JPS61253832A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61253832A JPS61253832A JP9490285A JP9490285A JPS61253832A JP S61253832 A JPS61253832 A JP S61253832A JP 9490285 A JP9490285 A JP 9490285A JP 9490285 A JP9490285 A JP 9490285A JP S61253832 A JPS61253832 A JP S61253832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride film
- silicon nitride
- layer
- electrode metal
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の電極構造、特に多層配線構造の半
導体集積回路の電極構造に関する。
導体集積回路の電極構造に関する。
第3図(a)及び(b)は従来の半導体集積回路装置の
一例を示す平面図及び断面図である。半導体基体8上に
はシリコン酸化膜、リンガラス層等の任意の絶縁物1を
有し、その上にLPCVD法或いはプラズマCVD 法
によシ成長した第1のシリコン窒化2とアルミニウム等
の電極金属3と、更に最上層にLP CVD法或いはプ
ラズマCVD法により成長した第2のシリコン窒化膜4
とt−有している。
一例を示す平面図及び断面図である。半導体基体8上に
はシリコン酸化膜、リンガラス層等の任意の絶縁物1を
有し、その上にLPCVD法或いはプラズマCVD 法
によシ成長した第1のシリコン窒化2とアルミニウム等
の電極金属3と、更に最上層にLP CVD法或いはプ
ラズマCVD法により成長した第2のシリコン窒化膜4
とt−有している。
上述した従来の電極構造は、電極金[3の上下に気密性
の良いシリコン窒化H!X2,4を有するため、蒸着法
或いはスパッタ法等により形成された電極金属3中Q水
分、不純物等が後の熱処理によって膨張し逃げ場がない
ために、第4図に示すように、第2のシリコン窒化膜4
を押し上げ、いわゆる窒化膜7クレ7と称する不良モー
ドを発生させ歩留、1!頼性の低下を招くという致命的
欠点がある。
の良いシリコン窒化H!X2,4を有するため、蒸着法
或いはスパッタ法等により形成された電極金属3中Q水
分、不純物等が後の熱処理によって膨張し逃げ場がない
ために、第4図に示すように、第2のシリコン窒化膜4
を押し上げ、いわゆる窒化膜7クレ7と称する不良モー
ドを発生させ歩留、1!頼性の低下を招くという致命的
欠点がある。
本発明による半導体装置の電極構造は半導体基板上に吸
水性をもつ絶縁膜を有し、その上に貫通孔を有する第1
のシリコン窒化膜を有し、この第lのシリコン窒化膜上
に電極金属を有し、この電極金属上に第2のシリコン窒
化膜を有している0第2のシリコン窒化膜の7クレを防
ぐために、第1のシリコン窒化膜に開孔部を設はアルミ
ニウム等の電極金属に含まれる水分或いは他の不純物が
熱処理により外部に逃げようとする際に前記第1のシリ
コン窒化膜の開孔部を通して吸水性の樹脂またはリンガ
ラス層或いはリンドープのシリコン酸化膜等の吸水性の
層に前記アルミニウム等の電極金属に含まれる水分或い
は不純物を吸収させ、第2のシリコンプラズマ窒化膜の
7クレを防止しようとするものである。
水性をもつ絶縁膜を有し、その上に貫通孔を有する第1
のシリコン窒化膜を有し、この第lのシリコン窒化膜上
に電極金属を有し、この電極金属上に第2のシリコン窒
化膜を有している0第2のシリコン窒化膜の7クレを防
ぐために、第1のシリコン窒化膜に開孔部を設はアルミ
ニウム等の電極金属に含まれる水分或いは他の不純物が
熱処理により外部に逃げようとする際に前記第1のシリ
コン窒化膜の開孔部を通して吸水性の樹脂またはリンガ
ラス層或いはリンドープのシリコン酸化膜等の吸水性の
層に前記アルミニウム等の電極金属に含まれる水分或い
は不純物を吸収させ、第2のシリコンプラズマ窒化膜の
7クレを防止しようとするものである。
次に本発明を図面に基づいて説明する。
第1図(a)および(b)は本発明の一実施例を示す平
面図及び断面図である。半導体基体8上には吸水性の樹
脂或いはリンガラス層或いはリンドープのシリコン酸化
頂層等の吸水性の層1があり、その上には複数の開孔部
5を有する第1のシリコン窒化膜が、1、更にアルミニ
ウム等の電極金属3を有し、その上に第2のシリコン窒
化膜4を有している。第1のシリコン窒化膜2の開孔部
5を通じて吸水性の層1とアルミニウム等の電極金属3
が通気性を有する構造となっている。
面図及び断面図である。半導体基体8上には吸水性の樹
脂或いはリンガラス層或いはリンドープのシリコン酸化
頂層等の吸水性の層1があり、その上には複数の開孔部
5を有する第1のシリコン窒化膜が、1、更にアルミニ
ウム等の電極金属3を有し、その上に第2のシリコン窒
化膜4を有している。第1のシリコン窒化膜2の開孔部
5を通じて吸水性の層1とアルミニウム等の電極金属3
が通気性を有する構造となっている。
第2図(a)および伽)は本発明を二層配線構造に応用
した実施例を示す平面図及び断面図である。半導体基板
8には拡散層9を有している。半導体基板8をスチーム
雰囲気で酸化して半導体基板8の表面に二酸化珪素層1
0を設けてお9、その上に複数の開孔部17を有するシ
リコン窒化膜11を減圧CVD法によシ成長しておシ、
更にその上に第一層目のアルミニウム電極12を設けて
いる。
した実施例を示す平面図及び断面図である。半導体基板
8には拡散層9を有している。半導体基板8をスチーム
雰囲気で酸化して半導体基板8の表面に二酸化珪素層1
0を設けてお9、その上に複数の開孔部17を有するシ
リコン窒化膜11を減圧CVD法によシ成長しておシ、
更にその上に第一層目のアルミニウム電極12を設けて
いる。
層間絶縁膜としてのプラズマCVD法によシ成長したシ
リコン窒化膜13をアルミニウム電極12上に有し、こ
のシリコン窒化膜13上に第二層目のアルミニウム電極
14を有している。尚、15は任意の導電型の拡散層9
に非整流性接触を得るためのシリコン窒化膜11の開孔
部16は第一層目のアルミ電極12と第二層目のアルミ
電極14とを電気的に接続するためのスルーホールであ
る。
リコン窒化膜13をアルミニウム電極12上に有し、こ
のシリコン窒化膜13上に第二層目のアルミニウム電極
14を有している。尚、15は任意の導電型の拡散層9
に非整流性接触を得るためのシリコン窒化膜11の開孔
部16は第一層目のアルミ電極12と第二層目のアルミ
電極14とを電気的に接続するためのスルーホールであ
る。
本構造によれば、アルミニウム等の電極金属3中の水分
或いは不純物は熱処理を受けても吸水性の層1に第1の
シリコン窒化膜2の開孔部5を通して吸収されるため、
第2のシリコン窒化膜4は7クレを生じることはなく、
法留、信頼性の低下を招くことはない。なお、本発明の
第二の実犯例第2図において10にリンガラス層を表面
に有するシリコン酸化膜11にLPCVD法によシ成長
した厚さ100OAの窒化膜12に厚さ1.0μ のス
パッタ法によシ形成したアルミニウム、13にプラズマ
CVD法によシ成長した厚さ100OOAの窒化膜14
に厚さ20μ のスパッタ法により形成したアルミニウ
ムの構造による実験データによると、開孔部17の間隔
は相互に100μm以内であれば、プラズマCVD法に
よシ形成した窒化膜13には7クレの発生は皆無であり
、間隔1100μ 以上に離して行くと次第に窒化膜7
クレを生じるという実験結果が得られ、本発明の効果が
非常に大きいことが確認された。
或いは不純物は熱処理を受けても吸水性の層1に第1の
シリコン窒化膜2の開孔部5を通して吸収されるため、
第2のシリコン窒化膜4は7クレを生じることはなく、
法留、信頼性の低下を招くことはない。なお、本発明の
第二の実犯例第2図において10にリンガラス層を表面
に有するシリコン酸化膜11にLPCVD法によシ成長
した厚さ100OAの窒化膜12に厚さ1.0μ のス
パッタ法によシ形成したアルミニウム、13にプラズマ
CVD法によシ成長した厚さ100OOAの窒化膜14
に厚さ20μ のスパッタ法により形成したアルミニウ
ムの構造による実験データによると、開孔部17の間隔
は相互に100μm以内であれば、プラズマCVD法に
よシ形成した窒化膜13には7クレの発生は皆無であり
、間隔1100μ 以上に離して行くと次第に窒化膜7
クレを生じるという実験結果が得られ、本発明の効果が
非常に大きいことが確認された。
本発明によれば、層間のアルミニウム電極3に付着する
水分や不純物の逃げ道を有しているので、上層のシリコ
ン窒化膜が熱処理時にフクレることはない。
水分や不純物の逃げ道を有しているので、上層のシリコ
ン窒化膜が熱処理時にフクレることはない。
第1図(a)および(b)は本発明の一実施例を示す平
面図および断面図である。第2図(a)および(b)は
本発明の他の実施例を示す平面図及び断面図である。 第3図(a)および(b)は従来の電極構造を示す平面
図及び断面図である。第4図は、第3図に示す従来の電
極構造において第2のシリコン窒化膜4の7タレを示す
断面図である。 l・・・・・・吸水性の樹脂或いはリンガラス層或いは
リンドープの酸化膜等の吸水性絶縁膜、2・・・・・・
第1のシリコン窒化膜、3・・・・・・アルミニウム等
の電極金属、4・・・・・・第2のシリコン窒化膜、5
・・・・・・第1のシリコン窒化膜2の開孔部、6・・
・・・・第2のシリコン窒化膜の7クレ部分、7・・・
・・・第2のシリコン窒化膜のフクレによシ生じた空洞
、8・・・・・・任意の導電型の半導体基板、9・・・
・・・任意の導電型の拡散層、10・・・・・・シリコ
ン酸化膜、11・・・・・・減圧Q■法により成長した
シリコン窒化膜、12・・・・・・第一層アルミニウム
電極、13・・・・・・層間絶縁膜(P−8iN)、1
4・・・・・・第二層アルミニウム電極、15・・・・
・・シリコン窒化膜11のコンタクト開孔部、16・・
−・・・スルーホール、17・・・・・・シリコン窒化
[11の開孔部。 第1り 第2図 第3図
面図および断面図である。第2図(a)および(b)は
本発明の他の実施例を示す平面図及び断面図である。 第3図(a)および(b)は従来の電極構造を示す平面
図及び断面図である。第4図は、第3図に示す従来の電
極構造において第2のシリコン窒化膜4の7タレを示す
断面図である。 l・・・・・・吸水性の樹脂或いはリンガラス層或いは
リンドープの酸化膜等の吸水性絶縁膜、2・・・・・・
第1のシリコン窒化膜、3・・・・・・アルミニウム等
の電極金属、4・・・・・・第2のシリコン窒化膜、5
・・・・・・第1のシリコン窒化膜2の開孔部、6・・
・・・・第2のシリコン窒化膜の7クレ部分、7・・・
・・・第2のシリコン窒化膜のフクレによシ生じた空洞
、8・・・・・・任意の導電型の半導体基板、9・・・
・・・任意の導電型の拡散層、10・・・・・・シリコ
ン酸化膜、11・・・・・・減圧Q■法により成長した
シリコン窒化膜、12・・・・・・第一層アルミニウム
電極、13・・・・・・層間絶縁膜(P−8iN)、1
4・・・・・・第二層アルミニウム電極、15・・・・
・・シリコン窒化膜11のコンタクト開孔部、16・・
−・・・スルーホール、17・・・・・・シリコン窒化
[11の開孔部。 第1り 第2図 第3図
Claims (1)
- 半導体基体上に吸水性の絶縁膜を有し、この吸水性の絶
縁膜上に貫通孔を有する第1のシリコン窒化膜層を有し
、この第1のシリコン窒化膜上に電極金属を有し、かつ
前記電極金属上に第2のシリコン窒化膜層を有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9490285A JPS61253832A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9490285A JPS61253832A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61253832A true JPS61253832A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14122956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9490285A Pending JPS61253832A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61253832A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150048361A1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | Sony Corporation | Display unit and electronic apparatus |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9490285A patent/JPS61253832A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150048361A1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | Sony Corporation | Display unit and electronic apparatus |
US9246012B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-01-26 | Joled Inc. | Display unit and electronic apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890008984A (ko) | 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법 | |
JPS61253832A (ja) | 半導体装置 | |
JPS621246A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100565840B1 (ko) | 반도체소자 및 그의 제조방법 | |
JPH09148326A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JPH03209823A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS63275142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62287645A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2950620B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS62181436A (ja) | 半導体装置 | |
KR100256799B1 (ko) | 반도체소자의 콘택제조방법 | |
JP2553101B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0223646A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6145859B2 (ja) | ||
JPS6348181B2 (ja) | ||
JPS58191449A (ja) | 多層配線構造 | |
JPS6349388B2 (ja) | ||
JPH03101132A (ja) | 多層配線構造 | |
JPS63188957A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60214569A (ja) | Mos型半導体装置 | |
JPH01286444A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0434955A (ja) | 集積回路装置 | |
JPS61203653A (ja) | 配線の接続方法 | |
JPS59169153A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0613605A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |