JPS6125154A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6125154A JPS6125154A JP14619884A JP14619884A JPS6125154A JP S6125154 A JPS6125154 A JP S6125154A JP 14619884 A JP14619884 A JP 14619884A JP 14619884 A JP14619884 A JP 14619884A JP S6125154 A JPS6125154 A JP S6125154A
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- Japan
- Prior art keywords
- overcoat layer
- layer
- carbon
- electrophotographic photoreceptor
- polarity
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体、就中、アモルファスシリコン
感光体に関する。
感光体に関する。
・ 従来技術
ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕ
ｓ ５ｉｌｌｉｃｏｎ：以下ａ−’Ｓｉ と略す）の感
光体への応用が注目されてきている。また同様に長波長
領域の感度を向上して半導体レーザによる作像を可能と
する７モル７アスシリコンーゲルマニウム（以下ａ−３
ｉ：Ｇｅと記す）の応用も注目されている。これはａ
Ｓｉやａ−６ｉ：Ｇｅが従来のセレンやＣｄＳ 感光
体と比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性
等において一段と優れているためである。
て生成されるアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕ
ｓ ５ｉｌｌｉｃｏｎ：以下ａ−’Ｓｉ と略す）の感
光体への応用が注目されてきている。また同様に長波長
領域の感度を向上して半導体レーザによる作像を可能と
する７モル７アスシリコンーゲルマニウム（以下ａ−３
ｉ：Ｇｅと記す）の応用も注目されている。これはａ
Ｓｉやａ−６ｉ：Ｇｅが従来のセレンやＣｄＳ 感光
体と比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光感度特性
等において一段と優れているためである。
しかしながら、ａ−８ｉやａ−８ｉ：Ｇｅは暗抵抗が低
くそのままでは電荷保持層を兼ねた光導電層として使用
できないという欠点がある。このため、酸素や窒素を含
有させてその暗抵抗を向上させることが提案されている
が、逆に光感度が低下するという欠点があり、その含有
量も制限がある。
くそのままでは電荷保持層を兼ねた光導電層として使用
できないという欠点がある。このため、酸素や窒素を含
有させてその暗抵抗を向上させることが提案されている
が、逆に光感度が低下するという欠点があり、その含有
量も制限がある。
一方、ａ Ｓｉ系感光体における暗抵抗が小さく暗減
衰が着るしく速いという欠点を解消する方法として、オ
ーバーコート層のａ−８ｉに炭素を含有させ、絶縁層を
形成せしめて、電荷の保持能を向上させる方法が提案さ
れている（例えば、特開昭５７−１１５５５１号公報、
特開昭５８−１０８５４３号公報）。特開昭５７−１１
５５５１号公報に記載の技術はａ−８ｉ に高濃度（４
０〜９０ａｔ％）炭素原子を含有させる方法であるが、
炭素含量が高い場合は光疲労や感度低下をきたし、しか
も帯電能な向上させるためには炭素濃度をより高く、場
合によっては７０ ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔ％と記
す）以上とする必要がある。この様な、高炭素濃度のオ
ーバーコート層は通常のグロー放電では困難であり、し
かも得られた感光体は炭素濃度が高く、光導電層（ａ
Ｓｉ またはａ Ｓ’ｉ：Ｇｅ）との密着性が劣り
、画像に白筋を形成する原因となる。、従って炭素含量
をあげて帯電能を向上させるには限界がある。
衰が着るしく速いという欠点を解消する方法として、オ
ーバーコート層のａ−８ｉに炭素を含有させ、絶縁層を
形成せしめて、電荷の保持能を向上させる方法が提案さ
れている（例えば、特開昭５７−１１５５５１号公報、
特開昭５８−１０８５４３号公報）。特開昭５７−１１
５５５１号公報に記載の技術はａ−８ｉ に高濃度（４
０〜９０ａｔ％）炭素原子を含有させる方法であるが、
炭素含量が高い場合は光疲労や感度低下をきたし、しか
も帯電能な向上させるためには炭素濃度をより高く、場
合によっては７０ ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔ％と記
す）以上とする必要がある。この様な、高炭素濃度のオ
ーバーコート層は通常のグロー放電では困難であり、し
かも得られた感光体は炭素濃度が高く、光導電層（ａ
Ｓｉ またはａ Ｓ’ｉ：Ｇｅ）との密着性が劣り
、画像に白筋を形成する原因となる。、従って炭素含量
をあげて帯電能を向上させるには限界がある。
後者はａ Ｓｉ オーバーコート層内に炭素を３０’
ａｔ％以下含有させるものであり、これによって帯電能
の向上を図る方法である。しかしながら３０ａｔ％まで
の炭素の使用では満足すべき帯電能は得られず、しかも
画像流れを生ずる等満足すべき結果は得られない。
ａｔ％以下含有させるものであり、これによって帯電能
の向上を図る方法である。しかしながら３０ａｔ％まで
の炭素の使用では満足すべき帯電能は得られず、しかも
画像流れを生ずる等満足すべき結果は得られない。
発明の目的
本発明はａ−Ｓｉ系感光体における暗抵抗が小さく帯電
能に劣ると云う欠点を解決することを目的とする。さら
に従来この目的で提案された７モル７アスシリコンー炭
素（以下ａ Ｓｉ −Ｃ−Ｈと記す）をオーバーコ
ート層とする感光体でみられる上記諸欠点がなく、それ
よりも高い帯電能を有する感光体を得ることを目的とす
る。
能に劣ると云う欠点を解決することを目的とする。さら
に従来この目的で提案された７モル７アスシリコンー炭
素（以下ａ Ｓｉ −Ｃ−Ｈと記す）をオーバーコ
ート層とする感光体でみられる上記諸欠点がなく、それ
よりも高い帯電能を有する感光体を得ることを目的とす
る。
発明の構成
本発明は７モル７７スシリコンを含む光導電層上に炭素
または炭素と酸素を含むアモルファスシリコン系透光性
オーバーコート層を設けた電子写真感光体において、該
オーバーコート層が使用帯電極性とは逆極性の電荷を多
数キャリアとなるようＨＡ族元素により極性調整されて
いることを特徴とする電子写真感光体に関する。
または炭素と酸素を含むアモルファスシリコン系透光性
オーバーコート層を設けた電子写真感光体において、該
オーバーコート層が使用帯電極性とは逆極性の電荷を多
数キャリアとなるようＨＡ族元素により極性調整されて
いることを特徴とする電子写真感光体に関する。
以下、本発明につき詳細に説明する。
第１図は本発明に係る感光体の構成の一例を示し、（１
）は導電性基板で、その上に少なくともａ−Ｓ ｉ を
含む光導電層（２）とａ−Ｓｉ を含み炭素と酸素を含
有してなる絶縁透光性のオーバーコート層（３）を順次
積層してなるものである。
）は導電性基板で、その上に少なくともａ−Ｓ ｉ を
含む光導電層（２）とａ−Ｓｉ を含み炭素と酸素を含
有してなる絶縁透光性のオーバーコート層（３）を順次
積層してなるものである。
基板（１）上に形成されるａ Ｓｉ を含む光導電層
（２）は、例えば、グロー放電分解法によって１０〜１
００μ胃、好ましくは１０〜６０μ肩に生成される。−
例として５ｉＨ＝、５ｉｄ（ａｊｒス等をＨ２、Ａｒ等
をキャリアーがスとして用い減圧可能な反応室内に送り
込み、高周波電力印加の下にグロー放電を起こして基板
上に水素を含むａ−８ｉ光導電層を形成させたものであ
ってもよく、更にはＧ、ｅＨ４Ｎスを並行して送り込み
形成したａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層でもよい、もっともこ
のようにして得られる光導電層は暗抵抗が不充分に低い
ので、暗抵抗の向上の目的のために周期律表第１１ＩＡ
族不純物（好ましくは硼素）、微量の酸素、炭素、窒素
等を含有させてもよい。
（２）は、例えば、グロー放電分解法によって１０〜１
００μ胃、好ましくは１０〜６０μ肩に生成される。−
例として５ｉＨ＝、５ｉｄ（ａｊｒス等をＨ２、Ａｒ等
をキャリアーがスとして用い減圧可能な反応室内に送り
込み、高周波電力印加の下にグロー放電を起こして基板
上に水素を含むａ−８ｉ光導電層を形成させたものであ
ってもよく、更にはＧ、ｅＨ４Ｎスを並行して送り込み
形成したａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層でもよい、もっともこ
のようにして得られる光導電層は暗抵抗が不充分に低い
ので、暗抵抗の向上の目的のために周期律表第１１ＩＡ
族不純物（好ましくは硼素）、微量の酸素、炭素、窒素
等を含有させてもよい。
この光導電層（２）と基板との闇にアンダーコート層を
設けてもよい。
設けてもよい。
光導電層（２）上に形成されるａ Ｓｉ を含むオー
バーコート層（３）はやはり同様に、例えば、グロー放
電分解法によって厚さ０．０１〜３μ肩に生成される。
バーコート層（３）はやはり同様に、例えば、グロー放
電分解法によって厚さ０．０１〜３μ肩に生成される。
このオーバーコート層（３）はその抵抗値が光導電層（
２）より高く、層全体を通してその抵抗値が略一定であ
るか或いは光導電層（２）との界面より厚さ方向に順次
高くなるよ）に形成される。具体的に上記オーバーコー
ト層（３）はａ −８ｉ乃至ａ Ｓｉ：Ｇｅに炭素ま
たは炭素と酸素を含有し、更にＨＡ族元素により極性が
調整されている。
２）より高く、層全体を通してその抵抗値が略一定であ
るか或いは光導電層（２）との界面より厚さ方向に順次
高くなるよ）に形成される。具体的に上記オーバーコー
ト層（３）はａ −８ｉ乃至ａ Ｓｉ：Ｇｅに炭素ま
たは炭素と酸素を含有し、更にＨＡ族元素により極性が
調整されている。
前述したごとくオーバーコート層のａ−８ｉに炭素を導
入して、その絶縁性を向上させ光感度特性を改良する技
術は知られているが、この方法で帯電能につき顕著な効
果が得られるまで炭素含量を上げてゆくと、高湿条件の
下で画像上に白斑点模様が発生し反復複写では光導電層
との密着性の劣化に伴う表面コート膜の剥＃ｌが実用上
の問題となる。また、炭素量の増大に伴ない表面硬度が
低下し、長期の反復使用に適さない。
入して、その絶縁性を向上させ光感度特性を改良する技
術は知られているが、この方法で帯電能につき顕著な効
果が得られるまで炭素含量を上げてゆくと、高湿条件の
下で画像上に白斑点模様が発生し反復複写では光導電層
との密着性の劣化に伴う表面コート膜の剥＃ｌが実用上
の問題となる。また、炭素量の増大に伴ない表面硬度が
低下し、長期の反復使用に適さない。
本発明ではオーバーコート層の極性調整を行なうことに
より、適当な炭素含量領域、例えば、５−７０ｎｔ％（
（Ｃ原子数／（Ｓ■原子数十〇原子数）！Ｘ １００
）、より好ましくは３５〜６５ａＬ％において、より高
い帯電能と光疲労の除去を達成している。
より、適当な炭素含量領域、例えば、５−７０ｎｔ％（
（Ｃ原子数／（Ｓ■原子数十〇原子数）！Ｘ １００
）、より好ましくは３５〜６５ａＬ％において、より高
い帯電能と光疲労の除去を達成している。
本発明におけるオーバーコート層の極性調整は（−）帯
電時においては、オーバーコート層中では、（＋）極性
の電荷が多数キャリアになるよう（Ｐ型）、又（＋）帯
電時においては（−）極性の電荷が多数キャリアとなる
よう（Ｎ型）価電子制御することにより行なう。
電時においては、オーバーコート層中では、（＋）極性
の電荷が多数キャリアになるよう（Ｐ型）、又（＋）帯
電時においては（−）極性の電荷が多数キャリアとなる
よう（Ｎ型）価電子制御することにより行なう。
上記の、極性調整により、オーバーコート層に帯電した
電荷は暗中ではオーバーコート層に保持され光導電層へ
の注入が抑制される一方、露光に際しては光導電層で発
生した光キャリアの表面への注出が容易となる。その結
果、感光体の帯電能は向上し、暗減衰は小さくなる。ま
た、光疲労を抑制することができる。
電荷は暗中ではオーバーコート層に保持され光導電層へ
の注入が抑制される一方、露光に際しては光導電層で発
生した光キャリアの表面への注出が容易となる。その結
果、感光体の帯電能は向上し、暗減衰は小さくなる。ま
た、光疲労を抑制することができる。
価電子制御においてＰ型持性はＩＩＩＡ族、主として硼
素を２００〜１１００００ｐｐ ドープすることによっ
て行なえばよい６またＮ型は同様に硼素を５〜２０ｐｐ
ｍドープすることにより行なえば上ν１゜強いＰ型、強
いＮ型は光疲労の発生原因となり、却って帯電能の低下
を引き起こすため望ましくな（１゜ 本発明のオーバーコート層は炭素の他に酸素を含有して
いてもよい。酸素はオーバーコート層（３）の透光性を
着しく改善し、現に実験によればａ Ｓｉオーバーコ
ート層に炭素のみを約４０ａｔ％含有するものと、４０
ａｔ％の炭素に加え約５ａｔ％の酸素を含有するオーバ
ーコート層の感光体とでは後者の方が光感度が約１．８
倍も高い。
素を２００〜１１００００ｐｐ ドープすることによっ
て行なえばよい６またＮ型は同様に硼素を５〜２０ｐｐ
ｍドープすることにより行なえば上ν１゜強いＰ型、強
いＮ型は光疲労の発生原因となり、却って帯電能の低下
を引き起こすため望ましくな（１゜ 本発明のオーバーコート層は炭素の他に酸素を含有して
いてもよい。酸素はオーバーコート層（３）の透光性を
着しく改善し、現に実験によればａ Ｓｉオーバーコ
ート層に炭素のみを約４０ａｔ％含有するものと、４０
ａｔ％の炭素に加え約５ａｔ％の酸素を含有するオーバ
ーコート層の感光体とでは後者の方が光感度が約１．８
倍も高い。
また表面硬度も低下はなくむしろ向上となっている。更
に高温条件下、反復複写においても画像流れや白斑点は
なく長期に渡り良好な画像を形成することができる。オ
ーバーコート層（３）に含有される炭素と酸素の量はそ
れらが層全体に渡って略均−に含有される場合と厚さ方
向に勾配をもって含有される場合とで異なるが、均一に
含有するときはａ Ｓｉに対し約５〜７０ａＬ％の炭
素と、微量から約１０ａｔ％の酸素であることが望まし
い。炭素および酸素の含有量をそれぞれ最低Ｓａｔ％、
および微量（約０． １ ａｔ％以上）とするのは、そ
れ以下ではオーバーコート層の高抵抗化が図れず光疲労
も大きく透光性も不充分であるためで、また約７０’ａ
ｔ％以上の炭素または１０ａｔ％以上の酸素を含有する
場合は残留電位が発生したり、画像流れが生じるためで
ある。一方、厚さ方向に勾配をもって含有するときはオ
ーバーコート層の厚さ方向に含有量が徐々に増大するよ
うにし、約１〜６０ａｔ％の炭素と微量から最大的２５
ａｔ％の酸素を含有することができる。尚、炭素の含
有量を一定として酸素含有量を徐々に増大するようにし
てもよいし、またその逆でもよい。
に高温条件下、反復複写においても画像流れや白斑点は
なく長期に渡り良好な画像を形成することができる。オ
ーバーコート層（３）に含有される炭素と酸素の量はそ
れらが層全体に渡って略均−に含有される場合と厚さ方
向に勾配をもって含有される場合とで異なるが、均一に
含有するときはａ Ｓｉに対し約５〜７０ａＬ％の炭
素と、微量から約１０ａｔ％の酸素であることが望まし
い。炭素および酸素の含有量をそれぞれ最低Ｓａｔ％、
および微量（約０． １ ａｔ％以上）とするのは、そ
れ以下ではオーバーコート層の高抵抗化が図れず光疲労
も大きく透光性も不充分であるためで、また約７０’ａ
ｔ％以上の炭素または１０ａｔ％以上の酸素を含有する
場合は残留電位が発生したり、画像流れが生じるためで
ある。一方、厚さ方向に勾配をもって含有するときはオ
ーバーコート層の厚さ方向に含有量が徐々に増大するよ
うにし、約１〜６０ａｔ％の炭素と微量から最大的２５
ａｔ％の酸素を含有することができる。尚、炭素の含
有量を一定として酸素含有量を徐々に増大するようにし
てもよいし、またその逆でもよい。
但し後者の場合は、酸素含有量を最大１０ａｔ％としな
ければならない。
ければならない。
発明の効果
本発明で得られる感光体は従来のａ−８ｉ −Ｃ−Ｈ
をオーバーコートした感光体に比べ優れた帯電能を有し
暗減衰が少なく、光疲労がない。また、炭素濃度を低く
しても優れた帯電能を示すため炭素濃度を着るしく高く
する必要がなく、従って耐湿性、耐摩耗性等において優
れ、かつ画像に白筋や白斑のない感光体を得ることがで
きる。
をオーバーコートした感光体に比べ優れた帯電能を有し
暗減衰が少なく、光疲労がない。また、炭素濃度を低く
しても優れた帯電能を示すため炭素濃度を着るしく高く
する必要がなく、従って耐湿性、耐摩耗性等において優
れ、かつ画像に白筋や白斑のない感光体を得ることがで
きる。
さらに酸素をドープすることにより、オーバーコート層
と光導電層間の密着性が改良され、さらに低炭素含量の
ａ−８ｉ ・Ｃ−Ｈによって生し易い光疲労や不透明
化の問題が解消される。
と光導電層間の密着性が改良され、さらに低炭素含量の
ａ−８ｉ ・Ｃ−Ｈによって生し易い光疲労や不透明
化の問題が解消される。
以下、実施例を挙げて説明する。
実施例１
第２図に示すグロー放電分解装着において、まず、回転
ポンプ（１９）を、それに続いて拡散ポンプ（２０）を
作動させ、反応室（２１）の内部を１０−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１〜第３及び第５調整弁（９）
、（１０）、（１１）。
ポンプ（１９）を、それに続いて拡散ポンプ（２０）を
作動させ、反応室（２１）の内部を１０−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１〜第３及び第５調整弁（９）
、（１０）、（１１）。
（１３）を開放し、第１タンク（４）より、Ｈ２ガス、
第２タンク（５）より１００％Ｓ ｉ Ｈ４１ｆス、第
３タンク（６）よりＨ２で２００ ｐｐｍに希釈された
Ｂ ２Ｈ６ガス、更に第５タンク（８）より０２ガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下でマス７０−コントＵ
−ラ （１４）、（３５）ｌ（ｊ ６）、（１８）内へ
流入させた。そして、各マス７ａ−コントローラの目盛
を調整して、Ｈ２の流量を４８６．５ｓｅｃｍ ＋ Ｓ
ｉＨ４を９０ ｓｅｃｍ 、 Ｂ２Ｈ６を２２゜５ ｓ
ｃｃｍ ＋ ０２を１．０ｓｅｃｍとなるように設定し
て反応室（２１）内へ流入した。夫々の流量が安定した
後に、反応室（２１）の内圧力弓、ＯＴ ｏｒｒとなる
ように調整した。一方、導電性基板（２２）としては直
径８０ｍｍのアルミニウムドラムを用いて２４０℃に予
しめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定し
た状態で高周波電源（２３）＠投入し電極板（２４）に
２５０ｗａｔＬｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ ）
を印加してグロー放電を発生させた。このグロー放電を
約６時間持続して行い、導電性基板（２２）Ｃａ２図（
１））上に水素、硼素並びに微量の酸素を含む厚さ約２
０μｍのａ−８ｉ光導電層（２）を形成した。
第２タンク（５）より１００％Ｓ ｉ Ｈ４１ｆス、第
３タンク（６）よりＨ２で２００ ｐｐｍに希釈された
Ｂ ２Ｈ６ガス、更に第５タンク（８）より０２ガスを
出力圧ゲージＩＫｇ／ｃｍ２の下でマス７０−コントＵ
−ラ （１４）、（３５）ｌ（ｊ ６）、（１８）内へ
流入させた。そして、各マス７ａ−コントローラの目盛
を調整して、Ｈ２の流量を４８６．５ｓｅｃｍ ＋ Ｓ
ｉＨ４を９０ ｓｅｃｍ 、 Ｂ２Ｈ６を２２゜５ ｓ
ｃｃｍ ＋ ０２を１．０ｓｅｃｍとなるように設定し
て反応室（２１）内へ流入した。夫々の流量が安定した
後に、反応室（２１）の内圧力弓、ＯＴ ｏｒｒとなる
ように調整した。一方、導電性基板（２２）としては直
径８０ｍｍのアルミニウムドラムを用いて２４０℃に予
しめ加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定し
た状態で高周波電源（２３）＠投入し電極板（２４）に
２５０ｗａｔＬｓの電力（周波数１３．５６ＭＨｚ ）
を印加してグロー放電を発生させた。このグロー放電を
約６時間持続して行い、導電性基板（２２）Ｃａ２図（
１））上に水素、硼素並びに微量の酸素を含む厚さ約２
０μｍのａ−８ｉ光導電層（２）を形成した。
ａ Ｓｉ光導電層が形成されると、高周波電源（２３
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラの流量を０設定にし、反応室（２１）内を十分脱
気した。その後、第１タンク（４）よりＨ２ガスを４８
６．５ ｓｅｃｍ、第２タンク（５）よ？ン１００％Ｓ
ｉ Ｈ４Ｎスを９０ ｓｅｃｍ 、第３タンク（６
）よりＢ２Ｈ６，マスを９０ｓｃｃｍおよび第４タンク
（７）よりＣ２Ｈ，ガスを１３５ ｓｅｃ＋ｎ 。
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラの流量を０設定にし、反応室（２１）内を十分脱
気した。その後、第１タンク（４）よりＨ２ガスを４８
６．５ ｓｅｃｍ、第２タンク（５）よ？ン１００％Ｓ
ｉ Ｈ４Ｎスを９０ ｓｅｃｍ 、第３タンク（６
）よりＢ２Ｈ６，マスを９０ｓｃｃｍおよび第４タンク
（７）よりＣ２Ｈ，ガスを１３５ ｓｅｃ＋ｎ 。
第５タンク（８）より０２〃スを１０１０５ｅを反応室
内部に流入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒに調整した下で
高周波電源を投入して２５０ Ｗａｔｔｓの電力を印加
した。２分間放電を続は約０．１μ肩のオーバーコート
層（３）を形成した。尚、このときの炭素含有量は約４
０ａｔ％であった。
内部に流入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒに調整した下で
高周波電源を投入して２５０ Ｗａｔｔｓの電力を印加
した。２分間放電を続は約０．１μ肩のオーバーコート
層（３）を形成した。尚、このときの炭素含有量は約４
０ａｔ％であった。
こうして得られた感光体を粉像転写型複写ｆｉ（Ｅ−Ｐ
６５０Ｚ：ミノルタカメラ（株））製にセットし、（＋
）帯電にてコピーしたところ解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
６５０Ｚ：ミノルタカメラ（株））製にセットし、（＋
）帯電にてコピーしたところ解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
また、５０ 、０００枚の連続複写を行なっても画像特
性の低下は認められず最後まで良好なコピーが得られた
。更に３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複写
でもその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変
わることはなかった。
性の低下は認められず最後まで良好なコピーが得られた
。更に３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複写
でもその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変
わることはなかった。
実施例２〜４および参考側上ユＡ
オーバーコート層の反応ガスの種類および量を変える以
外実施例１と同様にして感光体を作成した。ガスの種類
、量および得られた感光体の電子写真特性を表−１に示
す。
外実施例１と同様にして感光体を作成した。ガスの種類
、量および得られた感光体の電子写真特性を表−１に示
す。
第１図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第２図は
本発明に係る感光体を製造するためのグロー放電分解装
置の概略構成を示す図である。 （２）・・・ｕ Ｓｉ光導電層、（３）・・・オーバ
ーコート層、（４）〜（８）・・・第１〜第５タンク、
（２１）反応室、（２２）・・・導電性基板、（２３）
・・・高周波電源。 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社 第２図
本発明に係る感光体を製造するためのグロー放電分解装
置の概略構成を示す図である。 （２）・・・ｕ Ｓｉ光導電層、（３）・・・オーバ
ーコート層、（４）〜（８）・・・第１〜第５タンク、
（２１）反応室、（２２）・・・導電性基板、（２３）
・・・高周波電源。 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファスシリコンを含む光導電層上に炭素また
は炭素と酸素を含むアモルファスシリコン系透光性オー
バーコート層を設けた電子写真感光体において、該オー
バーコート層が使用帯電極性とは逆極性の電荷を多数キ
ャリアとなるようIIIＡ族元素により極性調整されてい
ることを特徴とする電子写真感光体。 ２、負帯電使用時、オーバーコート層が硼素を２００〜
１００００ｐｐｍ（対シリコン）までの量含有する第１
項記載の電子写真感光体。 ３、正帯電使用時、オーバーコート層が硼素を５〜２０
ｐｐｍ（対シリコン）までの量含有する第１項記載の電
子写真感光体。 ４、オーバーコート層が炭素を５〜７０ａｔ％および酸
素を１０ａｔ％以下含有する第１項記載の電子写真感光
体。 ５、オーバーコート層の厚さが約０．０１〜３μｍであ
り、光導電層の厚さが約１０〜１００μｍである第１項
記載の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146198A JPH0740138B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
| US06/753,596 US4642278A (en) | 1984-07-14 | 1985-07-10 | Photosensitive member with an insulating layer of amorphous silicon |
| DE19853524968 DE3524968A1 (de) | 1984-07-14 | 1985-07-12 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146198A JPH0740138B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6125154A true JPS6125154A (ja) | 1986-02-04 |
| JPH0740138B2 JPH0740138B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15402343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146198A Expired - Lifetime JPH0740138B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642278A (ja) |
| JP (1) | JPH0740138B2 (ja) |
| DE (1) | DE3524968A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151549A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62183466A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光受容部材 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009977A (en) * | 1988-06-28 | 1991-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photosensitive member for electrophotography having amorphous silicon |
| US5159389A (en) * | 1988-08-30 | 1992-10-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrostatic latent image apparatus |
| US5504559A (en) * | 1993-08-30 | 1996-04-02 | Minolta Co., Ltd. | Method for image formation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539283A (en) * | 1981-01-16 | 1985-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon photoconductive member |
| US4465750A (en) * | 1981-12-22 | 1984-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with a -Si having two layer regions |
| GB2115570B (en) * | 1981-12-28 | 1985-07-10 | Canon Kk | Photoconductive member |
-
1984
- 1984-07-14 JP JP59146198A patent/JPH0740138B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-07-10 US US06/753,596 patent/US4642278A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-12 DE DE19853524968 patent/DE3524968A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151549A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62183466A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光受容部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740138B2 (ja) | 1995-05-01 |
| US4642278A (en) | 1987-02-10 |
| DE3524968A1 (de) | 1986-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |