JPS58192044A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS58192044A JPS58192044A JP57075655A JP7565582A JPS58192044A JP S58192044 A JPS58192044 A JP S58192044A JP 57075655 A JP57075655 A JP 57075655A JP 7565582 A JP7565582 A JP 7565582A JP S58192044 A JPS58192044 A JP S58192044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- thickness
- amorphous hydrogenated
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
従来、電子写真感光体として、3e、又はSeにAs、
Te、 Sb等をドープした感光体、ZnO+CdSを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。
Te、 Sb等をドープした感光体、ZnO+CdSを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。
しかしながらこrらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。
性、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン(a−8t)を母材として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
a−8iu、5s−siの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在単位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子(
H)で補償してSiにHを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行なわれる。
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在単位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子(
H)で補償してSiにHを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行なわれる。
このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−8
i:Hと称する。)は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐刷性等の面で注目されている。
i:Hと称する。)は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐刷性等の面で注目されている。
しかし、a−8i:Hは750〜800 nmの波長の
光に対しては可視域の光に対するより1ケタ程感度が悪
いことが知られている。従って、情報信号を電気的に処
理してハードコピーとして出力するための情報端末処理
機において半導体レーザーを記録光源として用いる場合
には、実用的な情報記録用の半導体レーザーはGaAt
Asを構成材料としたものであってその発振波長は76
0〜820 nmであるから、この檜の情報記録にとっ
てa−8t:Hは感度不十分とな9、不適当である。S
e系の感光体の場合には、有機光導電材料からなる感光
体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化に対
応するためには長波長領域での感度がやはり不十分であ
る。
光に対しては可視域の光に対するより1ケタ程感度が悪
いことが知られている。従って、情報信号を電気的に処
理してハードコピーとして出力するための情報端末処理
機において半導体レーザーを記録光源として用いる場合
には、実用的な情報記録用の半導体レーザーはGaAt
Asを構成材料としたものであってその発振波長は76
0〜820 nmであるから、この檜の情報記録にとっ
てa−8t:Hは感度不十分とな9、不適当である。S
e系の感光体の場合には、有機光導電材料からなる感光
体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化に対
応するためには長波長領域での感度がやはり不十分であ
る。
そこで、a−3i:)(の優れた光導電性又は光感度を
生かしつつ長波長領域の感度を向上させるたメニ、アモ
ルファス水素化シリコンゲルマニウム(a−8iGe:
H)を光導電層に用いることが考えられる。つまり、a
5iGe:Hは600〜850 nmの波長域で光
感度が良好である。しかしながら、a−8iGe:H層
のみでは、暗抵抗は108〜109Ω−a’mにすぎず
、電荷保持能に乏しい。しかも、a−8iGe:Hは支
持体(基板)K対する膜付き又は接着性が悪く、また機
械的、熱的性質がa−8i:Hよりも劣るために、電子
写真感光体として実用化する上で難がある。
生かしつつ長波長領域の感度を向上させるたメニ、アモ
ルファス水素化シリコンゲルマニウム(a−8iGe:
H)を光導電層に用いることが考えられる。つまり、a
5iGe:Hは600〜850 nmの波長域で光
感度が良好である。しかしながら、a−8iGe:H層
のみでは、暗抵抗は108〜109Ω−a’mにすぎず
、電荷保持能に乏しい。しかも、a−8iGe:Hは支
持体(基板)K対する膜付き又は接着性が悪く、また機
械的、熱的性質がa−8i:Hよりも劣るために、電子
写真感光体として実用化する上で難がある。
本発明者は種々検討を加えた結果、比較的長波長域での
感度に優れ、かつ電荷保持特性や耐刷性が良く、安定し
次電荷保持特性を示す実用に酎え得る感光体を見出し、
本発明に到達した。
感度に優れ、かつ電荷保持特性や耐刷性が良く、安定し
次電荷保持特性を示す実用に酎え得る感光体を見出し、
本発明に到達した。
即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
/又はフッ素化シリコンゲルマニウム(例えばa−8i
Qe:H)とアモルファス水素化及ヒ/又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウム(例えばa−8iGeC:H)
との少なくとも一方からなる光導電層と、この光導電層
上に形成された第1のアモルファス水素化及び/又はフ
ッ素化炭化シリコン(例えばa−8iC:H)層と、前
記光導電層下に形成された第2のアモルファス水素化及
び/又はフッ素化炭化シリコン(例えばa−8iC:H
)層とを有することを特徴とするものである。
/又はフッ素化シリコンゲルマニウム(例えばa−8i
Qe:H)とアモルファス水素化及ヒ/又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウム(例えばa−8iGeC:H)
との少なくとも一方からなる光導電層と、この光導電層
上に形成された第1のアモルファス水素化及び/又はフ
ッ素化炭化シリコン(例えばa−8iC:H)層と、前
記光導電層下に形成された第2のアモルファス水素化及
び/又はフッ素化炭化シリコン(例えばa−8iC:H
)層とを有することを特徴とするものである。
本発明によれば、例えば、a−8iGe:H又はa−8
iGeC:Hの有する比較的長波長域(例えば600〜
850 nm )での高感度特性を生がしながら、安定
した電荷保持性及び耐刷性婢の機械的強度を特に第10
a−8iC:H層でかせぎ、かつ高い電荷保持性や膜付
き等を特に第2のa−8iC:H層で実現【2ており、
これまで知られているものに比べてすべての特性ケ充分
に満足した有用な感光体を提供することができる。この
ような顕著な効果を奏するには、特に上記の第1Oa−
8iC:H層の厚みは50〜5ooo iの範囲に選択
することが非常に重要であることが判明している。
iGeC:Hの有する比較的長波長域(例えば600〜
850 nm )での高感度特性を生がしながら、安定
した電荷保持性及び耐刷性婢の機械的強度を特に第10
a−8iC:H層でかせぎ、かつ高い電荷保持性や膜付
き等を特に第2のa−8iC:H層で実現【2ており、
これまで知られているものに比べてすべての特性ケ充分
に満足した有用な感光体を提供することができる。この
ような顕著な効果を奏するには、特に上記の第1Oa−
8iC:H層の厚みは50〜5ooo iの範囲に選択
することが非常に重要であることが判明している。
以下、本発明による感光体を詳細に説明する。
本発明による感光体は、例えば第1図又は第2図に示す
如く、導電性支持基板1上に上記第2のa−8iC:H
層2、上記a−8iGe:H(光導電)層3、上記第1
のa−8iC:H層4が順次積層せしめられたものから
なっている。第2のa−8iC:H層2は電位保持、電
荷輸送及び基板1からの電荷注入防止、基板1に対する
接着性向上の各機能を有し、第1図の例では50X〜5
ooo X、第2図の例では5000X〜80μm(よ
り望ましくFi5μm〜20μm)の厚みに形成される
のがよい。光導電層3は光照射に応じて電荷担体(キャ
リア)を発生させるものであって、特に600〜850
nmの長波長域で高感度を示し、その厚みは第1図の
例では5000 X 〜80 Am 、第2図の例でF
i1000A〜5μm(特に1μm〜2μm)であるの
が望ましい。更に、第1のa−stc:u層4はこの感
光体の表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持
、耐環境性の維持(湿度や雰囲気、コロナ放電で生成さ
れる化学種の影響防止)、炭素含有による結合エネルギ
ーの向上で表面硬度が高くなることによる機械的強度及
び耐刷性の向−ヒ、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転
写性(特に粘着転写性)の向上等の機能を有し、いわば
表面改質層として働くものである。そして、この第1の
a−8iC:H層4の厚みtを上記の如く50X≦t≦
5ooo Aに選択することが非常に重要である。
如く、導電性支持基板1上に上記第2のa−8iC:H
層2、上記a−8iGe:H(光導電)層3、上記第1
のa−8iC:H層4が順次積層せしめられたものから
なっている。第2のa−8iC:H層2は電位保持、電
荷輸送及び基板1からの電荷注入防止、基板1に対する
接着性向上の各機能を有し、第1図の例では50X〜5
ooo X、第2図の例では5000X〜80μm(よ
り望ましくFi5μm〜20μm)の厚みに形成される
のがよい。光導電層3は光照射に応じて電荷担体(キャ
リア)を発生させるものであって、特に600〜850
nmの長波長域で高感度を示し、その厚みは第1図の
例では5000 X 〜80 Am 、第2図の例でF
i1000A〜5μm(特に1μm〜2μm)であるの
が望ましい。更に、第1のa−stc:u層4はこの感
光体の表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持
、耐環境性の維持(湿度や雰囲気、コロナ放電で生成さ
れる化学種の影響防止)、炭素含有による結合エネルギ
ーの向上で表面硬度が高くなることによる機械的強度及
び耐刷性の向−ヒ、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転
写性(特に粘着転写性)の向上等の機能を有し、いわば
表面改質層として働くものである。そして、この第1の
a−8iC:H層4の厚みtを上記の如く50X≦t≦
5ooo Aに選択することが非常に重要である。
このように感光体を構成することによって、比較的長波
長域(特に600〜850 nm )で分光感度のピー
クを有し、半導体レーザー等による記録にとって有効な
感光体を提供できると共に、上下のa−8iC:H層の
存在によって電荷保持特性、機械的、熱的、化学的特性
及び耐刷性を向上させ(主■1 に@1のa−8iC:Hによる)、かつ支持体との膜付
きを向上させる(主に第2のa−8iC:Hによる)こ
とができる。特に、第1図の構造では、a−8iGe:
H層3を各a−8iC:H層より厚くしているので、帯
電時の表面電位をかせぐことができる。また、第2図の
構造では、第2のa−8iC:H層2をa−8iGe:
H層3より厚< シ、a 5tGe:H層3は光キャ
リアを発生させる機能を主として有するようになしてい
るので、第2のa−8iC:H層2が帯電時の表面電位
をかせぐ役割と暗減衰を小さく抑える役割との双方を有
した構造となっている。
長域(特に600〜850 nm )で分光感度のピー
クを有し、半導体レーザー等による記録にとって有効な
感光体を提供できると共に、上下のa−8iC:H層の
存在によって電荷保持特性、機械的、熱的、化学的特性
及び耐刷性を向上させ(主■1 に@1のa−8iC:Hによる)、かつ支持体との膜付
きを向上させる(主に第2のa−8iC:Hによる)こ
とができる。特に、第1図の構造では、a−8iGe:
H層3を各a−8iC:H層より厚くしているので、帯
電時の表面電位をかせぐことができる。また、第2図の
構造では、第2のa−8iC:H層2をa−8iGe:
H層3より厚< シ、a 5tGe:H層3は光キャ
リアを発生させる機能を主として有するようになしてい
るので、第2のa−8iC:H層2が帯電時の表面電位
をかせぐ役割と暗減衰を小さく抑える役割との双方を有
した構造となっている。
次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。
。
第1のa−8iC:H層
このa−8iC:H層4は感光体の表面を改質してa−
8i系感光体を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面でのtvi保持と、光照
射による表面電位の減衰という電子写真感光体としての
基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電、
光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間(例え
ば1力月以上)放置しておいても良好な電位特性を再現
できる。
8i系感光体を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面でのtvi保持と、光照
射による表面電位の減衰という電子写真感光体としての
基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電、
光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間(例え
ば1力月以上)放置しておいても良好な電位特性を再現
できる。
これに反し、a−8i:Hを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、a−8iC:H
は表面硬度が高いためK、現偉、転写、りIJ −ニン
グ婢の工程における耐摩耗性に優れ、数十ガロの耐刷性
があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱
を付与するプロセスを適用することができる。
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、a−8iC:H
は表面硬度が高いためK、現偉、転写、りIJ −ニン
グ婢の工程における耐摩耗性に優れ、数十ガロの耐刷性
があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱
を付与するプロセスを適用することができる。
このような優れた効果を総合的に奏するためには、a−
8iC:H層4の膜厚を上記した50A≦t≦5000
Xの範囲内に選択することが重要である。
8iC:H層4の膜厚を上記した50A≦t≦5000
Xの範囲内に選択することが重要である。
即ち、その膜厚な5ooo Xを越えた場合には、残留
電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、a−8i系
感光体としての良好な特性を失なうことがある。
電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、a−8i系
感光体としての良好な特性を失なうことがある。
また、膜厚を50′に未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、a−
8iC:H層4と&−8iGe:H層3との間の膜厚バ
ランスによシ暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じ
てしまう。従って、a−8iC:H層4の膜厚は5oo
o X以下、50X以上とすることが非常に重要となる
。
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、a−
8iC:H層4と&−8iGe:H層3との間の膜厚バ
ランスによシ暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じ
てしまう。従って、a−8iC:H層4の膜厚は5oo
o X以下、50X以上とすることが非常に重要となる
。
また、この第1のa−sic:H層4については、上記
した効果を発揮する上でその炭素組成を選択することも
重要であることが分った。組成比をa−8i1−xCx
:Hと表わせば、Xを0.4以上、特に0.4≦X≦0
.9とすること(炭素原子含有量が40 atomic
% 〜90 atomic−であること)が望ましい
。即ち、0.4≦Xとすれば、光学的エネルギーギャッ
プがほぼ2.3eV以上となり、第3図に示したように
、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性(但、ρDは
暗所での抵抗率、ρLは光照射時の抵抗率であって、ρ
D/ρLが小さい稈元導電性が低い)を示さず、いわゆ
る光学的に透明な窓効果により殆んど照射光はa−8i
Ge:H層(電荷発生層)3に到達することになる。逆
に、x(0,4であると、一部分の光は表面層4に吸収
され、感光体の光感度が低下し易くなる。また、Xが0
.9電法で形成するときの堆積速度が低下するから、X
≦0.9とするのがよい。
した効果を発揮する上でその炭素組成を選択することも
重要であることが分った。組成比をa−8i1−xCx
:Hと表わせば、Xを0.4以上、特に0.4≦X≦0
.9とすること(炭素原子含有量が40 atomic
% 〜90 atomic−であること)が望ましい
。即ち、0.4≦Xとすれば、光学的エネルギーギャッ
プがほぼ2.3eV以上となり、第3図に示したように
、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性(但、ρDは
暗所での抵抗率、ρLは光照射時の抵抗率であって、ρ
D/ρLが小さい稈元導電性が低い)を示さず、いわゆ
る光学的に透明な窓効果により殆んど照射光はa−8i
Ge:H層(電荷発生層)3に到達することになる。逆
に、x(0,4であると、一部分の光は表面層4に吸収
され、感光体の光感度が低下し易くなる。また、Xが0
.9電法で形成するときの堆積速度が低下するから、X
≦0.9とするのがよい。
なお、第1のa−8iC:H層は、第20a−8iC:
H層と同様に水素を含有することが必須であり、その水
素含有11は通常1〜40 atomic %、更には
10〜3Q Btomic %とするのがよい。
H層と同様に水素を含有することが必須であり、その水
素含有11は通常1〜40 atomic %、更には
10〜3Q Btomic %とするのがよい。
このa−sic:n層2は電位保持及び電荷輸送の両機
能な担い、暗所抵抗率が1012Ω−α以上あって、耐
^電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が大き
く、シかも感光層3から注入される電子又はホールが大
きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率良く支持
体1側へ輸送する。また、炭素の組成によってエネルギ
ーギャップの大きさを調整できるため、感光層3におい
て光照射に応じて発生1〜た電荷担体に対し障壁を作る
ことなく、効率良く注入させることができる。また、こ
の第2のa−8iC:H層2は支持体1、例えばAt電
極との接着性や膜付きが良いという性質も有している。
能な担い、暗所抵抗率が1012Ω−α以上あって、耐
^電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が大き
く、シかも感光層3から注入される電子又はホールが大
きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率良く支持
体1側へ輸送する。また、炭素の組成によってエネルギ
ーギャップの大きさを調整できるため、感光層3におい
て光照射に応じて発生1〜た電荷担体に対し障壁を作る
ことなく、効率良く注入させることができる。また、こ
の第2のa−8iC:H層2は支持体1、例えばAt電
極との接着性や膜付きが良いという性質も有している。
従って、このa−sic:u層2は実用レベルの尚い表
面電位を保持し、a−8iGe:H層3で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残貿電位のな
い感光体とする働きがある。
面電位を保持し、a−8iGe:H層3で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残貿電位のな
い感光体とする働きがある。
こうした機能を果すために、a−8iC:H層2の膜厚
は、第2図の例では、例えばカールソン方式による乾式
現像法を適用するためKは5000 A〜80μmであ
ることが望ましい。この膜厚が5000λ未満であると
薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、また
80μmを越えると表面電位が高くなって付着したトナ
ーの剥離性が悪くなり、二成分系現像剤のキャリアも付
着してしまう。但、このa−8iC:H層の膜厚は、S
e感光体と比較して薄くしても(例えば十数μm)実用
レベルの表面電位が得られる。
は、第2図の例では、例えばカールソン方式による乾式
現像法を適用するためKは5000 A〜80μmであ
ることが望ましい。この膜厚が5000λ未満であると
薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、また
80μmを越えると表面電位が高くなって付着したトナ
ーの剥離性が悪くなり、二成分系現像剤のキャリアも付
着してしまう。但、このa−8iC:H層の膜厚は、S
e感光体と比較して薄くしても(例えば十数μm)実用
レベルの表面電位が得られる。
第1図のa−sic:u層2はブロッキング及び下びき
層として用いられ、その膜厚は50λ〜5000久とす
ることが望ましい。即ち、50X未満では、a−8iG
e:H層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を
補うことができないから、電荷保持能を補うに足る50
Xは最低必要であり、ま九膜付き及び基板との接着性を
良くするにも50X以上にするのがよい。他方、膜厚が
5000 Kを越えると、電荷保持能の面は良いが、逆
に感光体全体とじての光感度が悪くなり、またa−8i
C:Hの製膜時間が長くなり、コスト的にみて不利であ
る。
層として用いられ、その膜厚は50λ〜5000久とす
ることが望ましい。即ち、50X未満では、a−8iG
e:H層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を
補うことができないから、電荷保持能を補うに足る50
Xは最低必要であり、ま九膜付き及び基板との接着性を
良くするにも50X以上にするのがよい。他方、膜厚が
5000 Kを越えると、電荷保持能の面は良いが、逆
に感光体全体とじての光感度が悪くなり、またa−8i
C:Hの製膜時間が長くなり、コスト的にみて不利であ
る。
また、このa−8iC:H層2をa−8i>−xcx:
Hと表わしたとき、0.1≦X≦0.9(炭素原子含有
量が10 atomic % 〜90 atomic
% 、より好ましく ti 30〜90 atomic
% )とするのが望ましい。0.1≦Xとすればa−
8iC:H層2の電気的、光学的特性をa−8iGe:
H層3とは全く異なったものにできる。
Hと表わしたとき、0.1≦X≦0.9(炭素原子含有
量が10 atomic % 〜90 atomic
% 、より好ましく ti 30〜90 atomic
% )とするのが望ましい。0.1≦Xとすればa−
8iC:H層2の電気的、光学的特性をa−8iGe:
H層3とは全く異なったものにできる。
!>0.9のときは層の殆んどが炭素になって半導体特
性が失なわれるようになり、またtl’1li4時の堆
積速度が低下するので、これらを防ぐためにもX≦0.
9とするのがよいからである。
性が失なわれるようになり、またtl’1li4時の堆
積速度が低下するので、これらを防ぐためにもX≦0.
9とするのがよいからである。
このa−8iGe:H層3は、比較的長波長の光に対し
て高い光導電性を示すことが分っており、a−8i:H
に比べると、特に750〜800!1mの光に対して充
分な光感度(半減露光t (erg/aj )の逆数)
を有している。
て高い光導電性を示すことが分っており、a−8i:H
に比べると、特に750〜800!1mの光に対して充
分な光感度(半減露光t (erg/aj )の逆数)
を有している。
A−8iGe:H3の厚みは、特に第1図の例では50
00 X〜80μmとするのがよく、第2図の例では1
000 X〜5μmとするのがよい。即ち、第1図にお
いては、膜厚が5000 X未満であると、現偉に必要
な表面電位、表面電荷が得られ難く、また照射された光
は全く吸収されず、一部分は下地のa−8iC:H層2
に到達するため光感度が低下する一方、80μmを越え
ると、製膜に時間がかかり、生産性が良くない。第2図
の例では、膜厚が1000^未満であるとやはり光感度
が低下し、またa−8iGe:H自体は電位保持性を有
していなくてよいから感光層として必要以上の厚さにす
る必要はなく、上限は5μmあれば充分である。
00 X〜80μmとするのがよく、第2図の例では1
000 X〜5μmとするのがよい。即ち、第1図にお
いては、膜厚が5000 X未満であると、現偉に必要
な表面電位、表面電荷が得られ難く、また照射された光
は全く吸収されず、一部分は下地のa−8iC:H層2
に到達するため光感度が低下する一方、80μmを越え
ると、製膜に時間がかかり、生産性が良くない。第2図
の例では、膜厚が1000^未満であるとやはり光感度
が低下し、またa−8iGe:H自体は電位保持性を有
していなくてよいから感光層として必要以上の厚さにす
る必要はなく、上限は5μmあれば充分である。
また、第1図の例では特に、a−8iGe:H層3の電
荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周期表第
mA族元素(B、 At、 Ga、In等)をドープし
てa−3iGe:Hの抵抗を高めておくのが有効である
。a−8iGe:H層の膜特性は、後述する製造方法に
おける基板温度、高周波放電パワー等の製膜条件によっ
て大きく異なる。組成的にみれば、Ge含有量は0.1
〜50 atomicチに設定するのがよい。即ち、0
.1 atomic 4未満では長波長感度がそれ程向
上せず、50 atomicチを越えると感度低下が生
じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する。また、a
5iGe:)(のSiとHの結合について/H は、5i−HがSi に比べて多いことが望まし\
H い。具体的には、波数約2090 cwt の赤外線
吸収強度Iν81H,と、波数約20003 の赤外
線吸収強度IvstHがO≦IνstH,/ II/8
1H≦0.3であるのがよい。Siと結合するHの量は
Siに対して3.5〜20 atomic ’4である
のがよい。これらの条件が満たされたとき、ρD/ρL
の大きい感光体となるので望ましい。
荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周期表第
mA族元素(B、 At、 Ga、In等)をドープし
てa−3iGe:Hの抵抗を高めておくのが有効である
。a−8iGe:H層の膜特性は、後述する製造方法に
おける基板温度、高周波放電パワー等の製膜条件によっ
て大きく異なる。組成的にみれば、Ge含有量は0.1
〜50 atomicチに設定するのがよい。即ち、0
.1 atomic 4未満では長波長感度がそれ程向
上せず、50 atomicチを越えると感度低下が生
じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する。また、a
5iGe:)(のSiとHの結合について/H は、5i−HがSi に比べて多いことが望まし\
H い。具体的には、波数約2090 cwt の赤外線
吸収強度Iν81H,と、波数約20003 の赤外
線吸収強度IvstHがO≦IνstH,/ II/8
1H≦0.3であるのがよい。Siと結合するHの量は
Siに対して3.5〜20 atomic ’4である
のがよい。これらの条件が満たされたとき、ρD/ρL
の大きい感光体となるので望ましい。
a−8iGe:H層の膜特性を改善するために、炭素を
含有させてa−8iCGe:H層とすることが効果的で
ある。即ち、炭素を0.001 ppm〜aoatom
tcts(特に0.01ppm〜10000 ppm
)含有させることが望ましく、その範囲より少ないと強
度低下が生じ、逆に多いと光感度低下、特に長波長域で
の感度低下が生じる。これは、炭素によって光学的エネ
ルギーギャップが拡大されるからである(第3図のa−
8iC:Hの例参照)。
含有させてa−8iCGe:H層とすることが効果的で
ある。即ち、炭素を0.001 ppm〜aoatom
tcts(特に0.01ppm〜10000 ppm
)含有させることが望ましく、その範囲より少ないと強
度低下が生じ、逆に多いと光感度低下、特に長波長域で
の感度低下が生じる。これは、炭素によって光学的エネ
ルギーギャップが拡大されるからである(第3図のa−
8iC:Hの例参照)。
なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、a−8iに対しては上記したHのa−8iCG
e:H’FXa−8iC:Fs a−8iC:H:F
等とすることもできる。この場合のフッ素量は0、 O
1〜20 atomic%がよく、0.5〜10 at
omicが更によい。
めには、a−8iに対しては上記したHのa−8iCG
e:H’FXa−8iC:Fs a−8iC:H:F
等とすることもできる。この場合のフッ素量は0、 O
1〜20 atomic%がよく、0.5〜10 at
omicが更によい。
次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置、例えばグロー放電分解装置を第4図について説明す
る。
置、例えばグロー放電分解装置を第4図について説明す
る。
この装置11の真空槽12内では、上記した基板1が基
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板1を所
定温度に加熱し得るよう罠なっている。
板保持部14上に固定され、ヒーター15で基板1を所
定温度に加熱し得るよう罠なっている。
基板1に対向して高周波電極17が配され、基板1との
間にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の19.
20.21.22.23.27.28.29.34.3
6.38は各パルプ、30はGeHa又はガス状ゲルマ
ニウム化合物の供給源、31は5iHn又はガス状シリ
コン化合物の供給源、32はCHa又はガス状炭素化合
物の供給源、33はArXtiHz等のキャリアガス供
給源である。このグロー放電装置において、まず支持体
である例えばAt基板10表面を清浄化した後に真空槽
12内に配置し、真空槽12内のガス圧が10 ”po
rrとなるようにパルプ36を調節して排気し、かつ基
板1を所定温度、例えば200℃に加熱保持する。次い
で、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、SiH
4又はガス状シリコン化合物、GeH4又はガス状ゲル
マニウム化合物、及・びCH4又はガス状炭素化合物を
適当量希釈した混合ガスを夫々の膜組成に応じて適宜真
空槽12内に導入し、パルプ34で調節された0、01
〜10Torrの反応圧下で高周波電源16により高周
波電圧を印加する。これによって、F1各反応ガスをグ
ロー放電分解し、水素を含むa−8iC:Hな上記の層
2(更には4)として基板1上に堆積させる。この際、
シリコン化合物と炭素化合物の流量比及び基板温度を適
宜調整することによって、所望の組成比及び光学的エネ
ルギーギ+yフを有するJL−8it−xcx:H(例
えばXが0.9程度のものまで)を析出させることがで
き、また析出するa−8iC:Hの電気的特性にさほど
の影響を与えることなく、100OX/min以上の速
度でa−8iC:Hを堆積させることが可能である。
間にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の19.
20.21.22.23.27.28.29.34.3
6.38は各パルプ、30はGeHa又はガス状ゲルマ
ニウム化合物の供給源、31は5iHn又はガス状シリ
コン化合物の供給源、32はCHa又はガス状炭素化合
物の供給源、33はArXtiHz等のキャリアガス供
給源である。このグロー放電装置において、まず支持体
である例えばAt基板10表面を清浄化した後に真空槽
12内に配置し、真空槽12内のガス圧が10 ”po
rrとなるようにパルプ36を調節して排気し、かつ基
板1を所定温度、例えば200℃に加熱保持する。次い
で、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、SiH
4又はガス状シリコン化合物、GeH4又はガス状ゲル
マニウム化合物、及・びCH4又はガス状炭素化合物を
適当量希釈した混合ガスを夫々の膜組成に応じて適宜真
空槽12内に導入し、パルプ34で調節された0、01
〜10Torrの反応圧下で高周波電源16により高周
波電圧を印加する。これによって、F1各反応ガスをグ
ロー放電分解し、水素を含むa−8iC:Hな上記の層
2(更には4)として基板1上に堆積させる。この際、
シリコン化合物と炭素化合物の流量比及び基板温度を適
宜調整することによって、所望の組成比及び光学的エネ
ルギーギ+yフを有するJL−8it−xcx:H(例
えばXが0.9程度のものまで)を析出させることがで
き、また析出するa−8iC:Hの電気的特性にさほど
の影響を与えることなく、100OX/min以上の速
度でa−8iC:Hを堆積させることが可能である。
更に、a−8iGe:H(上記の感光層3)を堆積させ
るには、炭素化合物を供給しないでシリコン化合物及び
ゲルマニウム化合物をグロー放電分解すればよい。&
5iCGe:)(を形成するには、炭素化合物も同時
に供給すればよい。特に、IL 5iGe:H感光層
に周期表mA族元素のガス状化合物、例えば82Hsを
シリコン化合物又はゲルマニウム化合物に適当量添加し
たものをグロー放電分解すれば、a−8iQe:)(の
光導電性の向上と共にその高抵抗化も図れる。
るには、炭素化合物を供給しないでシリコン化合物及び
ゲルマニウム化合物をグロー放電分解すればよい。&
5iCGe:)(を形成するには、炭素化合物も同時
に供給すればよい。特に、IL 5iGe:H感光層
に周期表mA族元素のガス状化合物、例えば82Hsを
シリコン化合物又はゲルマニウム化合物に適当量添加し
たものをグロー放電分解すれば、a−8iQe:)(の
光導電性の向上と共にその高抵抗化も図れる。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でa−8iC又はa−8iQeを蒸着させ
る方法(特に、本出願人による特開昭56−78413
号(特願昭54−152455号)の方法)等によって
も上記感光体の製造が可能である。使用する反応ガスは
、SiH4、GeH4以外にも5lzHs 、GezH
s 、St F4.5fHFs又はその誘導体ガス、C
Ha以外のC2H6、C5Ha等の低級炭化水素ガスが
使用可能である。
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でa−8iC又はa−8iQeを蒸着させ
る方法(特に、本出願人による特開昭56−78413
号(特願昭54−152455号)の方法)等によって
も上記感光体の製造が可能である。使用する反応ガスは
、SiH4、GeH4以外にも5lzHs 、GezH
s 、St F4.5fHFs又はその誘導体ガス、C
Ha以外のC2H6、C5Ha等の低級炭化水素ガスが
使用可能である。
次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例1
トリクロルエチレンで洗浄し、0.194 NaOH水
溶液、0.1 % HNOx水溶液でエツチングしたA
t基板を第4図のグロー放電装置内にセットし、下記の
条件下でAt基板−トに厚さ10μmの第2のa−8i
C:H層、厚さ2μmのa−8iGe:H層、厚さ10
00Xの第10a−8iC:H層を順次連続して形成し
た。
溶液、0.1 % HNOx水溶液でエツチングしたA
t基板を第4図のグロー放電装置内にセットし、下記の
条件下でAt基板−トに厚さ10μmの第2のa−8i
C:H層、厚さ2μmのa−8iGe:H層、厚さ10
00Xの第10a−8iC:H層を順次連続して形成し
た。
第2のa−8iC:H層の形成:
CHa流量 8cc/m1n
SjH4流量 12cc/m1n
Arガス流量100cc/min
放電中の真空槽内圧 0.2 Torr基板温度
200℃ 放電パワー 20W 製膜時間 約10時間 a−8iGe:H層の形成: G e Ha流量 4 cc/m1nSiHn
流! 16 ec/m1nArガス流量
100cc/min放電中の真空槽内圧、放電パワー及
び基板温度 上記と同じ 製膜時間 約2時間 第10a−8iC:H層の形成: 製膜時間 約6分 その他の条件 第2のa−8iC:H層形成の場合と
同じ こうして作成された感光体について、オージェ分光によ
って各層の組成を調べたところ、第1及び第2の&−8
iC:H層ともにほぼa S i as CoA:
Hからなっており、またa−8iGe:HMIはほぼa
−8iojGeoz:Hからなりかつその光学的ノ(ン
ドギャップu 1.5 eVであった。この感光体に対
し、−6KVで10秒間コロナ帯電させ、5秒間暗減衰
させた後、1μW/−の強度で波長750 nmの光を
20秒間照射して、その電荷減衰特性を測定した、結果
は後記の表に示した。
200℃ 放電パワー 20W 製膜時間 約10時間 a−8iGe:H層の形成: G e Ha流量 4 cc/m1nSiHn
流! 16 ec/m1nArガス流量
100cc/min放電中の真空槽内圧、放電パワー及
び基板温度 上記と同じ 製膜時間 約2時間 第10a−8iC:H層の形成: 製膜時間 約6分 その他の条件 第2のa−8iC:H層形成の場合と
同じ こうして作成された感光体について、オージェ分光によ
って各層の組成を調べたところ、第1及び第2の&−8
iC:H層ともにほぼa S i as CoA:
Hからなっており、またa−8iGe:HMIはほぼa
−8iojGeoz:Hからなりかつその光学的ノ(ン
ドギャップu 1.5 eVであった。この感光体に対
し、−6KVで10秒間コロナ帯電させ、5秒間暗減衰
させた後、1μW/−の強度で波長750 nmの光を
20秒間照射して、その電荷減衰特性を測定した、結果
は後記の表に示した。
次に、この感光体に10μW/cd1波長750 nm
の像露光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のト
ナーで現像し、転写紙に転写、定着したところ、1偉濃
度が高く、カプリのない鮮明な画像を得ることができた
。この感光体の分光感度特性を第5図に示したが、本実
施例の如(a−SjGe:Hな感光層として用いればa
−8i:Hの場合と比べてより長波長側での光感度(半
減露光量(erS/−)の逆数とした。)が良好であり
、上記の波長750 nmの光に対し十分な感度を示し
た。
の像露光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のト
ナーで現像し、転写紙に転写、定着したところ、1偉濃
度が高く、カプリのない鮮明な画像を得ることができた
。この感光体の分光感度特性を第5図に示したが、本実
施例の如(a−SjGe:Hな感光層として用いればa
−8i:Hの場合と比べてより長波長側での光感度(半
減露光量(erS/−)の逆数とした。)が良好であり
、上記の波長750 nmの光に対し十分な感度を示し
た。
実施例2
実施例1と同様のグロー放電法によって、At基板上に
、厚さ1500^の第20a−8iC:H層、厚さ10
μmのボロンドープドa−8iGe:H層、厚さ1oo
oXの第1のa−sic:a層を順次積層した。
、厚さ1500^の第20a−8iC:H層、厚さ10
μmのボロンドープドa−8iGe:H層、厚さ1oo
oXの第1のa−sic:a層を順次積層した。
但、a−8iGe:)(層の製膜時にり、BzHs/5
iH4=0.01(%)の流量比で1 * Ar希釈B
zHsを混合し、グロー放電させた。
iH4=0.01(%)の流量比で1 * Ar希釈B
zHsを混合し、グロー放電させた。
得られた感光体の膜組成は実質的に実施例1と同じ(但
、IL−8iGe:H層はボロン含有)であった。そし
て、−6KVのコロナ帯電(10秒)、暗減衰(5秒)
、1μW/cj、波長750 nmの光照射(20秒)
の各処理を経た後、電荷減衰特性を測定した。結果は後
記衣に示した。
、IL−8iGe:H層はボロン含有)であった。そし
て、−6KVのコロナ帯電(10秒)、暗減衰(5秒)
、1μW/cj、波長750 nmの光照射(20秒)
の各処理を経た後、電荷減衰特性を測定した。結果は後
記衣に示した。
この感光体に10μW/aIi、波長750 nmの偉
露光を行なって静電潜像形成後、正極性のトナーで液体
現像、転写紙への転写、定着を行なったところ、画像濃
度が高く、カブリのない鮮明な画像を得ることができた
。
露光を行なって静電潜像形成後、正極性のトナーで液体
現像、転写紙への転写、定着を行なったところ、画像濃
度が高く、カブリのない鮮明な画像を得ることができた
。
実施例3
特開昭56−78413号に記載の蒸着法(製膜前の真
空槽内圧は8.5 X 10 ’ Torr )に従っ
て、単結晶5iC(蒸発源)を電子ビーム加熱で蒸発さ
せる一方、真空槽に接続した水素放電管に50cc/
m i nの水素を導入して活性化又はイオン化させた
水素を真空槽内に入れ、基板温度400℃、基板電圧−
4KVのAt基板上に各a−8iC:1(層を製膜速度
20^/seeで形成した。各a−8iC:Hともオー
ジェ分光の結果、& Sio、5Coa:Hの組成か
らなっていたが、第2のa−8iC:Hの厚みは200
0A。
空槽内圧は8.5 X 10 ’ Torr )に従っ
て、単結晶5iC(蒸発源)を電子ビーム加熱で蒸発さ
せる一方、真空槽に接続した水素放電管に50cc/
m i nの水素を導入して活性化又はイオン化させた
水素を真空槽内に入れ、基板温度400℃、基板電圧−
4KVのAt基板上に各a−8iC:1(層を製膜速度
20^/seeで形成した。各a−8iC:Hともオー
ジェ分光の結果、& Sio、5Coa:Hの組成か
らなっていたが、第2のa−8iC:Hの厚みは200
0A。
第1のa−sic:n@厚みは1000″Xとした。ま
た、感光層としてFiAtドープド1l−8iGe:H
を厚さ10μmに形成した。即ち、上記方法にお(・て
蒸発源として結晶Si、Ge及びAtを用い、これらの
蒸装置す電子ビームの電流制御によってコントロールし
て膜中への各含有ftナコントロールした。この場合の
水素流量は50cc/min、基板温度400℃、基板
電圧−4KV、製膜速度10X/secとした。
た、感光層としてFiAtドープド1l−8iGe:H
を厚さ10μmに形成した。即ち、上記方法にお(・て
蒸発源として結晶Si、Ge及びAtを用い、これらの
蒸装置す電子ビームの電流制御によってコントロールし
て膜中への各含有ftナコントロールした。この場合の
水素流量は50cc/min、基板温度400℃、基板
電圧−4KV、製膜速度10X/secとした。
得られたktドープド感光層の組成はオージェ分光の結
果、a Sio、ysGeo25:Hからなり、At
含有量は1100ppであることが分った。
果、a Sio、ysGeo25:Hからなり、At
含有量は1100ppであることが分った。
次に、この感光体に対し、+6Kvのコロナ帯
′1電、暗減衰(5秒)、1μW/ai、波長750
nmの光照射(20秒)を夫々行ない、電荷減衰特性を
調べたところ、後記衣に示す結果となった。
′1電、暗減衰(5秒)、1μW/ai、波長750
nmの光照射(20秒)を夫々行ない、電荷減衰特性を
調べたところ、後記衣に示す結果となった。
また、この感光体に10μW/j、波長750 nmの
偉露光を行なって静電潜像を形成後、負極性のトナーで
液体現像、転写紙への転写、定着を行なったが、得られ
た画像濃度は高く、カブリのない鮮明な画像を得ること
ができた。
偉露光を行なって静電潜像を形成後、負極性のトナーで
液体現像、転写紙への転写、定着を行なったが、得られ
た画像濃度は高く、カブリのない鮮明な画像を得ること
ができた。
実施例4
実施例1のグロー放電法により、ステンレス(SUS)
基板上に、厚さ10/Amの第20a−8iC二H層、
厚さ2fimのa−8iGe:H層、厚さ1500久の
第10a−8iC:H層を順次積層した。第2のa−8
iC:Hの製膜に際しては、CH4流t12cc/mi
n、 5iHa流量8 ee/ min XArガス流
量100cc/mln%基板温度50℃、放電パワ−2
0W1製膜時間約4時間とした。a−8iGe:H感光
層の製膜条件は実施例1で述べたと同様であった。着た
、第1のa−8iC:Hの製膜は約3分で行ない、他の
条件は第2のa−8iC:Hの製膜時のものと同じであ
った。得られた第1及び第2のa−8iC:H層の組成
はともに、オージェ分光の結果、はぼa−8io4Co
j:Hであった。
基板上に、厚さ10/Amの第20a−8iC二H層、
厚さ2fimのa−8iGe:H層、厚さ1500久の
第10a−8iC:H層を順次積層した。第2のa−8
iC:Hの製膜に際しては、CH4流t12cc/mi
n、 5iHa流量8 ee/ min XArガス流
量100cc/mln%基板温度50℃、放電パワ−2
0W1製膜時間約4時間とした。a−8iGe:H感光
層の製膜条件は実施例1で述べたと同様であった。着た
、第1のa−8iC:Hの製膜は約3分で行ない、他の
条件は第2のa−8iC:Hの製膜時のものと同じであ
った。得られた第1及び第2のa−8iC:H層の組成
はともに、オージェ分光の結果、はぼa−8io4Co
j:Hであった。
この感光体に一6KVコロナ帯電(10秒)、暗減衰(
5秒)、1μW/csi、波長750 nmの光照射(
20秒)の各処理を施し、電荷減衰特性を測定(またと
ころ、後記衣の如くになった。
5秒)、1μW/csi、波長750 nmの光照射(
20秒)の各処理を施し、電荷減衰特性を測定(またと
ころ、後記衣の如くになった。
また、この感光体に10μW/d、波長750nmの像
域光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のトナー
で現像、転写紙への転写、定着によって、画像濃度が高
くてカブリのない鮮明な画像が得られた。この操作を繰
返して10万回コピーを行なっても、画質の低下はみら
れなかった。
域光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のトナー
で現像、転写紙への転写、定着によって、画像濃度が高
くてカブリのない鮮明な画像が得られた。この操作を繰
返して10万回コピーを行なっても、画質の低下はみら
れなかった。
以上の実施例1〜4による各感光体の電荷減衰特性を次
表にまとめて示したが、いずれも電子写真用として満足
すべき特性を有し、実用可能なものであることが分った
。
表にまとめて示したが、いずれも電子写真用として満足
すべき特性を有し、実用可能なものであることが分った
。
実施例5
上述した方法を用いて、At基板上に、厚さ1μmの第
2のa−8iC:H層、厚さ2tsmのa−S i o
mGeCLti:H層を順次積層し、更にこの上に形成
される第1co a−sicxH層(DH厚’zt 5
ooX、 2000 X、 5oo。
2のa−8iC:H層、厚さ2tsmのa−S i o
mGeCLti:H層を順次積層し、更にこの上に形成
される第1co a−sicxH層(DH厚’zt 5
ooX、 2000 X、 5oo。
A、 7500^、1μmと5通りに変化させ、5種類
のサンプルを作成した。
のサンプルを作成した。
これらの各感光体について、+6KVコロナ帯電(10
秒)、暗減衰(5秒)、1nW/d、波長700 nm
の光照射(20秒)の各処理を行ない、夫々の電荷減衰
特性を測定したところ、第6図の如き結果が得られた。
秒)、暗減衰(5秒)、1nW/d、波長700 nm
の光照射(20秒)の各処理を行ない、夫々の電荷減衰
特性を測定したところ、第6図の如き結果が得られた。
このデータから、残留電位は第1のa−8iC:H層の
膜厚と共に増大する傾向にあり、その膜厚を5000X
以下とするのがT1(〜いことが分る。一般に、a−8
iC:Hは600nm以上の波長域では吸収係数が小さ
いので、膜厚が大きくてもa−8iGe:H層での光キ
ヤリア発生を損うことはない。この点に限って言えば、
a SIC:H層の膜厚は大きくしてもよいが、上記
の残留電位の面も考慮すれば5000X以下とするのが
よい。
膜厚と共に増大する傾向にあり、その膜厚を5000X
以下とするのがT1(〜いことが分る。一般に、a−8
iC:Hは600nm以上の波長域では吸収係数が小さ
いので、膜厚が大きくてもa−8iGe:H層での光キ
ヤリア発生を損うことはない。この点に限って言えば、
a SIC:H層の膜厚は大きくしてもよいが、上記
の残留電位の面も考慮すれば5000X以下とするのが
よい。
図面は本発明を例示するものであって、第1図及び第2
図は電子写真感光体の二側の一部分の各断面図、 ts3図はa−8i:H及び各組成(D a−8iC:
H(7)光導電性を示すグラフ、 第4図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第5図は
光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ、 第6図は表面側の第1のa−8iC:H表面層の厚みに
よる残留電位の変化を示すグラフ である。
図は電子写真感光体の二側の一部分の各断面図、 ts3図はa−8i:H及び各組成(D a−8iC:
H(7)光導電性を示すグラフ、 第4図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第5図は
光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ、 第6図は表面側の第1のa−8iC:H表面層の厚みに
よる残留電位の変化を示すグラフ である。
なお、図面に示されている符号において、1・・・・・
・支持体(基板) 2− @ 2 (D a−8iC:H層3・・・・・・
a−8iGe:H感光層(光導電層)4・・・・・・第
1のa−8tc:)(層11・・・・・・グロー放電装
置 17・・・・・・高周波電極 30・・・・・・ガス状ゲルマニウム化合物供給源31
・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源32・・・・
・・ガス状炭素化合物供給源33・・・・・・キャリア
ガス供給源 ρD/l)L・・・・・・暗所抵抗率/光照射時の抵抗
率である。
・支持体(基板) 2− @ 2 (D a−8iC:H層3・・・・・・
a−8iGe:H感光層(光導電層)4・・・・・・第
1のa−8tc:)(層11・・・・・・グロー放電装
置 17・・・・・・高周波電極 30・・・・・・ガス状ゲルマニウム化合物供給源31
・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源32・・・・
・・ガス状炭素化合物供給源33・・・・・・キャリア
ガス供給源 ρD/l)L・・・・・・暗所抵抗率/光照射時の抵抗
率である。
代理人 弁理士 逢 坂 宏
厚 み(μ几)
(自引手続補正書
昭和58年5月10日
特許庁長官 若杉和夫 殿
1、事件の表示
昭和57年 特許 願第75655号2、発明の名称
感光体
3、?!正をする老
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)小西六写真工業株式会社4、代理人 6、禎正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)、明細書第10真下から6〜5行目の「a−3i
C:H層・・・・・・・・・により」を削除します。
(127)小西六写真工業株式会社4、代理人 6、禎正により増加する発明の数 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)、明細書第10真下から6〜5行目の「a−3i
C:H層・・・・・・・・・により」を削除します。
(2)、同第11頁下から4行目の「ようになり」を削
除します。
除します。
(3)、同第14頁5〜6行目の「、より好ましくは3
0〜90 atomic%」を削除します。
0〜90 atomic%」を削除します。
(4)、同第17頁下から4行目の「23」を「23.
26」と訂正します。
26」と訂正します。
(5)、同第24頁5行目の「いたが、」を「いた。」
と訂正します。
と訂正します。
(6)、同第25頁13行目の「50℃」を「250℃
」と訂正します。
」と訂正します。
(7)、同第25頁14行目の「4時間」を18時間j
と訂正します。
と訂正します。
(8)、同第25頁16行目の「3分」を「6分」と訂
正します。
正します。
(9)、同第27頁10行目のr700nm Jをr7
50nm Jと訂正します。
50nm Jと訂正します。
一以 −L−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンゲ
ルマニウムとアモルファス水素化及ヒ/又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウムとの少なくとも一方からなる光
導電層と、この光導電層上に形成された第1のアモルフ
ァス水素化及び又はフッ素化炭化シリコン層と、前記光
導電層下に形成された第2のアモルファス水素化及び/
又はフッ素化炭化シリコン層とを有することを特徴とす
る感光体。 2、第1のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化
シリコン層の厚みが50X〜5ooo Xの範囲に選択
されている、特許請求の範囲の第1項に記載した感光体
。 3、光導電層の厚みが5ooo X〜80μmであり、
第2のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが50X〜5000Xである、特許請求の
範囲の第1項又は第2項に記載した感光体。 4、光導電層の厚みが1oooX〜5μmであり、第2
のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化シリコン
層の厚みが5000 X〜80μmである、特許請求の
範囲の第1項又は第2項に記載した感光体。 5、第1のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化
シリコン層中の炭素原子含有量が40 atomi c
%〜90atomic%である、特許請求の範囲の第1
項〜第4項のいずれか1項に記載した感光体。 6、第2のアモルファス水素化及び/又はフッ素化炭化
シリコン層中の炭素原子含有量が10 atomic嗟
〜90atomic%である、特許請求の範囲の第1項
〜第4項項のいずれか1項に記載した感光体。 7、光導電層中のゲルマニウム含有量が0.1 ato
rnicチ〜50 atomic Toである、特許請
求の範囲のta1項〜第6墳のいずれか1項に記載した
感光体。 8 光導電層中の炭素原子含有量が0.001 ppm
〜30 atomic%である、特許請求の範囲の第1
項〜第7項のいずれか1項に記載した感光体。 9、光導電層に周期表第H層族の元素がドーグされてい
る、特許請求の範囲の第1項4第8項のいずれか1項に
記載した感光体。 10、周期表第1[IA族の元素がB、 AtXGa又
はInである、特許請求の範囲の第9項に記載した感光
体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57075655A JPS58192044A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
US06/489,317 US4495262A (en) | 1982-05-06 | 1983-04-28 | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers |
DE19833316649 DE3316649A1 (de) | 1982-05-06 | 1983-05-06 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57075655A JPS58192044A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58192044A true JPS58192044A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13582465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57075655A Pending JPS58192044A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS58192044A (ja) |
DE (1) | DE3316649A1 (ja) |
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JPS62115169A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Canon Inc | 光受容部材 |
JPS62115454A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Canon Inc | 光受容部材 |
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JPS6355557A (ja) * | 1986-04-18 | 1988-03-10 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
JPS63165857A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
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US4595645A (en) * | 1983-10-31 | 1986-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having a-Ge and a-Si layers with nonuniformly distributed oxygen |
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DE3447671A1 (de) * | 1983-12-29 | 1985-07-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungsmaterial |
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1982
- 1982-05-06 JP JP57075655A patent/JPS58192044A/ja active Pending
-
1983
- 1983-04-28 US US06/489,317 patent/US4495262A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-05-06 DE DE19833316649 patent/DE3316649A1/de active Granted
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Also Published As
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---|---|
US4495262A (en) | 1985-01-22 |
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