JPS59205723A - 窒化シリコン膜を有する半導体装置 - Google Patents
窒化シリコン膜を有する半導体装置Info
- Publication number
- JPS59205723A JPS59205723A JP58080364A JP8036483A JPS59205723A JP S59205723 A JPS59205723 A JP S59205723A JP 58080364 A JP58080364 A JP 58080364A JP 8036483 A JP8036483 A JP 8036483A JP S59205723 A JPS59205723 A JP S59205723A
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- JP
- Japan
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- film
- silicon nitride
- nitride film
- semiconductor device
- silicon
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の表面保護膜の構造に関するもの
である。
である。
従来、半導体装置の表面保護膜には、酸化シリコン膜或
いは、窒化シリコン膜或いはポリイミド膜等の単体もし
くは組合せが用いられているが、半導体装置の完成品と
してパッケージに組込まれた際、外部からの水分の浸入
に対して、配線及び電極部が腐蝕するという弱点、即ち
耐湿性が弱いという欠点を有していた。
いは、窒化シリコン膜或いはポリイミド膜等の単体もし
くは組合せが用いられているが、半導体装置の完成品と
してパッケージに組込まれた際、外部からの水分の浸入
に対して、配線及び電極部が腐蝕するという弱点、即ち
耐湿性が弱いという欠点を有していた。
この発明は、表面保護膜の組合せと電極部周辺の構造を
改良することによシ、上記欠点を解消し、耐湿性のよい
半導体装置を提供するものである。
改良することによシ、上記欠点を解消し、耐湿性のよい
半導体装置を提供するものである。
本発明の半導体装置は、表面保護膜或いは多層配線構造
の場合の層間絶縁膜に酸化シリコン膜を有し、酸化シリ
コン膜上に更に表面保護膜として窒化シリコン膜を有す
る時、窒化シリコン膜は、該酸化シリコン膜を完全に被
うことと、窒化シリコン膜上にポリイミド膜を被うこと
を特徴とする。
の場合の層間絶縁膜に酸化シリコン膜を有し、酸化シリ
コン膜上に更に表面保護膜として窒化シリコン膜を有す
る時、窒化シリコン膜は、該酸化シリコン膜を完全に被
うことと、窒化シリコン膜上にポリイミド膜を被うこと
を特徴とする。
次に本発明を実施例によシ説明する。第１図、第２図は
従来の半導体装置の構造であシ、第１図は、シリコン基
板１上に熱酸化シリコン膜２があり、配線及び電極５を
設けた後表面保護膜として酸化シリコン膜３、窒化シリ
コン膜４を被し該保護膜に、電極部６を開孔したところ
である。また、第２図は、シリコン基板゛７上に熱酸化
シリコン膜８を設けた後、第一の配線上に層間絶縁用の
酸化シリコン膜９を設け、第二の配線及び電極ｌＩ上に
表面保護膜としての窒化シリコン膜１０を被った後電極
部１２を開孔したところである。従来の第１図、第２図
の構造においては、表面保護用酸化シリコン膜３や、層
間絶縁用酸化シリコン膜９が、半導体装置の縁端部で露
出しておバ外部からの水分が前記酸化クリコン膜を伝わ
って内部に入シ、配線及び電極５，１１を腐蝕させると
いう欠点を有していた。
従来の半導体装置の構造であシ、第１図は、シリコン基
板１上に熱酸化シリコン膜２があり、配線及び電極５を
設けた後表面保護膜として酸化シリコン膜３、窒化シリ
コン膜４を被し該保護膜に、電極部６を開孔したところ
である。また、第２図は、シリコン基板゛７上に熱酸化
シリコン膜８を設けた後、第一の配線上に層間絶縁用の
酸化シリコン膜９を設け、第二の配線及び電極ｌＩ上に
表面保護膜としての窒化シリコン膜１０を被った後電極
部１２を開孔したところである。従来の第１図、第２図
の構造においては、表面保護用酸化シリコン膜３や、層
間絶縁用酸化シリコン膜９が、半導体装置の縁端部で露
出しておバ外部からの水分が前記酸化クリコン膜を伝わ
って内部に入シ、配線及び電極５，１１を腐蝕させると
いう欠点を有していた。
この欠点を解消するため、第１図における表面保護用酸
化シリコン膜３を、窒化シリコン膜４で完全に被い、水
分の伝わる経路を断つ構造にしたものが第３図である。
化シリコン膜３を、窒化シリコン膜４で完全に被い、水
分の伝わる経路を断つ構造にしたものが第３図である。
しかしながら、近年半導体装置は一般にプラスティック
パッケージに塔載される場合が多く、また、リードの半
田付のため、半導体装置に瞬間的に３００°Ｃ程度の熱
的ストレスが加わることもしばしばあシ、その際には、
プラスティック１３と窒化シリコン膜４、酸化ヅリコン
膜３の間に膨張係数の差による機械的ストレスが加わる
結果、クラック１４．１４’が発生することがある。（
第４図）この欠点を解消すべく酸化シリコン膜３゜９被
った窒化シリコン膜４，１０上に、緩衝材としてポリイ
ミド膜１５．１６を被着させることで前述してきた欠点
が解消される。（第５図、第６図） 以上、述べてきたことは、多層配線構造の層間絶縁膜に
酸化シリコン膜が設けられ表面保護膜が酸化シリコン膜
、窒化シリコン膜の多層構造の場合にも適用出来るのは
勿論である。
パッケージに塔載される場合が多く、また、リードの半
田付のため、半導体装置に瞬間的に３００°Ｃ程度の熱
的ストレスが加わることもしばしばあシ、その際には、
プラスティック１３と窒化シリコン膜４、酸化ヅリコン
膜３の間に膨張係数の差による機械的ストレスが加わる
結果、クラック１４．１４’が発生することがある。（
第４図）この欠点を解消すべく酸化シリコン膜３゜９被
った窒化シリコン膜４，１０上に、緩衝材としてポリイ
ミド膜１５．１６を被着させることで前述してきた欠点
が解消される。（第５図、第６図） 以上、述べてきたことは、多層配線構造の層間絶縁膜に
酸化シリコン膜が設けられ表面保護膜が酸化シリコン膜
、窒化シリコン膜の多層構造の場合にも適用出来るのは
勿論である。
第１図、第２図は各々従来の半導体装置の断面第３図は
第１図の半導体装置の欠点が改善された半導体装置の断
面図、第４図は第３図の半導体装置の欠点を示す断面図
、第５図、第６図は各々本発明実施例の半導体装置の断
面図、である。 なお図において、ｌｌ ７・・・・・・シリコン基板、
２゜８・・・・・・熱酸化シリコン膜、３．９・・・・
・・酸化シリコン膜、４．１０・・・・・・窒化シリコ
ン膜、５．１１・・・１１．電極金属層、６．１２・・
・・・・電極用開孔部、１３・・・・・・プラスチック
パッケージ、１４．１４’・・・・・・クラック、１５
．１６・・・・・・ポリイミド膜、である。 箭１回 ２ 第２刺 荊３図 筋４圀 ６ ３ 箔！５図 Ｚ 篤乙閲 −１１１＝
第１図の半導体装置の欠点が改善された半導体装置の断
面図、第４図は第３図の半導体装置の欠点を示す断面図
、第５図、第６図は各々本発明実施例の半導体装置の断
面図、である。 なお図において、ｌｌ ７・・・・・・シリコン基板、
２゜８・・・・・・熱酸化シリコン膜、３．９・・・・
・・酸化シリコン膜、４．１０・・・・・・窒化シリコ
ン膜、５．１１・・・１１．電極金属層、６．１２・・
・・・・電極用開孔部、１３・・・・・・プラスチック
パッケージ、１４．１４’・・・・・・クラック、１５
．１６・・・・・・ポリイミド膜、である。 箭１回 ２ 第２刺 荊３図 筋４圀 ６ ３ 箔！５図 Ｚ 篤乙閲 −１１１＝
Claims (1)
- 表面保護膜に酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを設け
た半導体装置において、該酸化シリコン膜を窒化シリコ
ン膜で完全に被い窒化シリコン膜上にポリイミド膜を被
着したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58080364A JPS59205723A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 窒化シリコン膜を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58080364A JPS59205723A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 窒化シリコン膜を有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59205723A true JPS59205723A (ja) | 1984-11-21 |
Family
ID=13716202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58080364A Pending JPS59205723A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 窒化シリコン膜を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59205723A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205630A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS6373527A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8354166B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-01-15 | General Electric Company | Coated polymer dielectric film |
| JP2014209668A (ja) * | 2014-08-11 | 2014-11-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| US9105810B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP58080364A patent/JPS59205723A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205630A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS6373527A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8354166B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-01-15 | General Electric Company | Coated polymer dielectric film |
| US9105810B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2014209668A (ja) * | 2014-08-11 | 2014-11-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
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