JPS58215656A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体に関し、例えば光電素子、電子写真感光
体等の静電記録体に関するものである。

近年、シリコン半導体の分野において、製造が容易であ
ってかつ大面積の薄層が容易に得られることから、結晶
シリコンに代えてアモルファスシリコン（以下、ａ−８
１と称する）が注目を浴びている。　しかしながら、ａ
−８ｔは非晶質という不規則な原子配列構造により、５
ｉ−８１の結合手が切れたいわゆるダングリングボンド
に基づく欠陥が多数存在し、この欠陥に起因してエネル
ギーギャップ内に多くの局在単位が存在する。　このた
め。

熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗率が小さく
、また光励起担体が前記局在準位にトラップされるため
に光電現象が不良なものとなっている。　かかる欠点を
改良した製造方法どして、珪素化合物ガスをグルー放電
圧より分解し、ａ−８１を形成せしめるいわゆるグルー
放電法が知られている。　この製造方法によれば、ａ−
８１の堆積の過程で珪素化合物の分解により生じた水素
がａ−８ｉ中に導入され、ダングリングボンドが封鎖さ
れ、半導体特性が改良される。　上記水素が導入された
７モル７アスシリコン（以下、ａ−８１：Ｈと称する）
は可視光及び赤外光に対する光電現象圧すぐれているが
、反面、暗所での抵抗率は未だ１０８〜１０’Ω−儂と
低く、かつ半導体素子の表面層として用いた場合、耐湿
性、耐熱性、耐摩耗性等が充分とはいえない。

そこで、これらの点を改良するものとして、水素原子の
外釦炭素原子を導入したアモルファス炭化シリコン（以
下、ａ−８ＩＣ：Ｈと称する）が知られている。　上記
ａ−８ＩＣ：Ｈを得るには、例えばグルー放電分解槽内
に炭化水素化合物ガスと珪素化合物ガスとを導入し、グ
ルー放電により分解せＬめて基板上にａ−８ｉＣ：Ｈを
堆積ぜしめる。　このようＫＬ”Ｃ得られるａ−８ｉＣ
：Ｈはａ−８１：ＨＩＩＣはない特性を有している。　
即ち、炭素原子導入によってエネルギーギャップが増加
するので、可視光に対する光導電性が幾分低下するが、
反面、暗抵抗率、電荷保持能力が増大し、耐湿性、耐熱
性、耐摩耗性等の物理的特性が向上する。

このような特性は光電素子の管柱改良にとって有用であ
るが、電子写真感光体等の特性を改良する場合特に重要
なものとなる。

即ち、電子写真感光体等においては、高い光導電性の外
に高い暗抵抗及び電荷保持能力が要求され、さらに多数
枚のコピーを作る複写機等に使用する場合には、耐湿性
、耐熱性、耐刷性、耐摩耗性等が必要とされるからであ
る。

従来、電子写真感光体においては、セレン又はセレンに
砒素、テルル、アンチモン等をドープした感光体、ビス
７ゾ顔料、多環キノン顔料等の有機光導電性物質を用い
た感光体、酸化亜鉛、硫化カドミウム等を樹脂バインダ
ーに分散させた感光体等が知られているが、これらの感
光体は上記電子写真感光体に要求されている緒特性を満
足するには到っていない。　その理由は、上記感光体は
いずれも光導電性の点では実用上満足しうるものである
が、環境汚染性、耐湿性、耐熱性、機械的強度等の点で
不充分であって、特にくりかえして像形成Ｋｉｔ用する
場合の耐刷性等が不充分であるからである。

他方、電子写真感光体の分野では、従来の感光体の欠点
を改良するものとして、例えば米国特許第３，８７１，
８８２号明細書、特開昭５１−９０８２７号公報等に記
載されるように、キャリアを発生するキャリア発生層と
キャリアを輸送するキャリア輸送層とに機能分離された
複合感光体が開発されている。

この複合感光体においては、キャリア発生層には高い光
導電性が要求され、キャリア輸送層圧はキャリア輸送能
力、高い暗抵抗、電荷保持能力が要求され、感光体の上
層に設けるようＫすることにより、耐湿性、耐刷性、耐
摩耗性等が改修される。

しかしながら、この複合感光体とした場合でも従来のも
のは、有機物質とか、毒性大なるセレン等が主として使
用されているため、前記感光体の諸特性を充分満足しう
るものとはなり得ていない。

このような状況において、半導体素子の製造忙際しａ−
８ｉＣ：Ｈを用いることの有用性が理解され、特に電子
写真感光体として極めて有用なものであることが理解さ
れる。　しかしながら、これまで知られているａ−８ｉ
Ｃ：Ｈを用いた感光体の暗抵抗が未だ充分に高くはなく
、これがために感光体の帯電電位その他の電子写真特性
が満足すべきものとはなっていない。

本発明者は、こうしたａ−８ｉＣ：ＨＫついて検討を重
ねた結果、暗抵抗率が充分に高められ、このためにａ−
８ＩＣ：Ｈを効果的に改質した感光体等の記録体を見出
し、本発明に到達した。

即ち、本発明による記録体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）
層を具備し、この層に周期律表第■Ａ族元素（例えばポ
ロン、アルミニウム）が含有せしめられることによって
、暗抵抗率が１０１３Ω−儒以上となるように構成した
ことを特徴とするものである。　このように構成すれば
、上記炭化シリコン層についての上述した特長を生かし
つつ、充分に高抵抗化を図ることができる。

以下、本発明の実施例を図面について詳細に説明する。

まず、本発明による静電記録体、例えば電子写真感光体
を製造するのに使用可能な装置（グルー放電装置）を第
１図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、基板１が基板保持部
１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所定温度に
加熱し得るようになっている。

基板ＩＫ対向して高周波電極１７が配され基板１との間
にグルー放電が生ぜしめられる。　なお、図中の２０．
２１，２２．２３．２４．２７．２８．２９．３０゜３
５．３６．３８は各パルプ、３１は５ｉＨｎ又はガス状
シリコン化合物の供給源、３２はＣＨ４又はガス状炭素
化合物の供給源、３３はＡｒ又はＨ２等のキャリアガス
供給源、３４は０．１チアルゴン希釈ジボランガスの供
給源である。　このグルー放電装置において、まず支持
体である例えばＡ１基板１０表面を清浄化した後に真空
槽１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０’Ｔｏ
ｒｒとなるようにパルプ３６を調節して排気し、かつ基
板１を所定温度、例えば２００℃に加熱保持する。　次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓｉ
Ｈ４又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４又はガス状炭素
化合物、及びシボランガスを適当量希釈した混合ガスを
真空槽１２内に導入し、０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応
圧下で高周波電源１６により高周波電力を印加する。　
これによって、上記各反応ガスをグルー放電分解し、第
２図に示す如く、水素を含むポロンドープドａ、−８ｉ
Ｃ：Ｈ層２を基板１上に堆積させる。　この際、シリコ
ン化合物とジボランガス及び炭素化合物との流量比及び
基板温度を適宜調整することによって、所望の抵抗率、
組成比及び光学的エネルギーギャップを有するポロンド
ープドａ　−８ｉ　ニーｘｃｘ　：Ｈ（例えばＸが０．
９程度のものまで）を析出させることができ、また析出
するａ−８ｉＣ：Ｈの電気的特性にさほどの影響を与え
ることなく、１０００　ｋ　／　ｍｍ以上の速度でａ−
８ｉＣ：Ｈを堆積させることが可能である。

ここで注目すべきことは、上記ポロンドープドａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層２がポロンのドーピングによって高抵抗化せし
められ、これによって第２図の感光体の暗抵抗率が１０
１３Ω−ぼ以上に高められているこ゛とである。　第３
図には、ジボランとモノシランとの流量比（目盛は対数
目盛）による暗抵抗率（ｆ）Ｄ）の変化が示されている
。　一般にノンドープのａ−８ＩＣ：Ｈは幾分Ｎ型化さ
れた導電型を示すが、ポロンをドープすると不純物が相
殺（ｃｏｍｐｅｎ−ｓａｔｌｏｎ　）　　されてゆき、
実質的に真性化された状態となり、更にポｐンドービン
グ量を増やすと今度はＰ型に変換される。　第３図の結
果によれば、本発明の目的を達成する上で流量比（Ｂ　
２　Ｈｎ／’Ｓ　ｉ　Ｈ４）を適切に選択すればＰＩ）
をｔ　ｏ　１３Ω−ｃｒｎ以上とし、更にａ、−８ｉＣ
：Ｈな実質的に真性化して比を１ｏ１４Ｑ−α　以上と
することができる。

このようにａ−８ＩＣ：Ｈ層２にホルンを所定濃度で含
有させることによって、感光体自体の暗抵抗率が１０１
３Ω−α以下（望ましくは１０１４Ω−α以下）に高め
られるので、初期帯電電位が増え、暗減衰等の電子写真
特性を向上させることができる。

特に、れを１０１４Ω−の以上とすれば、更に性能の向
上が期待できる。　これに反して１．Ｐｂを１ｏ１３Ω
−α　未満（ホルンをドープしない場合には５×１０１
２Ω−α以下：　Ｂ２Ｈ，／ＳｉＨ４の流量比でｏ〜１
ｐｒｆｒＩ）の場合には、上記した特性の向上は得るこ
とができず、感光体として充分ではない。

ａ−８ｉＣ：Ｈ層２のボロン含有量は上記の暗抵抗率を
得るために適切に選択する必要があり、ジボランの流量
で表わしたときに第３図がらＢ２Ｈｅ／Ｓ　ＩＨ４類に
よって、１０〜５００　ｐｐｍとすることができる。

また、本実施例による感光体は、上記のａ　−８ｉＣ：
Ｈ層２を感光層（光導電層）としたものであるから、実
用的にみて充分な光導電性を示すと共圧、ａ−８ｉＣ：
Ｈのもつ特長（即ち、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性等）を
発揮でき、ａ−８ｉ：Ｈでは期待できない顕著な作用効
果を奏することができる。

こ５した効果を発揮する上で、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２の炭
素原子含有量は１０〜４０ａｔｏｍｉｃ％に選択するこ
トカ望ましい。　即ち、１０　ａｔｏｍｉｃ　％　　以
上とすればａ−８ｉＣ：Ｈの電気的、光学的特−一−８
ｉ：Ｈとは異なったものにすることができる一方、　４
０　ａｔｏｍｌｃ％以上にすると、可視領域の光に対す
る感度が低下するからである。　また、ａ−８ｉＣ：Ｈ
層２の膜厚は例えばカールソン方式による乾式現像法を
適用するためには、５７Ｉｆｆｎ〜８０．ｕｒｎである
ことが望ましい。　即ち、膜厚が５．ｕｎ＋未満である
と薄すぎるため釦現像釦必要な表面電位が得られず、ま
た８０）ｘｎを越えると表面電位が高くなって付着した
トナーの剥離性が悪くなり、二成分系現像剤のキャリア
も付着してしまう。　但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚
は、Ｓｅ感光体と比較して薄くしても（例えば＋数ｕｎ
）　　実用レベルの表面電位が得られる。

また、ａ−８ＩＣ：Ｈ層２は水素を含有することが必要
であるが、水素を含有しない場合には感光体の光導電性
及び電荷保持特性が実用的なものとはならないからであ
る。　このため、水素含有量は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
％（実圧は１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％　）とするの
が望ましい。

第４図は、本発明による記録体を蒸着法により作成する
のに用いる蒸着装置を示すものである。

ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２を有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー４１内を例文ば１０−３〜Ｉ　Ｏ
−’　Ｔｏｒｒの高真空状態とし、当該ペルジャー４１
内には基板１を配置してこれをヒーター４５により温度
１５０〜５００℃−好ましくは２５０〜４５０℃に加熱
すると共に、直流電源４６により基板１にＯ〜−１０ｋ
Ｖ、好ましくは−１〜−６ｋＶの直流負電圧を印加し、
その出口が基板ｌと対向するよ５ペルジヤー４１に出口
を接続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及
び水素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板
１と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及びアルミ
ニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッター
Ｓを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速度比
が例えば１　：　０．０１〜０．２　　となる蒸発速度
で同時に蒸発せしめる。　同時に、ペルジャー４１内へ
、放電管５０により活性化されたメタンガスを導入し、
これにより第６図に示す如く、アルミニウムを所定量含
有するａ−８ｉＣ：Ｈ層５２を基板１上に形成する。　
次いで、アルミニウム蒸発源　４９上のシャッターＳを
閉じ、放電管５０へのメタンガスの供給を停止した状態
で引き続いて蒸着を行ない、アル４ニウムドープドａ−
８ＩＣ：Ｈ層５２上にａ−８ｉ：Ｈ層５３を形成する。

上記の放電管４７．５０の構造を例えば放ｔＷ４７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３　を囲む例えば筒状ガラス製
の族ｍ空間部材６４と、この放電空間部材６４のｆモ端
圧設ゆた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材
６６とより成り、前記一方の電極部材６２と他方の電極
部材６６との間に直流又は交流の電圧が印加されること
により、ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガ
スが放電空間６３においてグｐ〜放電を生じ、これによ
り電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子
より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口
６５より排出される。この図示の例の放電空間部材６４
は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構造を有
し、６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。　６９は
一方の電極部材６２の冷却用フィンである。　上記の水
素ガス放電管４７における電極間距離は１０〜１５傭で
あり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間６３の圧力は１Ｏ
−ＬＴｏｒｒ　　程度とさレル。

この第４図及び第５図の蒸着装置により作成される第６
図及び第７図の感光体においても、ａ　−８ｉＣ：Ｈ層
５２はアルミニウムのドーピングにょって高抵抗化“（
更には実質的に真性化）されており、当該ａ−８ｉＣ：
Ｈ層５２のｆ）Ｌｌは上述したと同様に１０１３Ω−α
以上（更には１０１４Ω−α以上）となされていること
が必須不可欠である。　これを実現するには、蒸着時に
シリコン蒸気に対しアルミニウム蒸気を１０〜５００ｐ
Ｔｒｎ、更には１０〜２００ＰＰＴＩ　の濃度にするの
がよい。　また、ａ−８ｉＣ：Ｈ層５２の厚みは５０ｘ
〜８０）Ｍｎとするのがよい。

ａ−８ＩＣ：Ｈ層５２が主に基板１からキャリアーの注
入を阻止する電荷ブロッキングの機能を担う場合には５
０χ〜１期（第６図）であり、また、主に電位保持及び
電荷輸送の機能を担う場合にはｌ】。

〜８０ｍｒ＋（第７図）である。ａ−８１Ｃ：Ｈ層５２
　はアルミニウムのドーピングにより高抵抗を示すと共
に、感光層５３で光照射により発生した電荷担体を高効
率で輸送し得るものとなっている。　また、炭素量を１
０〜９０　ａｔｏｍｉｃチの範囲で　適切に選ぶことに
より、上記電荷担体移動度を充分なものＫできる。　し
かも、ａ−８ｉＣ：Ｈ層５２は基板１との接着性や膜付
きが良いという性質も有している。

一方、光導電層又は感光層としてのａ−８ｔ：Ｈ層５３
は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性（暗抵抗率
／光照射時の抵抗率）が最高〜１０４となる。　このａ
−８ｉ：Ｈを感光層として用いれば、可視領域全域及び
赤外領域の光に対して高感度な感光体を作成できる。　
このように可視光及び赤外光の吸収を充分なものとする
ためには、ａ−８ｔ：Ｈ層５３の膜厚は５０００Ｘ−ｓ
）血とするのが望ましい。　膜厚が５０００Ｘ未満であ
ると照射された光は全て吸収されず、一部分は下地のａ
−８ＩＣ：Ｈ層５２に到達するために光感度が低下する
。　また、ａ−８１：Ｈ層５３は大きな電荷輸送能を有
するが、抵抗率が〜１０９Ω−傭であってそれ　自体と
しては電位保持性を有していないから、感光層として光
吸収に必要な厚さ以上に厚くする必要はなく、その膜厚
は最大５廁とすれば充分である。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、ａ−８
１に対しては上記したＨの代りに、或いはＨと併用して
フッ素を導入し、ａ−８１：Ｆ、　ａ−８１：Ｈ：Ｆ、
　ａ−８ｉＣ：Ｆ、　ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることも
できる。　この場合のフッ素量は０．０１〜２０ａｔｏ
ｍｌａ％がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃチがより
望ましい。

また、上記の製造方法はグルー放電分解法又は蒸着法に
よるものであるが、これ以外にも、スパッタリング法、
イオンブレーティング法等も適用可能である。　使用す
る反応ガスは、５ＩＨ４以外にも５ｉ２Ｈ，，５ＩＦ４
．５ＩＨＦ、又はその誘導体ガス、ＣＨ４以外のＣ２Ｈ
６、Ｃ３Ｈ８等の低級炭化水素ガスが使用可能である。

　更Ｋ、ドーピングされる不純物は上記のホルン、アル
ミニウム以外にも゛ガリウム、インジウム等の他の周期
律表第ＨＡ族元素が使用可能である。

本発明による感光体は、例えば第８図に示す如く構成し
てよい。　即ち、導電性支持基板１上に第２０ａ−８Ｉ
Ｃ：Ｈ層５２、ａ−８１：Ｈ（光導電）層５３、第１の
ａ−８ＩＣ：Ｈ層５４が順次積層せしめられたものから
なっている。　第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層５２は電位保持
、電荷輸送及び基板１からの電荷注入防止、基板ｌに対
する接着性向上の各機能を有し、第８図の例では５０Ｘ
〜５０００Ｋ　、第９図の例では５０００Ｘ　〜８（１
２ｎｎ　（より望ましくは５　、ｕｍ　〜２０）ｘｎ　
）の厚みに形成されるのがよい。　光導電層５３は光照
射圧応じて電荷担体（キャリア）を発生させるものであ
って、特Ｋ　６００〜８５０ｎｍの長波長域で高感度を
示し、その厚みは第８図の例では５ｏｏｏＸ〜８０）Ｘ
ｎ、第９図の例では１ｏｏＯＸ〜ｓ、ｕｍ　　（特に１
、ＬＩｍ〜２．ｕｍ）であるのが望ましい。　更に、第
１のａ　−８ｉｃ　：Ｈｌ１ｊ４はこの感光体の表面電
位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の
維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の
影響防止）、炭素含有による結合エネルギーの向上で表
面硬度が高くなるとと釦よる機械的強度及び耐刷性の向
上、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着
転写性）の向上部の機能を有し、いわば表面改質層とし
て働くものである。

そして、この第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層５４の厚みｔを上
記の如＜　５０Ｘ≦ｔ≦５０００Ｘに選択することが非
常に重要である。

次Ｋ、本発明を電子写真感光体に適用した具体的な実施
例を説明する。

実施例　ｌ グルー放電分解法によりＡＩ支持体上に第２図の構造の
電子写真感光体を作製した。　先ず平滑な表面を持つ清
浄なＡＩ　　支持体ｌ＼をグー−放電装置の反応（真空
）槽内に設置した。　反応槽内を１０’Ｔｏｒｒ台の高
真空変圧排気し、支持体温度を２００℃圧　加熱した後
高純度Ａｒガスを導入し、０．５　Ｔｏ　ｒ　ｒの背圧
のもとで周波数１３．５６ＭＨ２、電力密度０．０４Ｗ
／ｉの高周波電力を印加し、１５分間の予備放電を行っ
た。　次いで、ＳｉＨ４、ＣＨ４及びＢ２Ｈ，（０，１
％Ａｒ希釈）からなる混合ガス（Ａｒ３：５ｉＨ４１：
ＣＨ４０，５：Ｂ、Ｈ６１０）（ＳｉＨ４に対するＢ２
Ｈ。

の濃度１０１００ｐｐをグルー放電分解し、２λ／時の
堆積連給で１５μｍ厚になるよ５にホルンドープドミー
８ＩＣ：Ｈ：Ｂ層２を形成した。　オージェ電子分光分
析の結果、この層中の炭素含有率は２０ａｔｏｍｌａチ
であった。

このようにして作製した本発明による感光体（以下試料
／１６１と、する。）Ｋ、正極性で６ｋＶのコロナ放電
を行ったところ、表面電位は＋５２０ｖｏｌｔであった
。　６秒間の暗減衰で＋４１５ｖｏｌｔとなり、次いで
１ｌｕｘの光照射忙より表面電位はほぼ直線的に減衰し
た。　この時の半減露光量は３．５　ｌｕｘ、。

１Ｉｅｃで、残留電位は２０ｖｏｌｔで、帯電・露光を
Ｚｏ。

回行ったが繰返し特性も非常に良好であった。

次いで、この感光体を用いて、小西六（株）製のＵＢｉ
ＸＶ−２型複写機の改造機を用いてコロナ放電で正極性
に帯電し、画像露光して靜電潜偉を形成し、磁気ブラシ
法でマイナス極性のトナーにより現儂した後、普通紙に
転写するプロセスを連続５万回繰返しても画像濃度が高
く、かぶりのない鮮明な画像を得ることができた。

比較例　１ 反応ガスとしてＢ２Ｈ６を　混合しない以外は実施例１
と同様な製法により、ＡＩ支持体上にａ−８ｉＣ：Ｈ層
を厚さ１５）１ｍｌＣ製膜した。

この感光体（以下、試料７ｇ６３とする。）を用いて実
施例１と同様のテストを行った結果、表面電位３９０ｖ
ｏｌｔで、暗減衰後２７０ｖｏｌｔ半減露光量が４１ρ
ｕｘ・８ｅｃ　であり、偉形成時の最高画像濃度が低く
かった。

実施例　２ 第４図の真空蒸着槽４１を用いてＡＩ基板ｌ上に、電荷
保持及び電荷輸送用アルミニウムドープドａ−８ｉＣ：
Ｈ：Ａ１層５２を形成し、さらにこの上に光導電層とし
てのａ−８ｉ：Ｈ層６３を形成した。

即ち、前記槽４１を真空ポンプにより１０＝Ｔｏｒｒに
排気し、この槽４１内に第５図の放電装置４７を用いて
放電活性化した水素ガス（１００ｃｃ／ｍｍの流量）の
外圧、導入管５０よりメタンガス（３Ｑｃｃ／ｒｔｉｓ
の流量）を導入し、シリコン蒸発源４８及びＡｌ蒸発源
４９を電子銃加熱して蒸発せしめ、シリコン蒸発量とＡ
１蒸発量をクリスタルモニターで検知しながら１０．１
の比（８１の蒸発量に対するＡ１の蒸発量濃度は１００
１１％）Ｋなるよう忙し、基板電圧−２ｈｖ。

基板゛温度３００℃で蒸着し、２０．ｔ＋ｍ厚のａ−８
ＩＣ：Ｉ（：ＡＩ層５２（炭素含有率２０ａｔｏｍｉａ
％）友形成した。

次に、メタンガス導入を止め、Ａ１蒸着源１２のシ更に
、繰返しコピ□−においても、５万回まで鮮明な高濃度
画像が得られる。　これ忙対し、試料層３及び４のもの
では、電位、暗減衰、光感度共に悪く、繰返し特性も著
しく劣ることが分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示的に説明するものであって、第１図
はグロー放電装置の概略断面図、第２図は同装置で作成
された感光体の要部断面図、 第３図はＢ２Ｈｓ／５ＩＨ４（流量比）によるａ−８ｉ
　Ｃ：Ｈの暗抵抗率変化を示すグラフ、 第４図は蒸着装置の概略断面図、 第５図は同装置の放電部の断面図、 第６図は同装置で作成された感光体の要部断面面図 である。 なお、図面に示されている符号釦おいて、１・・・・・
・・・・・・・・・・基板２・・・・・・・・・ホルン
ドープドミー８ＩＣ：Ｈ層１１・・・・・・・・・・・
・・・・真空槽１７・・・・・・・・・・・・・・・高
周波電極３１・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物
供給源３２・・・・・・・・・ガス状炭素化合物供給源
３３・・・・・・・・・キャリアガス供給源３４・・・
・・・・・・ジボランガス供給源４１・・・・・・・・
・ペルジャー ４７．５０・・・・・・・・・放電管 ４８・・・・・・・・・シリコン蒸発源４９・・・・・
・・・・フル４ニウム蒸発源５２・・・・・・・・・ア
ルミニウムドープドａ−８ＩＣ：Ｈ層５３・・・・・・
・・・ａ−８１：Ｈ層である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 ＠５回 第６図 子７［ 第８０ （自発）手続ネ市正書 １、事件の表示 昭和５７年　　特許　願第９８６６５号２、発明の名称 記録体 ３、？＠正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 （１）、特許請求の範囲を別紙の通シに訂正します。 、明細書第４頁下から２行目、第５頁１３行目の耐摩耗
性」を１耐摩耗性、耐コ四ナイオン性」夫々訂正します
。 （３）、同第５頁１０行目の「可視」を「赤外」と訂正
します。 （４）、同第７頁３〜５行目の「要求され・・・・・・
・・・・改善される。」を「要求される。」と訂正しま
す。 （５）、同第７頁７行目の「毒性大なる」を削除します
。 （６）、同第７頁１４〜１５行目の「感光体・・・・・
・・・・感光体の」を「感光体も」と訂正します。 （７）、同第７頁末行の「改質〕を「応用」と訂正しす
０ 、同第８頁８〜１０行目の［このように・・・・・・・
・・できｗ□Ｊを削除します。 （９）、同第９頁５行目の「０．１　％アルゴン希釈」
を除します。 、同第１０頁４行目のｒ　ａ−ｓｉニーＸＣＸ：ＨＪを
ａ　−ＳＬ　−ｘｃｘ　：　ＨＪと訂正します。 Ｉ、同第１２頁下から２行目〜第１３頁１行目の「表面
電位・・・・・・してしまう。」を「光照射により生じ
た電荷担体（キャリア）の支持体１への到達率が低下し
てし才う。」と訂正し捷す。 （ｌｚ１同第同第１ツ と訂正します。 ａ３，同第１７頁４行目の「赤色光」を「赤色光（光量
＝　１ｘ　ｔｏ”　ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ”　・５ｅｅ
）　Ｊ　　と訂正します。 （Ｉ（、同第エフ頁１０行目及び１１行目の「５０００
　Ｊ　　を「２５００」と夫々訂正します。 ０り、同第１７頁１６〜１８行目の「感光層・・−・・
・・・・・・である。、」を「その膜厚は最大８０μｍ
とされる。」と訂正します。 Ｌ同第１８ｉ１１行目〕「カス」を［ガスやＣＦ４　ｊ
と訂正します。 Ｑ７）、同第１８頁１５行目の「第８図」を「第８図及
び第９図１と訂正します。 （Ｉ８、同第１９頁６行目）「６００〜８５０」を１〜
６５ｏ」と訂正します。 ０、同第２０頁１３行目の「（０．１％Ａｒ希釈）」を
削除します。 （イ）、同第２２頁１行目の「４１」を「４１」　と訂
正します。 に））、同第器頁１１〜１２行目の「エレクトロメータ
」を［エレクトロメータＳ　Ｐ　−　４２８　Ｊと訂正
します〇−以　上− 特許請求の範囲。 １、　アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層を具備し、この層に周期律表第１１１Ａ族元素が
含有せしめられることによって、暗抵抗率が１０１ｓΩ
−百となるように構成したことを特徴とする記録体。 ２、暗抵抗率が１０１４Ω−σ以上である、特許請求の
範囲の第１項に記載した記録体。 ３、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期律表第■Ａ族元素を
供給する第２の反応ガスを１０〜５００ｐｐｍの濃度で
供給し、これら両反応ガスを炭素原子供給ガスと共にグ
ロー放電分解せしめることによって、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化シリコン層が形成される、特
許請求の範囲の第１項又は第２項に記載した記録体。 ４、　シリコン蒸気に対し周期律表第１１１Ａ族元素の
蒸気を１０〜５００ｐｐｍの濃度にし、水素原子及び／
又は７）素原子及び炭素原子の混入下で蒸着を行なうこ
とによって、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
リコン層が形成される、特許請求の範囲の第１項又は第
２項に記載した記録体。 ５、周期律表第■Ａ族元素がボロン又はアルミニウムで
ある、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項
に記載した記録体。 ６、　アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の炭素原子含有率が】０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　
％である、　特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれ
か１項に記載した記録体。 ７、　アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ａ〜８０μｍである、特許請求の範
囲の第１項〜第６項のいずれか１項に記載した記録体。 ８　第１及び第２のアモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化シリコン層が光導電層の上、下に夫々形成され
、前記第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層の厚みが５０Ａ〜９、光導電層の厚みが５
ｏｏｏ　Ｘ〜８０μｍであり、第２のアモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化１０　　光導電層の厚みが１
．０ＯＯＡ〜５μｍであり、第２のアモルファス水素化
及び／又はフッ素化炭化６２５−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ン層を具備し、この層に周期律表第１［ＩＡ族元素が含
   有せしめられることによって、暗抵抗率が１０１３Ω−
   α以上となるように構成したことを特徴とする記録体。 ２、暗抵抗率が１０　Ω−α以上である、特許請求の範
   囲の第１項に記載した記録体。 ３、シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供給
   する第１の反応ガス忙対し、周期律表第■Ａ族元素を供
   給する第２０又応ガスを１０〜５００ｐｐｍの濃度で供
   給し、これら副反応ガスを炭素原子供給ガスと共にグル
   ー放電分解せしめることによって、アモルファス水素化
   及び／又は７ツ素化炭化シリコン層が形成される、特許
   請求の範囲の第１項又は第２項に記載した記録体。 ４、シリコン蒸気に対し周期律表第１Ｉ［Ａ族元素の蒸
   気を１０〜５００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子及び／
   又はフッ素原子及び炭素原子の混入下で蒸着を行な５こ
   とによりて、７モル７アス水素化及び／又はフッ素化シ
   リコン層が形成される、特許請求の範囲の第１項又は第
   ２項に記載した記録体。 ５、周期律表第１ＩＩＡ族元素がボロン又はアルミニウ
   ムである、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか
   １項に記載した記録体。 ６、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ン層の炭素原子含有率が１０〜９０ａｔｏｍｌｃチであ
   る、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に
   記載した記録体。 ７、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ン層の厚みが５０ｘ〜８０，１Ｊｒｎ　　である、特許
   請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか１項に記載した
   記録体。 々形成され、前記第１のアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコン層の厚みが５０Ｘ〜５０００Ｘの
   範囲に選択されている、特許請求の範囲の第１項〜第７
   項のいずれが１項に記載した感光体。 ９、光導電層の厚みが５．０ＯＯＸ〜８０．ａｍであり
   、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シ
   リコン層の厚みが５０χ〜５０００χである、特許請求
   の範囲の第８項に記載した感光体。 １０、光導電層の厚みがｘｏｏｏＸ〜５．ｕｍであり、
   第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
   コン層の厚みが５０００Ｘ〜８０声ｍである、特許請求
   の範囲の第８項に記載した感光体。