JPS6126053A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6126053A JPS6126053A JP14791884A JP14791884A JPS6126053A JP S6126053 A JPS6126053 A JP S6126053A JP 14791884 A JP14791884 A JP 14791884A JP 14791884 A JP14791884 A JP 14791884A JP S6126053 A JPS6126053 A JP S6126053A
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- JP
- Japan
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- layer
- atoms
- amorphous silicon
- group
- electrophotographic photoreceptor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体、特にアモルファスシリコン・
ゲルマニウム系感光体に関する。
ゲルマニウム系感光体に関する。
従来技術
アモルファスシリコンゲルマニウム（以下ａ−８ｉ：Ｇ
ｅと記す）は、長波長光に対して高感度であるため半導
体レーザーを応用したプリンター用感光体として将来が
嘱望されている。さらに、短波長感度も損なわれないた
め露光ランプの発光スペクトルの調整によりＰＰＣへの
応用も可能である。また、ａｓｉ：Ｇｅ層での長波長光
の吸収がよいため、従来の７モル７アスシリコン（ａ−
３ｉ ）系感光体において、しばしばみられる光の干渉
による画像の乱れが少ないと云った優れた特徴がある。
ｅと記す）は、長波長光に対して高感度であるため半導
体レーザーを応用したプリンター用感光体として将来が
嘱望されている。さらに、短波長感度も損なわれないた
め露光ランプの発光スペクトルの調整によりＰＰＣへの
応用も可能である。また、ａｓｉ：Ｇｅ層での長波長光
の吸収がよいため、従来の７モル７アスシリコン（ａ−
３ｉ ）系感光体において、しばしばみられる光の干渉
による画像の乱れが少ないと云った優れた特徴がある。
この様な特徴から感光体にａ Ｓｉ：Ｇｅを用いる多
くの研究がなされている。
くの研究がなされている。
例えば、特開昭５８−１１１Ｏ３８号公報には感光層全
域にａ−Ｓｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８−１７
１０３９号公報には感光体ベースにａ−Ｓｉ：Ｇｅを設
けた技術が、特開昭５６−１’５０７５３号公報にはａ
Ｓｉ：Ｇｅを感光体の表面層および／または基板に直接
後する層に設ける技術がそれぞれ開示されているが、い
ずれもａ−８ｉ：Ｇｅを設ける位置が本発明とは異なっ
ている。例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報では
感光層全域にａ−３ｉ：Ｇｅ層を形成しているが、本来
、ａＳｉ：Ｇｅはμｒが小さく、キャリアの輸送効率が
低い欠点があり、これを感光層全域に設けると、発生し
たキャリアがａＳｉｒＧｅ層にトラップされ感度が低下
するのみならず、光疲労や残留電位の原因になる。
域にａ−Ｓｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８−１７
１０３９号公報には感光体ベースにａ−Ｓｉ：Ｇｅを設
けた技術が、特開昭５６−１’５０７５３号公報にはａ
Ｓｉ：Ｇｅを感光体の表面層および／または基板に直接
後する層に設ける技術がそれぞれ開示されているが、い
ずれもａ−８ｉ：Ｇｅを設ける位置が本発明とは異なっ
ている。例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報では
感光層全域にａ−３ｉ：Ｇｅ層を形成しているが、本来
、ａＳｉ：Ｇｅはμｒが小さく、キャリアの輸送効率が
低い欠点があり、これを感光層全域に設けると、発生し
たキャリアがａＳｉｒＧｅ層にトラップされ感度が低下
するのみならず、光疲労や残留電位の原因になる。
また、特開昭５８’−１７１０３９号公報や特開昭５６
−１５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ−３
ｉ：Ｇｅ層を感光層のベースに用いると、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅが熱励起キャリアを発生し易いためベースからの電荷
の注入が容易となり帯電能が低下する上、半導体レーザ
ー光や長波長コヒーレント光を光源とするプリンターに
おいて発生する干渉模様を解消するためａＳｉ：Ｇｅ層
を厚くするとベース近傍のキャリアがａ−３ｉ：Ｇｅ層
にトラップされ、感度低下、光疲労、残留電位発生の原
因となる。
−１５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ−３
ｉ：Ｇｅ層を感光層のベースに用いると、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅが熱励起キャリアを発生し易いためベースからの電荷
の注入が容易となり帯電能が低下する上、半導体レーザ
ー光や長波長コヒーレント光を光源とするプリンターに
おいて発生する干渉模様を解消するためａＳｉ：Ｇｅ層
を厚くするとベース近傍のキャリアがａ−３ｉ：Ｇｅ層
にトラップされ、感度低下、光疲労、残留電位発生の原
因となる。
さらに特開昭５６−１５０７５３号公報に示されている
ごとく、ａ Ｓｉ ： Ｇｅ層を最表面に配置すると
、短波長光で励起されたキャリアがａ−８ｉ：Ｇｅ層を
抜は出すことができず、感度に寄与できない。また、干
渉をおさえるためａ−８ｉ：Ｇｅ層を厚くするとキャリ
アが層内にトラップされる。またａ Ｓｉ ： Ｇｅ
は熱励起キャリアを多く発生するため表面からの電荷の
注入が容易となり帯電能が低下する。
ごとく、ａ Ｓｉ ： Ｇｅ層を最表面に配置すると
、短波長光で励起されたキャリアがａ−８ｉ：Ｇｅ層を
抜は出すことができず、感度に寄与できない。また、干
渉をおさえるためａ−８ｉ：Ｇｅ層を厚くするとキャリ
アが層内にトラップされる。またａ Ｓｉ ： Ｇｅ
は熱励起キャリアを多く発生するため表面からの電荷の
注入が容易となり帯電能が低下する。
以上の理由から、上記の従来技術はａ−３ｉ：Ｇｅの優
れた特性を十分に生かしきっていない。
れた特性を十分に生かしきっていない。
一方、特開昭５８−１５４８５０号公報には、ａ−８ｉ
：Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが
、この技術はａ−３ｉ：Ｇｅの三層へテロ結合により長
波長光まで光感度を有し、導電型および比抵抗を大幅に
制御できる感光体を得ることを目的とするものであり、
ａ−３ｉ：Ｇｅを用いた際問題となるキャリアの輸送効
率の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電位等
の問題を解決する手段としてａＳｉ：Ｇｅの位置選定を
採用する教示は全くない。事実この公報におけるａＳｉ
：Ｇｅ層は基板に対し、はぼ近接して配置されでいる。
：Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが
、この技術はａ−３ｉ：Ｇｅの三層へテロ結合により長
波長光まで光感度を有し、導電型および比抵抗を大幅に
制御できる感光体を得ることを目的とするものであり、
ａ−３ｉ：Ｇｅを用いた際問題となるキャリアの輸送効
率の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電位等
の問題を解決する手段としてａＳｉ：Ｇｅの位置選定を
採用する教示は全くない。事実この公報におけるａＳｉ
：Ｇｅ層は基板に対し、はぼ近接して配置されでいる。
さらに、特開昭５７−１１５５５２号公報にもａ−３ｉ
とａＳｉ：Ｇｅを組み合わせた感光体が記載されてい
るが、ａ−８ｉ：Ｇｅの位置選定による上記問題の解決
については全く示唆していなり１、 発明の名称 ａ−９ｉ：Ｇｅは長波長光（例えば７８０ｎｍ）に対し
て高感度であるため半導体レーザー光を応用したプリン
ター用の感光体として有用なばかりでなく、短波長光に
対しても感度を有するため、露光ランプの発光スペクト
ルを調整することによりＰＰＣへ応用することも可能で
ある。しかしながら、熱励起キャリアが発生し易く、キ
ャリアの輸送効率が低いため、感度低下、光疲労、残留
電位等の問題を生じ易く、上記特性が十分に生がされて
いない。本発明は、ａ−６ｉ：Ｇｅの上記欠点を解消し
、ａ−８ｉ：Ｇｅの特性を生がした電子写真感光体を提
供することを目的とする。
とａＳｉ：Ｇｅを組み合わせた感光体が記載されてい
るが、ａ−８ｉ：Ｇｅの位置選定による上記問題の解決
については全く示唆していなり１、 発明の名称 ａ−９ｉ：Ｇｅは長波長光（例えば７８０ｎｍ）に対し
て高感度であるため半導体レーザー光を応用したプリン
ター用の感光体として有用なばかりでなく、短波長光に
対しても感度を有するため、露光ランプの発光スペクト
ルを調整することによりＰＰＣへ応用することも可能で
ある。しかしながら、熱励起キャリアが発生し易く、キ
ャリアの輸送効率が低いため、感度低下、光疲労、残留
電位等の問題を生じ易く、上記特性が十分に生がされて
いない。本発明は、ａ−６ｉ：Ｇｅの上記欠点を解消し
、ａ−８ｉ：Ｇｅの特性を生がした電子写真感光体を提
供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、導電性基板上に、アモルファスシリコンを母
体とした層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体
とした層、およびアモルファスシリコンを母体とした層
を順次積層して成る電子写真感光体において、該アモル
ファスシリコンゲルマニウムを母体とする層が導電性基
板から起算して全層厚の２０％から８０％の範囲に位置
していることを特徴とする電子写真感光体を提供する。
体とした層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体
とした層、およびアモルファスシリコンを母体とした層
を順次積層して成る電子写真感光体において、該アモル
ファスシリコンゲルマニウムを母体とする層が導電性基
板から起算して全層厚の２０％から８０％の範囲に位置
していることを特徴とする電子写真感光体を提供する。
本発明の典型的態様を第１図に模式的に示す。
図中、（１）は基板、（２）はアモルファスシリコンを
母体とする層（以下、ａ Ｓｉ層と記す）、（３）は
アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層（以
下、ａ−’Ｓｉ：Ｇｅ層と記す）および（４）はａ
Ｓｉ層を示す。
母体とする層（以下、ａ Ｓｉ層と記す）、（３）は
アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層（以
下、ａ−’Ｓｉ：Ｇｅ層と記す）および（４）はａ
Ｓｉ層を示す。
本発明において、ａＳｉ：Ｇｅ層をａ−３ｉ層間にサン
ドイッチ状に配置する理由は、ａ−８ｉ二〇ｅ層で発生
したキャリアが上層にも下層にも容易に移行し、ａ−８
ｉｒＧｅ中にトラップされ難くする点にある。前述のご
と＜ａ−３ｉ：Ｇｅはμτが小さく、発生したキャリア
の移動速度が小さく、従ってａＳｉＳＧｅ層を厚くて外
ない欠点があった。特に従来技術のごと＜ａ−８ｉ：Ｇ
ｅが最表面層に接触して配置された場合は、キャリアは
一方の側にしか移行できず、感度に寄与しない。また、
表面からの電荷が注入し易くなり、帯電能が低下する。
ドイッチ状に配置する理由は、ａ−８ｉ二〇ｅ層で発生
したキャリアが上層にも下層にも容易に移行し、ａ−８
ｉｒＧｅ中にトラップされ難くする点にある。前述のご
と＜ａ−３ｉ：Ｇｅはμτが小さく、発生したキャリア
の移動速度が小さく、従ってａＳｉＳＧｅ層を厚くて外
ない欠点があった。特に従来技術のごと＜ａ−８ｉ：Ｇ
ｅが最表面層に接触して配置された場合は、キャリアは
一方の側にしか移行できず、感度に寄与しない。また、
表面からの電荷が注入し易くなり、帯電能が低下する。
一方、ａ−Ｓｉ：Ｇｅが基板に接触するか基板に近接し
て配設された場合も同様に、下層に発生したキャリアは
上層のａ Ｓｉ層へキャリアが抜は出す前にａＳｉ：
ｑｅ層にトラップされてしまう。また基板からの電荷の
注入が容易になり帯電能が低下する。
て配設された場合も同様に、下層に発生したキャリアは
上層のａ Ｓｉ層へキャリアが抜は出す前にａＳｉ：
ｑｅ層にトラップされてしまう。また基板からの電荷の
注入が容易になり帯電能が低下する。
本発明では、ａ−３ｉ：Ｇｅ層をａ Ｓｉの間に設け
ることによりａＳｉ：Ｇｅ層中で発生したキャリアが両
側に移動し得るため、キャリアのトラップが少なくなる
。従ってａ７ｓｉ ： Ｇｅ層を厚くすることができ光
の干渉現象を防止することができる。また、表面層から
の電荷の注入および基板からの電荷の注入が抑制される
ため帯電能のイ氏下を防ぐことができる。
ることによりａＳｉ：Ｇｅ層中で発生したキャリアが両
側に移動し得るため、キャリアのトラップが少なくなる
。従ってａ７ｓｉ ： Ｇｅ層を厚くすることができ光
の干渉現象を防止することができる。また、表面層から
の電荷の注入および基板からの電荷の注入が抑制される
ため帯電能のイ氏下を防ぐことができる。
本発明においてａＳｉ：Ｇｅ層は、導電性基板から全層
厚の２０〜８０％の範囲、より好ましくは３０〜７５％
の範囲に設ける。基板から全層厚の２０％以内に設ける
と基板からの電荷の注入が容易となり帯電能が低下し、
かつ発生キャリアの感度への寄与が不十分となる。また
８０％より多い位置、即ち、表面層から２０％以内に配
置すると、同しく帯電能と感度とに問題を生ずる。
厚の２０〜８０％の範囲、より好ましくは３０〜７５％
の範囲に設ける。基板から全層厚の２０％以内に設ける
と基板からの電荷の注入が容易となり帯電能が低下し、
かつ発生キャリアの感度への寄与が不十分となる。また
８０％より多い位置、即ち、表面層から２０％以内に配
置すると、同しく帯電能と感度とに問題を生ずる。
ａ−８ｉ ： Ｇｅ層の層厚は１００人−’２０μｍに
するのが好ましい。１００人より小さい場合はａ−８ｉ
：Ｇｅにもとづく長波長光に対する感度が低下し、ＬＢ
Ｐ等への利用が不可能となる。また２０μｍ以上とする
と光疲労が発生し易くなり、また残留電位が上昇する傾
向がある。
するのが好ましい。１００人より小さい場合はａ−８ｉ
：Ｇｅにもとづく長波長光に対する感度が低下し、ＬＢ
Ｐ等への利用が不可能となる。また２０μｍ以上とする
と光疲労が発生し易くなり、また残留電位が上昇する傾
向がある。
ａ−３ｉ：Ｇｅ層中、Ｇｅ原子の濃度はＳｉ原子とＧｅ
原子総数の２−７１） ａｔｏｍｉｃ％（以下ａｔ％と
記す）、より好ましくは８〜５０ａｔ％の範囲にあるの
が好ましく、Ｇｅ濃度が小さいときは層厚は厚くしても
よい。
原子総数の２−７１） ａｔｏｍｉｃ％（以下ａｔ％と
記す）、より好ましくは８〜５０ａｔ％の範囲にあるの
が好ましく、Ｇｅ濃度が小さいときは層厚は厚くしても
よい。
層厚とＧｅ濃度の関係は、式：
％式％）
で示されるａＳｉ：Ｇｅの層厚がｄ（μｍ）のと外、
０、０７ （ｄｘ”＜０．９０
となるようにする。ｄｘ２が０．０７より小さいと光の
干渉による障害を生し易く、０．９０より大きいと帯電
能が低下する。通常、帯電能は１７Ｖ７μｍ以上とする
のが好ましいため、ｄｘ２はＯ０９０以下とするのがよ
い。
干渉による障害を生し易く、０．９０より大きいと帯電
能が低下する。通常、帯電能は１７Ｖ７μｍ以上とする
のが好ましいため、ｄｘ２はＯ０９０以下とするのがよ
い。
ａ−３ｉ：Ｇ−ｅＭ中には更に他の元素、例えば炭素、
酸素、窒素などを配合し、その光特性を改良してもよい
。酸素の導入は帯電能の向上、光疲労の低減の点で有効
である。酸素量はＳｉ原子に対し０．０１〜５ａｔ％と
するのが好ましい。
酸素、窒素などを配合し、その光特性を改良してもよい
。酸素の導入は帯電能の向上、光疲労の低減の点で有効
である。酸素量はＳｉ原子に対し０．０１〜５ａｔ％と
するのが好ましい。
ａ Ｓｉおよびａｓｉ：Ｇｅ層は第■−族原子または
第Ｖ族原子を入れることによりその極性を調整してもよ
い。第■族原子としては第１［ＩＡ族凍原子特に硼素が
適当であり、第■族原子としては第ＶＡ族原子、特に燐
が適当である。
第Ｖ族原子を入れることによりその極性を調整してもよ
い。第■族原子としては第１［ＩＡ族凍原子特に硼素が
適当であり、第■族原子としては第ＶＡ族原子、特に燐
が適当である。
第■族原子の導入量は、Ｓｉ原子に対し２００ｐｐｍ
、より好ましくは２００円Ｂｎ以下、より好ましくは３
〜１１００ｐｐ、第■族原子はＳｉ原子に対して５０ｐ
ｐｍ以下、より好ましくは１〜２００凹である。
、より好ましくは２００円Ｂｎ以下、より好ましくは３
〜１１００ｐｐ、第■族原子はＳｉ原子に対して５０ｐ
ｐｍ以下、より好ましくは１〜２００凹である。
感光体を正帯電で使用するときは、第■族原子の量を基
板側に富、表面層で貧にするのがよく、また表面層をＮ
型、基板側をＰ型としてもよい。
板側に富、表面層で貧にするのがよく、また表面層をＮ
型、基板側をＰ型としてもよい。
ａ−８ｉおよびａＳｉ：Ｇｅはそれ自体Ｎ型であるが、
より強いＮ型とするため、燐などの第Ｖ族原子を少量使
用してもよい。
より強いＮ型とするため、燐などの第Ｖ族原子を少量使
用してもよい。
感光体を負帯電で使用するときは、第■族原子の量を基
板側に貧、表面層で富とするのが好ましく、または第Ｖ
族原子を基板側に用い、表面層をＰ型、基板側をＮ型と
してもよい。
板側に貧、表面層で富とするのが好ましく、または第Ｖ
族原子を基板側に用い、表面層をＰ型、基板側をＮ型と
してもよい。
この様な配置を採ることにより、感光体の帯電極性に対
する逆バイアス効果が高くなり、帯電能の向上および残
留電位の低減に効果をもたらすことができる。
する逆バイアス効果が高くなり、帯電能の向上および残
留電位の低減に効果をもたらすことができる。
本発明感光体はａＳｉ：Ｇｅ層の上および下側にａ−８
ｉ層を設ける。ａ Ｓｉ をａＳｉ：Ｇｅ層の両側に
設けることにより、ａＳｉ：Ｇｅ層で発生したキャリア
の移動が容易になり、また表面または基板からの電荷の
注入が抑制され、帯電能が向上する。
ｉ層を設ける。ａ Ｓｉ をａＳｉ：Ｇｅ層の両側に
設けることにより、ａＳｉ：Ｇｅ層で発生したキャリア
の移動が容易になり、また表面または基板からの電荷の
注入が抑制され、帯電能が向上する。
ａ−３ｉ層の厚さはそれぞれ１〜５０μ川、より好まし
くは５〜３０μｍである。厚さが１μｍより小さい場合
は、帯電時の電荷の注入を抑制する効果が低くなり、帯
電能の低下をまねき、５０μ鞘よ１．）大きい場合は、
キャリ・アの移動距離が長くなることがらトラップされ
る機会が増え、残留電位の上昇をまねいてしまう等の弊
害がある。
くは５〜３０μｍである。厚さが１μｍより小さい場合
は、帯電時の電荷の注入を抑制する効果が低くなり、帯
電能の低下をまねき、５０μ鞘よ１．）大きい場合は、
キャリ・アの移動距離が長くなることがらトラップされ
る機会が増え、残留電位の上昇をまねいてしまう等の弊
害がある。
ａ Ｓｉ層には更に炭素、酸素、窒素などを導入して
もよい。ａ−８ｉ表面層に炭素を導入すると、表面の耐
湿性が向上すると共に電荷保持率や透光性が改良される
。炭素の含量は、Ｓｉ原子とＣ原子の合計量の３５ａｔ
％以上、特に５０ａｔ％以上が好ましい。
もよい。ａ−８ｉ表面層に炭素を導入すると、表面の耐
湿性が向上すると共に電荷保持率や透光性が改良される
。炭素の含量は、Ｓｉ原子とＣ原子の合計量の３５ａｔ
％以上、特に５０ａｔ％以上が好ましい。
酸素または窒素は暗抵抗の改良、光疲労の低減に特に有
用である。特に酸素を基板に接したａ −３ｉ層に多く
導入すると、基板上の荷電の注入を防止で゛き、感光体
の帯電能が向上する。酸素含量は、Ｓｉ原子に対し０．
０５〜５ａｔ％、より好ましくは０．１〜２ ａｔ％と
するのが適当である。
用である。特に酸素を基板に接したａ −３ｉ層に多く
導入すると、基板上の荷電の注入を防止で゛き、感光体
の帯電能が向上する。酸素含量は、Ｓｉ原子に対し０．
０５〜５ａｔ％、より好ましくは０．１〜２ ａｔ％と
するのが適当である。
本発明感光体は常法により製造することができる。即ち
、ＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６等をＨ２、Ａｒ等適当なキャリ
アガス、および所要のへテロ原子と共に、グロー放電し
てＡｉ等の基板上にａ−８ｉ層を形成し、更にその上に
ＳｉＨ，、ＧｅＨ，、およびその他のへテロ原子を含ん
だガスをグロー放電により沈着させ、更に、同様にして
ａ Ｓｉ層をその上に形成させることにより製造すれ
ばよい。
、ＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６等をＨ２、Ａｒ等適当なキャリ
アガス、および所要のへテロ原子と共に、グロー放電し
てＡｉ等の基板上にａ−８ｉ層を形成し、更にその上に
ＳｉＨ，、ＧｅＨ，、およびその他のへテロ原子を含ん
だガスをグロー放電により沈着させ、更に、同様にして
ａ Ｓｉ層をその上に形成させることにより製造すれ
ばよい。
発明の効果
本発明感光体においてはａ−３ｉｒＧｅ層がａＳｉ を
母体とした眉間にはさまれており、その結果、ａＳｉ：
Ｇｅ層中に発生したキャリアが上層および下層のａ
Ｓｉ層のいずれにも移動し得るため、移動距離が短かく
なり、ａ−８ｉ：Ｇｅ層中でトラップされる機会が少な
くなる。その結果残留電位の低下が図れる。また、基板
および表面とａ−９ｉ：Ｇｅ層間にはａ−３ｉ層が介在
するため、電荷の注入が抑制され帯電能が改善される。
母体とした眉間にはさまれており、その結果、ａＳｉ：
Ｇｅ層中に発生したキャリアが上層および下層のａ
Ｓｉ層のいずれにも移動し得るため、移動距離が短かく
なり、ａ−８ｉ：Ｇｅ層中でトラップされる機会が少な
くなる。その結果残留電位の低下が図れる。また、基板
および表面とａ−９ｉ：Ｇｅ層間にはａ−３ｉ層が介在
するため、電荷の注入が抑制され帯電能が改善される。
帯電能の改善はａ Ｓｉ層を硼素や燐を用いて逆バイ
アス化することにより一層改良される。また、キャリア
をトラップする傾向の強いａ−８ｉ：Ｇｅ層が表面層お
よび基板近傍に存しないため、上下層共キャリアの移動
が妨げられない。その結果、感度が着るしく向上する。
アス化することにより一層改良される。また、キャリア
をトラップする傾向の強いａ−８ｉ：Ｇｅ層が表面層お
よび基板近傍に存しないため、上下層共キャリアの移動
が妨げられない。その結果、感度が着るしく向上する。
さらに、ａ−’Ｓｉ ： Ｇｅ層のｄｘ２をＯ，、Ｏ７
−０．９０の間に調整することにより、光の干渉による
弊害および帯電能を改善することがで外る。
−０．９０の間に調整することにより、光の干渉による
弊害および帯電能を改善することがで外る。
以下、実施例をあげて本発明を説明する。
実施例１
工程（１）：
第２図に示すグロー放電分解装置において、まず、回転
ポンプ（２０）を、それに続いて拡散ポンプ（２１）を
作動させ、反応室（２２）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１ないし第３及び第５調整弁（
１０）、（１１）、（１２）、（１４）を開放し、第１
タンク（５）より、Ｈ２〃ス、第２タンク（６）より、
１００％ＳｉＨ，ガス、第３タンク（７）よＱＨ２で２
００ ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、更に第５タン
ク（９）より０２ガスを出力ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下
でマス７０−コントローラー（１５）、（１６）、（１
７）、（１９）内へ流入させた。そして、各マスフロー
コントローラーの目盛を調整して、Ｈ２の流量を４８２
ｓｅｃｍ、 Ｓ ｉＨ，を１００ ｓｅｃｍ。
ポンプ（２０）を、それに続いて拡散ポンプ（２１）を
作動させ、反応室（２２）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１ないし第３及び第５調整弁（
１０）、（１１）、（１２）、（１４）を開放し、第１
タンク（５）より、Ｈ２〃ス、第２タンク（６）より、
１００％ＳｉＨ，ガス、第３タンク（７）よＱＨ２で２
００ ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、更に第５タン
ク（９）より０２ガスを出力ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下
でマス７０−コントローラー（１５）、（１６）、（１
７）、（１９）内へ流入させた。そして、各マスフロー
コントローラーの目盛を調整して、Ｈ２の流量を４８２
ｓｅｃｍ、 Ｓ ｉＨ，を１００ ｓｅｃｍ。
Ｂ２Ｈ，／Ｈ２を１７ｓｅｃｍ、 ０２を１．０ｓｅｃ
ｍとなるように設定して、反応室（２２）内へ流入した
９夫々の流量が安定した後に、反応室（２２）の内圧力
弓、’０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性
基板（２３）としては、直径８０ｍｍのアルミニウムド
ラムを用いて２５０℃に予め加熱しておき、各ガス流量
が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（２４）を
投入し、電極板（２５）に２５０ｗａｔｔｓの電力（周
波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生さ
せた。このグロー放電を５゜５時間持続して行ない、導
電性基板（２３）（第１図（１））上に水素、硼素並び
に微量の酸素を含む厚さ約１４μｍのａ Ｓｉ光導電
層（２）を形成した。
ｍとなるように設定して、反応室（２２）内へ流入した
９夫々の流量が安定した後に、反応室（２２）の内圧力
弓、’０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性
基板（２３）としては、直径８０ｍｍのアルミニウムド
ラムを用いて２５０℃に予め加熱しておき、各ガス流量
が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源（２４）を
投入し、電極板（２５）に２５０ｗａｔｔｓの電力（周
波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生さ
せた。このグロー放電を５゜５時間持続して行ない、導
電性基板（２３）（第１図（１））上に水素、硼素並び
に微量の酸素を含む厚さ約１４μｍのａ Ｓｉ光導電
層（２）を形成した。
工程（２）：
ａ Ｓｉ光導電層が形成されると、高周波電源（２４
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラーの流量をＯ設定にし、反応室（２２）内を十分
脱気した。その後、第１タンク（５）よりＨ２〃スを４
７４’ｓｃｃｍ、第２タンク（６）より１００％ＳｉＨ
，ガスを１００ｓｅｃｍ、第３タンク（７）よりＨ２で
２００ ｐｐｍに希釈したＢ２Ｈ６ガスをＳ ＳｅＣｍ
ｔ第４タンク（８）よすＧ ｅ Ｈ＋ Ｉｆスを２０ｓ
ｅｃ＋ｎおよび第５タンク（９）より０２ガスを１゜０
ｓｅｃｍ反応室内部に流入させ、内圧を１．ＯＴ ｏ
ｒｒに調整した上で高周波電源を投入して２５、Ｏｕ＋
ａｔＬｓの電力を印加した。７０分間放電を続け、約３
μｍのａ−８ｉ ： Ｇｅ Ｎ （３）を形成した。
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラーの流量をＯ設定にし、反応室（２２）内を十分
脱気した。その後、第１タンク（５）よりＨ２〃スを４
７４’ｓｃｃｍ、第２タンク（６）より１００％ＳｉＨ
，ガスを１００ｓｅｃｍ、第３タンク（７）よりＨ２で
２００ ｐｐｍに希釈したＢ２Ｈ６ガスをＳ ＳｅＣｍ
ｔ第４タンク（８）よすＧ ｅ Ｈ＋ Ｉｆスを２０ｓ
ｅｃ＋ｎおよび第５タンク（９）より０２ガスを１゜０
ｓｅｃｍ反応室内部に流入させ、内圧を１．ＯＴ ｏ
ｒｒに調整した上で高周波電源を投入して２５、Ｏｕ＋
ａｔＬｓの電力を印加した。７０分間放電を続け、約３
μｍのａ−８ｉ ： Ｇｅ Ｎ （３）を形成した。
尚、このときのゲルマニウム含有量は約３０ａｔ％であ
った。
った。
工不一：（３）：
Ｈ２で２００ ｐｐｍ ｌこ希釈したＢ 、Ｈ，ガスの
流量を５ｓｅｃｍ 、 ＋４＝ｆｆスの流量を４９４
ｓｅｃ＋ｎとする以外、工程（１）と同様にしてａ−８
ｉ層（４）を形成した。ａ−８ｉ層の厚さは１３μｍと
した。
流量を５ｓｅｃｍ 、 ＋４＝ｆｆスの流量を４９４
ｓｅｃ＋ｎとする以外、工程（１）と同様にしてａ−８
ｉ層（４）を形成した。ａ−８ｉ層の厚さは１３μｍと
した。
こうして＋４られた感光体を粉像転写型複写ｆｆ１（Ｅ
Ｐ６５０２： ミノルタカメラ（株）製）にセットし
、（＋）帯電にてコピーしたところ、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
Ｐ６５０２： ミノルタカメラ（株）製）にセットし
、（＋）帯電にてコピーしたところ、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
また、５０．０００枚の連続複写を行なっても画像特性
の低下は認められず、最後まで良好なコピーが得られた
。更に、３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複
写でもその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら
変わることはなかった。
の低下は認められず、最後まで良好なコピーが得られた
。更に、３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複
写でもその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら
変わることはなかった。
比較例１
実施例１と同様にしてａ−８ｉ層（２）が２６μｌ、ａ
ｓｉ：Ｇｅ層（３）が３Ａ１ｍおよびａ Ｓｉ層（４
）が１μｍの感光体を製造した。
ｓｉ：Ｇｅ層（３）が３Ａ１ｍおよびａ Ｓｉ層（４
）が１μｍの感光体を製造した。
比較例２
実施例１と同様にしてａ Ｓｉ Ｎ （２）力弓μｍ
、ａＳｉ：Ｇｅ層（３）が３ｐｍおよびａ−３ｉ層（４
）が２６μｍの感光体を製造した。
、ａＳｉ：Ｇｅ層（３）が３ｐｍおよびａ−３ｉ層（４
）が２６μｍの感光体を製造した。
上記実施例および比較例で得た感光体を６００Ｖに帯電
後、白色蛍光灯（５８＆ｕｘ−ｓｅｅ）にて除電したと
きの残留電位を表−１に示す。
後、白色蛍光灯（５８＆ｕｘ−ｓｅｅ）にて除電したと
きの残留電位を表−１に示す。
表−１
本発明では残留電位が極めて低いことが理解される。
比較例３
工程（２）および（３）を省き、工程（１）のみでａ−
Ｓ ｉ層（２）の厚さを３０μ部とする以外、実施例１
と同様にして感光体を得た。
Ｓ ｉ層（２）の厚さを３０μ部とする以外、実施例１
と同様にして感光体を得た。
匿嵯咋士
工程（３）を省き、ａ Ｓｉ層（２）の厚さを２７μ
ｍとする以外、実施例１と同様にして感光体を得た。
ｍとする以外、実施例１と同様にして感光体を得た。
塩１咋Σ
工程（１）を省きａｓｉｗＩ（４）の厚さを２７μＭと
する以外実施例１と同様にして感光体を得た。
する以外実施例１と同様にして感光体を得た。
上記実施例１および比較例３〜５で得られた感光体を６
００■にコロナ放電した後、分光感度を測定したところ
第３図に示す結果を得た。図中、（Ａ）、・（Ｂ）、（
Ｃ）および（Ｄ）はそれぞれ実施例１、比較例３．４お
よび５の感光体から得られた結果を示す。緯軸は波長（
ｎｍ）、経軸は感度（ｓｃｍ／ｅｒｇ）を示す。第３図
から明らかなごとく、本発明感光体は、長波長光に対し
高感度を有すると共に、短波長光に対する感度も損なわ
れないことがわかる。
００■にコロナ放電した後、分光感度を測定したところ
第３図に示す結果を得た。図中、（Ａ）、・（Ｂ）、（
Ｃ）および（Ｄ）はそれぞれ実施例１、比較例３．４お
よび５の感光体から得られた結果を示す。緯軸は波長（
ｎｍ）、経軸は感度（ｓｃｍ／ｅｒｇ）を示す。第３図
から明らかなごとく、本発明感光体は、長波長光に対し
高感度を有すると共に、短波長光に対する感度も損なわ
れないことがわかる。
従ってＬＢＰやＰＰＣの両方に使用することができる。
さらに実施例１で得た感光体を用（１て半導体レーザー
を光源としたＬＢＰにて実写を試みたところ、高速プリ
ント時においても鮮明で高質な画像が得られ、従来の干
渉現象に基く、画像上の濃淡も全く発生しなかった、ま
たＰＰＣで実写を試みたところ鮮明で高質な画像が得ら
れた。
を光源としたＬＢＰにて実写を試みたところ、高速プリ
ント時においても鮮明で高質な画像が得られ、従来の干
渉現象に基く、画像上の濃淡も全く発生しなかった、ま
たＰＰＣで実写を試みたところ鮮明で高質な画像が得ら
れた。
実施例２
実施例１と同様にして表−２に示すごとき構成の感光体
を製造し、それぞれの試料の帯電能を常法に従って測定
した。結果を第４図と第５図に示す。なお、Ｇｅ５０ａ
ｔ％を含む感光体は実施例１における工程（２）のＧ
ｅ Ｈ４流量を３０ｓｅｃｍ にす乙ことにより調製
した。
を製造し、それぞれの試料の帯電能を常法に従って測定
した。結果を第４図と第５図に示す。なお、Ｇｅ５０ａ
ｔ％を含む感光体は実施例１における工程（２）のＧ
ｅ Ｈ４流量を３０ｓｅｃｍ にす乙ことにより調製
した。
表−２
表−２（続き）
実施例３
実施例２で調製した試料１〜３０の感光体につき、常法
に従って残留電位を測定した。結果を第Ｃ図および第７
図に示す。
に従って残留電位を測定した。結果を第Ｃ図および第７
図に示す。
第４図から第７図から明らかなごとく、高い帯電能と低
い残留電位を達成するためには感光体中のａ−８ｉ：Ｇ
ｅは感光層の２０〜８０％の範囲に位置する必要のある
ことが理解される。
い残留電位を達成するためには感光体中のａ−８ｉ：Ｇ
ｅは感光層の２０〜８０％の範囲に位置する必要のある
ことが理解される。
実施例４
表−３に示す成膜条件を用い、実施例１と同様にしてａ
−３ｉ／ａ−３ｉ ： Ｇｅ／ａ−３ｉ三層構造の感光
体（試料３１〜５３）を調製した。ａ−８ｉ：Ｇｅ層の
厚さ、位置、帯電能および残留電位を表−４に示す。各
試料のａ−３ｉ ： Ｇｅ層の厚さく経軸）、Ｇｅ含量
（緯軸）およびｄｘ２の関係を第８図に、各試料のｄｘ
２ と帯電能およびｄｘ２と干渉（干渉縞の明部と暗部
の電位差（ｄＶ））の関係をそれぞれ第９図と第１０図
に示す。なおｄｖ力６５■以下のときは画像上縞模様は
現われない。
−３ｉ／ａ−３ｉ ： Ｇｅ／ａ−３ｉ三層構造の感光
体（試料３１〜５３）を調製した。ａ−８ｉ：Ｇｅ層の
厚さ、位置、帯電能および残留電位を表−４に示す。各
試料のａ−３ｉ ： Ｇｅ層の厚さく経軸）、Ｇｅ含量
（緯軸）およびｄｘ２の関係を第８図に、各試料のｄｘ
２ と帯電能およびｄｘ２と干渉（干渉縞の明部と暗部
の電位差（ｄＶ））の関係をそれぞれ第９図と第１０図
に示す。なおｄｖ力６５■以下のときは画像上縞模様は
現われない。
第８図中、Ｘは帯電能がよく、またレーザー光での使用
可能なもの、Ｙは帯電能はよいがレーザー光での使用に
問題のあるもの、およびＺは帯電能が不十分なものを示
す。各記号の人別の数字は試料番号を示す。第８藺から
明らかなごとく、０゜０７（’ｄｘ２（０，９０の範囲
にある感光体は帯電能がよく、かつレーザー光での使用
が可能である。
可能なもの、Ｙは帯電能はよいがレーザー光での使用に
問題のあるもの、およびＺは帯電能が不十分なものを示
す。各記号の人別の数字は試料番号を示す。第８藺から
明らかなごとく、０゜０７（’ｄｘ２（０，９０の範囲
にある感光体は帯電能がよく、かつレーザー光での使用
が可能である。
第１図は本発明感光体の模式的断面図、第２図は感光体
製造用装置、および第３図は本発明感光体および従来の
ａ−３ｉ：Ｇｅ系感光体の波長と感度の関係を示すクラ
７、第４図および第５図は、ａ−３ｔ ：Ｃｔｅ層の基
板からの位置と帯電能を示すグラフ、第６図と第７図は
ａ−３ｉ ： Ｇｅ層の基板からの位置と残留電位の関
係を示すグラフ、第８図は実施例４で得た試料のｄｘ２
の位置と帯電能の評価およびレーザー充て・の使用の可
否を示すグラフ、＄９図はｄｘ”と帯電能の関係を示す
グラフおよび第１０図はｄｘ２ ど干渉により生ずる明
部と暗部の電位差（ｄｖ）との関係を示すグラフである
。 （１）・・基板、（２）・・・ａ−８ｉ層、（３） −
ａ Ｓｉ ： Ｃ；ｅＮ、（４） −ａ Ｓｉ層、
（）＼）・・・本発明感光体、 （Ｂ）・・・比較例３
の感光体、 （Ｃ）・・・比較例４の感光体、 （Ｄ）
・・・比較例５の感光体。 第１し 第３図 波長（ｎｍ） 第４図 １賽０・らのα−５Ｌ：６８層め丁立【（％）’
Ｇｅｇ３０ａｔ％（ｊ’ｊ Ｓｉ中Ｇｅ１ｃ；
−１ｔ＝＝−Ｉ Ｇｅ＝５０ａｔ％ （ｎ Ｓｉ中Ｇ
ａｌ＄５図 Ａ さ ２８−３２，４ｍ 基」反からの１−５ユ゛Ｑｂ１ｇの丁立」（％）Ｇｅ＝
３０ａｌ、％ （討Ｓｉ＋Ｇｅ１ｅ＝＝＝＝＝２ Ｇｅ
＝５０ａむ％ ＋’ｔす Ｓｉ中Ｇｅ）第６図
製造用装置、および第３図は本発明感光体および従来の
ａ−３ｉ：Ｇｅ系感光体の波長と感度の関係を示すクラ
７、第４図および第５図は、ａ−３ｔ ：Ｃｔｅ層の基
板からの位置と帯電能を示すグラフ、第６図と第７図は
ａ−３ｉ ： Ｇｅ層の基板からの位置と残留電位の関
係を示すグラフ、第８図は実施例４で得た試料のｄｘ２
の位置と帯電能の評価およびレーザー充て・の使用の可
否を示すグラフ、＄９図はｄｘ”と帯電能の関係を示す
グラフおよび第１０図はｄｘ２ ど干渉により生ずる明
部と暗部の電位差（ｄｖ）との関係を示すグラフである
。 （１）・・基板、（２）・・・ａ−８ｉ層、（３） −
ａ Ｓｉ ： Ｃ；ｅＮ、（４） −ａ Ｓｉ層、
（）＼）・・・本発明感光体、 （Ｂ）・・・比較例３
の感光体、 （Ｃ）・・・比較例４の感光体、 （Ｄ）
・・・比較例５の感光体。 第１し 第３図 波長（ｎｍ） 第４図 １賽０・らのα−５Ｌ：６８層め丁立【（％）’
Ｇｅｇ３０ａｔ％（ｊ’ｊ Ｓｉ中Ｇｅ１ｃ；
−１ｔ＝＝−Ｉ Ｇｅ＝５０ａｔ％ （ｎ Ｓｉ中Ｇ
ａｌ＄５図 Ａ さ ２８−３２，４ｍ 基」反からの１−５ユ゛Ｑｂ１ｇの丁立」（％）Ｇｅ＝
３０ａｌ、％ （討Ｓｉ＋Ｇｅ１ｅ＝＝＝＝＝２ Ｇｅ
＝５０ａむ％ ＋’ｔす Ｓｉ中Ｇｅ）第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基板上に、アモルファスシリコンを母体とし
た層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とした
層、およびアモルファ又シリコンを母体とした層を順次
積層して成る電子写真感光体において、該アモルファス
シリコンゲルマニウムを母体とする層が導電性基板から
起算して全層厚の２０％から８０％の範囲に位置してい
ることを特徴とする電子写真感光体。 ２、アモルファスシリコンを母体とした層の個々の膜厚
が１μｍから５０μｍであり、アモルファスシリコンゲ
ルマニウムを母体とした層の膜厚が１００Åから２０μ
ｍである第１項記載の電子写真感光体。 ３、アモルファスシリコンを母体とした層中に第IIIＡ
族もしくは第ＶＡ族原子を不純物として含有し、当該第
IIIＡ族原子のＳｉ原子に対する添加率が２００ｐｐｍ
以下、第ＶＡ族原子のＳｉ原子に対する添加率が５０ｐ
ｐｍ以下であることを特徴とする第１項記載の電子写真
感光体。 ４、アモルファスシリコン或いはアモルファスシリコン
を母体とした層中に、Ｓｉ原子に対し０．０１〜５ａｔ
％の酸素原子を含有することを特徴とする第１項記載の
電子写真感光体。 ５、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とした層
中に含まれるＧｅ原子が、Ｓｉ原子とＧｅ原子の総数に
対して２〜７０ａｔ％であることを特徴とする第１項記
載の電子写真感光体。 ６、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とした層
中に第IIIＡ族もしくは、第ＶＡ族原子を不純物として
含有し、当該第IIIＡ族原子のＳｉ原子に対する添加率
が２００ｐｐｍ以下、第ＶＡ族原子のＳｉ原子に対する
添加率が５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする第１項
記載の電子写真感光体。 ７、炭素、窒素および酸素から選ばれるヘテロ原子を有
するアモルファスシリコンを母体とする層をさらにオー
バーコート層および／またはアンダーコート層として有
する第１項記載の電子写真感光体。 ８、アモルファスシリコンを母体とする二つの層中に第
IIIＡ族原子または第ＶＡ族原子を含み、これらが導電
性基板から遠ざかるにつれて増加または減少し、この増
加または減少の傾向が同一感光体内で逆転しないことを
特徴とする第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14791884A JPS6126053A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 電子写真感光体 |
| US06/753,589 US4681825A (en) | 1984-07-16 | 1985-07-10 | Electrophotosensitive member having an amorphous silicon-germanium layer |
| DE19853525357 DE3525357A1 (de) | 1984-07-16 | 1985-07-16 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14791884A JPS6126053A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126053A true JPS6126053A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15441037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14791884A Pending JPS6126053A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4681825A (ja) |
| JP (1) | JPS6126053A (ja) |
| DE (1) | DE3525357A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355557A (ja) * | 1986-04-18 | 1988-03-10 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3789462T2 (de) * | 1986-02-04 | 1994-08-04 | Canon Kk | Lichtempfindliches Element für Elektrophotographie. |
| CA1305350C (en) * | 1986-04-08 | 1992-07-21 | Hiroshi Amada | Light receiving member |
| US4737429A (en) * | 1986-06-26 | 1988-04-12 | Xerox Corporation | Layered amorphous silicon imaging members |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491626A (en) * | 1982-03-31 | 1985-01-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member |
| JPS58192044A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| US4513073A (en) * | 1983-08-18 | 1985-04-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Layered photoconductive element |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14791884A patent/JPS6126053A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-10 US US06/753,589 patent/US4681825A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-16 DE DE19853525357 patent/DE3525357A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355557A (ja) * | 1986-04-18 | 1988-03-10 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4681825A (en) | 1987-07-21 |
| DE3525357A1 (de) | 1986-01-23 |
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