JPS60263301A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド信号再生装置 - Google Patents

磁気抵抗効果型磁気ヘッド信号再生装置

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JPS60263301A
JPS60263301A JP11950184A JP11950184A JPS60263301A JP S60263301 A JPS60263301 A JP S60263301A JP 11950184 A JP11950184 A JP 11950184A JP 11950184 A JP11950184 A JP 11950184A JP S60263301 A JPS60263301 A JP S60263301A
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今越 茂美
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英夫 陶山
Yutaka Hayata
裕 早田
Munekatsu Fukuyama
宗克 福山
Tetsuo Sekiya
哲夫 関谷
Hiroyuki Uchida
裕之 内田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。
背景技術とその問題点 先ず、第1図を参照して、従来の磁気抵抗効果(以下M
Rという)型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説明するに、例えばNi−Zn系フェライト、Mn 
−Zn系フェライト等より成る磁性基板+11上に(こ
の基板(1)が導電性を有する場合には、これの上に被
着されたSiO2等の絶縁層(2)を介して)、後述す
るMR感磁部(5)に対してバイアス磁界を与えるため
のバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よ
り成るバイアス導体(3)が被着され、このバイアス導
体(3)上に、絶縁層(4)を介して例えば、Ni−F
e系合金、或いはNi−Co系合金等のMR磁性薄膜か
ら成るMR感磁部(5)が配される。そして、このMR
感磁部(5)上に、薄い絶縁層(6)を介して、各一端
が跨りバイアス導体(3)及びMR感磁部(5)を横切
る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する磁気コ
アとしての、例えばM。
パーマロイから成る対の磁性層(7)及び(8)が被着
される。基板(1)上には、非磁性の絶縁性保護層(9
)を介して、保護基板00)が接合される。
しかして、一方の磁性層(7)と基板(1)の前方端と
の間には、例えば絶縁層(6)より成る所要の厚さを有
する非磁性ギャップスペーサ層(11)が介在されて、
前方の磁気ギャップgが形成される。そして、この磁気
ギャップgが臨むように、基板fl)、ギャップスペー
サ層(11) 、磁性層(7)、保護層(9)及び保護
基板00)の前方面が研磨されて磁気テープの如き磁気
記録媒体との対接面(12)が形成される。
又、磁気ギャップgを構成する磁性層(7)の後方端と
、他方の磁性N(8)の前方端とは、夫々MR感磁部(
5)上に絶縁層(6)を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部(13)が形成さ
れる。陶磁性層(7)及び(8)の夫々後方端及び前号
端は、絶縁層(6)の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部(13)において磁気的には結合される
ようなされる。かくして、基板(1)−磁気ギャソプg
−磁性層+71− M R感磁部(5)−磁性層(8)
一基板(11の閉磁路から成る磁気回路が形成される。
このようなMR型磁気ヘッド部りにおいては、その磁気
記録媒体と対接する前方ギャップgからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによっ[て、この磁気回路中
のMR感磁部(5)の抵抗値が、この信号磁束による外
部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部(5)に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのMR感磁部(5)の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。
この場合、MR感磁部(5)が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このMR感磁部
(5)を磁気的にバイアスする必要がある。
このバイアス磁界は、バイアス導体(3)への通電によ
って発生する磁界と、MR感磁部(5)に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
即ち、この種のMR型磁気ヘッド装置は、第2図にその
概略的構成を示ずように、MR感磁部(5)に、バイア
ス導体(3)への直流電流isの通電によって発生した
磁界と、MR感磁部(5)への検出電流IMHの通電に
よって発生した磁界とによってバイアス磁界HBが与え
られた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界H3が
与えられる。そして、この信号磁界Hsによる抵抗変化
に基づ<MR感磁部(5)の両端電圧、すなわちA点の
電位の変化を、低域阻止用コンデンサ(16)を介して
増幅器(14)に供給して増幅して出力端子(15)よ
り出力するものである。
第3図は、このMR感磁部(5)に与える磁界Hと、そ
の抵抗値Rとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Hの絶対値が小さい範囲HBR〜+HBH
において上に凸の2次曲線を示すが、磁界Hの絶対値が
大となって、この範囲から外れると、MR感磁部(5)
を構成するMR磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路方
向に飽和しはじめ、2次曲線から離れてその抵抗Rは最
小値Rll1inに漸近する。因みに、この抵抗Rの最
大値Rmaxは、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向
に向いた状態に於ける値である。そして、この動作特性
曲線における2次曲線の特性部分で、前述したバイアス
値界Heが与えられた状態で、第3図において符号(1
7)を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられる
ようにして、これに応じて同図中符号(18)で示す抵
抗値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合
は、信号磁界の大きさが大となるほど2次高調波歪が大
となることが分る。
又、上述のMR型磁気ヘッド装置における第2図のA点
の電位は、MR感磁部(5)の抵抗の固型分と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
型分は98%程度にも及ぶものであり、この抵抗の固型
分の温度依存性が大きいので、A点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このMR感磁部(
5)の抵抗値Rは、R=Ro (1+αcos2 θ)
 ’ −’−(11(但し、Roは抵抗の固型分、αは
最大抵抗変化率、θはMR感磁部(5)における電流方
向と磁化方向とのなす角度である)で表され、例えばM
R感磁部(5)が81Ni −19Fe (パーマロイ
)合金による厚さ250人のMR磁性薄膜から成る場合
のαの実測値はα= 0.017程度である。このαの
値は、MR感磁部(5)のMR磁性WIi膜の膜厚や材
料によって多少の相違はあるものの高々α= 0.05
程度である。
一方、この抵抗の固型分Roは Ro =R1(1+aΔt) −・−・(21(但し、
R1は抵抗の初期値で、aは温度係数、ΔLは温度変化
分である)で与えられ、上述のMR感磁部(5)の例に
おける温度係数aの実測値は、a = 0.0027/
 deg程度である。このことは直流磁界の検出におい
て大きなノイズとなる。
更に、この種のMR型磁気ヘッド部による場合、上述し
たようにその温度係数が大きいために、例えばMR感磁
部(5)への通電、或いはバイアス導体(3)へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。
又、第2図の構成における増幅器(14)が低インピー
ダンス入力を呈する場合、MR感磁部(5)及びコンデ
ンサ(16)から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数をfoとすると、このコンデンサ(16)に必要な
容量Cは、RをMR感磁部(5)の抵抗とすると、 C−・・・・(3) 幣 R″′。
(ωo=2yrfo)となる。今、MR感磁部(5)が
前述した厚さ250人のパーマロイより成す、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Rは1000程度となる
ので、f o = 1 kHzとすると、コンデンサ(
16)としてばC=1.3μFという大きな値のものが
必要となり、特にマルチトラック型のデジタルオーディ
オ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題となる
ものである。
又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄で断面積
が小さい磁性層(7)及び(8)における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
上述の直流バイアス式MR型磁気ヘッド装置は、有効ト
ラック幅が広く、挾トランク化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪く、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大きく、バルクハウゼンノイズが大きく、出力の
ばらつきが大きいという欠点がある。
その他の従来のMR型磁気ヘッド装置としては、差動式
MR型磁気ヘッド装置、バーバボール式MR型磁気ヘッ
ド装置等が提案されている。差動式MR型磁気ヘッド装
置は、そのMR型磁気ヘッド部に於いて、MR感磁部を
一対設け、一対のMR感磁部に対しては共通のバイアス
導体により同じバイアス磁界を与え、MR感磁部からは
同じ信号磁界によって差動出力が得られるようになし、
その差動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号をえるようにしたものである。
この差動式MR型磁気ヘッド装置は、直流再生が可能(
但し、オフセットのばらつきが大きい)、バルクハウゼ
ンノイズが少ない、出力のばらつきが少ない、回路とし
ては増幅器だけで良いという利点がある反面、摺動ノイ
ズの軽減効果が小さく、有効トラック幅が狭く、狭トラ
ツク化が困難であるという欠点がある。
又、バーバーポール式MR磁気ヘッド装置は、そのMR
型磁気ヘッド部に於けるMR感磁部に、その長手方向に
斜めとなる如く、金等より成る多数の互いに平行な導体
バーを被着形成したものである。
このバーバーポール式MR型磁気ヘッド装置は、バルク
ハウゼンノイズが少なく、出力のばらつきが少なく、回
路としては増幅器だけで良いという利点がある反面、直
流再生が困難、摺動ノイズが大きい、秋トランク化が困
難、有効トラック幅があまり広くないという欠点がある
そこで、上述した欠点を解消ないしは改善するために、
先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を
特願昭59−38980号として出願した。
以下に第4図を参照して、先に提案したMR型磁気ヘッ
ド装置の一例を説明する。この例においては、そのMR
型磁気ヘッド部りは第1図及び第2図で説明したと同様
の構成を採るもので、第4図において第1図及び第2図
と対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する
。この例においては、MR型磁気ヘッド部りのバイアス
導体(3)に、直流バイアス電流lBに重畳して高周波
数f c0 のレベルの小さい交流バイアス電流iAを流して、直流
磁界に重畳して高周波磁界をMR感磁部(5)に与える
。ここに交流バイアス電流iAの波形、したがって交流
磁界の波形は正弦波、矩形波等その波形の如何を問わな
いものである。
このように、MR感磁部(5)に直流バイアス磁界に重
畳して交流バイアス磁界が与えられるので、このMR感
磁部(5)の両端間、即ち第4図におけるA点には周波
数fcの交流信号が取り出される。
第5図Aは、直流バイアス磁界HBと、信号磁界H9に
交流バイアス磁界HAが重畳された状態での磁界HとM
R感磁部(5)の抵抗Rとの関係を示している。ここで
交流バイアス磁界HAの変化分ΔHが小さい時には、成
る瞬間での交流バイアス磁界の変化に対する抵抗変化の
大きさΔRは、第5図Aの2次曲線の微分の絶対値とし
て得られ、第5図Bに示すように、直流バイアス磁界H
Bと信号磁界H9の大きさと出力たる抵抗変化分との関
係は、原理的には直線となる。従って、第4図f にお
けるA点に得られる交流信号の大きさは、直流バイアス
磁界HBと、磁気記録媒体からの信号磁界H3の和の変
化に応じて変化する出力となる。
そして、この出力は、第4図に示すように上述した周波
数fcの成分を通す高域通過フィルタ(前置増幅器) 
(19)を介して整流器(20)に供給して整流し、そ
の整流出力を低域通過フィルタ(21)に供給するもの
である。このようにすれば、磁気媒体からの信号磁界H
5に応じた信号出力がとり出せる。この場合、交流電流
IAの周波数rcは、今例えば最終的に出力端子(15
)から得る出力の帯域が0〜100kHz必要である場
合、これより十分高い周波数、例えばf c = I 
MHzに選定すれば良い。この場合高域通過フィルタ(
19)は低域カットオフ周波数を100kHzより高く
、且つ周波数fc、例えばI Mllzより低い例えば
500kHzに選んでお(ものとする。しかして、高域
通過フィルタの出力を前述したように整流器(20)に
よって整流して後、カットオフ周波数が100kllz
の低域通過フィルタ(21)を通すことにより、出力端
子(15)にO〜100kHzの帯域の信号が得られる
1 このような構成による磁気ヘッド装置においては、第6
図Aに示す外部磁界(信号磁界子バイアス磁界)がMR
感磁部(5)に与えられた場合、第4図における点Bに
おいては第6図Bに示すように、周波数fcのキャリア
を信号で振幅変調した出力が得られ、第6図Cに示すよ
うに出力端子(15)においては、信号磁界に応じた出
力がとり出される。
かかる磁気ヘッド装置によれば、MR感磁部(5)の磁
界対抵抗2次特性曲線による動作特性の微分に相当する
直線的動作特性による出力がとり出されるので、歪のな
い再生信号をとり出すことができるものである。
又、MR感磁部(5)の抵抗の固定分について温度依存
性が大であっても、MR感磁部(5)の動作特性曲線を
微分した特性によっているので、この抵抗の固定分の温
度ドリフトによる影響を格段に低減することができる。
更に、上述したようにMR感磁部(5)の抵抗固定分の
温度依存性による影響を排除したことにょっ3 2 て、MR型磁気ヘッド部の前述した磁気媒体との摺動に
よるノイズの発生を少なくすることができる。
又、かかる磁気ヘッド装置におけるコンデンサ(16)
は、周波数fCの成分を通過させれば良いから、例えば
f c −500kHzとすると、このコンデンサ(1
B)の容量Cは、C= 2600pFで良いことになる
。そして、この周波数f’cを更に上げれば、この容量
Cは更に小さくできるものである。
第7図は先に提案したMR型磁気ヘッド装置の他の例を
示し、第7図において第4図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
この場合は、バイアス導体(3)には、直流バイアス電
流は流されずに、交流バイアス電流174のみを流すよ
うにする。この動作を模式的に示したのが第8図である
。この図において、実線の曲線が、実際のMR感磁部の
磁界対抵抗の動作特性曲線であるが、この特性の2次曲
線部分を外挿すると破線図示のようになり、これによる
最小抵抗値Rminに対応する磁界を+Ho及び−Ho
とする。この4 例では信号磁界H3に重畳して交流バイアス磁界HAが
与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対応し且つ交流
バイアス磁界に応したMR感磁部(5)の抵抗変化が得
られる。
この場合の動作特性曲線は2次曲線で、このMR感磁部
(5)の抵抗値Rは、次のように表される。
ここに、ΔRmaxはΔRmax =Rmax −Rm
lnで与えられる。MR感磁部(5)に与えられる磁界
Hは、次式に示すようにバイアス磁界HA(tlと、信
号磁界Hs(tlとの和で表される。
H(tl= HA (tl+ Hs Ttl ” ”(
5)ここに磁界HA(t)は、バイアス導体(3)に流
される電流によって得られ、 HA (tl= HAO−sln (ωc t ) =
 =+61の如く表される。但し、角周波数ωGは次式
のように表される。
ωc=2πfc ・・・・(7) f MR感磁部(5)の出力電圧V (tlは、MR検
出電流をIとすると、 V[t)= I −R・・・・(8) であり、上記(4)、(5)、(6)式から次のように
表される。
X5inωG + (Hs (t)) 2)・・・・(
9) 次に、この出力電圧V (t)と、交流バイアス磁界H
Aと同相同周波数の信号、例えばsin (ωat)を
乗算器(22)によって乗算する。その出力V z (
tlは、次式のように表される。
Vz 1l=V(tl・sin (ωat)+ 2 H
AO・Hs (tl ・sin (ωc L) + (
Hs(11) 2) ・sin (ωat)・・・・0
0+ そして、これを低域通過フィルタ(21)に通ずると、
次00)においてωG酸成分有する項1 ・Rmax−
sin (ωc t) =0 ・・・・(11) 3 I(A♂・5in2(ωat) HAO = −(sin (ωt ) −cos (2ωj)X
sin(ωt) ) =0・・・・(1り 2 HAO−Hs (tl ・5in2(ωt )=H
Ao−Hs(ti (1−cos(2ωt))= HA
O−Hs (tl ・・= (13)(Hs(tl) 
2・5in(ωt) =0 ” (14)となる。従っ
て、端子(15)で得られる出力電圧V o (tlは
、 ・・・・(15) となり、信号磁界Hs(tlに比例する電圧が得られる
。尚、この場合、乗算器(22)への入力に、信号磁界
成分Hs(t)が含まれていても、出力に混入する虞は
少ないので、高域通過フィルタ(19)を省略すること
もできる。
かかるMR型磁気ヘッド装置によれば、外部磁界の極性
に応じた出力をとり出せることになり、7 6 先の例と同様の利点に加えて、ダイナミックレンジが大
となるという利点がある。また、この場合、磁気的バイ
アスを交流成分のみとすることによって直流バイアスに
よる磁気回路の透磁率低下を回避できる利益もある。
先に提案したMR型磁気ヘッド装置によれば、直線性に
すぐれた歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改善され
、有効トラック幅が大で、狭トラツク化可能であり、更
にコンデンサの容量を小さくできるなどの利益を有する
と共に、更に第7図で説明した構成とするときは、ダイ
ナミックレンジを大きくとることができ、また成る場合
は磁気回路の透磁率低下を回避することもできる。
ところで、例えば第7図のMR型磁気ヘッド装置の出力
端子(15)の出力の周波数特性は、磁気テープの走行
速度が4.8cm / secの場合、第9図に曲線a
として示す如く、周波数が1 kllz付近でレスポン
スが最大で、周波数がこれより漸次大又は小になるにつ
れて、次第にレスポンスが減少ず8 る特性を有している。上述した他の種々の方式のMR型
磁気ヘッド装置に於いても、出力の周波数特性に略同様
な傾向が見られる。
そこで、MR型磁気ヘッド装置の出力の周波数特性を平
坦にするには、第9図に曲線すにて示す如く、曲線aに
対し逆の周波数特性を有するイコライザ回路を出力側に
縦続接続することが考えられる。
ところが、MR型磁気ヘッド装置では、出力レベルが大
になるにつれて歪が増加し、出力レベルが小になるにつ
れてS/Nが低下するという特性を呈する。従って、M
R型磁気ヘッド装置の出力側に上述の如きイコライザ回
路を縦続接続したのでは、出力のレスポンスが最大とな
る周波数付近の歪を減少させようとすると、高域のS/
Nが低下するし、高域のS/Nを増大させようとすると
、出力のレスポンスが最大となる周波数付近の歪が増加
してしまう。
発明の目的 かかる点に鑑み、本発明は出力の周波数特性が9 平坦になると共に、歪が減少し、S/Nが増大する磁気
抵抗効果型磁気ヘッド装置を提案しようとするものであ
る。
発明の概要 本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置は、信号磁
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、磁気抵抗効果感
磁部の出力から信号磁界に応じた信号出力を取出す信号
取出し手段と、イコライザ回路と、信号取出し手段から
の信号出力をイコライザ回路に供給して得たイコライザ
出力に応じた負帰還磁界を磁気抵抗効果感磁部に与える
負帰還磁界発生手段とを有し、信号出力の周波数特性を
平坦にするようにしたことを特徴とするものである。
かかる本発明によれば、出力の周波数特性が平坦になる
と共に、歪が減少し、S/Nが増大する磁気抵抗効果型
磁気ヘッド装置を得ることができる。
実施例 以下に、第10図を参照して、本発明の一実施例を説明
する。この実施例は、第7図の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に本発明を通用した場合で、第1O図に於いて第
7図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略する。即ち、低域通過フィルタ(21)よりの信号出
力を第9図の曲線aの周波数特性を有するイコライザ回
路(23)に供給し、これよりの電流をバイアス導体(
3)に流して、このバイアス導体(3)(別個のバイア
ス導体を設けて、これに電流を流すこともできる)から
負帰還磁界)1psを発生させて、MR感磁部(5)に
与えるようにする。
かかるイコライザ回路(23)の回路例を第13図に示
す。(24) 、(25)は夫々入出力端子、(31)
は演算増幅器で、入力端子(24)を、抵抗器(26)
及びコンデンサ(27)の直列回路、抵抗器(28)及
びコンデンサ(29)の直列回路並びに抵抗器(30)
の並列回路を通じて演算増幅器(31)の反転入力端子
に接続し、その非反転入力端子を接地する。出力端子(
25)及び演算増幅器(31)の反転入力端子間に、抵
抗器(32)及びコンデンサ(33)の直列回路並びに
抵抗器(34)の並列回路1 0 を接続する。尚、回路素子の定数例は第13図に図示の
通りであるが、磁気テープの走行速度、その磁性材料、
磁気ヘッド装置の方式の如何によって異なる。
尚、本発明を上述の第4図及び第2図の方式のMR型磁
気ヘッド装置に適用した場合を、夫々第11図及び第1
2図に示す。この場合も第10図と同様に、低域通過フ
ィルタ(21)又は増幅器(14)よりの信号出力を第
9図の曲線aの周波数特性を有するイコライザ回路(2
3)に供給し、これよりの電流をバイアス導体(3)に
流して、このバイアス導体(3)から負帰還磁界I(p
sを発生させて、MR感磁部(5)に与えるようにする
。その他差動式、バーバーポール式、無バイアス式MR
型磁気ヘッド装置にも本発明を適用できる。尚、これら
の詳細説明は省略する。
上述せる本発明によれば、出力の周波数特性が平坦にな
ると共に、歪が減少し、S/Nが増大する磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置を得ることができる。
2 尚、再生信号はデジタルオーディオ信号に限らず、デジ
タルビデオ信号、アナログオーディオ/ビデオ信号等も
可能である。
発明の効果 上述せる本発明によれば、出力の周波数特性が平坦にな
ると共に、歪が減少し、S/Nが増大する磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の説明に供する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の路線的拡大断面図、第2図は従来の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の構成図、第3図は磁気抵抗効果型
感磁部の特性曲線図、第4図は先に提案した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の一例の構成図、第5図A及びBは
その動作特性曲線図、第6図はその動作の説明に供する
波形図、第7図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の他の例の構成図、第8図はその説明に供する特
性曲線図、第9図は本発明の説明に供する特f 性向線
図、第10図〜第12図は本発明による磁気紙3 抗効果型磁気ヘッド装置の各実施例を示す構成図、第1
3図はそのイコライザ回路の具体例を示す回路図である
。 hは磁気ヘッド部、+11は基板、(3)はバイアス導
体、(5)は磁気抵抗効果感磁部、(7)及び(8)は
磁性層、(19)は高域通過フィルタ、(20)は整流
器、(21)は低域通過フィルタ、(22)は乗算器、
(23)はイコライザ回路である。 4 9 飄 第6図 第8図 手続補正書(方式) 1.事件の表示 昭和59年特許願第119501号 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 伏表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人 11−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 信号磁界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、上記磁気
    抵抗効果感磁部の出力から上記信号磁界に応じた信号出
    力を取出す信号取出し手段と、イコライザ回路と、上記
    信号取出し手段からの信号出力を上記イコライザ回路に
    供給して得たイコライザ出力に応じた負帰還磁界を上記
    磁気抵抗効果感磁部に与える負帰還磁界発生手段とを有
    し、上記信号出力の周波数特性を平坦にするようにした
    ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。
JP11950184A 1984-06-11 1984-06-11 磁気抵抗効果型磁気ヘッド信号再生装置 Granted JPS60263301A (ja)

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