JPS5856485A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPS5856485A JPS5856485A JP56155040A JP15504081A JPS5856485A JP S5856485 A JPS5856485 A JP S5856485A JP 56155040 A JP56155040 A JP 56155040A JP 15504081 A JP15504081 A JP 15504081A JP S5856485 A JPS5856485 A JP S5856485A
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- Japan
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- magnetic field
- current
- magnetoresistive element
- conductor
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 47
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性体の磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果
素子に係り、特に出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効
果素子に関する。
素子に係り、特に出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効
果素子に関する。
従来、磁気抵抗効果素子は基板面上に配置されている。
この基板面上に配置された磁気抵抗効果素子に電流を流
し、磁気抵抗素子の抵抗をその両端の電位差として検出
している。その抵抗値は磁界により数チ変化するの寸こ
れにより、磁界の強さを求めていた。第１図は従来の構
成を示す。磁気抵抗効果素子は基板２上に配置され、そ
の両端には導体３．４のそれぞれの端が接続されている
。
し、磁気抵抗素子の抵抗をその両端の電位差として検出
している。その抵抗値は磁界により数チ変化するの寸こ
れにより、磁界の強さを求めていた。第１図は従来の構
成を示す。磁気抵抗効果素子は基板２上に配置され、そ
の両端には導体３．４のそれぞれの端が接続されている
。
導体３の他端は増幅器５の正入力６と抵抗Ｒを介して電
源＋■に、導体４の他端は増幅器５の負人カフとグラン
ドＧＫ接続されている。
源＋■に、導体４の他端は増幅器５の負人カフとグラン
ドＧＫ接続されている。
第２図は基板上に配置された磁気抵抗効果索子１の静磁
場特性を示す。抵抗変化分Δρは検出電流と直角方向の
靜磁界Ｈの変化に対し山形の特性を有している。しかし
ながら、前記山形の特性は磁界Ｈが正方向から負方向に
変化した場合と負方向から正方向に変化した場合によっ
て＠ｒｘ、す、ヒステリシスを有しているやまた、その
時には、山形の特性の中間に小さなくぼみ８．８′を生
じている。磁界検出として前記磁気抵抗効果素子を用い
る場合には直線性の良い範囲で使用するように直流バイ
アス磁界を印加していた。しかしながら、前記小さなく
ぼみ８．８′ がその直線性の良い範囲に人っているた
め、磁気抵抗効果素子の検出信号波形に歪が生じていた
。
場特性を示す。抵抗変化分Δρは検出電流と直角方向の
靜磁界Ｈの変化に対し山形の特性を有している。しかし
ながら、前記山形の特性は磁界Ｈが正方向から負方向に
変化した場合と負方向から正方向に変化した場合によっ
て＠ｒｘ、す、ヒステリシスを有しているやまた、その
時には、山形の特性の中間に小さなくぼみ８．８′を生
じている。磁界検出として前記磁気抵抗効果素子を用い
る場合には直線性の良い範囲で使用するように直流バイ
アス磁界を印加していた。しかしながら、前記小さなく
ぼみ８．８′ がその直線性の良い範囲に人っているた
め、磁気抵抗効果素子の検出信号波形に歪が生じていた
。
本発明は前記問題点を解決するものであり、その目的は
磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化が滑らかになるよう
に改良し、出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化が滑らかになるよう
に改良し、出力変動、波形歪を抑えた磁気抵抗効果素子
を提供することにある。
本発明の特徴とするところは、基板上に設けた磁気抵抗
効果素子において前記磁気抵抗素子の検出電流の流れる
方向と千行く直流バイアス磁場を印加したことを特徴と
する磁気抵抗効果素子にある。
効果素子において前記磁気抵抗素子の検出電流の流れる
方向と千行く直流バイアス磁場を印加したことを特徴と
する磁気抵抗効果素子にある。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
本発明は、磁気抵抗効果素子の検出電流方向に弱い磁場
ＨＢが常に加えられた状態を作り素子の検出電流方向に
存在する形状異方性による容易軸方向の磁化状態を安定
化させることにより、Δρ−Ｈ特性のヒステリシスを無
くして出力信号の歪を少なくしたものである。
ＨＢが常に加えられた状態を作り素子の検出電流方向に
存在する形状異方性による容易軸方向の磁化状態を安定
化させることにより、Δρ−Ｈ特性のヒステリシスを無
くして出力信号の歪を少なくしたものである。
第３図は検出電流方向に弱い磁場ＨＢを印加することに
よりΔρ−Ｈ特性のヒステリシスを無くした特性を示す
。従来のΔρ−Ｈ特性に生じていた磁界の変化に対する
ヒステリシスやくぼみ８．８′が無くなっている。また
あらかじめ検出磁界方向に直流磁界Ｈｏを印加しておく
ことにより、磁界信号９に対して抵抗値は変化しその出
力１０を得ることができる。一般的に前記バイアス磁界
８０はΔρ−Ｈ特性の直線性の良い点にあらかじめ設定
される。
よりΔρ−Ｈ特性のヒステリシスを無くした特性を示す
。従来のΔρ−Ｈ特性に生じていた磁界の変化に対する
ヒステリシスやくぼみ８．８′が無くなっている。また
あらかじめ検出磁界方向に直流磁界Ｈｏを印加しておく
ことにより、磁界信号９に対して抵抗値は変化しその出
力１０を得ることができる。一般的に前記バイアス磁界
８０はΔρ−Ｈ特性の直線性の良い点にあらかじめ設定
される。
第４図（α）は本発明の第１の実施例である。基板２面
上に導体１１を配置する。その上に絶縁層（図示せず）
をはさんで磁気抵抗効果素子１、並びにその両端に接続
された導４体のみを配置する。
上に導体１１を配置する。その上に絶縁層（図示せず）
をはさんで磁気抵抗効果素子１、並びにその両端に接続
された導４体のみを配置する。
さらにその上に同様に絶縁層（図示せず）をはさんでコ
の字形の導体１２を配置する。導体１．１には磁気抵抗
効果素子ｌに直角に流れる電流ｉＪＩ！を流す。またコ
の字形の導体１２には電流鳩な流す。
の字形の導体１２を配置する。導体１．１には磁気抵抗
効果素子ｌに直角に流れる電流ｉＪＩ！を流す。またコ
の字形の導体１２には電流鳩な流す。
第４図（ｈ）は磁気抵抗効果素子に発生する磁界を示す
。電流ｉｎ、によって磁気抵抗効果素子１に流れる電流
と平１テな磁界ＨＢが生じ１．電流ｔＢ、によって検出
磁界と同方向の磁界Ｈｏが生じる。すなわち、電流鳴は
磁気抵抗効果素子のヒステリシスやくぼみ８．８′ を
なくする磁界を発生する電流であり、ＩＢ、は前記磁気
抵抗効果素子に検出方向のバイアス磁界を発生する電流
である。
。電流ｉｎ、によって磁気抵抗効果素子１に流れる電流
と平１テな磁界ＨＢが生じ１．電流ｔＢ、によって検出
磁界と同方向の磁界Ｈｏが生じる。すなわち、電流鳴は
磁気抵抗効果素子のヒステリシスやくぼみ８．８′ を
なくする磁界を発生する電流であり、ＩＢ、は前記磁気
抵抗効果素子に検出方向のバイアス磁界を発生する電流
である。
前述のように導体を配置することによりΔρ−１特性が
滑らかで、かつ直線変化をする領域で素子を動作させる
ことができ、歪のない検出磁界の検出を行なうことがで
きる。
滑らかで、かつ直線変化をする領域で素子を動作させる
ことができ、歪のない検出磁界の検出を行なうことがで
きる。
第５＠は本発明の他の実施例である。第４図に示した本
発明の実施例における導体１】に流す電流によって発生
する磁界Ｈ，を永久磁石１３によって発生する。すなわ
ち、基板２上に磁気抵抗効果素子１、導体３．４を配置
する。その上に絶縁層（図示せず）を・はさんで導体１
２を配電する。
発明の実施例における導体１】に流す電流によって発生
する磁界Ｈ，を永久磁石１３によって発生する。すなわ
ち、基板２上に磁気抵抗効果素子１、導体３．４を配置
する。その上に絶縁層（図示せず）を・はさんで導体１
２を配電する。
さらにその上に絶縁層・（図示せず）をはさんで永久磁
石１３を配置する。前述の第２０寮施例においても第１
の実施例と同様に永久磁石１３によって発生する磁界Ｈ
ｊ′によってヒーステリシスやくぼみ８．８′ が生じ
ないΔρ−Ｈ％性の磁気抵抗効果素子を得、さらに導体
に流す電流＆Ｂ、によって検出磁界方向のバイアス磁場
ＭＯを発生させ直′線性のよい範囲で動作させることが
できる。
石１３を配置する。前述の第２０寮施例においても第１
の実施例と同様に永久磁石１３によって発生する磁界Ｈ
ｊ′によってヒーステリシスやくぼみ８．８′ が生じ
ないΔρ−Ｈ％性の磁気抵抗効果素子を得、さらに導体
に流す電流＆Ｂ、によって検出磁界方向のバイアス磁場
ＭＯを発生させ直′線性のよい範囲で動作させることが
できる。
前記第２の実施例では永久磁石を用いてＨＨを発生させ
たが、これは空心あるいは強磁性体にまかれたコイルで
も可能である。
たが、これは空心あるいは強磁性体にまかれたコイルで
も可能である。
以上説明したように本発明によれば、従来ヒステリシス
やくぼみを生じた特性の磁気抵抗効果素子を用いていた
のが、滑らかな特性の磁気抵抗効果素子を動作させるこ
とカーでき、直線性のよい磁界検出が可能となる。また
磁界検出ばかりでなく、たとえば磁気ヘッド等磁界検出
を用いた機壱に使用可能である。
やくぼみを生じた特性の磁気抵抗効果素子を用いていた
のが、滑らかな特性の磁気抵抗効果素子を動作させるこ
とカーでき、直線性のよい磁界検出が可能となる。また
磁界検出ばかりでなく、たとえば磁気ヘッド等磁界検出
を用いた機壱に使用可能である。
第１図は従来の磁気抵抗効果素子を示す構成図、第２図
は従来の磁気抵抗効果素子の磁界に対する抵抗変化を示
す特性曲線図、第３図は本発明の磁気抵抗効果素子の磁
界に対する抵抗変化を示す特性曲線図、第４図は本発明
の第１の実施例を示す構成図、第５図は本発明の第２の
実施例を示す構成図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・磁気抵抗効果素子１
１．１２・・・・・・導体 １３・・・・・・・・・・・・・・・永久磁石４１３−
は従来の磁気抵抗効果素子の磁界に対する抵抗変化を示
す特性曲線図、第３図は本発明の磁気抵抗効果素子の磁
界に対する抵抗変化を示す特性曲線図、第４図は本発明
の第１の実施例を示す構成図、第５図は本発明の第２の
実施例を示す構成図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・磁気抵抗効果素子１
１．１２・・・・・・導体 １３・・・・・・・・・・・・・・・永久磁石４１３−
Claims (4)
- （１）基板上に設けた磁気抵抗効果素子において、前記
磁気抵抗効果素子の検出電流の流れる方向と平行に直流
バイアス磁場を印加したことを特徴とする磁気抵抗効果
素子。 - （２）直流バイアス磁場は磁気抵抗効果素子に流す検出
電流の方向と直交した電流を流せる導体層を設は前記導
体層に直流電流を流すことにより発生することを特徴と
する特許請求範囲第一項記載の磁気抵抗効果素子。 - （３）直流バイアス磁場は磁気抵抗効果素子の近傍に配
置した永久磁石あるいは永久磁石膜により発生すること
を特徴とする特許請求の範囲第に項記載の磁気抵抗効果
素子。 - （４） 直流バイアス磁場は磁気抵抗効果素子の近傍
に配置した空心コイルあるいは高透磁率材物質外周にま
かれたコイルにより印加されたコイルに電流を流すこと
によって発生することを特徴とする特許請求の範囲第一
項記載の磁気抵抗効果素子。 ゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155040A JPS5856485A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155040A JPS5856485A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856485A true JPS5856485A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15597350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155040A Pending JPS5856485A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856485A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186873A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| JP2008249556A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 磁気センサ |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155040A patent/JPS5856485A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186873A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-20 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| JPH0648165B2 (ja) * | 1985-02-13 | 1994-06-22 | 株式会社三協精機製作所 | 磁気抵抗効果型素子 |
| JP2008249556A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 磁気センサ |
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