JPS6056294B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6056294B2 JPS6056294B2 JP2893878A JP2893878A JPS6056294B2 JP S6056294 B2 JPS6056294 B2 JP S6056294B2 JP 2893878 A JP2893878 A JP 2893878A JP 2893878 A JP2893878 A JP 2893878A JP S6056294 B2 JPS6056294 B2 JP S6056294B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- wiring layer
- gold
- wiring
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特に金配線面に表面保護膜を有す
る構造の半導体装置に関するものてある。
る構造の半導体装置に関するものてある。
従来、ビームリード型半導体装置の金属膜配線構造は、
例えばTi−Pt−Auのように表面がAu膜で成る積
層構造であつた。
例えばTi−Pt−Auのように表面がAu膜で成る積
層構造であつた。
通常、Au膜は柔らかい性質のものであるため、配線部
に傷が入り易く、該種半導体装置の動作不良を生じさせ
る原因になつていた。上記改善策として、表面保護膜を
被覆することが試みられている。この被覆材とし−て一
般的にSj02膜やSi3N4膜あるいはポリイミド膜
等が用いられる。一方、Au膜配線を施したこのような
半導体装置は、動作特性の安定性からみて印加される熱
サイクル条件が約300℃に限定されるため、それ以下
の温度条件て該表面保護膜を;被覆処理しなければなら
ない。前述したSi3N4膜はポリイミド膜に比らべて
電気絶縁性が優れているため、半導体装置特性の信頼度
が良い。しカルながらAu膜が活性材料でないためSi
3N4膜はAu膜面との接着性が悪く、該界面から剥離
され易く、表面保護の役目を充分に果しきれなかつた。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、Au膜を有する半
導体装置主面にS1。N。膜て成る表面保護膜を接着性
良く施設ならしめる構造の半導体装置を提供することに
ある。本発明の特徴は、半導体基板の不純物領域にアル
ミニウム(Al)のみからなる第1の配線層が設けられ
、該第1の配線層の一部の所定領域にチIタニウムー白
金−金(Ti−Pt−Au)からなるビームリード型の
第2の配線層が接続され、この第2の配線層の最上膜て
ある金膜(Au)に銅膜(Cu)が被着され、該銅膜(
Cu)上をシリコン窒化膜(S1。
に傷が入り易く、該種半導体装置の動作不良を生じさせ
る原因になつていた。上記改善策として、表面保護膜を
被覆することが試みられている。この被覆材とし−て一
般的にSj02膜やSi3N4膜あるいはポリイミド膜
等が用いられる。一方、Au膜配線を施したこのような
半導体装置は、動作特性の安定性からみて印加される熱
サイクル条件が約300℃に限定されるため、それ以下
の温度条件て該表面保護膜を;被覆処理しなければなら
ない。前述したSi3N4膜はポリイミド膜に比らべて
電気絶縁性が優れているため、半導体装置特性の信頼度
が良い。しカルながらAu膜が活性材料でないためSi
3N4膜はAu膜面との接着性が悪く、該界面から剥離
され易く、表面保護の役目を充分に果しきれなかつた。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、Au膜を有する半
導体装置主面にS1。N。膜て成る表面保護膜を接着性
良く施設ならしめる構造の半導体装置を提供することに
ある。本発明の特徴は、半導体基板の不純物領域にアル
ミニウム(Al)のみからなる第1の配線層が設けられ
、該第1の配線層の一部の所定領域にチIタニウムー白
金−金(Ti−Pt−Au)からなるビームリード型の
第2の配線層が接続され、この第2の配線層の最上膜て
ある金膜(Au)に銅膜(Cu)が被着され、該銅膜(
Cu)上をシリコン窒化膜(S1。
N0)が表面保護膜として被覆している半導体装置てあ
る。本発明によると、前述した従来技術の欠点が除去て
き、即ち、絶縁性と界面接着性の表面保護膜特性の良い
半導体装置となり、信頼度特性も向上する。
る。本発明によると、前述した従来技術の欠点が除去て
き、即ち、絶縁性と界面接着性の表面保護膜特性の良い
半導体装置となり、信頼度特性も向上する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
尚、説明の都合上、Al−(Ti−Pt−Au)の2層
配線構造で示し、外部端子領域及び不純物拡散素子領域
の導電型については省略した。第1は本発明の一実施例
の表面保護膜を有する半導体装置の断面図であり、シリ
コン基板1とSiO。
配線構造で示し、外部端子領域及び不純物拡散素子領域
の導電型については省略した。第1は本発明の一実施例
の表面保護膜を有する半導体装置の断面図であり、シリ
コン基板1とSiO。
膜2(又はSi、No膜又はそれらを組合せた膜)の半
導体基板に拡散素子領域3とオーミック接触層4を有し
、Al膜5を配線して、且つ配線間をA1。03膜6で
分離して第1層目配線を形成させ、SlO2膜7を中間
絶縁層とし、所定領域を開孔してTi−Pt−Au膜8
を施設し、更にC暎9を該Au膜面に載せ、主面全体に
Si3N4膜10を被覆して表面保護膜とした半導体装
置である。
導体基板に拡散素子領域3とオーミック接触層4を有し
、Al膜5を配線して、且つ配線間をA1。03膜6で
分離して第1層目配線を形成させ、SlO2膜7を中間
絶縁層とし、所定領域を開孔してTi−Pt−Au膜8
を施設し、更にC暎9を該Au膜面に載せ、主面全体に
Si3N4膜10を被覆して表面保護膜とした半導体装
置である。
本実施例の構造を得る方法としては、例えば、Ti−P
t膜上にAu膜を2〜3μm電気メッキで施設して上記
構成を形成する。この状態で、低温スパッタ法(低温条
件は約200′C位)を行い、Si3N4膜を該主面積
全体に1〜3μmの厚さで付着させる。Si3N4膜は
Cu膜と接着性が良く、又、表面保護膜としての電気絶
縁性及び機械的接着性に優れた半導体装置になり得る。
t膜上にAu膜を2〜3μm電気メッキで施設して上記
構成を形成する。この状態で、低温スパッタ法(低温条
件は約200′C位)を行い、Si3N4膜を該主面積
全体に1〜3μmの厚さで付着させる。Si3N4膜は
Cu膜と接着性が良く、又、表面保護膜としての電気絶
縁性及び機械的接着性に優れた半導体装置になり得る。
第1図は本発明の一実施例の表面保護膜を有する半導体
装置の断面図てある。 尚、図において、1・・・・・シリコン基板、2・・・
・SiO2、3・・・・・・不純物拡散領域、4・・・
・・・オーミックコンタクト層、5・・・・・・N層、
6・・・・・・Al2O3、7・・・SiO2膜、8・
・・・・・Ti−Pt−Au膜、9・・・・・・CU膜
、10・・・・・・Si3\膜である。
装置の断面図てある。 尚、図において、1・・・・・シリコン基板、2・・・
・SiO2、3・・・・・・不純物拡散領域、4・・・
・・・オーミックコンタクト層、5・・・・・・N層、
6・・・・・・Al2O3、7・・・SiO2膜、8・
・・・・・Ti−Pt−Au膜、9・・・・・・CU膜
、10・・・・・・Si3\膜である。
Claims (1)
- 1 半導体基板の不純物領域にアルミニウムのみからな
る第1の配線層が設けられ、該第1の配線層の一部の所
定領域にチタニウム−白金−金からなるビームリード型
の第2の配線層が接続され、この第2の配線層の最上膜
である金膜に銅膜が被着され、該銅膜上をシリコン窒化
膜が表面保護膜として被覆していることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2893878A JPS6056294B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2893878A JPS6056294B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54121057A JPS54121057A (en) | 1979-09-19 |
JPS6056294B2 true JPS6056294B2 (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=12262337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2893878A Expired JPS6056294B2 (ja) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6056294B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11024510B2 (en) | 2019-09-20 | 2021-06-01 | Kioxia Corporation | Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device |
-
1978
- 1978-03-13 JP JP2893878A patent/JPS6056294B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11024510B2 (en) | 2019-09-20 | 2021-06-01 | Kioxia Corporation | Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54121057A (en) | 1979-09-19 |
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