JPH01152649A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01152649A JPH01152649A JP31150887A JP31150887A JPH01152649A JP H01152649 A JPH01152649 A JP H01152649A JP 31150887 A JP31150887 A JP 31150887A JP 31150887 A JP31150887 A JP 31150887A JP H01152649 A JPH01152649 A JP H01152649A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多層配Mを備えた半導体集積回路の新規な構造
に関する。
に関する。
従来の技術
半導体集積回路の集積度を向上させる為に多層配線構造
が多用されている。従来の多層配線の上、下層間の配線
接続部は、第2図にその要部の断面図を示すように、シ
リコン基板11上にシリコン駿化膜等からなる層間膜1
2を介して形成された第1のアルミ膜13と、同第1の
アルミ膜13上に形成された絶縁膜14と、絶縁膜14
に形成されたコンタクト孔16と、コンタクト孔16内
および絶縁膜14上に形成された第2のアルミ膜16と
で構成されている。
が多用されている。従来の多層配線の上、下層間の配線
接続部は、第2図にその要部の断面図を示すように、シ
リコン基板11上にシリコン駿化膜等からなる層間膜1
2を介して形成された第1のアルミ膜13と、同第1の
アルミ膜13上に形成された絶縁膜14と、絶縁膜14
に形成されたコンタクト孔16と、コンタクト孔16内
および絶縁膜14上に形成された第2のアルミ膜16と
で構成されている。
発明が解決しようとする問題点
従来構造の多層配線接続部では第1アルミ膜13と第2
アルミ膜16がコンタクト孔16で直接接触しているが
、アルミ膜は酸化されやすいため、tjFJ1アルミM
13とMII2アルミ膜16膜間6アルミナ(A472
o3)が形成されてコンタクト抵抗が増大することがあ
った。
アルミ膜16がコンタクト孔16で直接接触しているが
、アルミ膜は酸化されやすいため、tjFJ1アルミM
13とMII2アルミ膜16膜間6アルミナ(A472
o3)が形成されてコンタクト抵抗が増大することがあ
った。
このため、従来の多層配線構造では、第2アルミ膜16
形成前に第1アルミ膜13表面のアルミナを除去する必
要があった。しかしながら、アルミナの除去工程は安定
性が高くないので多層配線集積回路の製造歩留を下げる
要因となっていた。
形成前に第1アルミ膜13表面のアルミナを除去する必
要があった。しかしながら、アルミナの除去工程は安定
性が高くないので多層配線集積回路の製造歩留を下げる
要因となっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記欠点を解決するためになされたものであ
シ、第1の金属膜と第2の金属膜と導電性を有する同第
2の金属膜の酸化膜とからなる積層膜と、同積層膜上に
形成された絶縁膜と、同絶縁膜に形成された開孔部と、
同開孔部に形成された第3の金属膜とで構成される配線
接続部をそなえていることを特徴としている。
シ、第1の金属膜と第2の金属膜と導電性を有する同第
2の金属膜の酸化膜とからなる積層膜と、同積層膜上に
形成された絶縁膜と、同絶縁膜に形成された開孔部と、
同開孔部に形成された第3の金属膜とで構成される配線
接続部をそなえていることを特徴としている。
作 用
本発明の半導体装置では、第1の金属膜(アルミ膜)の
−表面は第2の金属膜および導電性を有する第2の金属
膜の酸化膜で被覆されているので、第2の金属膜形成前
に第1の金属膜(アルミ膜)上にアルミナが形成される
のを防ぐことが可能である。
−表面は第2の金属膜および導電性を有する第2の金属
膜の酸化膜で被覆されているので、第2の金属膜形成前
に第1の金属膜(アルミ膜)上にアルミナが形成される
のを防ぐことが可能である。
実施例
本発明の半導体装置を2層アルミ配線を有する半導体集
積回路に応用した時の一実施例を第1図の要部断面図に
示す。
積回路に応用した時の一実施例を第1図の要部断面図に
示す。
第1図は上下層アルミ配線の接続部を示したものであシ
、集積回路を構成するトランジスタ、キャパシタ、抵抗
等は省略しである。
、集積回路を構成するトランジスタ、キャパシタ、抵抗
等は省略しである。
本発明の半導体装置はシリコン基板1上に酸化シリコン
膜やリンケイ酸ガラス(P8G)からなる層間膜2を介
して順次積層して形成された、厚さ約1μmo4@1ア
ルミ膜3と厚さ約0.2μmのスズ膜4および厚さ約0
.2μ溝の2酸化スX5n02)膜6とからなる下層の
配線層と、プラズマ励起CVD法で形成された酸化シリ
コン膜やチツ化シリコン膜からなる厚さ約0.8μmの
絶縁膜6と、絶縁膜6に開孔されたコンタクト孔8と、
コンタクト孔7および絶縁膜e上に形成された上層の配
線層となる第2アルミ膜7とで構成される配線接続部を
有している。
膜やリンケイ酸ガラス(P8G)からなる層間膜2を介
して順次積層して形成された、厚さ約1μmo4@1ア
ルミ膜3と厚さ約0.2μmのスズ膜4および厚さ約0
.2μ溝の2酸化スX5n02)膜6とからなる下層の
配線層と、プラズマ励起CVD法で形成された酸化シリ
コン膜やチツ化シリコン膜からなる厚さ約0.8μmの
絶縁膜6と、絶縁膜6に開孔されたコンタクト孔8と、
コンタクト孔7および絶縁膜e上に形成された上層の配
線層となる第2アルミ膜7とで構成される配線接続部を
有している。
第1図に示した本発明の配線接続部では第1アルミ膜3
と第2アルミ膜7が金属膜(スズ膜)4と金属酸化膜(
2酸化スズ膜)6を介して接続されている。
と第2アルミ膜7が金属膜(スズ膜)4と金属酸化膜(
2酸化スズ膜)6を介して接続されている。
2IR化スズ膜(SnO2膜)6は導電性を有するので
第1アルミ膜3と第2アルミ膜7間のコンタクト抵抗が
増大することはない。また、第1アルミ膜3上はスズ膜
4と2威化スズ膜(S n O2) !で覆われている
ので、コンタクト孔8を開孔しても第、1アルミ膜a上
に絶縁膜であるアルミナが形成されることはない。
第1アルミ膜3と第2アルミ膜7間のコンタクト抵抗が
増大することはない。また、第1アルミ膜3上はスズ膜
4と2威化スズ膜(S n O2) !で覆われている
ので、コンタクト孔8を開孔しても第、1アルミ膜a上
に絶縁膜であるアルミナが形成されることはない。
なお、本実施例では金属膜4としてスズ膜、金属酸化膜
6として2酸化スズ膜の場合を例示したが、金属酸化膜
が導電性を示す金属であれば他の金属、例えばインジウ
ムも使用できることはもちろんである。
6として2酸化スズ膜の場合を例示したが、金属酸化膜
が導電性を示す金属であれば他の金属、例えばインジウ
ムも使用できることはもちろんである。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によると、多層配
線間の配線接続部にアルミナが形成されることはないの
で、不安定なアルミナ除去工程は必要としないので多層
配線集積回路の歩留向上に効果を有する。
線間の配線接続部にアルミナが形成されることはないの
で、不安定なアルミナ除去工程は必要としないので多層
配線集積回路の歩留向上に効果を有する。
第1図は本発明の一実施例による多層配線半導体装置の
配線接続部を示す断面図、第2図は従来の配線接続部を
示す断面図である。 1.11・・・・・・シリコン基板、2.12・・・・
・・層間膜、3,13・・・・・・第1アルミ膜、4・
・・・・・金属膜(スズ膜)、6・・・・・・金属酸化
#(2酸化スズ膜)、6゜14・・・・・・絶縁膜、7
,16・・・・・・第2アルミ膜、8゜16・・・・−
・コンタクト孔。
配線接続部を示す断面図、第2図は従来の配線接続部を
示す断面図である。 1.11・・・・・・シリコン基板、2.12・・・・
・・層間膜、3,13・・・・・・第1アルミ膜、4・
・・・・・金属膜(スズ膜)、6・・・・・・金属酸化
#(2酸化スズ膜)、6゜14・・・・・・絶縁膜、7
,16・・・・・・第2アルミ膜、8゜16・・・・−
・コンタクト孔。
Claims (2)
- (1)第1の金属膜と第2の金属膜と同第2の金属膜の
酸化膜とからなる積層膜と、同積層膜上に形成された絶
縁膜と、同絶縁膜に形成された開孔部と、同開孔部に形
成された第3の金属膜とで構成される配線接続部を具備
することを特徴とする半導体装置。 - (2)前記第2の金属膜の酸化膜が導電性酸化膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31150887A JPH01152649A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31150887A JPH01152649A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01152649A true JPH01152649A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18018077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31150887A Pending JPH01152649A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01152649A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008147671A (ja) * | 2007-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP31150887A patent/JPH01152649A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008147671A (ja) * | 2007-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
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