JPS60208798A - 薄膜el表示装置の駆動装置 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動装置Info
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- JPS60208798A JPS60208798A JP6616684A JP6616684A JPS60208798A JP S60208798 A JPS60208798 A JP S60208798A JP 6616684 A JP6616684 A JP 6616684A JP 6616684 A JP6616684 A JP 6616684A JP S60208798 A JPS60208798 A JP S60208798A
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- drive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、薄膜EL表示装置の駆動装置に関するもので
ある。
ある。
〈従来技術〉
薄膜EL表示装置は、交流駆動型容量性フラットマトリ
ックスディスプレイパネルであり、高電正駆動を要する
。
ックスディスプレイパネルであり、高電正駆動を要する
。
従来、このような簿膜EL表示装置のため、例えば、日
経エレクトロニクス、1979年4月2日号の特s r
薄膜エレクトロルミネッセント(EL)文字ディスプレ
イの実用化技術」に詳細に説明されるように、プルダウ
ン機能のみを有する高耐圧N−chMOsドライバと、
プルアップ機能を有するダイオードとを組合わせて、そ
の駆動装置を構成している。
経エレクトロニクス、1979年4月2日号の特s r
薄膜エレクトロルミネッセント(EL)文字ディスプレ
イの実用化技術」に詳細に説明されるように、プルダウ
ン機能のみを有する高耐圧N−chMOsドライバと、
プルアップ機能を有するダイオードとを組合わせて、そ
の駆動装置を構成している。
しかしこの駆動装置は、■リフレッシュパルスに対して
書込みパルスの位相が走査電極にそって順次変化する、
■データ側電極の選択、非選択によって予備充電圧によ
るDC電圧が生しる、■リフレッシュパルスと書込みパ
ルスの振幅が非対称となるものである。これらは、交流
駆動型である薄膜EL表示装置において、時間経過とと
もに電圧−輝度特性の傾斜をゆるやかにさせ、表示品質
の低下など長期信頼性の上で望ましくない現象を生じさ
せた。
書込みパルスの位相が走査電極にそって順次変化する、
■データ側電極の選択、非選択によって予備充電圧によ
るDC電圧が生しる、■リフレッシュパルスと書込みパ
ルスの振幅が非対称となるものである。これらは、交流
駆動型である薄膜EL表示装置において、時間経過とと
もに電圧−輝度特性の傾斜をゆるやかにさせ、表示品質
の低下など長期信頼性の上で望ましくない現象を生じさ
せた。
〈発明の目的〉
本発明は、走査側電極の駆動回路として、プルダウン機
能のみを有するN−chMOsドライバとプルアップ機
能のみを有するP−chMOsドライバとを巧みに組合
わせ、lフィールド(1画面の線順次駆動)毎に極性を
反転したいわゆるフィールド反転駆動を実現するもので
あり、交流駆動型、容量性の薄膜EL表示装置に対し、
表示品質などにおける長期信頼性の高い駆動装置を提供
するものである。
能のみを有するN−chMOsドライバとプルアップ機
能のみを有するP−chMOsドライバとを巧みに組合
わせ、lフィールド(1画面の線順次駆動)毎に極性を
反転したいわゆるフィールド反転駆動を実現するもので
あり、交流駆動型、容量性の薄膜EL表示装置に対し、
表示品質などにおける長期信頼性の高い駆動装置を提供
するものである。
〈実施例〉
以下図面に従って本発明の一実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の駆動回路構成例を示すブロック図であ
る。
る。
10は薄膜EL表示装置を示し、この図ではX方向電極
をデータ側電極とし、Y方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。
をデータ側電極とし、Y方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。
20.30は、Y方向電極の奇数ラインと偶数ラインに
それぞれ対応する走査側NLch高耐圧MO5ICで、
21,31は各IC中のシフトレジスタ等の論理回路で
ある。40.50は同走査側P−ch高耐圧MO5IC
で、41.51は各IC中ノシフトレジスタ等の論理回
路である。
それぞれ対応する走査側NLch高耐圧MO5ICで、
21,31は各IC中のシフトレジスタ等の論理回路で
ある。40.50は同走査側P−ch高耐圧MO5IC
で、41.51は各IC中ノシフトレジスタ等の論理回
路である。
60はデータ側N−ch高耐圧MO5ICT、61はI
C中のシフトレジスタ等の論理回路である。
C中のシフトレジスタ等の論理回路である。
70はデータ側のダイオードアレイを示し、これはデー
タ側駆動線の分離及びスイッチング素子の逆バイアス保
護をする。
タ側駆動線の分離及びスイッチング素子の逆バイアス保
護をする。
80は予備充電駆動回路、9oは引」二げ充電駆動回路
、100は書込み駆動回路である。また、110は走査
側N−ch高耐圧MO5IC20及び3゜のソース電位
切換え回路で、通常はアース電位に保たれる。
、100は書込み駆動回路である。また、110は走査
側N−ch高耐圧MO5IC20及び3゜のソース電位
切換え回路で、通常はアース電位に保たれる。
第2図に各高耐圧MO5)ランジスタ及び各駆動回路さ
らに電位切換え回路のオン・オフタイミング、第3図に
第1図中の絵素A、Bを代表例とする印加電圧波形を示
す。
らに電位切換え回路のオン・オフタイミング、第3図に
第1図中の絵素A、Bを代表例とする印加電圧波形を示
す。
以下、第2図と第3図を参照して本案駆動装置の動作を
説明する。なおここでは、線順次駆動で、絵素Aを含む
Y2の走査側電極が選択されるものとする。また、後述
のように、1フイールド毎に絵素に印加される電圧の極
性を反転して駆動されるが、第1のフィールドをN−c
blフィールド第2のフィールドをP−cblフィール
ド呼ぶこととする。
説明する。なおここでは、線順次駆動で、絵素Aを含む
Y2の走査側電極が選択されるものとする。また、後述
のように、1フイールド毎に絵素に印加される電圧の極
性を反転して駆動されるが、第1のフィールドをN−c
blフィールド第2のフィールドをP−cblフィール
ド呼ぶこととする。
第1段階T1 :予備充電期間
まず、ソース電位切り換え回路110をアース電位にし
て、走査側N−ch高耐圧MO5IC2o、3゜内のす
べてのMOSトランジスタNT、−NTiをオン状態に
する。同時に、予備充電駆動回路80(電圧1/2VM
=30V)をオン状態にし、データ側ダイオードアレイ
70を介してパネル全面を充電する。
て、走査側N−ch高耐圧MO5IC2o、3゜内のす
べてのMOSトランジスタNT、−NTiをオン状態に
する。同時に、予備充電駆動回路80(電圧1/2VM
=30V)をオン状態にし、データ側ダイオードアレイ
70を介してパネル全面を充電する。
この時、データ側N−ch高耐圧MO5IC60内の全
MO5)ランジスタNt1−Nt3及び走査側P−ch
高耐圧MO3IC40,50内の全MO5)ランジスタ
PT、〜PTiはすべてオフ状態に保たれる。
MO5)ランジスタNt1−Nt3及び走査側P−ch
高耐圧MO3IC40,50内の全MO5)ランジスタ
PT、〜PTiはすべてオフ状態に保たれる。
第2膜
次に、走査側N−ch高耐圧MO5IC2@,30 内
の全MO5)ランジスタNTI〜NTiをオフ状態にし
て、かつデータ側N−ch高耐圧MOSIC60内の選
択されたデータ側駆動電極(例えばX2)に接続された
MOS)ランジスタ(Nt2)のみオフ状態のままにし
、他のデータ側駆動電極に接続されたMOS )ランジ
スタNtl−Ntjをオン状態に切換える。また同時に
、走査側P−ch高耐圧MO5IC40,50内の全M
O5)ランジスタPT1〜PTiをオン状態にする。デ
ータ側の非選択電極(Xj42)の電荷は、オン状態の
データ側N−ch高耐圧Mo5IC60内のMOS)ラ
ンジスタNtl〜Ntj(Nt*’のどく)と、走査側
P−ch高耐圧MO8IC40,50内の全MO5)ラ
ンジスタPT 、 −PT i及び書込み駆動回路10
0内のダイオード+01による接地ループ形成で放電す
る。
の全MO5)ランジスタNTI〜NTiをオフ状態にし
て、かつデータ側N−ch高耐圧MOSIC60内の選
択されたデータ側駆動電極(例えばX2)に接続された
MOS)ランジスタ(Nt2)のみオフ状態のままにし
、他のデータ側駆動電極に接続されたMOS )ランジ
スタNtl−Ntjをオン状態に切換える。また同時に
、走査側P−ch高耐圧MO5IC40,50内の全M
O5)ランジスタPT1〜PTiをオン状態にする。デ
ータ側の非選択電極(Xj42)の電荷は、オン状態の
データ側N−ch高耐圧Mo5IC60内のMOS)ラ
ンジスタNtl〜Ntj(Nt*’のどく)と、走査側
P−ch高耐圧MO8IC40,50内の全MO5)ラ
ンジスタPT 、 −PT i及び書込み駆動回路10
0内のダイオード+01による接地ループ形成で放電す
る。
その後、引上げ充電駆動回路90(電圧1/2VM=3
0V)をオン状態として、走査側電極をすべて30Vの
電位に引上げる。この時、走査側N−cb高耐圧MO5
IC20,30内の全MO5)ランジスタNT1〜NT
iはオフ状態にしておく。この結果、走査側電極(Y)
を中心に考えると、選択されたデータ側電極(X2)は
+30V1非選択データ側電極(Xj〜2)は−aov
の状態にある。
0V)をオン状態として、走査側電極をすべて30Vの
電位に引上げる。この時、走査側N−cb高耐圧MO5
IC20,30内の全MO5)ランジスタNT1〜NT
iはオフ状態にしておく。この結果、走査側電極(Y)
を中心に考えると、選択されたデータ側電極(X2)は
+30V1非選択データ側電極(Xj〜2)は−aov
の状態にある。
第3段階T3:書込み駆動期間
今、線順次駆動で選択された走査側電極はYlであるの
で、走査側N−ch高耐圧MO5IC30内のYlに接
続された?1fO5)ランジスタNT2のみをオン状態
に切り換え、また偶数ライン側のP−ch高耐圧MO3
IC50内の全MO5)ランジスタPT2〜PTiをオ
フ状態にする。この時、対向する奇数ライン側のP−c
h高耐圧MO5IC40内の全MOSトランジスタPT
I〜PTi 1 はオン状態にある。
で、走査側N−ch高耐圧MO5IC30内のYlに接
続された?1fO5)ランジスタNT2のみをオン状態
に切り換え、また偶数ライン側のP−ch高耐圧MO3
IC50内の全MO5)ランジスタPT2〜PTiをオ
フ状態にする。この時、対向する奇数ライン側のP−c
h高耐圧MO5IC40内の全MOSトランジスタPT
I〜PTi 1 はオン状態にある。
そして同時に、書込み駆動回路+00(ここでは電圧V
W=+90V)をオン状態にすることにより、奇数ライ
ン側P−ch高耐圧MO5IC40内の全MOSトラン
ジスタPT1〜PTi1を介してすべての奇数番目走査
側電極を190vに引上げる。
W=+90V)をオン状態にすることにより、奇数ライ
ン側P−ch高耐圧MO5IC40内の全MOSトラン
ジスタPT1〜PTi1を介してすべての奇数番目走査
側電極を190vに引上げる。
これによって、容量結合の性質から、データ側選択駆動
電極はVW)VM=220Vに引き上げられ、データ側
非選択電極はVW−±VM=+60Vに引漬げ禮凶れる
・ 選択された走査側電極(Y)が奇数ライシ側の場合は、
偶数ライン側の走査側P−ch高耐圧MO5IC50内
の全MO5)ランジスタPT2〜PTiをオン状態にし
て、すべての偶数側走査電極を+90Vに引上げる。
電極はVW)VM=220Vに引き上げられ、データ側
非選択電極はVW−±VM=+60Vに引漬げ禮凶れる
・ 選択された走査側電極(Y)が奇数ライシ側の場合は、
偶数ライン側の走査側P−ch高耐圧MO5IC50内
の全MO5)ランジスタPT2〜PTiをオン状態にし
て、すべての偶数側走査電極を+90Vに引上げる。
以上、走査側電極Y2を例に説明した、第1段階から第
3段階までと同様の駆動を、走査側電極Y1からYlま
で順次行なうことによってN−chフィールドの駆動を
完了し、次にP−chフィールドの駆動を始める。
3段階までと同様の駆動を、走査側電極Y1からYlま
で順次行なうことによってN−chフィールドの駆動を
完了し、次にP−chフィールドの駆動を始める。
P −c bフィールド
第1段階T、l、予備充電期間
この予備充電期間は、N−C11フイールド第1段階と
全く同様に行う。
全く同様に行う。
第2段階丁2′、放N/σ1上げ充電期間次に、走査側
N−ch高耐1)EMO5IC20,30内の全MO5
)ランジスタNT、−NTiをオフ状態にして、かつデ
ータ側N−ch高耐圧MO5IC60内では、NC11
フイールドの場合とは逆に、選択されたデータ側駆動電
極に接続されたMOS)ランジスタ(例えばN【2)の
みオン状態のままにし、他のデータ側駆動電極に接続さ
れたMosトランジスタNtl〜Ntj(Nt2を除く
)をオフ状態に切換える。また同時に、走査側P−ch
高耐圧Mo5IC40,50内の全MOSトランジスタ
PTl−PTiをオン状態にする。データ側の選択電極
の電荷は、オン状態のデータ側N−ch高耐圧MO5I
C60内のMOSトランジスタNt2と走査側P−ch
高耐圧MO5IC40,50内の全MOSトランジスタ
PT1〜PTi及び書込み駆動回路+00内のダイオー
ド101による接地ループ形成で放電する。
N−ch高耐1)EMO5IC20,30内の全MO5
)ランジスタNT、−NTiをオフ状態にして、かつデ
ータ側N−ch高耐圧MO5IC60内では、NC11
フイールドの場合とは逆に、選択されたデータ側駆動電
極に接続されたMOS)ランジスタ(例えばN【2)の
みオン状態のままにし、他のデータ側駆動電極に接続さ
れたMosトランジスタNtl〜Ntj(Nt2を除く
)をオフ状態に切換える。また同時に、走査側P−ch
高耐圧Mo5IC40,50内の全MOSトランジスタ
PTl−PTiをオン状態にする。データ側の選択電極
の電荷は、オン状態のデータ側N−ch高耐圧MO5I
C60内のMOSトランジスタNt2と走査側P−ch
高耐圧MO5IC40,50内の全MOSトランジスタ
PT1〜PTi及び書込み駆動回路+00内のダイオー
ド101による接地ループ形成で放電する。
そして次に、引上げ充電駆動回路9oをオン状態にして
、走査側電極(Y)をすべて’/2VM=30Vの電位
に引上げる。この時、走査側N−cb高耐圧MO5IC
20,30内の全MOSトランジスタNT1〜NTiは
オフ状態にしておく。口の結果、走査側電極(Y)を中
心に考えると、選択されたデータ制電M (X 2 )
は−5ov、非選択電極(Xj42)は十30Vとなる
。
、走査側電極(Y)をすべて’/2VM=30Vの電位
に引上げる。この時、走査側N−cb高耐圧MO5IC
20,30内の全MOSトランジスタNT1〜NTiは
オフ状態にしておく。口の結果、走査側電極(Y)を中
心に考えると、選択されたデータ制電M (X 2 )
は−5ov、非選択電極(Xj42)は十30Vとなる
。
第3段階T3′:書込み駆動期間
選択された走査側電極がY2であるとすると、走査側P
−ch高耐圧IC50内のY2に接続されたMOS)ラ
ンジスタPT2のみをオン状態のままとして、他をオフ
状態に切換える。また、偶数ライン側の走査側N−ch
高耐圧MO5TCJO内の全MOSトランジスタNT2
〜NTiをオフ状態に保ち、対向する奇数ライン側の走
査側N−clj高耐圧MO5IC20内の全MOSトラ
ンジスタNTl−NTi 、をオン状態に切換える。そ
して、書込み駆動回路100(電ff、VW=I90V
とI/2VM=30Vの和)をオン状態にして、オン状
態のMOS )ランジスタPT2を介して走査側電極Y
2に220■の電圧を供給する。
−ch高耐圧IC50内のY2に接続されたMOS)ラ
ンジスタPT2のみをオン状態のままとして、他をオフ
状態に切換える。また、偶数ライン側の走査側N−ch
高耐圧MO5TCJO内の全MOSトランジスタNT2
〜NTiをオフ状態に保ち、対向する奇数ライン側の走
査側N−clj高耐圧MO5IC20内の全MOSトラ
ンジスタNTl−NTi 、をオン状態に切換える。そ
して、書込み駆動回路100(電ff、VW=I90V
とI/2VM=30Vの和)をオン状態にして、オン状
態のMOS )ランジスタPT2を介して走査側電極Y
2に220■の電圧を供給する。
一方、この時ソース電位すJ換え回路110は1/2
VM= 30 Vの電圧に切換えられ、奇数ライン側の
N−ch高耐圧MO5IC20内のソース電位を30V
として、奇数側の走査側電極を+30Vに引ドげる。
VM= 30 Vの電圧に切換えられ、奇数ライン側の
N−ch高耐圧MO5IC20内のソース電位を30V
として、奇数側の走査側電極を+30Vに引ドげる。
これによって、容量結合の性質から選択されたデータ側
駆動電極X2は一220Vに引下げられ、非選択のデー
タ電極Xj〜2は一160Vに引下げられる。
駆動電極X2は一220Vに引下げられ、非選択のデー
タ電極Xj〜2は一160Vに引下げられる。
選択された走査側電極が奇数ラインの場合は、走査側P
−ch高耐圧MO5IC40内の選択された走査電極に
接続された1つのMOS)ランジスタと対向する走査側
N−ch高耐圧MO5IC30内の全MOSトランジス
タNT2〜NTiがオン状態とナル。
−ch高耐圧MO5IC40内の選択された走査電極に
接続された1つのMOS)ランジスタと対向する走査側
N−ch高耐圧MO5IC30内の全MOSトランジス
タNT2〜NTiがオン状態とナル。
以」二の第1段階から第3段階の駆動を、走査側電極Y
1〜Yiまで順次駆動することによってP−chフィー
ルドの駆動を完了する。
1〜Yiまで順次駆動することによってP−chフィー
ルドの駆動を完了する。
第3図のタイムチャートに明らかなように、結局選択交
点絵素には、N−chフィールドとP−chフィールド
とて極性を反転した、発光に充分な書込み電圧VW+、
VM(=220V)が加わる。つまり、N−chフィー
ルドとP−chフィールドの2フイールドによって、薄
膜EL表示装置に必要とされる交流サイクルを閉じる。
点絵素には、N−chフィールドとP−chフィールド
とて極性を反転した、発光に充分な書込み電圧VW+、
VM(=220V)が加わる。つまり、N−chフィー
ルドとP−chフィールドの2フイールドによって、薄
膜EL表示装置に必要とされる交流サイクルを閉じる。
非選択絵素にはVW−、VM(=+60V)が加わるが
、これは発光しきい値以下である。
、これは発光しきい値以下である。
ここにおいて、正、負の書込みパルスが加えられるタイ
ミング関係は、いづれの走査側電極においても同しであ
り、予備充電電圧によるDC電圧もN−chフィールド
とP−chフィールドによってキャンセルされる。
ミング関係は、いづれの走査側電極においても同しであ
り、予備充電電圧によるDC電圧もN−chフィールド
とP−chフィールドによってキャンセルされる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明は、走査側電極の駆動回路として、
N−cb高耐圧MOSドライバーとP−c’h高耐圧M
OSドライバーを備えてフィールド反転駆動するもの
であって、書き込みパルスの位相及び波高値の対称性の
改善に加えて、予備充電電圧によるDCレベルでの対称
性改善及び、予備充電消費電力の低減を実現し、交流駆
動型、容歌性の薄膜EL装置に対し、表示品質における
長期信頼性の上で良好な結果を与える有用な駆動装置が
提供できる。
N−cb高耐圧MOSドライバーとP−c’h高耐圧M
OSドライバーを備えてフィールド反転駆動するもの
であって、書き込みパルスの位相及び波高値の対称性の
改善に加えて、予備充電電圧によるDCレベルでの対称
性改善及び、予備充電消費電力の低減を実現し、交流駆
動型、容歌性の薄膜EL装置に対し、表示品質における
長期信頼性の上で良好な結果を与える有用な駆動装置が
提供できる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図の動作を説明する各部のオン・オフタイミング図
、第3図は絵素の印加電圧波形例N−ch高耐圧MO5
IC,40−50−走査側P−ch高耐圧MO5IC、
60−データ側N−ch高耐圧MO5IC,70・・・
ダイオードアレイ、80・・・予備充電駆動回路、90
・・・引上げ充電駆動回路、+00・書込み駆動回路、
110・・ソース電位切換え回路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)手続補正書
/P ≠ 昭和60年1 月?日 特許庁長官殿 2、発明の名称 薄膜EL表示装置の駆動装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 曇545大阪市阿倍野区長池町22番22跨名
称(504)シャープ株式会社 −代表者佐 伯 旭 4、代 理 人 住 所 杏545大阪市阿倍計区長池町22番22号自
発
第1図の動作を説明する各部のオン・オフタイミング図
、第3図は絵素の印加電圧波形例N−ch高耐圧MO5
IC,40−50−走査側P−ch高耐圧MO5IC、
60−データ側N−ch高耐圧MO5IC,70・・・
ダイオードアレイ、80・・・予備充電駆動回路、90
・・・引上げ充電駆動回路、+00・書込み駆動回路、
110・・ソース電位切換え回路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)手続補正書
/P ≠ 昭和60年1 月?日 特許庁長官殿 2、発明の名称 薄膜EL表示装置の駆動装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 曇545大阪市阿倍野区長池町22番22跨名
称(504)シャープ株式会社 −代表者佐 伯 旭 4、代 理 人 住 所 杏545大阪市阿倍計区長池町22番22号自
発
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、EL層を互いに交差する方向に配列した走査側電極
とデータ側電極との間に介在させた薄膜EL表示装置の
駆動装置において、 l走査で、予備充電、放電/引上げ充電及び書込みの3
段階の駆動を行なう、奇数番目と偶数番目の走査側電極
にそれぞれ接続された、他端を共通にソース電位切換え
回路に接続したN−C11高耐圧MOSドライバと、他
端を共通に引上げ充電駆動回路及び書込み駆動回路に接
続したP−ch高耐圧MOSドライバ、及びデータ側電
極に接続された他端をダイオードアレイを介して共通に
予備充電駆動回路に接続したN−ch高耐圧MOSドラ
イバとを備え、 前記書込み駆動期間において、1画面の走査(1フイー
ルド)毎に、前記奇数番目又は偶数番目の選択された走
査側電極のN−ch高耐圧MOSドライバの1つのMO
S)ランジスタと対向する他方番目のP−ch高耐圧M
OSドライバの全MO8)ランジスタ、選択された走査
側電極のP−ch高耐圧MOSドライバの1つのM、O
8)ランジスタと対向する他方番目のN−ch高耐圧M
OSドライバの全MO5)ランジスタを交互にオン状態
に切換え、前記N−ch高耐圧MOSドライバの1つの
MOS)ランジスタのオン状態時前記ソース電位切換え
回路によりソース電位をアースに、全MO5)ランジス
タのオン状態時はソース電位を引上げ充電電位に切換え
設定してなることを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動
装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6616684A JPS60208798A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
DE19853511886 DE3511886A1 (de) | 1984-04-02 | 1985-04-01 | Treiberschaltung zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
GB08508570A GB2158982B (en) | 1984-04-02 | 1985-04-02 | Electroluminescent panels |
US07/045,189 US4866348A (en) | 1984-04-02 | 1987-04-28 | Drive system for a thin-film el panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6616684A JPS60208798A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60208798A true JPS60208798A (ja) | 1985-10-21 |
JPH0528385B2 JPH0528385B2 (ja) | 1993-04-26 |
Family
ID=13307989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6616684A Granted JPS60208798A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60208798A (ja) |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP6616684A patent/JPS60208798A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0528385B2 (ja) | 1993-04-26 |
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Legal Events
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EXPY | Cancellation because of completion of term |