JPS5856485A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPS5856485A JPS5856485A JP56155040A JP15504081A JPS5856485A JP S5856485 A JPS5856485 A JP S5856485A JP 56155040 A JP56155040 A JP 56155040A JP 15504081 A JP15504081 A JP 15504081A JP S5856485 A JPS5856485 A JP S5856485A
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- Japan
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- magnetic field
- current
- magnetoresistive element
- conductor
- flowing
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性体の磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果
素子に係り、特に出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効
果素子に関する。
素子に係り、特に出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効
果素子に関する。
従来、磁気抵抗効果素子は基板面上に配置されている。
この基板面上に配置された磁気抵抗効果素子に電流を流
し、磁気抵抗素子の抵抗をその両端の電位差として検出
している。その抵抗値は磁界により数チ変化するの寸こ
れにより、磁界の強さを求めていた。第1図は従来の構
成を示す。磁気抵抗効果素子は基板2上に配置され、そ
の両端には導体3.4のそれぞれの端が接続されている
。
し、磁気抵抗素子の抵抗をその両端の電位差として検出
している。その抵抗値は磁界により数チ変化するの寸こ
れにより、磁界の強さを求めていた。第1図は従来の構
成を示す。磁気抵抗効果素子は基板2上に配置され、そ
の両端には導体3.4のそれぞれの端が接続されている
。
導体3の他端は増幅器5の正入力6と抵抗Rを介して電
源+■に、導体4の他端は増幅器5の負人カフとグラン
ドGK接続されている。
源+■に、導体4の他端は増幅器5の負人カフとグラン
ドGK接続されている。
第2図は基板上に配置された磁気抵抗効果索子1の静磁
場特性を示す。抵抗変化分Δρは検出電流と直角方向の
靜磁界Hの変化に対し山形の特性を有している。しかし
ながら、前記山形の特性は磁界Hが正方向から負方向に
変化した場合と負方向から正方向に変化した場合によっ
て@rx、す、ヒステリシスを有しているやまた、その
時には、山形の特性の中間に小さなくぼみ8.8′を生
じている。磁界検出として前記磁気抵抗効果素子を用い
る場合には直線性の良い範囲で使用するように直流バイ
アス磁界を印加していた。しかしながら、前記小さなく
ぼみ8.8′ がその直線性の良い範囲に人っているた
め、磁気抵抗効果素子の検出信号波形に歪が生じていた
。
場特性を示す。抵抗変化分Δρは検出電流と直角方向の
靜磁界Hの変化に対し山形の特性を有している。しかし
ながら、前記山形の特性は磁界Hが正方向から負方向に
変化した場合と負方向から正方向に変化した場合によっ
て@rx、す、ヒステリシスを有しているやまた、その
時には、山形の特性の中間に小さなくぼみ8.8′を生
じている。磁界検出として前記磁気抵抗効果素子を用い
る場合には直線性の良い範囲で使用するように直流バイ
アス磁界を印加していた。しかしながら、前記小さなく
ぼみ8.8′ がその直線性の良い範囲に人っているた
め、磁気抵抗効果素子の検出信号波形に歪が生じていた
。
本発明は前記問題点を解決するものであり、その目的は
磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化が滑らかになるよう
に改良し、出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化が滑らかになるよう
に改良し、出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
本発明の特徴とするところは、基板上に設けた磁気抵抗
効果素子において前記磁気抵抗素子の検出電流の流れる
方向と千行く直流バイアス磁場を印加したことを特徴と
する磁気抵抗効果素子にある。
効果素子において前記磁気抵抗素子の検出電流の流れる
方向と千行く直流バイアス磁場を印加したことを特徴と
する磁気抵抗効果素子にある。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
本発明は、磁気抵抗効果素子の検出電流方向に弱い磁場
HBが常に加えられた状態を作り素子の検出電流方向に
存在する形状異方性による容易軸方向の磁化状態を安定
化させることにより、Δρ−H特性のヒステリシスを無
くして出力信号の歪を少なくしたものである。
HBが常に加えられた状態を作り素子の検出電流方向に
存在する形状異方性による容易軸方向の磁化状態を安定
化させることにより、Δρ−H特性のヒステリシスを無
くして出力信号の歪を少なくしたものである。
第3図は検出電流方向に弱い磁場HBを印加することに
よりΔρ−H特性のヒステリシスを無くした特性を示す
。従来のΔρ−H特性に生じていた磁界の変化に対する
ヒステリシスやくぼみ8.8′が無くなっている。また
あらかじめ検出磁界方向に直流磁界Hoを印加しておく
ことにより、磁界信号9に対して抵抗値は変化しその出
力10を得ることができる。一般的に前記バイアス磁界
80はΔρ−H特性の直線性の良い点にあらかじめ設定
される。
よりΔρ−H特性のヒステリシスを無くした特性を示す
。従来のΔρ−H特性に生じていた磁界の変化に対する
ヒステリシスやくぼみ8.8′が無くなっている。また
あらかじめ検出磁界方向に直流磁界Hoを印加しておく
ことにより、磁界信号9に対して抵抗値は変化しその出
力10を得ることができる。一般的に前記バイアス磁界
80はΔρ−H特性の直線性の良い点にあらかじめ設定
される。
第4図(α)は本発明の第1の実施例である。基板2面
上に導体11を配置する。その上に絶縁層(図示せず)
をはさんで磁気抵抗効果素子1、並びにその両端に接続
された導4体のみを配置する。
上に導体11を配置する。その上に絶縁層(図示せず)
をはさんで磁気抵抗効果素子1、並びにその両端に接続
された導4体のみを配置する。
さらにその上に同様に絶縁層(図示せず)をはさんでコ
の字形の導体12を配置する。導体1.1には磁気抵抗
効果素子lに直角に流れる電流iJI!を流す。またコ
の字形の導体12には電流鳩な流す。
の字形の導体12を配置する。導体1.1には磁気抵抗
効果素子lに直角に流れる電流iJI!を流す。またコ
の字形の導体12には電流鳩な流す。
第4図(h)は磁気抵抗効果素子に発生する磁界を示す
。電流in、によって磁気抵抗効果素子1に流れる電流
と平1テな磁界HBが生じ1.電流tB、によって検出
磁界と同方向の磁界Hoが生じる。すなわち、電流鳴は
磁気抵抗効果素子のヒステリシスやくぼみ8.8′ を
なくする磁界を発生する電流であり、IB、は前記磁気
抵抗効果素子に検出方向のバイアス磁界を発生する電流
である。
。電流in、によって磁気抵抗効果素子1に流れる電流
と平1テな磁界HBが生じ1.電流tB、によって検出
磁界と同方向の磁界Hoが生じる。すなわち、電流鳴は
磁気抵抗効果素子のヒステリシスやくぼみ8.8′ を
なくする磁界を発生する電流であり、IB、は前記磁気
抵抗効果素子に検出方向のバイアス磁界を発生する電流
である。
前述のように導体を配置することによりΔρ−1特性が
滑らかで、かつ直線変化をする領域で素子を動作させる
ことができ、歪のない検出磁界の検出を行なうことがで
きる。
滑らかで、かつ直線変化をする領域で素子を動作させる
ことができ、歪のない検出磁界の検出を行なうことがで
きる。
第5@は本発明の他の実施例である。第4図に示した本
発明の実施例における導体1】に流す電流によって発生
する磁界H,を永久磁石13によって発生する。すなわ
ち、基板2上に磁気抵抗効果素子1、導体3.4を配置
する。その上に絶縁層(図示せず)を・はさんで導体1
2を配電する。
発明の実施例における導体1】に流す電流によって発生
する磁界H,を永久磁石13によって発生する。すなわ
ち、基板2上に磁気抵抗効果素子1、導体3.4を配置
する。その上に絶縁層(図示せず)を・はさんで導体1
2を配電する。
さらにその上に絶縁層・(図示せず)をはさんで永久磁
石13を配置する。前述の第20寮施例においても第1
の実施例と同様に永久磁石13によって発生する磁界H
j′によってヒーステリシスやくぼみ8.8′ が生じ
ないΔρ−H%性の磁気抵抗効果素子を得、さらに導体
に流す電流&B、によって検出磁界方向のバイアス磁場
MOを発生させ直′線性のよい範囲で動作させることが
できる。
石13を配置する。前述の第20寮施例においても第1
の実施例と同様に永久磁石13によって発生する磁界H
j′によってヒーステリシスやくぼみ8.8′ が生じ
ないΔρ−H%性の磁気抵抗効果素子を得、さらに導体
に流す電流&B、によって検出磁界方向のバイアス磁場
MOを発生させ直′線性のよい範囲で動作させることが
できる。
前記第2の実施例では永久磁石を用いてHHを発生させ
たが、これは空心あるいは強磁性体にまかれたコイルで
も可能である。
たが、これは空心あるいは強磁性体にまかれたコイルで
も可能である。
以上説明したように本発明によれば、従来ヒステリシス
やくぼみを生じた特性の磁気抵抗効果素子を用いていた
のが、滑らかな特性の磁気抵抗効果素子を動作させるこ
とカーでき、直線性のよい磁界検出が可能となる。また
磁界検出ばかりでなく、たとえば磁気ヘッド等磁界検出
を用いた機壱に使用可能である。
やくぼみを生じた特性の磁気抵抗効果素子を用いていた
のが、滑らかな特性の磁気抵抗効果素子を動作させるこ
とカーでき、直線性のよい磁界検出が可能となる。また
磁界検出ばかりでなく、たとえば磁気ヘッド等磁界検出
を用いた機壱に使用可能である。
第1図は従来の磁気抵抗効果素子を示す構成図、第2図
は従来の磁気抵抗効果素子の磁界に対する抵抗変化を示
す特性曲線図、第3図は本発明の磁気抵抗効果素子の磁
界に対する抵抗変化を示す特性曲線図、第4図は本発明
の第1の実施例を示す構成図、第5図は本発明の第2の
実施例を示す構成図である。 1・・・・・・・・・・・・・・・磁気抵抗効果素子1
1.12・・・・・・導体 13・・・・・・・・・・・・・・・永久磁石413−
は従来の磁気抵抗効果素子の磁界に対する抵抗変化を示
す特性曲線図、第3図は本発明の磁気抵抗効果素子の磁
界に対する抵抗変化を示す特性曲線図、第4図は本発明
の第1の実施例を示す構成図、第5図は本発明の第2の
実施例を示す構成図である。 1・・・・・・・・・・・・・・・磁気抵抗効果素子1
1.12・・・・・・導体 13・・・・・・・・・・・・・・・永久磁石413−
Claims (4)
- (1)基板上に設けた磁気抵抗効果素子において、前記
磁気抵抗効果素子の検出電流の流れる方向と平行に直流
バイアス磁場を印加したことを特徴とする磁気抵抗効果
素子。 - (2)直流バイアス磁場は磁気抵抗効果素子に流す検出
電流の方向と直交した電流を流せる導体層を設は前記導
体層に直流電流を流すことにより発生することを特徴と
する特許請求範囲第一項記載の磁気抵抗効果素子。 - (3)直流バイアス磁場は磁気抵抗効果素子の近傍に配
置した永久磁石あるいは永久磁石膜により発生すること
を特徴とする特許請求の範囲第に項記載の磁気抵抗効果
素子。 - (4) 直流バイアス磁場は磁気抵抗効果素子の近傍
に配置した空心コイルあるいは高透磁率材物質外周にま
かれたコイルにより印加されたコイルに電流を流すこと
によって発生することを特徴とする特許請求の範囲第一
項記載の磁気抵抗効果素子。 ゛
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56155040A JPS5856485A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56155040A JPS5856485A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5856485A true JPS5856485A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15597350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56155040A Pending JPS5856485A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5856485A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61186873A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
JP2008249556A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 磁気センサ |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155040A patent/JPS5856485A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61186873A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
JPH0648165B2 (ja) * | 1985-02-13 | 1994-06-22 | 株式会社三協精機製作所 | 磁気抵抗効果型素子 |
JP2008249556A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 磁気センサ |
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