれば、内部ヒ
ートシンクとして棒状で熱伝導率の高い物質を用
いたため、結晶析出時に生じる生成熱をスムーズ
に逃してやることができる。
ートシンクとして棒状で熱伝導率の高い物質を用
いたため、結晶析出時に生じる生成熱をスムーズ
に逃してやることができる。
また、アンプルの結晶析出部分と上部との温度
差も比較的多くとることが可能なため、成長結晶
の結晶性を損なわず、加えて成長速度を増加させ
ることが可能となつた。
差も比較的多くとることが可能なため、成長結晶
の結晶性を損なわず、加えて成長速度を増加させ
ることが可能となつた。
さらに、内部ヒートシンクの頭部をラツピン
グ、ポリツシングするため、基板結晶との密着性
は増大し、このため結晶成長速度の増加を助長さ
せることができる。
グ、ポリツシングするため、基板結晶との密着性
は増大し、このため結晶成長速度の増加を助長さ
せることができる。
第１図は本考案に係る結晶成長装置の断面図、
第２図Ａ及びＢは従来の結晶成長装置の断面図で
ある。 符号の説明、ａ……アンプル、１……石英管、
２……内部ヒートシンク、３……基板結晶、４…
…基板止め、５……溶着部、６……メルト。
第２図Ａ及びＢは従来の結晶成長装置の断面図で
ある。 符号の説明、ａ……アンプル、１……石英管、
２……内部ヒートシンク、３……基板結晶、４…
…基板止め、５……溶着部、６……メルト。
Claims (1)
- 有底石英管内に棒状の熱伝導率の高い物質から
なる内部ヒートシンクを収納し、この内部ヒート
シンクの上面に基板結晶を当接させる態様で配置
し、この基板結晶を基板止めで保持し、この基板
止めの上端に位置する石英管の溶着部を軟化溶着
して基板結晶を固定した後前記石英管にメルトを
充填して高真空とした後前記石英管の開口部を閉
じて密封した構成とし、上下に温度差が形成され
た溶液により基板結晶上に結晶をエピタキシヤル
成長させることを特徴としてなる半導体結晶の結
晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15023387U JPH034028Y2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15023387U JPH034028Y2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6457637U JPS6457637U (ja) | 1989-04-10 |
| JPH034028Y2 true JPH034028Y2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=31423190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15023387U Expired JPH034028Y2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034028Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP15023387U patent/JPH034028Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6457637U (ja) | 1989-04-10 |
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