JPS61110152A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS61110152A JPS61110152A JP59232879A JP23287984A JPS61110152A JP S61110152 A JPS61110152 A JP S61110152A JP 59232879 A JP59232879 A JP 59232879A JP 23287984 A JP23287984 A JP 23287984A JP S61110152 A JPS61110152 A JP S61110152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- amorphous silicon
- consisting essentially
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ニアモルファスシリコン中ケルマニウム系の感光
体に関する。
体に関する。
従来の技術
アモルファスシリコンゲルマニウム（Ｊ：Ｊ、下ａ −
５ｉ：Ｇｅ ト記ｔ ） ｎ 、アモルファスシリコ／
（以下、ａ−３ｉと記す）１こ比べ光学的バッドギャッ
プが小さくなるため、長波長光）こ対する吸収か高くな
り、従って、キャリアも多く発生し、長波長光に対する
感度を向上させるため、半導体レーザーを応用したプリ
ンター用感光体として将来が嘱望されている。さらに、
短波長感度も損なわれないため露光ランプの発光スペク
トルの調整によりＰＰＣへの応用も可能である。また、
λ−５ｉ：Ｇｅ層での長波長光の吸収がよいため、従来
のアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）感光体において、
しばしばみられる光の干渉による画像の乱れが少ないと
言った優れた特徴がある。
５ｉ：Ｇｅ ト記ｔ ） ｎ 、アモルファスシリコ／
（以下、ａ−３ｉと記す）１こ比べ光学的バッドギャッ
プが小さくなるため、長波長光）こ対する吸収か高くな
り、従って、キャリアも多く発生し、長波長光に対する
感度を向上させるため、半導体レーザーを応用したプリ
ンター用感光体として将来が嘱望されている。さらに、
短波長感度も損なわれないため露光ランプの発光スペク
トルの調整によりＰＰＣへの応用も可能である。また、
λ−５ｉ：Ｇｅ層での長波長光の吸収がよいため、従来
のアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）感光体において、
しばしばみられる光の干渉による画像の乱れが少ないと
言った優れた特徴がある。
この様な特徴から感光体にａ −Ｓｉ：Ｇｅを用いる多
くの研究がなされている。
くの研究がなされている。
例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報ＩＣは感光層
全域にａ−５ｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８−１
７１０３９号公報誓こは感光体ベース側にａ −Ｓｉ：
Ｇｅを設けた技術が、特開昭５６−１５０７５３号公報
にはλ−８１：Ｇｅを二層構成の感光体の表面側及び／
またはベース側に設ける技術がそれぞれ開示されている
が、いずれもλ−５ｉ：Ｇｅ１ｉを上下二層に分離し間
１こａ−５ｉ層を設ける提案になされていない。
全域にａ−５ｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８−１
７１０３９号公報誓こは感光体ベース側にａ −Ｓｉ：
Ｇｅを設けた技術が、特開昭５６−１５０７５３号公報
にはλ−８１：Ｇｅを二層構成の感光体の表面側及び／
またはベース側に設ける技術がそれぞれ開示されている
が、いずれもλ−５ｉ：Ｇｅ１ｉを上下二層に分離し間
１こａ−５ｉ層を設ける提案になされていない。
例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報並びに特開昭
５６−１５０７５３号公報でに感光層全域にａ−５ｉ：
Ｇｅ層を形成しているか、本来、 １−５ ｉ ：Ｇｅ
はμτか小さく、キャリアの輸送効率が低い欠点があり
、これを感光層全域に設けると、発生したキャリアかλ
−５ｉ：Ｇｅ層）こトラップされ感度が低下するのみな
らず、光疲労や残留電位の原因１こなる。
５６−１５０７５３号公報でに感光層全域にａ−５ｉ：
Ｇｅ層を形成しているか、本来、 １−５ ｉ ：Ｇｅ
はμτか小さく、キャリアの輸送効率が低い欠点があり
、これを感光層全域に設けると、発生したキャリアかλ
−５ｉ：Ｇｅ層）こトラップされ感度が低下するのみな
らず、光疲労や残留電位の原因１こなる。
また、特開昭５８−１７１０３９号公報や特開昭５６−
１５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ層を感光層のベース側に用いると短波長光に
より感光体表面付近に励起されたキャリア及び長波長光
ｆこより感光体ベース付近に励起されたキャリアが互い
に匹敵する量となり感光体バルク中をこれらのキャリア
かそれぞれ表面側からベース側及びベース側から表面側
へ交錯して移動することになる。この時、両キャリアは
反対極性を有する事から不純物の添加等奢こよりバルク
の極性制御を行ない、ホール及びエレクトロンの輸送性
の調整を行な２うとしでも一長一短となり、結果、満足
な輸送性は得られず、好適な感度を得ることばできない
。また、干渉現象を抑えるため、ａ −５ｉ：Ｇｅ層を
厚くしたり、含まれるＧｅ ９度を高くすると、長波長
光で励起されたキャリアがトラッピングによりａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ層を抜は出すことができず、感度に寄与でき
ないばかりか、λ−５ｉ：Ｃｒｅ［熱励起キャリアを多
く発生する事から帯電能の低下を招く。
１５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ層を感光層のベース側に用いると短波長光に
より感光体表面付近に励起されたキャリア及び長波長光
ｆこより感光体ベース付近に励起されたキャリアが互い
に匹敵する量となり感光体バルク中をこれらのキャリア
かそれぞれ表面側からベース側及びベース側から表面側
へ交錯して移動することになる。この時、両キャリアは
反対極性を有する事から不純物の添加等奢こよりバルク
の極性制御を行ない、ホール及びエレクトロンの輸送性
の調整を行な２うとしでも一長一短となり、結果、満足
な輸送性は得られず、好適な感度を得ることばできない
。また、干渉現象を抑えるため、ａ −５ｉ：Ｇｅ層を
厚くしたり、含まれるＧｅ ９度を高くすると、長波長
光で励起されたキャリアがトラッピングによりａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ層を抜は出すことができず、感度に寄与でき
ないばかりか、λ−５ｉ：Ｃｒｅ［熱励起キャリアを多
く発生する事から帯電能の低下を招く。
さらに、特開昭５６−１５０７５３号公報１こ記載され
ているごとく、λ−５ｉ：Ｇｅ層を表面側に配置すると
、干渉現象を抑えるため、λ−５ｉ：Ｇｅｉ＠を厚（し
たり、含まれるＧｅ ａ度を高くすると、短波長光で励
起されたキャリアが上記と同様の理由により、感度１こ
寄与できず、また、帯電能の低下を招く。
ているごとく、λ−５ｉ：Ｇｅ層を表面側に配置すると
、干渉現象を抑えるため、λ−５ｉ：Ｇｅｉ＠を厚（し
たり、含まれるＧｅ ａ度を高くすると、短波長光で励
起されたキャリアが上記と同様の理由により、感度１こ
寄与できず、また、帯電能の低下を招く。
以上の理由から、上記の従来技術はλ−５ｉ：Ｇｅの優
れた特性を十分に生かしきっていない。
れた特性を十分に生かしきっていない。
一方、特開昭５８−１５４８５０号公報にに３−５ｉ：
Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが、
この技術４ ａ −Ｓｉ ：Ｇｅの三層へテロ結合によ
り長波長光まで光感度を有し、導電型及び比抵抗を大幅
に制御できる感光体を得ることを目的とするものであり
、ａ−５ｉ：Ｇｅを用い・た際問題となるキャリアの輸
送効率の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電
位等の問題を解決する手段としてλ−５ｉ：Ｇｅ層を分
離して、間にａ−５ｉ層を配置する教示は全くない。ま
た、干渉現象防止並びに帯電能保持のための１−５ｉ：
Ｇｅ層の膜厚並びにｃｅ＃ｆについての教示も全くない
。
Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが、
この技術４ ａ −Ｓｉ ：Ｇｅの三層へテロ結合によ
り長波長光まで光感度を有し、導電型及び比抵抗を大幅
に制御できる感光体を得ることを目的とするものであり
、ａ−５ｉ：Ｇｅを用い・た際問題となるキャリアの輸
送効率の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電
位等の問題を解決する手段としてλ−５ｉ：Ｇｅ層を分
離して、間にａ−５ｉ層を配置する教示は全くない。ま
た、干渉現象防止並びに帯電能保持のための１−５ｉ：
Ｇｅ層の膜厚並びにｃｅ＃ｆについての教示も全くない
。
さらに、特開昭５７−１１５５５２号公報（こもλ−３
ｉと１−５ｉ：Ｇｅを組み合わせた感光体が記載されて
いるが、本発明とは構成が全く異なり、また上記同様に
干渉現象並びに帯電能１こ関する教示は全くない。
ｉと１−５ｉ：Ｇｅを組み合わせた感光体が記載されて
いるが、本発明とは構成が全く異なり、また上記同様に
干渉現象並びに帯電能１こ関する教示は全くない。
発明が解決しようとする問題点
前述のこと（、λ−５ｉ：Ｇｅは、ａ−５ｉに比べ光学
的バンドギャップが小さくなるため、長波長光に対する
吸収か高（なり゛、従って、キャリアも多く発生し、長
波長感度を向上させる性質を有するようになる。
的バンドギャップが小さくなるため、長波長光に対する
吸収か高（なり゛、従って、キャリアも多く発生し、長
波長感度を向上させる性質を有するようになる。
反面、ただ単１こＧｅをドープするだけでに、感光体と
しては全く機能しない性質を有するようになる。例えば
、無作為にＧｅを高ドープすると、バンドギャップ中の
不純物レベルが増大し、感光体の生命とも言うべき帯電
能の低下を招き、好適な静電潜像が得られなくなってし
まう。
しては全く機能しない性質を有するようになる。例えば
、無作為にＧｅを高ドープすると、バンドギャップ中の
不純物レベルが増大し、感光体の生命とも言うべき帯電
能の低下を招き、好適な静電潜像が得られなくなってし
まう。
さらに、λ−５ｉ：Ｇｅｈキャリア発生数に増大するも
のの、発生したキャリアの移動を阻害してしまう性質を
有するため、不用意にＧｅ添加量を増大したり、ａ −
Ｓｉ：Ｇｅ層の膜厚を厚くしてしまうと、キャリアが移
動できず、従って感度低下、残留電位の発生等を招き、
加えて除電も十分に行なわれないため、メモリー発生等
の電子写真には極めて不都合な結果をもたらしてしまう
。
のの、発生したキャリアの移動を阻害してしまう性質を
有するため、不用意にＧｅ添加量を増大したり、ａ −
Ｓｉ：Ｇｅ層の膜厚を厚くしてしまうと、キャリアが移
動できず、従って感度低下、残留電位の発生等を招き、
加えて除電も十分に行なわれないため、メモリー発生等
の電子写真には極めて不都合な結果をもたらしてしまう
。
一方、レーザービームブリ／ター等のコヒーレット光を
光源とした電子写真法においては、干渉現象の発生を抑
えるために十分な長波長光吸収を行なう必要がある。
光源とした電子写真法においては、干渉現象の発生を抑
えるために十分な長波長光吸収を行なう必要がある。
本発明は、ａ −Ｓｉ：Ｇｅを用いる感光体における上
記問題を解決し、λ−５ｉ：Ｇｅの有する優れた特性を
備えた感光体を得ることを目的とする。
記問題を解決し、λ−５ｉ：Ｇｅの有する優れた特性を
備えた感光体を得ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
前述のごとく、ａ −Ｓｉ：Ｇｅ Ｉｄキャリアの移動
性が低いと言う欠点があり、従って、λ−５ｉ：Ｇｅ層
を厚くすると感度低下や残留電位の問題を生ずる。
性が低いと言う欠点があり、従って、λ−５ｉ：Ｇｅ層
を厚くすると感度低下や残留電位の問題を生ずる。
逆に１−５ｉ：Ｇｅ層を薄くすると、２１− Ｓ ｉ
：Ｇｅ層の特性の十分に発揮させることができず、また
長波長コヒーレント光による干渉現象を抑えることがで
きない。
：Ｇｅ層の特性の十分に発揮させることができず、また
長波長コヒーレント光による干渉現象を抑えることがで
きない。
本発明は、導電性基板上【こアモルファスシリコノゲル
マニウムを母体とした層、アモルファスシリコ／を母体
とした層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体と
した層を順次積層した電子写真用感光体に関する。
マニウムを母体とした層、アモルファスシリコ／を母体
とした層、アモルファスシリコンゲルマニウムを母体と
した層を順次積層した電子写真用感光体に関する。
ここで、アモルファスシリコンを母体とする４トハ単に
アモルファスシリコノのみでなく、これに適当なヘテロ
原子、例えば、０．Ｎ、Ｃ：、Ｂ、Ｐ等を含む層を言い
、こちらを含めてａ −Ｓ ｉ （層）と表現スル。ア
モルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層につい
ても同様である。
アモルファスシリコノのみでなく、これに適当なヘテロ
原子、例えば、０．Ｎ、Ｃ：、Ｂ、Ｐ等を含む層を言い
、こちらを含めてａ −Ｓ ｉ （層）と表現スル。ア
モルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層につい
ても同様である。
第１２は本発明Ｉこ係る感光体の構成を示し、導ｔ 性
基板（１１上ににアモルファスシリコ／・ゲルマもラム
を母体とする第１ ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（２）、アモル
ファスシリコノを母体とするａ−５ｉ層（３）及びアモ
ルファスシリコン・ゲルマニウムを母体とすル第２ａ
−Ｓｉ ：Ｇｅ層（４）が順次積層して構成され、上記
各層は互いに機能を分担して形成されること昼こより機
能分離型の感光体を構成している。尚、後述するが第２
ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）上には型番こ必要に応じて
透光性表面保護層を形成してもよい。
基板（１１上ににアモルファスシリコ／・ゲルマもラム
を母体とする第１ ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（２）、アモル
ファスシリコノを母体とするａ−５ｉ層（３）及びアモ
ルファスシリコン・ゲルマニウムを母体とすル第２ａ
−Ｓｉ ：Ｇｅ層（４）が順次積層して構成され、上記
各層は互いに機能を分担して形成されること昼こより機
能分離型の感光体を構成している。尚、後述するが第２
ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）上には型番こ必要に応じて
透光性表面保護層を形成してもよい。
以下、上記各層の具体的構成及び８！能について詳述す
るが、下記説明（こおいて各層を構成する組成の含有量
［、ＧｅＨこついて１４ Ｓ ｉ原子数とＧｅ原子数の
総和１こ対するＧｅ原子数の百分率を、ＢとＰは５ｉＥ
（４量に対するＢ２Ｈ６乃至ｔ６ＰＨ３添加量の標準条
件下での体積比、０、（Ｃ，Ｎ、Ｆ）はＳｉ原子数と０
（Ｃ，Ｎ、Ｆ）原子数の総和）こ対するＯ（Ｃ，Ｎ、Ｆ
）原子数の百分率を意味する。
るが、下記説明（こおいて各層を構成する組成の含有量
［、ＧｅＨこついて１４ Ｓ ｉ原子数とＧｅ原子数の
総和１こ対するＧｅ原子数の百分率を、ＢとＰは５ｉＥ
（４量に対するＢ２Ｈ６乃至ｔ６ＰＨ３添加量の標準条
件下での体積比、０、（Ｃ，Ｎ、Ｆ）はＳｉ原子数と０
（Ｃ，Ｎ、Ｆ）原子数の総和）こ対するＯ（Ｃ，Ｎ、Ｆ
）原子数の百分率を意味する。
入射光側から説明するに、第２ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４
）はその膜厚が約４μｍ以下、好ましくｒｒ、ｉ乃至２
．５μｍに形成すれ、アモルファスシリコン・ゲルマニ
ウムを母体として’Ｇｅを約４ＱａＬ％以下、好ましく
Ｖ″ｓ、１５乃至３５ａ（％含有する。この第２ａ−ｓ
ｉ：Ｇｅ層（４）ハ光励起キャリアを効率よく発生する
機能を備えた層で、ａ−５ｉ：Ｇｅの光学的バッドギヤ
ツブがａ−５ｉに比して小さいことから、６００乃至７
００ｎｍ ａ上の長波長光（低エネルギー光）に対して
も効率よくキャリア発生か行われる。従って感度の向上
、取り分は長波長光に対する感度の向上か達成される。
）はその膜厚が約４μｍ以下、好ましくｒｒ、ｉ乃至２
．５μｍに形成すれ、アモルファスシリコン・ゲルマニ
ウムを母体として’Ｇｅを約４ＱａＬ％以下、好ましく
Ｖ″ｓ、１５乃至３５ａ（％含有する。この第２ａ−ｓ
ｉ：Ｇｅ層（４）ハ光励起キャリアを効率よく発生する
機能を備えた層で、ａ−５ｉ：Ｇｅの光学的バッドギヤ
ツブがａ−５ｉに比して小さいことから、６００乃至７
００ｎｍ ａ上の長波長光（低エネルギー光）に対して
も効率よくキャリア発生か行われる。従って感度の向上
、取り分は長波長光に対する感度の向上か達成される。
後述する干渉現象防止の機能をこの第２ａ−５ｉ ：Ｇ
ｅ層に付加する］こｉＧｅの濃度を高（するか、膜厚を
厚くすればよい。しかし、前者の場合、３−５ｉ：Ｇｅ
か元来有する熱励起キャリアを多（発生する性質を増長
してしまい帯電能の低下及び光疲労の発生を招いてしま
い、一方、後者の場合ａ−５ｉ：ＧＣが元来有するトラ
ッピ／グセンターを多く有する性質を増長してしまい層
内にキャリアを捕獲してしまい却って感度低下を招いた
り、残留電位を発生してしまう。従って、水層に干渉防
止機能を持たせる事に非常に困難である。この意味にお
いて、Ｇｅは４ＱａＬ％以下、膜厚は４μｍ以下とする
のが望ましい。
ｅ層に付加する］こｉＧｅの濃度を高（するか、膜厚を
厚くすればよい。しかし、前者の場合、３−５ｉ：Ｇｅ
か元来有する熱励起キャリアを多（発生する性質を増長
してしまい帯電能の低下及び光疲労の発生を招いてしま
い、一方、後者の場合ａ−５ｉ：ＧＣが元来有するトラ
ッピ／グセンターを多く有する性質を増長してしまい層
内にキャリアを捕獲してしまい却って感度低下を招いた
り、残留電位を発生してしまう。従って、水層に干渉防
止機能を持たせる事に非常に困難である。この意味にお
いて、Ｇｅは４ＱａＬ％以下、膜厚は４μｍ以下とする
のが望ましい。
上記第２ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）は感光体の帯電能向
上、即ち層の高抵抗化を［Ｆ］る目的で酸素を゛含有す
ることが特（こ望ましく、その含有量は約０．０５乃至
５１（％、好ましくは０．１乃至２ ａｔｏｍｉｃ％で
０．０５ａＬ％以下では帯電能が向上せず５ ａｔｏｍ
ｉｃ％以上では感度の低下が著しいからである、尚、酸
素と併用して炭素を１０乃至６０ａｃ％含有してもよく
帯電能向上１こより効果的である、また第２ ａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ層（４）にキャリア発生層であるからその層
で発生した正孔乃至は電子を効率よく速やかに基板側に
移動する必要がある。つまり感光体を正帯電するときは
正孔を、負帯電するときは電子の移動を促進することが
必要で、この目的のため番こ周期律表第［ＩＡ族不純物
、特に硼素（Ｂｌを２００ ｐｐｍまで（好ましくは３
〜ｉｏｏ ｐｐｍ ）またに周期律表第ＭＡ族不純物、
特に燐（Ｐｌを５０ｐｐｍ ｔで（好ましく ｔｒｙ
１〜２０ｐｐｍ ）含有する。これによって第２ａ −
Ｓｉ：Ｇｅ層ｔ４）ＵＢの添加によりＰ型に、Ｐの添加
によってｎ型に極性制御され五孔、電子に効率よく下層
のａ−５ｉ層（３）へ輸送される。もつとも第２ ａ
−Ｓｉ：Ｇｅ層（４）は第［ｌＡ族または第ＹＡ族不純
物を含まない形態でもｉ型乃至弱いｎ型を特性を示し、
且つ膜厚も４μｍ以下と薄膜であるので上記不純物は帯
電極性にかかわらず含有する必要がない。
上、即ち層の高抵抗化を［Ｆ］る目的で酸素を゛含有す
ることが特（こ望ましく、その含有量は約０．０５乃至
５１（％、好ましくは０．１乃至２ ａｔｏｍｉｃ％で
０．０５ａＬ％以下では帯電能が向上せず５ ａｔｏｍ
ｉｃ％以上では感度の低下が著しいからである、尚、酸
素と併用して炭素を１０乃至６０ａｃ％含有してもよく
帯電能向上１こより効果的である、また第２ ａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ層（４）にキャリア発生層であるからその層
で発生した正孔乃至は電子を効率よく速やかに基板側に
移動する必要がある。つまり感光体を正帯電するときは
正孔を、負帯電するときは電子の移動を促進することが
必要で、この目的のため番こ周期律表第［ＩＡ族不純物
、特に硼素（Ｂｌを２００ ｐｐｍまで（好ましくは３
〜ｉｏｏ ｐｐｍ ）またに周期律表第ＭＡ族不純物、
特に燐（Ｐｌを５０ｐｐｍ ｔで（好ましく ｔｒｙ
１〜２０ｐｐｍ ）含有する。これによって第２ａ −
Ｓｉ：Ｇｅ層ｔ４）ＵＢの添加によりＰ型に、Ｐの添加
によってｎ型に極性制御され五孔、電子に効率よく下層
のａ−５ｉ層（３）へ輸送される。もつとも第２ ａ
−Ｓｉ：Ｇｅ層（４）は第［ｌＡ族または第ＹＡ族不純
物を含まない形態でもｉ型乃至弱いｎ型を特性を示し、
且つ膜厚も４μｍ以下と薄膜であるので上記不純物は帯
電極性にかかわらず含有する必要がない。
λ−５ｉ層（３）はその膜厚が１０乃至１００μｍ、好
ましくは２０乃至４５μｍに形成され、上記第２ａ−５
ｉ：Ｇｅ層（４）で発生したキャリアを効率よく基板側
に輸送するための層である。もっともこのλ−５ｉ層（
３）は第’ｌ ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）を通過する一
部の長波長光により若干のキャリア発生も行われ感度向
上に寄与しているが基本的な機能はキャリアの輸送であ
る。尚、このλ−５ｉ層（３）にＧｅを含めれば一見感
度向上する力目こ見えるが、ａ −Ｓｉ：Ｇｅ Ｉｄ
トラッピノグセノター密度が高いことから、逆ｆこキャ
リアがトラップされる確率が増大し、結果として感度低
下、残留電位の発生等を招く。この意味において、水層
はａ−５ｉ層でなくてはならない。
ましくは２０乃至４５μｍに形成され、上記第２ａ−５
ｉ：Ｇｅ層（４）で発生したキャリアを効率よく基板側
に輸送するための層である。もっともこのλ−５ｉ層（
３）は第’ｌ ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）を通過する一
部の長波長光により若干のキャリア発生も行われ感度向
上に寄与しているが基本的な機能はキャリアの輸送であ
る。尚、このλ−５ｉ層（３）にＧｅを含めれば一見感
度向上する力目こ見えるが、ａ −Ｓｉ：Ｇｅ Ｉｄ
トラッピノグセノター密度が高いことから、逆ｆこキャ
リアがトラップされる確率が増大し、結果として感度低
下、残留電位の発生等を招く。この意味において、水層
はａ−５ｉ層でなくてはならない。
上記ａ−５ｉ層（３）ニ感光体の帯電能向上のために前
述した第２ａ −Ｓ ｉ ：Ｇｅ ｌｉ （４１の場合
と同様］こ、約０．０５乃至５ａｔ％、好ましく Ｈ０
，１乃至２ ａｔ％の酸素を含有するのか望ましい。特
１ここの層にそれ自体の膜厚か約ｌＯ乃至１００μｍと
厚いこととも相俟って感光体の電荷の保持を保証するも
のである。
述した第２ａ −Ｓ ｉ ：Ｇｅ ｌｉ （４１の場合
と同様］こ、約０．０５乃至５ａｔ％、好ましく Ｈ０
，１乃至２ ａｔ％の酸素を含有するのか望ましい。特
１ここの層にそれ自体の膜厚か約ｌＯ乃至１００μｍと
厚いこととも相俟って感光体の電荷の保持を保証するも
のである。
また、この様に比較的膜厚が厚いことと関連して、ａ−
５ｉ層（３）ハキャリアを確実に基板側に輸送すること
を保証する目的で、帯電極性に応じて周期律表第［ＩＡ
族不純物、特に硼素、または第ＹＡ族不純物、特に燐を
添加するのが望ましい。硼素は約２００ ｐｐｍま℃で
好ましくは３乃至ｔｏｏ ｐｐｌｎ 、燐は約５０ｐｐ
ｍまでで好ましくは１乃至２０ｐｐｍ含有することかで
き、これ番こよりａ−５ｉ層は極性調整されて旧札乃至
に電子の輸送を確実に行う。
５ｉ層（３）ハキャリアを確実に基板側に輸送すること
を保証する目的で、帯電極性に応じて周期律表第［ＩＡ
族不純物、特に硼素、または第ＹＡ族不純物、特に燐を
添加するのが望ましい。硼素は約２００ ｐｐｍま℃で
好ましくは３乃至ｔｏｏ ｐｐｌｎ 、燐は約５０ｐｐ
ｍまでで好ましくは１乃至２０ｐｐｍ含有することかで
き、これ番こよりａ−５ｉ層は極性調整されて旧札乃至
に電子の輸送を確実に行う。
ａ−５ｉ層（３）ａ更（こ感光体としての全体の帯電能
向上のため（こ、約０．０５乃至５ａｔ％、好ましくは
０．１乃至２ ａＬ％の酸素を含有する。酸素の含有量
を０．０５１Ｌ％以上とするのに、それ以下では暗抵抗
が増大せず帯電能が向上せず、また５ ａｔ％以上とす
ると残留電位が発生し感度低下が避けられないためであ
る。
向上のため（こ、約０．０５乃至５ａｔ％、好ましくは
０．１乃至２ ａＬ％の酸素を含有する。酸素の含有量
を０．０５１Ｌ％以上とするのに、それ以下では暗抵抗
が増大せず帯電能が向上せず、また５ ａｔ％以上とす
ると残留電位が発生し感度低下が避けられないためであ
る。
基板上に形成される第１ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（２）は上
述した第２ ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）及びａ−５ｉ層
（３）テ吸収されきれず透過してきた光（主に長波長光
）を略完全に吸収する層で干渉パター７の発生を確実に
防止する。即ち、この第１ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（２）が
無く、λ−５ｉ層（３）が直接基板上に形成されている
場合、透過光は基板表面で反射し感光体内を表面に向か
って罠ってい（。このとき、光源がコヒーレント光（例
えば７８０ ｎｍ近辺の波長の半導体レーザー光）であ
ると干渉現象を起こし、結果として複写画像に干渉パタ
ーンを形成してしまう。
述した第２ ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（４）及びａ−５ｉ層
（３）テ吸収されきれず透過してきた光（主に長波長光
）を略完全に吸収する層で干渉パター７の発生を確実に
防止する。即ち、この第１ａ −Ｓｉ：Ｇｅ層（２）が
無く、λ−５ｉ層（３）が直接基板上に形成されている
場合、透過光は基板表面で反射し感光体内を表面に向か
って罠ってい（。このとき、光源がコヒーレント光（例
えば７８０ ｎｍ近辺の波長の半導体レーザー光）であ
ると干渉現象を起こし、結果として複写画像に干渉パタ
ーンを形成してしまう。
従ッテコノ第１ ａ −Ｓ ｉ ：Ｇｅ Ｊｌ（２）Ｈ
光吸収能に優れている必要があり、この意味１こおいて
、Ｇｅを１０ａｔ％以上、好ましくハ３０乃至４５ａ【
％含有し且つその膜厚も０．０５μｍ以上で通常２〜３
μｍである。
光吸収能に優れている必要があり、この意味１こおいて
、Ｇｅを１０ａｔ％以上、好ましくハ３０乃至４５ａ【
％含有し且つその膜厚も０．０５μｍ以上で通常２〜３
μｍである。
尚、この層Ｉこおいても光吸収に伴ないキャリア発生が
行われるか、基板近傍のため感度には殆ど寄与しない。
行われるか、基板近傍のため感度には殆ど寄与しない。
然る蚤こトラッピノグを考慮することな（Ｇｅの高濃度
化を図ることができ、光学的）（ンドギャップを小さく
し光吸収を効果的に行う。
化を図ることができ、光学的）（ンドギャップを小さく
し光吸収を効果的に行う。
第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層（２）に上述の通り、光吸収層と
して機能するが、第■Ａ族または第ＶＡ族不純物と酸素
または／及び炭素を含めることによって基板側からの電
荷の注入阻止に優れ且つ基板との接着性が著しく改善さ
れた層としても機能する。
して機能するが、第■Ａ族または第ＶＡ族不純物と酸素
または／及び炭素を含めることによって基板側からの電
荷の注入阻止に優れ且つ基板との接着性が著しく改善さ
れた層としても機能する。
具体的に第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層（２）は基板（１）から
電荷の注入を阻止するために感光体の帯電極性に応じて
Ｐ型乃至はＮ型に制御する必要がある。これに第１ａ−
５ｉ：Ｇｅ層は光学的バンドギヤ７ブが小さく、そのま
までは基板からの電荷の注入か避けられない。このため
、Ｐ型とするときは特に硼素を、Ｎ型とするときは特に
燐をドープすることＩこヨリ整流性が得られる。硼素ｒ
Ｉ′ｓ、ｌＯ乃至１１００００ｐｐ、好ましく ｉ−ｓ
、１ｏｏ乃至５００ ｐｐｍ含有することができ、燐は
５乃至２００ ｐｐｍ含有することができる。硼素、燐
とも上述したλ−５ｉＪｉ及び第２ ａ Ｓ ｉ ：
Ｇｅ層更１こは基板材質に基づく、画像ノイズの防止が
保証される。
電荷の注入を阻止するために感光体の帯電極性に応じて
Ｐ型乃至はＮ型に制御する必要がある。これに第１ａ−
５ｉ：Ｇｅ層は光学的バンドギヤ７ブが小さく、そのま
までは基板からの電荷の注入か避けられない。このため
、Ｐ型とするときは特に硼素を、Ｎ型とするときは特に
燐をドープすることＩこヨリ整流性が得られる。硼素ｒ
Ｉ′ｓ、ｌＯ乃至１１００００ｐｐ、好ましく ｉ−ｓ
、１ｏｏ乃至５００ ｐｐｍ含有することができ、燐は
５乃至２００ ｐｐｍ含有することができる。硼素、燐
とも上述したλ−５ｉＪｉ及び第２ ａ Ｓ ｉ ：
Ｇｅ層更１こは基板材質に基づく、画像ノイズの防止が
保証される。
第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層（２）は更に酸素または／及び炭
素を含有する。これは帯電能の向上のみならす基板との
接着性を改善するためで酸素は１乃至１り・。
素を含有する。これは帯電能の向上のみならす基板との
接着性を改善するためで酸素は１乃至１り・。
１１％で好ましくは２乃至５ ａｔ％、炭素ハ３０乃至
７０ａｔ％で好ましクハ４５乃至５５ａ（％含有される
。尚、酸素を１５ａ【％以下、炭素を７Ｑａｔ％以下と
するのにそれ以上では残留電位の上昇が顕著となるから
で、また夫々ｌλＬ％と３Ｑａｃ％以上でないと接着性
改善に効果を示さない。酸素、炭素は夫々単独で用いて
もよいし併用してもよく、後者の場合も夫々の含有量に
上記と同じでよい。
７０ａｔ％で好ましクハ４５乃至５５ａ（％含有される
。尚、酸素を１５ａ【％以下、炭素を７Ｑａｔ％以下と
するのにそれ以上では残留電位の上昇が顕著となるから
で、また夫々ｌλＬ％と３Ｑａｃ％以上でないと接着性
改善に効果を示さない。酸素、炭素は夫々単独で用いて
もよいし併用してもよく、後者の場合も夫々の含有量に
上記と同じでよい。
上述のように本発明）こ係る感光体の基本構成は基板上
に第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層（２）、ａ−５ｉ層（３）及び
第２ａ−８ｉ：Ｇｅ層（４）を順次積層してなるもので
あるが、λ−５ｉ ：Ｇｅ ｆｆ、、耐湿性に乏しいこ
とから耐湿性向上のため、型番こ汀帯電能向上のために
第２ａ−５ｉｓＧｅ層（４）上１（ａ−５ｉミラ体とす
る表面保護層を形成してもよい。この表面保護層ハエ０
０Ｓ乃至３μｍ、好ましく ｒｚ ｏ、ｉ乃至０．５μ
ｍの厚さに形成されａ−５ｉに加えてＣ，Ｎ、０、Ｆの
うちの少なくとも一元素を含有する、好ましい形態とし
ては少なくとも炭素を３０乃至７０ａ【％含む。更に必
要により酸素または窒素を１乃至１５ａＬ％、フッ素を
１乃至ｌＱ ａｔ％含有してもよい。
に第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層（２）、ａ−５ｉ層（３）及び
第２ａ−８ｉ：Ｇｅ層（４）を順次積層してなるもので
あるが、λ−５ｉ ：Ｇｅ ｆｆ、、耐湿性に乏しいこ
とから耐湿性向上のため、型番こ汀帯電能向上のために
第２ａ−５ｉｓＧｅ層（４）上１（ａ−５ｉミラ体とす
る表面保護層を形成してもよい。この表面保護層ハエ０
０Ｓ乃至３μｍ、好ましく ｒｚ ｏ、ｉ乃至０．５μ
ｍの厚さに形成されａ−５ｉに加えてＣ，Ｎ、０、Ｆの
うちの少なくとも一元素を含有する、好ましい形態とし
ては少なくとも炭素を３０乃至７０ａ【％含む。更に必
要により酸素または窒素を１乃至１５ａＬ％、フッ素を
１乃至ｌＱ ａｔ％含有してもよい。
以上の説明において、第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層（２）、ａ
−５ｉ層（３）、第２ａ−５ｉ：Ｇｅ層（４）ハ夫々第
１１１Ａ族または第ＹＡ族不純物を含有してもよいこと
は前述した通りであるが、不純物の添加は基本的に少な
くとも第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層とａ−５ｉ層が何れもＰ型
あるいはＮ型の同極になるよう調整され、第２ａ −５
ｉ ：Ｇｅ層はイノトリ／シックかやはり同極となるよ
うにする。然るに正帯電用として使用するときに各層と
もＰ型となるように硼素を、負帯電用として使用すると
きｎＮ型となるよう燐を添加する。但し第２ａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ ＠ｔｒ＠必らずしも不純物を含まなくても
よいことは前述した通りである。
−５ｉ層（３）、第２ａ−５ｉ：Ｇｅ層（４）ハ夫々第
１１１Ａ族または第ＹＡ族不純物を含有してもよいこと
は前述した通りであるが、不純物の添加は基本的に少な
くとも第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層とａ−５ｉ層が何れもＰ型
あるいはＮ型の同極になるよう調整され、第２ａ −５
ｉ ：Ｇｅ層はイノトリ／シックかやはり同極となるよ
うにする。然るに正帯電用として使用するときに各層と
もＰ型となるように硼素を、負帯電用として使用すると
きｎＮ型となるよう燐を添加する。但し第２ａ −Ｓ
ｉ ：Ｇｅ ＠ｔｒ＠必らずしも不純物を含まなくても
よいことは前述した通りである。
本発明に係る感光体に常法１こより製造することができ
、−例として容量結合型グロー放電分解装置を用いて製
造することができる。即ち、減圧チャ７パー（こ１００
乃至３００°Ｃに加熱した導電性基板を配置し、ＳｉＨ
４、ＳｉｚＨｇ等のシリコン系ガスとＧｅＨ４、Ｇｅｔ
Ｈａ等のゲルマニウム系ガスをＨ２、Ａｒ等の適当なキ
ャリアガス及び必要によりＢ ｚＨａ、ＰＨ３，０２、
Ｃ２Ｈ４等のガスを導入し基板とその周囲１こ配設した
電極間に高周波電力を印加してグロー放電を起こす。こ
れにより基板上に第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層を形成し、引き
続き導入ガスを選択してλ−５ｉ層と第２ａ−５ｉ：Ｇ
ｅ層を順次形成する。
、−例として容量結合型グロー放電分解装置を用いて製
造することができる。即ち、減圧チャ７パー（こ１００
乃至３００°Ｃに加熱した導電性基板を配置し、ＳｉＨ
４、ＳｉｚＨｇ等のシリコン系ガスとＧｅＨ４、Ｇｅｔ
Ｈａ等のゲルマニウム系ガスをＨ２、Ａｒ等の適当なキ
ャリアガス及び必要によりＢ ｚＨａ、ＰＨ３，０２、
Ｃ２Ｈ４等のガスを導入し基板とその周囲１こ配設した
電極間に高周波電力を印加してグロー放電を起こす。こ
れにより基板上に第１ａ−５ｉ：Ｇｅ層を形成し、引き
続き導入ガスを選択してλ−５ｉ層と第２ａ−５ｉ：Ｇ
ｅ層を順次形成する。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る感光体に
よれば、長波長感度の向上はもとより帯電能に優れ残留
電位の発生もなく、干渉現象の発生もない。特に本発明
においては、長波長光の吸収が確実に保証されるのでレ
ーザービームプリンター等のコヒーレント光を光源とし
た作像法では干渉縞の発生がない。
よれば、長波長感度の向上はもとより帯電能に優れ残留
電位の発生もなく、干渉現象の発生もない。特に本発明
においては、長波長光の吸収が確実に保証されるのでレ
ーザービームプリンター等のコヒーレント光を光源とし
た作像法では干渉縞の発生がない。
実施例１
工程（１）：
第２図に示すグロー放電分解装置において、まず回転ポ
ンプ（１０）を、それに続いて拡散ポツプ（１１１を作
動させ、反応室叩の内部を１０−’ Ｔｏｒｒ程度の高
真空１こした後、第１〜第６調整弁（１３）−（１８）
を開放し、第１タンクｄ９よりＨ２ガス、第２り／り■
よす１ｏ。
ンプ（１０）を、それに続いて拡散ポツプ（１１１を作
動させ、反応室叩の内部を１０−’ Ｔｏｒｒ程度の高
真空１こした後、第１〜第６調整弁（１３）−（１８）
を開放し、第１タンクｄ９よりＨ２ガス、第２り／り■
よす１ｏ。
％ＳｉＨ４ガス、第３９７９（２′ｉＪヨｌ’） Ｈ２
’Ｔ： ２００ ｐｐｍ ＩＣ希釈されたＢ２Ｈ６ガス
、第４タンクのより１００％ＧｅＨ４ガス、更に第６タ
ンク（財）より１００％ｏ２ガス゛を出ｊＥゲージ１．
５９の下でマス７０−コントローラー■゛、囚、勿、例
、■内へ流入させた。そして、各マス７０−コントロー
ラーの目盛を調整して、Ｈ２（７）流ｍ ！ｉ−３６５
ｓｃｃｍ 、 ＳｉＨ４をｌＱＱｓｃｃｍ １Ｂ２Ｈ６
／８２をｌＱＱｓｃｃｍ 、 ＧｅＬ４４を２３ｓｅｃ
ｍ 、 ０２を１５ｓｃｃｍとなとなるように調整した
。−万、導電性基板（１）としては、直径８０朋のアル
ミニウムドラムを用いて２５０℃に予め加熱して８き、
各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電Ｉ
Ｍ田を投入し、円筒電極板１３３））こ２５０ ｗａｔ
ｔｓの電力（周波数１３ 、５６ＭＨｚ）を印加してグ
ロー放電を発生させた。このグロー放電を約４０分間持
続して行ない導電性基板（１）上に水素、硼素並びに微
量の酸素を含む厚さ約２μｍの第１ａ−５ｉ：Ｇｅ光導
電層（２）を形成した。
’Ｔ： ２００ ｐｐｍ ＩＣ希釈されたＢ２Ｈ６ガス
、第４タンクのより１００％ＧｅＨ４ガス、更に第６タ
ンク（財）より１００％ｏ２ガス゛を出ｊＥゲージ１．
５９の下でマス７０−コントローラー■゛、囚、勿、例
、■内へ流入させた。そして、各マス７０−コントロー
ラーの目盛を調整して、Ｈ２（７）流ｍ ！ｉ−３６５
ｓｃｃｍ 、 ＳｉＨ４をｌＱＱｓｃｃｍ １Ｂ２Ｈ６
／８２をｌＱＱｓｃｃｍ 、 ＧｅＬ４４を２３ｓｅｃ
ｍ 、 ０２を１５ｓｃｃｍとなとなるように調整した
。−万、導電性基板（１）としては、直径８０朋のアル
ミニウムドラムを用いて２５０℃に予め加熱して８き、
各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電Ｉ
Ｍ田を投入し、円筒電極板１３３））こ２５０ ｗａｔ
ｔｓの電力（周波数１３ 、５６ＭＨｚ）を印加してグ
ロー放電を発生させた。このグロー放電を約４０分間持
続して行ない導電性基板（１）上に水素、硼素並びに微
量の酸素を含む厚さ約２μｍの第１ａ−５ｉ：Ｇｅ光導
電層（２）を形成した。
尚、この時のゲルマニウム含有量は約３Ｑａｔ％であっ
た。
た。
工程（２）：
第１ａ−５ｉ：Ｇｅ光導電層が形成されると、高周波電
源＠から電力印加を停止するとともに、マスフローコツ
トローラーの流量をＯ設定にし、反応室ｔ１２）内を十
分脱気した。その後、第１タンク日よりＨ２ガスを３８
３ ｓｃｃｍ、第２タツク硼より１００％５ｉＨ４を２
００ ｓｃｃｍ 、第３タンクＣ１１よりＨ２て２００
ｐｐｍに希釈されたＢ ｚＨａガスを１ｓ、 ＳＣＣｍ
及び第６タンク（財）より０２ガスを２ ｓｅｃｍ反応
室内部に流入させ、内圧をｌ 、ＱＴｏｒｒ Ｉｃ調整
したうえで高周波電源を投入して３ＱＱ ＷａＣＬＳの
電力を印加した。約５時間放電を続け、約３５μｍのａ
−５ｉ層（３）を形成した。
源＠から電力印加を停止するとともに、マスフローコツ
トローラーの流量をＯ設定にし、反応室ｔ１２）内を十
分脱気した。その後、第１タンク日よりＨ２ガスを３８
３ ｓｃｃｍ、第２タツク硼より１００％５ｉＨ４を２
００ ｓｃｃｍ 、第３タンクＣ１１よりＨ２て２００
ｐｐｍに希釈されたＢ ｚＨａガスを１ｓ、 ＳＣＣｍ
及び第６タンク（財）より０２ガスを２ ｓｅｃｍ反応
室内部に流入させ、内圧をｌ 、ＱＴｏｒｒ Ｉｃ調整
したうえで高周波電源を投入して３ＱＱ ＷａＣＬＳの
電力を印加した。約５時間放電を続け、約３５μｍのａ
−５ｉ層（３）を形成した。
工程（３）：
λ−５ｉ光導電層が形成されると、再び高周波電源■か
ら電力印加を停止するとともに、７スフローコントロー
ラーの流量をＯ設定にし、反応室（１２）内を十分脱気
した。
ら電力印加を停止するとともに、７スフローコントロー
ラーの流量をＯ設定にし、反応室（１２）内を十分脱気
した。
その後、第１タンク印よりＨ２ガスを４７９ｓｃｃｍ。
第２タンクＱＱより１００％５ｉｔ（４を１００ ｓｅ
ｃｍ 、第３タンクＣ２１＋よりＨ２で２００ｐｐｍ
ｆこ希釈されたＢ２Ｈ６ガスを５３ＣＣｍ、第４タンク
のよりＧｅＨ４ガスを１５ｓｃｃｒｎ 。
ｃｍ 、第３タンクＣ２１＋よりＨ２で２００ｐｐｍ
ｆこ希釈されたＢ２Ｈ６ガスを５３ＣＣｍ、第４タンク
のよりＧｅＨ４ガスを１５ｓｃｃｒｎ 。
及び第６タンク（至）より０２ガスを１ ｓｅｃｍ反応
室内部に流入させ、内圧を１．ＱＴｏｒｒに調整したう
えで高周波電源を投入して２５０ ｗａＬｔ＄の電力を
印加した。約４０分間放電を続け、約２μｍのａ−５ｉ
：Ｇｅ層（４）を形成した。尚、このときのゲルマニウ
ム含有量は約２４ａｔ％であった。
室内部に流入させ、内圧を１．ＱＴｏｒｒに調整したう
えで高周波電源を投入して２５０ ｗａＬｔ＄の電力を
印加した。約４０分間放電を続け、約２μｍのａ−５ｉ
：Ｇｅ層（４）を形成した。尚、このときのゲルマニウ
ム含有量は約２４ａｔ％であった。
こうして、得られた感光体を以下、感光ｇＡと言う。感
光体Ａを粉像転写型複写機（Ｅ Ｐ６５０Ｚ：ミノルタ
カメラ■製）にセットし、（剖帯電にてコピーしたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。また、５００００枚の連続複写を行なっ
ても画像特性の低下ｒｓ、認められず、最後まで良好な
コピーが得られた。
光体Ａを粉像転写型複写機（Ｅ Ｐ６５０Ｚ：ミノルタ
カメラ■製）にセットし、（剖帯電にてコピーしたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。また、５００００枚の連続複写を行なっ
ても画像特性の低下ｒｓ、認められず、最後まで良好な
コピーが得られた。
また感光体を用いて半導体レーザーを光源としたレーザ
ービームプリンターにて実写を試みたところ、高速ブリ
ット時においても極めて鮮明で高質な画像が得られ、従
来の干渉現象に基づく、画像上の濃淡も全く発生しなか
った。
ービームプリンターにて実写を試みたところ、高速ブリ
ット時においても極めて鮮明で高質な画像が得られ、従
来の干渉現象に基づく、画像上の濃淡も全く発生しなか
った。
比較例１
実施例１の工程（３）を行なわない事以外、実施例１と
同様の方法で感光体Ｐを得た。
同様の方法で感光体Ｐを得た。
比較例２
実施例１の工程（１）を行なわない事以外、実施例１と
同様の方法で感光体Ｑを得た。
同様の方法で感光体Ｑを得た。
こうして得られたＰ及びＱｄ、それぞれ第１図の第２ａ
−５ｉ：Ｇｅ層（４）及び第１ａ−５ｉｓＧｅ層（２）
を有しない構成のものに相当する。第３図ば、こうして
得られた感光体Ａ、Ｐ、Ｑに関し分光感度の比較を行な
った結果である。ここで縦軸Ｕ ６００■にコロナ帯電
された感光体を１ ｅｒｇの光エネルギーで１５０Ｖｌ
こまで明減衰できる面積（ｃｄ）を示したものであり、
感度に対応している。また、第４図な、感光体Ａ、Ｐ、
Ｑをコロナ放電にて６００Ｖに帯電した後、半導体レー
ザー光（波長：約７８０ｎｍ、強度１５ ｅｒｇｓ／ｄ
）を照射し、明減衰を行なった後の電位の比較を行なっ
た結果である。ここで縦軸は、明減衰後の電位が各感光
体毎に場所によりどれだけ変動しているかを示した値で
あるが、この値に干渉現鉦による明部と暗部による感度
の違いに対応するものである。感光体Ａ［第３図より感
度に優れ、第４図より干渉現象による電位の振れが全く
ない事がわかる。
−５ｉ：Ｇｅ層（４）及び第１ａ−５ｉｓＧｅ層（２）
を有しない構成のものに相当する。第３図ば、こうして
得られた感光体Ａ、Ｐ、Ｑに関し分光感度の比較を行な
った結果である。ここで縦軸Ｕ ６００■にコロナ帯電
された感光体を１ ｅｒｇの光エネルギーで１５０Ｖｌ
こまで明減衰できる面積（ｃｄ）を示したものであり、
感度に対応している。また、第４図な、感光体Ａ、Ｐ、
Ｑをコロナ放電にて６００Ｖに帯電した後、半導体レー
ザー光（波長：約７８０ｎｍ、強度１５ ｅｒｇｓ／ｄ
）を照射し、明減衰を行なった後の電位の比較を行なっ
た結果である。ここで縦軸は、明減衰後の電位が各感光
体毎に場所によりどれだけ変動しているかを示した値で
あるが、この値に干渉現鉦による明部と暗部による感度
の違いに対応するものである。感光体Ａ［第３図より感
度に優れ、第４図より干渉現象による電位の振れが全く
ない事がわかる。
実施例２
工程（４）：
実施例１と同一条件の下に工程（１）〜（３）を行なっ
た後、さらに高周波電源■から電力印加を停止するとと
もに、マスフローコ／トローラ−の流量を０設定にし、
反応室Ｕ内を十分脱気した。その後、第１タンクｕ９よ
りＨ２ガス＠ ３５０ ｓｃｃｍ、第２タンクのより１
００％ＳｉＨ４を３０ ｓ ｃ ｃｍ、及び第５タンク
の）よりＣ２Ｈ４ガスを１２０ ｓｅｃｍ反応室内部に
流入させ、内圧を１．ＱＴｏｒｒに調整したうえで高周
波電源を投入して２５０ ＷａＣＬＳの電力を印加した
。約９分間放電を続け、約０．１μｍのａ−３ｉ：Ｃ層
を形成した。尚、このときの炭素含有ｉｉハ約５Ｑａｃ
％であった。即ち、第１図の構成の上に炭素を含むａ−
５ｉを母体とする表面保護層を形成した。こうして得１
・られ感光体を以下感光体Ｂと言う。感光体Ｂからは、
感光体Ａと同様の良好な画像が得られ、更に゛、３０℃
、８５％という高温、高湿の条件での複写でもその電子
写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変わることはな
かった。
た後、さらに高周波電源■から電力印加を停止するとと
もに、マスフローコ／トローラ−の流量を０設定にし、
反応室Ｕ内を十分脱気した。その後、第１タンクｕ９よ
りＨ２ガス＠ ３５０ ｓｃｃｍ、第２タンクのより１
００％ＳｉＨ４を３０ ｓ ｃ ｃｍ、及び第５タンク
の）よりＣ２Ｈ４ガスを１２０ ｓｅｃｍ反応室内部に
流入させ、内圧を１．ＱＴｏｒｒに調整したうえで高周
波電源を投入して２５０ ＷａＣＬＳの電力を印加した
。約９分間放電を続け、約０．１μｍのａ−３ｉ：Ｃ層
を形成した。尚、このときの炭素含有ｉｉハ約５Ｑａｃ
％であった。即ち、第１図の構成の上に炭素を含むａ−
５ｉを母体とする表面保護層を形成した。こうして得１
・られ感光体を以下感光体Ｂと言う。感光体Ｂからは、
感光体Ａと同様の良好な画像が得られ、更に゛、３０℃
、８５％という高温、高湿の条件での複写でもその電子
写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変わることはな
かった。
実施例３
工程（１）において０２の代りにＣｌＨ４を２４０５Ｃ
ｃｍとなるように設定し、同時にＨ２を１４０ ｓｅｃ
ｍとした以外く、工程（１）と同様ｆこして膜形成を行
ない、以降工程ｔ２１ 、 ｔ３）を行ない感光体Ｃを
得た。この時、工程（１）で成膜された第１ａ−５ｉ：
Ｇｅ層中に含まれる炭素量は約４５１ｔ％であった。
ｃｍとなるように設定し、同時にＨ２を１４０ ｓｅｃ
ｍとした以外く、工程（１）と同様ｆこして膜形成を行
ない、以降工程ｔ２１ 、 ｔ３）を行ない感光体Ｃを
得た。この時、工程（１）で成膜された第１ａ−５ｉ：
Ｇｅ層中に含まれる炭素量は約４５１ｔ％であった。
実施例４
工程（１）において０２を１１０５ＣＣＨ２を２７０ｓ
ｃｃｍとし、さらにＣ２Ｈ４を１００ ｓｃｃｍ流入す
る以外は、工程（１）と同様にして膜形成を行ない以降
工程（２＋ 、 （３１を行ない感光体りを得た。
ｃｃｍとし、さらにＣ２Ｈ４を１００ ｓｃｃｍ流入す
る以外は、工程（１）と同様にして膜形成を行ない以降
工程（２＋ 、 （３１を行ない感光体りを得た。
比較例３
工程（１）において０２をｌ ｓｃｃｍ 、 ［（２を
３７ｇ ｓｅｃｍにする以外、工程（１）と同様１こし
て膜形成を行ない以降工程［２１、ｔ３）を行ない感光
体皮を得た。この時の酸素の含有量は約Ｑ、４ａＬ％で
あった。
３７ｇ ｓｅｃｍにする以外、工程（１）と同様１こし
て膜形成を行ない以降工程［２１、ｔ３）を行ない感光
体皮を得た。この時の酸素の含有量は約Ｑ、４ａＬ％で
あった。
比較例４
工程（１）１こおいて０２の代りにＣ２Ｈ４を１５ ｓ
ｃｃｍにする以外工程’１）と同様にして膜形成を行な
い、以降工程（２＋ 、 （３１を行ない感光体Ｓを得
た。この時の炭素の含有量は約１０ａ【％であった。
ｃｃｍにする以外工程’１）と同様にして膜形成を行な
い、以降工程（２＋ 、 （３１を行ない感光体Ｓを得
た。この時の炭素の含有量は約１０ａ【％であった。
以上の様にして得られた感光体Ｃ，Ｄ、Ｒ，Ｓを３０℃
８０％雰囲気中に２４時間放置し、接着性を評価したと
ころ、表１の如き結果を得た。本発明で用いた第１ ａ
−Ｓ ｉ ：Ｇｅ層の接着性が極めて優れたものであ
る事が理解される。
８０％雰囲気中に２４時間放置し、接着性を評価したと
ころ、表１の如き結果を得た。本発明で用いた第１ ａ
−Ｓ ｉ ：Ｇｅ層の接着性が極めて優れたものであ
る事が理解される。
表 １
第１図は本発明に係る感光体の断面構成を示す図、第２
図に本発明の感光体を製造するためのグロー放電分解装
置の概略構成を示す図、第３図は感光体の分光感度特性
を示す図、第４図は感光体の明暗減衰電位の差を示す図
である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第１図 Ｑ魯ＬＪＪ層。 第２図 Ｉ２ 第３図
図に本発明の感光体を製造するためのグロー放電分解装
置の概略構成を示す図、第３図は感光体の分光感度特性
を示す図、第４図は感光体の明暗減衰電位の差を示す図
である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第１図 Ｑ魯ＬＪＪ層。 第２図 Ｉ２ 第３図
Claims (1)
- １、導電性基板上に、アモルファスシリコン・ゲルマニ
ウムを母体とする層、アモルファスシリコンを母体とす
る層及びアモルファスシリコン・ゲルマニウムを母体と
する層を順次積層してなる感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232879A JPS61110152A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 感光体 |
| US06/791,710 US4698287A (en) | 1984-11-05 | 1985-10-28 | Photosensitive member having an amorphous silicon layer |
| DE19853539090 DE3539090A1 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-04 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232879A JPS61110152A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110152A true JPS61110152A (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=16946265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232879A Pending JPS61110152A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698287A (ja) |
| JP (1) | JPS61110152A (ja) |
| DE (1) | DE3539090A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119103A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Nec Corp | 電波透過性帯電防止膜 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273829A (en) * | 1991-10-08 | 1993-12-28 | International Business Machines Corporation | Epitaxial silicon membranes |
| US20030017877A1 (en) * | 2001-04-24 | 2003-01-23 | Masazumi Kobayashi | Constant velocity universal joint |
| US20170350752A1 (en) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | Ventsislav Metodiev Lavchiev | Light emitting structures and systems on the basis of group iv material(s) for the ultraviolet and visible spectral ranges |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150753A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS58189643A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-11-05 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US4491626A (en) * | 1982-03-31 | 1985-01-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member |
| US4490450A (en) * | 1982-03-31 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| US4592982A (en) * | 1983-11-04 | 1986-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of layer of A-Ge, A-Si increasing (O) and layer of A-Si(C) or (N) |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59232879A patent/JPS61110152A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-28 US US06/791,710 patent/US4698287A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-04 DE DE19853539090 patent/DE3539090A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119103A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Nec Corp | 電波透過性帯電防止膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4698287A (en) | 1987-10-06 |
| DE3539090A1 (de) | 1986-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4495262A (en) | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers | |
| JPS6161383B2 (ja) | ||
| US4683184A (en) | Electrophotosensitive member having alternating amorphous semiconductor layers | |
| US4794064A (en) | Amorphous silicon electrophotographic receptor having controlled carbon and boron contents | |
| JPS649623B2 (ja) | ||
| JPS61110152A (ja) | 感光体 | |
| US4683185A (en) | Electrophotosensitive member having a depletion layer | |
| US4677044A (en) | Multi-layered electrophotographic photosensitive member having amorphous silicon | |
| JPS6125154A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4699860A (en) | Photosensitive member and process for forming images with use of the photosensitive member having an amorphous silicon germanium layer | |
| JPS6126053A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59204048A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61282847A (ja) | 光導電体 | |
| JPH058420B2 (ja) | ||
| JPH0338584B2 (ja) | ||
| JPS5962865A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH11305471A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0760271B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6122351A (ja) | アモルフアスシリコン感光体 | |
| JPS61281249A (ja) | 感光体 | |
| JPS62115459A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0760272B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61165761A (ja) | 静電潜像担持体 | |
| JPS6266263A (ja) | 光導電体 | |
| JPS61182052A (ja) | 感光体とその感光体を用いた複写方法 |