JPS61253832A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61253832A JPS61253832A JP9490285A JP9490285A JPS61253832A JP S61253832 A JPS61253832 A JP S61253832A JP 9490285 A JP9490285 A JP 9490285A JP 9490285 A JP9490285 A JP 9490285A JP S61253832 A JPS61253832 A JP S61253832A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride film
- silicon nitride
- layer
- electrode metal
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の電極構造、特に多層配線構造の半
導体集積回路の電極構造に関する。
導体集積回路の電極構造に関する。
第３図（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体集積回路装置の
一例を示す平面図及び断面図である。半導体基体８上に
はシリコン酸化膜、リンガラス層等の任意の絶縁物１を
有し、その上にＬＰＣＶＤ法或いはプラズマＣＶＤ 法
によシ成長した第１のシリコン窒化２とアルミニウム等
の電極金属３と、更に最上層にＬＰ ＣＶＤ法或いはプ
ラズマＣＶＤ法により成長した第２のシリコン窒化膜４
とｔ−有している。
一例を示す平面図及び断面図である。半導体基体８上に
はシリコン酸化膜、リンガラス層等の任意の絶縁物１を
有し、その上にＬＰＣＶＤ法或いはプラズマＣＶＤ 法
によシ成長した第１のシリコン窒化２とアルミニウム等
の電極金属３と、更に最上層にＬＰ ＣＶＤ法或いはプ
ラズマＣＶＤ法により成長した第２のシリコン窒化膜４
とｔ−有している。
上述した従来の電極構造は、電極金［３の上下に気密性
の良いシリコン窒化Ｈ！Ｘ２，４を有するため、蒸着法
或いはスパッタ法等により形成された電極金属３中Ｑ水
分、不純物等が後の熱処理によって膨張し逃げ場がない
ために、第４図に示すように、第２のシリコン窒化膜４
を押し上げ、いわゆる窒化膜７クレ７と称する不良モー
ドを発生させ歩留、１！頼性の低下を招くという致命的
欠点がある。
の良いシリコン窒化Ｈ！Ｘ２，４を有するため、蒸着法
或いはスパッタ法等により形成された電極金属３中Ｑ水
分、不純物等が後の熱処理によって膨張し逃げ場がない
ために、第４図に示すように、第２のシリコン窒化膜４
を押し上げ、いわゆる窒化膜７クレ７と称する不良モー
ドを発生させ歩留、１！頼性の低下を招くという致命的
欠点がある。
本発明による半導体装置の電極構造は半導体基板上に吸
水性をもつ絶縁膜を有し、その上に貫通孔を有する第１
のシリコン窒化膜を有し、この第ｌのシリコン窒化膜上
に電極金属を有し、この電極金属上に第２のシリコン窒
化膜を有している０第２のシリコン窒化膜の７クレを防
ぐために、第１のシリコン窒化膜に開孔部を設はアルミ
ニウム等の電極金属に含まれる水分或いは他の不純物が
熱処理により外部に逃げようとする際に前記第１のシリ
コン窒化膜の開孔部を通して吸水性の樹脂またはリンガ
ラス層或いはリンドープのシリコン酸化膜等の吸水性の
層に前記アルミニウム等の電極金属に含まれる水分或い
は不純物を吸収させ、第２のシリコンプラズマ窒化膜の
７クレを防止しようとするものである。
水性をもつ絶縁膜を有し、その上に貫通孔を有する第１
のシリコン窒化膜を有し、この第ｌのシリコン窒化膜上
に電極金属を有し、この電極金属上に第２のシリコン窒
化膜を有している０第２のシリコン窒化膜の７クレを防
ぐために、第１のシリコン窒化膜に開孔部を設はアルミ
ニウム等の電極金属に含まれる水分或いは他の不純物が
熱処理により外部に逃げようとする際に前記第１のシリ
コン窒化膜の開孔部を通して吸水性の樹脂またはリンガ
ラス層或いはリンドープのシリコン酸化膜等の吸水性の
層に前記アルミニウム等の電極金属に含まれる水分或い
は不純物を吸収させ、第２のシリコンプラズマ窒化膜の
７クレを防止しようとするものである。
次に本発明を図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例を示す平
面図及び断面図である。半導体基体８上には吸水性の樹
脂或いはリンガラス層或いはリンドープのシリコン酸化
頂層等の吸水性の層１があり、その上には複数の開孔部
５を有する第１のシリコン窒化膜が、１、更にアルミニ
ウム等の電極金属３を有し、その上に第２のシリコン窒
化膜４を有している。第１のシリコン窒化膜２の開孔部
５を通じて吸水性の層１とアルミニウム等の電極金属３
が通気性を有する構造となっている。
面図及び断面図である。半導体基体８上には吸水性の樹
脂或いはリンガラス層或いはリンドープのシリコン酸化
頂層等の吸水性の層１があり、その上には複数の開孔部
５を有する第１のシリコン窒化膜が、１、更にアルミニ
ウム等の電極金属３を有し、その上に第２のシリコン窒
化膜４を有している。第１のシリコン窒化膜２の開孔部
５を通じて吸水性の層１とアルミニウム等の電極金属３
が通気性を有する構造となっている。
第２図（ａ）および伽）は本発明を二層配線構造に応用
した実施例を示す平面図及び断面図である。半導体基板
８には拡散層９を有している。半導体基板８をスチーム
雰囲気で酸化して半導体基板８の表面に二酸化珪素層１
０を設けてお９、その上に複数の開孔部１７を有するシ
リコン窒化膜１１を減圧ＣＶＤ法によシ成長しておシ、
更にその上に第一層目のアルミニウム電極１２を設けて
いる。
した実施例を示す平面図及び断面図である。半導体基板
８には拡散層９を有している。半導体基板８をスチーム
雰囲気で酸化して半導体基板８の表面に二酸化珪素層１
０を設けてお９、その上に複数の開孔部１７を有するシ
リコン窒化膜１１を減圧ＣＶＤ法によシ成長しておシ、
更にその上に第一層目のアルミニウム電極１２を設けて
いる。
層間絶縁膜としてのプラズマＣＶＤ法によシ成長したシ
リコン窒化膜１３をアルミニウム電極１２上に有し、こ
のシリコン窒化膜１３上に第二層目のアルミニウム電極
１４を有している。尚、１５は任意の導電型の拡散層９
に非整流性接触を得るためのシリコン窒化膜１１の開孔
部１６は第一層目のアルミ電極１２と第二層目のアルミ
電極１４とを電気的に接続するためのスルーホールであ
る。
リコン窒化膜１３をアルミニウム電極１２上に有し、こ
のシリコン窒化膜１３上に第二層目のアルミニウム電極
１４を有している。尚、１５は任意の導電型の拡散層９
に非整流性接触を得るためのシリコン窒化膜１１の開孔
部１６は第一層目のアルミ電極１２と第二層目のアルミ
電極１４とを電気的に接続するためのスルーホールであ
る。
本構造によれば、アルミニウム等の電極金属３中の水分
或いは不純物は熱処理を受けても吸水性の層１に第１の
シリコン窒化膜２の開孔部５を通して吸収されるため、
第２のシリコン窒化膜４は７クレを生じることはなく、
法留、信頼性の低下を招くことはない。なお、本発明の
第二の実犯例第２図において１０にリンガラス層を表面
に有するシリコン酸化膜１１にＬＰＣＶＤ法によシ成長
した厚さ１００ＯＡの窒化膜１２に厚さ１．０μ のス
パッタ法によシ形成したアルミニウム、１３にプラズマ
ＣＶＤ法によシ成長した厚さ１００ＯＯＡの窒化膜１４
に厚さ２０μ のスパッタ法により形成したアルミニウ
ムの構造による実験データによると、開孔部１７の間隔
は相互に１００μｍ以内であれば、プラズマＣＶＤ法に
よシ形成した窒化膜１３には７クレの発生は皆無であり
、間隔１１００μ 以上に離して行くと次第に窒化膜７
クレを生じるという実験結果が得られ、本発明の効果が
非常に大きいことが確認された。
或いは不純物は熱処理を受けても吸水性の層１に第１の
シリコン窒化膜２の開孔部５を通して吸収されるため、
第２のシリコン窒化膜４は７クレを生じることはなく、
法留、信頼性の低下を招くことはない。なお、本発明の
第二の実犯例第２図において１０にリンガラス層を表面
に有するシリコン酸化膜１１にＬＰＣＶＤ法によシ成長
した厚さ１００ＯＡの窒化膜１２に厚さ１．０μ のス
パッタ法によシ形成したアルミニウム、１３にプラズマ
ＣＶＤ法によシ成長した厚さ１００ＯＯＡの窒化膜１４
に厚さ２０μ のスパッタ法により形成したアルミニウ
ムの構造による実験データによると、開孔部１７の間隔
は相互に１００μｍ以内であれば、プラズマＣＶＤ法に
よシ形成した窒化膜１３には７クレの発生は皆無であり
、間隔１１００μ 以上に離して行くと次第に窒化膜７
クレを生じるという実験結果が得られ、本発明の効果が
非常に大きいことが確認された。
本発明によれば、層間のアルミニウム電極３に付着する
水分や不純物の逃げ道を有しているので、上層のシリコ
ン窒化膜が熱処理時にフクレることはない。
水分や不純物の逃げ道を有しているので、上層のシリコ
ン窒化膜が熱処理時にフクレることはない。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施例を示す平
面図および断面図である。第２図（ａ）および（ｂ）は
本発明の他の実施例を示す平面図及び断面図である。 第３図（ａ）および（ｂ）は従来の電極構造を示す平面
図及び断面図である。第４図は、第３図に示す従来の電
極構造において第２のシリコン窒化膜４の７タレを示す
断面図である。 ｌ・・・・・・吸水性の樹脂或いはリンガラス層或いは
リンドープの酸化膜等の吸水性絶縁膜、２・・・・・・
第１のシリコン窒化膜、３・・・・・・アルミニウム等
の電極金属、４・・・・・・第２のシリコン窒化膜、５
・・・・・・第１のシリコン窒化膜２の開孔部、６・・
・・・・第２のシリコン窒化膜の７クレ部分、７・・・
・・・第２のシリコン窒化膜のフクレによシ生じた空洞
、８・・・・・・任意の導電型の半導体基板、９・・・
・・・任意の導電型の拡散層、１０・・・・・・シリコ
ン酸化膜、１１・・・・・・減圧Ｑ■法により成長した
シリコン窒化膜、１２・・・・・・第一層アルミニウム
電極、１３・・・・・・層間絶縁膜（Ｐ−８ｉＮ）、１
４・・・・・・第二層アルミニウム電極、１５・・・・
・・シリコン窒化膜１１のコンタクト開孔部、１６・・
−・・・スルーホール、１７・・・・・・シリコン窒化
［１１の開孔部。 第１り 第２図 第３図
面図および断面図である。第２図（ａ）および（ｂ）は
本発明の他の実施例を示す平面図及び断面図である。 第３図（ａ）および（ｂ）は従来の電極構造を示す平面
図及び断面図である。第４図は、第３図に示す従来の電
極構造において第２のシリコン窒化膜４の７タレを示す
断面図である。 ｌ・・・・・・吸水性の樹脂或いはリンガラス層或いは
リンドープの酸化膜等の吸水性絶縁膜、２・・・・・・
第１のシリコン窒化膜、３・・・・・・アルミニウム等
の電極金属、４・・・・・・第２のシリコン窒化膜、５
・・・・・・第１のシリコン窒化膜２の開孔部、６・・
・・・・第２のシリコン窒化膜の７クレ部分、７・・・
・・・第２のシリコン窒化膜のフクレによシ生じた空洞
、８・・・・・・任意の導電型の半導体基板、９・・・
・・・任意の導電型の拡散層、１０・・・・・・シリコ
ン酸化膜、１１・・・・・・減圧Ｑ■法により成長した
シリコン窒化膜、１２・・・・・・第一層アルミニウム
電極、１３・・・・・・層間絶縁膜（Ｐ−８ｉＮ）、１
４・・・・・・第二層アルミニウム電極、１５・・・・
・・シリコン窒化膜１１のコンタクト開孔部、１６・・
−・・・スルーホール、１７・・・・・・シリコン窒化
［１１の開孔部。 第１り 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体基体上に吸水性の絶縁膜を有し、この吸水性の絶
縁膜上に貫通孔を有する第１のシリコン窒化膜層を有し
、この第１のシリコン窒化膜上に電極金属を有し、かつ
前記電極金属上に第２のシリコン窒化膜層を有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9490285A JPS61253832A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9490285A JPS61253832A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253832A true JPS61253832A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14122956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9490285A Pending JPS61253832A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150048361A1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | Sony Corporation | Display unit and electronic apparatus |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9490285A patent/JPS61253832A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150048361A1 (en) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | Sony Corporation | Display unit and electronic apparatus |
| US9246012B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-01-26 | Joled Inc. | Display unit and electronic apparatus |
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