JPS62169350A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPS62169350A JPS62169350A JP1055486A JP1055486A JPS62169350A JP S62169350 A JPS62169350 A JP S62169350A JP 1055486 A JP1055486 A JP 1055486A JP 1055486 A JP1055486 A JP 1055486A JP S62169350 A JPS62169350 A JP S62169350A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、素子領域上に突起電極を有する半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
従来の突起電極は、Cu、Au、Pb/Sn等で形成さ
れ、形成方法は、フォトリソ工程を使用してエツチング
やメッキ等を用いていた。
れ、形成方法は、フォトリソ工程を使用してエツチング
やメッキ等を用いていた。
従来の突起電極では、エツチング、メッキ共、形成時に
フォトリソ工程を必要とし、工程が長くなる等の問題が
あった。
フォトリソ工程を必要とし、工程が長くなる等の問題が
あった。
本発明の目的は上記欠点を解消し、タングステンを用い
、簡便な突起電極を有する半導体装置及びその製造方法
を提供することである。
、簡便な突起電極を有する半導体装置及びその製造方法
を提供することである。
本発明は、上記問題点を解決するためタングステンを用
い、従来のフォトリソ工程とこれに続くエツチングやメ
ッキ等の替りに選択CVD法を用いて、突起電極を製造
することである。
い、従来のフォトリソ工程とこれに続くエツチングやメ
ッキ等の替りに選択CVD法を用いて、突起電極を製造
することである。
タングステンの選択CVD法は、Al上へはタングステ
ンが堆積するが、SiO2上へは、付着力が弱く堆積し
ない。これにより、半導体装置のAl電極端子群上へは
、タングステンが堆積されていくが、他方、それ以外の
5in2で覆われた部分には、タングステンが堆積され
ない。従ってAl電極端子群上にだけタングステンの突
起電極が形成される。
ンが堆積するが、SiO2上へは、付着力が弱く堆積し
ない。これにより、半導体装置のAl電極端子群上へは
、タングステンが堆積されていくが、他方、それ以外の
5in2で覆われた部分には、タングステンが堆積され
ない。従ってAl電極端子群上にだけタングステンの突
起電極が形成される。
このようにタングステンの選択CVD法を用いることに
より、フォトリソ、エツチング、メッキ等の工程を必要
とせず、電極端子群上へ突起電極を形成することができ
る。
より、フォトリソ、エツチング、メッキ等の工程を必要
とせず、電極端子群上へ突起電極を形成することができ
る。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。第1
図は本発明の電極端子群(図中電極端子は1つしか示さ
れていない)を、多層工程により素子領域上に配置する
工程を示す半導体装置の断面図である。半導体基板1上
に配線されたAJやPo1y−3i電極2上に、層間絶
縁膜6.4を形成する。上層の層間絶縁膜6は、CVD
法、スパッタリング法等で形成したSin、’、下層の
層間絶縁膜4はSin、や窒化シリコン膜の場合があり
うる。
図は本発明の電極端子群(図中電極端子は1つしか示さ
れていない)を、多層工程により素子領域上に配置する
工程を示す半導体装置の断面図である。半導体基板1上
に配線されたAJやPo1y−3i電極2上に、層間絶
縁膜6.4を形成する。上層の層間絶縁膜6は、CVD
法、スパッタリング法等で形成したSin、’、下層の
層間絶縁膜4はSin、や窒化シリコン膜の場合があり
うる。
層間絶縁膜3.4上で、AlやPo1y−8i電極2上
に位置するところに、開口部を設け、AJ電極5を形成
されている。
に位置するところに、開口部を設け、AJ電極5を形成
されている。
第2図は、本発明の突起°電極を形成した1実施例であ
る。第′1図と同じ構成のAl電極5が形成されている
この上にタングステンの選択CVD法を用t・ることに
より、Al電極5上にのみタングステンの突起電極6が
形成される。
る。第′1図と同じ構成のAl電極5が形成されている
この上にタングステンの選択CVD法を用t・ることに
より、Al電極5上にのみタングステンの突起電極6が
形成される。
以上詳述したごとく、本発明によれば従来のようにフォ
トリソ工程を用いることなくより簡便に突起電極を素子
領域上に形成することができる。
トリソ工程を用いることなくより簡便に突起電極を素子
領域上に形成することができる。
第1図は、電極端子群を多層工程により素子領域上に配
置した半導体装置の部分断面図。第2図は電極端子群上
に突起電極を形成した本発明の実施例を示す半導体装置
の部分断面図を示す。 1・・・・・・半導体基板、 2・・・・・・AlやPo1Y−8i電極・3・・・・
・・層間絶縁膜(Sin、)、4・・・・・・層間絶縁
膜(’ S i O2、ポリイミド、ナイトライド等)
、 5・・・・・・kl電極、
置した半導体装置の部分断面図。第2図は電極端子群上
に突起電極を形成した本発明の実施例を示す半導体装置
の部分断面図を示す。 1・・・・・・半導体基板、 2・・・・・・AlやPo1Y−8i電極・3・・・・
・・層間絶縁膜(Sin、)、4・・・・・・層間絶縁
膜(’ S i O2、ポリイミド、ナイトライド等)
、 5・・・・・・kl電極、
Claims (2)
- (1)SiO_2あるいは窒化シリコン膜で形成した表
面保護膜とアルミ電極上に形成したタングステンからな
るボンディング用突起電極を有することを特徴とする半
導体装置。 - (2)半導体装置の表面保護膜をSiO_2あるいは窒
化シリコン膜で形成した後アルミ電極上にCVD法によ
りタングステン電極を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1055486A JPS62169350A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1055486A JPS62169350A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62169350A true JPS62169350A (ja) | 1987-07-25 |
Family
ID=11753470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1055486A Pending JPS62169350A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62169350A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02172221A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
US5530468A (en) * | 1992-02-18 | 1996-06-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and of recording an image using a photosensitive drum for exposure and having a built-in web cutting assembly |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1055486A patent/JPS62169350A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02172221A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
US5530468A (en) * | 1992-02-18 | 1996-06-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and of recording an image using a photosensitive drum for exposure and having a built-in web cutting assembly |
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