JPS60263301A - Magneto-resistance effect type magnetic head - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To secure the flat frequency characteristics of signal output and to improve the S/N by extracting the signal output from the output of a magneto- resistance effect type magnetism-sensitive part in accordance with a signal magnetic field and applying a negative feedback magnetic field to said magnetism- sensitive part in response to the output obtained by giving said signal output to an equalizer. CONSTITUTION:An equalizer circuit 23 is provided together with a magneto- resistance effect type magnetism-sensitive part 5 to which a signal magnetic field is applied and a means which extracts the signal output from the part 5 according to the signal magnetic field. The signal output is supplied to the circuit 23 from the signal extracting means to obtain an equalizer output. A negative feedback magnetic field generating means applies a negative feedback magnetic field 3 to the part 5 in response to the equalizer output. Thus the frequency characteristics of the signal output can be flattened. This can flatten the frequency characteristics of output and increase the S/N with reduction of distortions for a magneto-resistance effect type magnetic head device.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。[Detailed description of the invention] Industrial applications The present invention relates to a magnetoresistive magnetic head device.

背景技術とその問題点 先ず、第１図を参照して、従来の磁気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ　
−Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板＋１１上に（こ
の基板（１）が導電性を有する場合には、これの上に被
着されたＳｉＯ２等の絶縁層（２）を介して）、後述す
るＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるため
のバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よ
り成るバイアス導体（３）が被着され、このバイアス導
体（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｉ−Ｆ
ｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等のＭＲ磁性薄膜か
ら成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、このＭＲ
感磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各一端
が跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を横切
る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する磁気コ
アとしての、例えばＭ。BACKGROUND TECHNOLOGY AND PROBLEMS First, with reference to FIG.
To explain an example of the structure of the head portion of a type magnetic head device (referred to as R), for example, Ni-Zn ferrite, Mn
- On a magnetic substrate +11 made of Zn-based ferrite or the like (if this substrate (1) has conductivity, via an insulating layer (2) such as SiO2 deposited thereon), as will be described later. A bias conductor (3) made of a strip-shaped conductive film that serves as a current path for generating a bias magnetic field for applying a bias magnetic field to the MR magnetic sensing part (5) is deposited, and on this bias conductor (3), For example, Ni-F through the insulating layer (4)
An MR magnetic sensing part (5) made of an MR magnetic thin film such as an e-based alloy or a Ni-Co-based alloy is arranged. And this MR
A thin insulating layer (6) is placed on the magnetically sensitive part (5), with one end of each extending across the bias conductor (3) and the MR magnetically sensitive part (5), each forming a part of a magnetic circuit. For example, M as a magnetic core constituting the.

パーマロイから成る対の磁性層（７）及び（８）が被着
される。基板（１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９
）を介して、保護基板００）が接合される。A pair of magnetic layers (7) and (8) of permalloy is deposited. A non-magnetic insulating protective layer (9) is formed on the substrate (1).
), the protective substrate 00) is bonded to the protective substrate 00).

しかして、一方の磁性層（７）と基板（１）の前方端と
の間には、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを有
する非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて、
前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、この磁気
ギャップｇが臨むように、基板ｆｌ）、ギャップスペー
サ層（１１）　、磁性層（７）、保護層（９）及び保護
基板００）の前方面が研磨されて磁気テープの如き磁気
記録媒体との対接面（１２）が形成される。Therefore, a non-magnetic gap spacer layer (11) made of, for example, an insulating layer (6) and having a required thickness is interposed between one of the magnetic layers (7) and the front end of the substrate (1). ,
A front magnetic gap g is formed. Then, the front surfaces of the substrate fl), the gap spacer layer (11), the magnetic layer (7), the protective layer (9), and the protective substrate 00) are polished so that the magnetic gap g faces the magnetic A surface (12) that faces the recording medium is formed.

又、磁気ギャップｇを構成する磁性層（７）の後方端と
、他方の磁性Ｎ（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁層（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。陶磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前号
端は、絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部（１３）において磁気的には結合される
ようなされる。かくして、基板（１）−磁気ギャソプｇ
−磁性層＋７１−　Ｍ　Ｒ感磁部（５）−磁性層（８）
一基板（１１の閉磁路から成る磁気回路が形成される。Further, the rear end of the magnetic layer (7) constituting the magnetic gap g and the front end of the other magnetic layer (8) are connected to the MR magnetic sensing portion (
5) A discontinuous portion (13) is formed between both ends of the discontinuous portion (13), which is formed so as to straddle the insulating layer (6). Although the rear end and the front end of the ceramic layers (7) and (8) are electrically insulated by the interposition of the insulating layer (6), they are not magnetically coupled at the discontinuous portion (13). It will be done like that. Thus, substrate (1) - magnetic gasop g
-Magnetic layer +71- MR magnetic sensing part (5) -Magnetic layer (8)
A magnetic circuit consisting of 11 closed magnetic circuits is formed on one substrate.

このようなＭＲ型磁気ヘッド部りにおいては、その磁気
記録媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによっ［て、この磁気回路中
のＭＲ感磁部（５）の抵抗値が、この信号磁束による外
部磁界に応じて変化する。In such an MR type magnetic head section, the signal magnetic flux from the front gap g that is in contact with the magnetic recording medium flows through the above-mentioned magnetic circuit, so that the MR magnetic sensing section (5 ) changes in response to the external magnetic field caused by this signal magnetic flux.

そこで、ＭＲ感磁部（５）に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。Therefore, a detection current is passed through the MR magnetic sensing section (5), and this change in resistance value is detected as a voltage change across the MR magnetic sensing section (5), thereby reproducing the recorded signal on the magnetic medium.

この場合、ＭＲ感磁部（５）が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。In this case, in order for the MR magnetic sensing section (5) to operate linearly as a magnetic sensor and to have high sensitivity, it is necessary to magnetically bias the MR magnetic sensing section (5).

このバイアス磁界は、バイアス導体（３）への通電によ
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。This bias magnetic field is a DC magnetic field given by a magnetic field generated by energizing the bias conductor (3) and a magnetic field itself generated by the detection current flowing to the MR magnetic sensing section (5).

即ち、この種のＭＲ型磁気ヘッド装置は、第２図にその
概略的構成を示ずように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ｉｓの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ＩＭＨの通電に
よって発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＢが与え
られた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ３が
与えられる。そして、この信号磁界Ｈｓによる抵抗変化
に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点の
電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を介して
増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子（１５）よ
り出力するものである。That is, in this type of MR type magnetic head device, as shown in the schematic configuration in FIG. The signal magnetic field H3 from the magnetic medium described above is applied while the bias magnetic field HB is applied by the magnetic field and the magnetic field generated by energizing the detection current IMH to the MR magnetic sensing part (5). Then, based on the resistance change caused by this signal magnetic field Hs, the voltage across the MR magnetic sensing section (5), that is, the change in the potential at point A, is supplied to the amplifier (14) via the low-frequency blocking capacitor (16). The signal is then amplified and output from the output terminal (15).

第３図は、このＭＲ感磁部（５）に与える磁界Ｈと、そ
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲ＨＢＲ〜＋ＨＢＨ
において上に凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値が
大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５）
を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路方
向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最
小値Ｒｌｌ１ｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最
大値Ｒｍａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流方向
に向いた状態に於ける値である。そして、この動作特性
曲線における２次曲線の特性部分で、前述したバイアス
値界Ｈｅが与えられた状態で、第３図において符号（１
７）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられる
ようにして、これに応じて同図中符号（１８）で示す抵
抗値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合
は、信号磁界の大きさが大となるほど２次高調波歪が大
となることが分る。FIG. 3 shows an operating characteristic curve diagram showing the relationship between the magnetic field H applied to this MR magnetic sensing part (5) and its resistance value R, and this curve shows the range HBR to +HBH where the absolute value of the magnetic field H is small.
shows an upwardly convex quadratic curve, but when the absolute value of the magnetic field H becomes large and deviates from this range, the MR magnetic sensing part (5)
The magnetization of the central portion of the MR magnetic thin film constituting the MR magnetic thin film begins to saturate in the direction of the magnetic circuit, and the resistance R departs from the quadratic curve and asymptotically approaches the minimum value Rll1in. Incidentally, the maximum value Rmax of this resistance R is a value in a state where all the magnetization of the MR magnetic thin film is oriented in the current direction. In the characteristic part of the quadratic curve in this operating characteristic curve, when the bias value field He mentioned above is given, in FIG.
A signal magnetic field from a magnetic medium indicated by 7) is applied, and an output based on a change in resistance value indicated by reference numeral (18) in the figure is obtained in response. In this case, it can be seen that as the magnitude of the signal magnetic field increases, the second harmonic distortion increases.

又、上述のＭＲ型磁気ヘッド装置における第２図のＡ点
の電位は、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固型分と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
型分は９８％程度にも及ぶものであり、この抵抗の固型
分の温度依存性が大きいので、Ａ点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このＭＲ感磁部（
５）の抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒｏ　（１＋αｃｏｓ２　θ）
　’　−’−（１１（但し、Ｒｏは抵抗の固型分、αは
最大抵抗変化率、θはＭＲ感磁部（５）における電流方
向と磁化方向とのなす角度である）で表され、例えばＭ
Ｒ感磁部（５）が８１Ｎｉ　−１９Ｆｅ　（パーマロイ
）合金による厚さ２５０人のＭＲ磁性薄膜から成る場合
のαの実測値はα＝　０．０１７程度である。このαの
値は、ＭＲ感磁部（５）のＭＲ磁性ＷＩｉ膜の膜厚や材
料によって多少の相違はあるものの高々α＝　０．０５
程度である。In addition, the potential at point A in FIG. 2 in the above-mentioned MR type magnetic head device is determined by the combination of the solid component and the variable component of the resistance of the MR magnetic sensing part (5). The solid content is about 98%, and since the solid content of the resistance has a large temperature dependence, there is a drawback that the temperature drift of the potential at point A is large. This MR magnetic sensing part (
5) The resistance value R is R=Ro (1+αcos2 θ)
' - ' - (11 (where, Ro is the solid component of the resistance, α is the maximum resistance change rate, and θ is the angle between the current direction and the magnetization direction in the MR magnetic sensing part (5)), For example, M
When the R magnetic sensing part (5) is made of an MR magnetic thin film of 81Ni-19Fe (permalloy) alloy with a thickness of 250 mm, the actual value of α is approximately 0.017. Although the value of α varies somewhat depending on the thickness and material of the MR magnetic WIi film of the MR magnetic sensing part (5), α = 0.05 at most.
That's about it.

一方、この抵抗の固型分Ｒｏは Ｒｏ　＝Ｒ１（１＋ａΔｔ）　−・−・（２１（但し、
Ｒ１は抵抗の初期値で、ａは温度係数、ΔＬは温度変化
分である）で与えられ、上述のＭＲ感磁部（５）の例に
おける温度係数ａの実測値は、ａ　＝　０．００２７／
　ｄｅｇ程度である。このことは直流磁界の検出におい
て大きなノイズとなる。On the other hand, the solid component Ro of this resistance is Ro = R1 (1 + aΔt) −・−・(21 (however,
R1 is the initial value of the resistance, a is the temperature coefficient, and ΔL is the temperature change), and the actual value of the temperature coefficient a in the example of the MR magnetic sensing part (5) described above is a = 0.0027. /
It is about deg. This results in large noise in detecting a DC magnetic field.

更に、この種のＭＲ型磁気ヘッド部による場合、上述し
たようにその温度係数が大きいために、例えばＭＲ感磁
部（５）への通電、或いはバイアス導体（３）へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。Furthermore, in the case of this type of MR type magnetic head unit, since its temperature coefficient is large as mentioned above, the temperature coefficient is generated by, for example, energization to the MR magnetic sensing part (5) or bias current to the bias conductor (3). If this heat is radiated unstably due to the head's sliding contact with the magnetic recording medium and the temperature of the head changes, large noise, so-called sliding noise, will be generated.

又、第２図の構成における増幅器（１４）が低インピー
ダンス入力を呈する場合、ＭＲ感磁部（５）及びコンデ
ンサ（１６）から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｆｏとすると、このコンデンサ（１６）に必要な
容量Ｃは、ＲをＭＲ感磁部（５）の抵抗とすると、 Ｃ−・・・・（３） 幣　Ｒ″′。Furthermore, when the amplifier (14) in the configuration shown in FIG. The capacitance C required for 16) is C-...(3) R''', where R is the resistance of the MR magnetic sensing part (5).

（ωｏ＝２ｙｒｆｏ）となる。今、ＭＲ感磁部（５）が
前述した厚さ２５０人のパーマロイより成す、その長さ
が５０μｍとなると、その抵抗Ｒは１０００程度となる
ので、ｆ　ｏ　＝　１　ｋＨｚとすると、コンデンサ（
１６）としてばＣ＝１．３μＦという大きな値のものが
必要となり、特にマルチトラック型のデジタルオーディ
オ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題となる
ものである。(ωo=2yrfo). Now, if the MR magnetic sensing part (5) is made of the above-mentioned permalloy with a thickness of 250 mm and its length is 50 μm, its resistance R is about 1000, so if f o = 1 kHz, the capacitor (
16) requires a large value of C=1.3 μF, which is particularly problematic when constructing a multi-track type magnetic head device for digital audio signals.

又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄で断面積
が小さい磁性層（７）及び（８）における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。In addition, it is desirable that the magnetic permeability in the magnetic circuit, especially in the magnetic layers (7) and (8) which are relatively thin and have a small cross-sectional area, be as high as possible. Therefore, applying a bias magnetic field as described above will result in a decrease in magnetic permeability.

上述の直流バイアス式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、有効ト
ラック幅が広く、挾トランク化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪く、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大きく、バルクハウゼンノイズが大きく、出力の
ばらつきが大きいという欠点がある。Although the above-mentioned DC bias type MR magnetic head device has the advantage of having a wide effective track width and being easy to make into a sandwich trunk, it has poor linearity, difficulty in DC reproduction, large sliding noise, and Barkhausen. It has the drawbacks of high noise and wide variation in output.

その他の従来のＭＲ型磁気ヘッド装置としては、差動式
ＭＲ型磁気ヘッド装置、バーバボール式ＭＲ型磁気ヘッ
ド装置等が提案されている。差動式ＭＲ型磁気ヘッド装
置は、そのＭＲ型磁気ヘッド部に於いて、ＭＲ感磁部を
一対設け、一対のＭＲ感磁部に対しては共通のバイアス
導体により同じバイアス磁界を与え、ＭＲ感磁部からは
同じ信号磁界によって差動出力が得られるようになし、
その差動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号をえるようにしたものである。Other conventional MR magnetic head devices that have been proposed include a differential MR magnetic head device and a Barberball MR magnetic head device. A differential MR type magnetic head device is provided with a pair of MR magnetic sensing parts in its MR type magnetic head section, and the same bias magnetic field is applied to the pair of MR magnetic sensing parts by a common bias conductor. Differential output is obtained from the magnetic sensing part by the same signal magnetic field,
The differential output is supplied to a differential amplifier, and a reproduced signal is obtained from the differential amplifier.

この差動式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、直流再生が可能（
但し、オフセットのばらつきが大きい）、バルクハウゼ
ンノイズが少ない、出力のばらつきが少ない、回路とし
ては増幅器だけで良いという利点がある反面、摺動ノイ
ズの軽減効果が小さく、有効トラック幅が狭く、狭トラ
ツク化が困難であるという欠点がある。This differential MR type magnetic head device is capable of direct current reproduction (
However, although it has the advantages of low Barkhausen noise, low output fluctuation, and only an amplifier is required as a circuit, it has a small effect on reducing sliding noise, and the effective track width is narrow. The disadvantage is that it is difficult to track.

又、バーバーポール式ＭＲ磁気ヘッド装置は、そのＭＲ
型磁気ヘッド部に於けるＭＲ感磁部に、その長手方向に
斜めとなる如く、金等より成る多数の互いに平行な導体
バーを被着形成したものである。In addition, the barber pole type MR magnetic head device has its MR
A large number of mutually parallel conductor bars made of gold or the like are formed on the MR magnetic sensing part of the magnetic head section so as to be diagonal in the longitudinal direction thereof.

このバーバーポール式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、バルク
ハウゼンノイズが少なく、出力のばらつきが少なく、回
路としては増幅器だけで良いという利点がある反面、直
流再生が困難、摺動ノイズが大きい、秋トランク化が困
難、有効トラック幅があまり広くないという欠点がある
。This barber-pole type MR magnetic head device has the advantage of having low Barkhausen noise, little variation in output, and requires only an amplifier as a circuit, but it is difficult to reproduce direct current, has large sliding noise, and is prone to fall trunking. It has the disadvantage that the effective track width is not very wide.

そこで、上述した欠点を解消ないしは改善するために、
先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を
特願昭５９−３８９８０号として出願した。Therefore, in order to eliminate or improve the above-mentioned drawbacks,
Previously, the present applicant filed an application for a new magnetoresistive magnetic head device in Japanese Patent Application No. 1983-38980.

以下に第４図を参照して、先に提案したＭＲ型磁気ヘッ
ド装置の一例を説明する。この例においては、そのＭＲ
型磁気ヘッド部りは第１図及び第２図で説明したと同様
の構成を採るもので、第４図において第１図及び第２図
と対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する
。この例においては、ＭＲ型磁気ヘッド部りのバイアス
導体（３）に、直流バイアス電流ｌＢに重畳して高周波
数ｆ　ｃ０ のレベルの小さい交流バイアス電流ｉＡを流して、直流
磁界に重畳して高周波磁界をＭＲ感磁部（５）に与える
。ここに交流バイアス電流ｉＡの波形、したがって交流
磁界の波形は正弦波、矩形波等その波形の如何を問わな
いものである。An example of the previously proposed MR type magnetic head device will be described below with reference to FIG. In this example, the MR
The magnetic head section has the same configuration as explained in FIGS. 1 and 2, and in FIG. 4, the same reference numerals are given to the parts corresponding to those in FIGS. Omitted. In this example, a small AC bias current iA with a high frequency f c0 is superimposed on a DC bias current IB through the bias conductor (3) of the MR type magnetic head section, and a high frequency A magnetic field is applied to the MR magnetic sensing part (5). Here, the waveform of the AC bias current iA, and thus the waveform of the AC magnetic field, may be a sine wave, a rectangular wave, or any other waveform.

このように、ＭＲ感磁部（５）に直流バイアス磁界に重
畳して交流バイアス磁界が与えられるので、このＭＲ感
磁部（５）の両端間、即ち第４図におけるＡ点には周波
数ｆｃの交流信号が取り出される。In this way, since the AC bias magnetic field is applied to the MR magnetic sensing part (5) superimposed on the DC bias magnetic field, the frequency fc is applied between both ends of the MR magnetic sensing part (5), that is, at point A in FIG. An alternating current signal is extracted.

第５図Ａは、直流バイアス磁界ＨＢと、信号磁界Ｈ９に
交流バイアス磁界ＨＡが重畳された状態での磁界ＨとＭ
Ｒ感磁部（５）の抵抗Ｒとの関係を示している。ここで
交流バイアス磁界ＨＡの変化分ΔＨが小さい時には、成
る瞬間での交流バイアス磁界の変化に対する抵抗変化の
大きさΔＲは、第５図Ａの２次曲線の微分の絶対値とし
て得られ、第５図Ｂに示すように、直流バイアス磁界Ｈ
Ｂと信号磁界Ｈ９の大きさと出力たる抵抗変化分との関
係は、原理的には直線となる。従って、第４図ｆ　にお
けるＡ点に得られる交流信号の大きさは、直流バイアス
磁界ＨＢと、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈ３の和の変
化に応じて変化する出力となる。FIG. 5A shows the DC bias magnetic field HB and the magnetic fields H and M when the AC bias magnetic field HA is superimposed on the signal magnetic field H9.
The relationship with the resistance R of the R magnetic sensing part (5) is shown. Here, when the amount of change ΔH in the AC bias magnetic field HA is small, the magnitude of the resistance change ΔR with respect to the change in the AC bias magnetic field at the instant of change is obtained as the absolute value of the differential of the quadratic curve in FIG. As shown in Figure 5B, the DC bias magnetic field H
In principle, the relationship between B, the magnitude of the signal magnetic field H9, and the resistance change that is the output is a straight line. Therefore, the magnitude of the alternating current signal obtained at point A in FIG.

そして、この出力は、第４図に示すように上述した周波
数ｆｃの成分を通す高域通過フィルタ（前置増幅器）　
（１９）を介して整流器（２０）に供給して整流し、そ
の整流出力を低域通過フィルタ（２１）に供給するもの
である。このようにすれば、磁気媒体からの信号磁界Ｈ
５に応じた信号出力がとり出せる。この場合、交流電流
ＩＡの周波数ｒｃは、今例えば最終的に出力端子（１５
）から得る出力の帯域が０〜１００ｋＨｚ必要である場
合、これより十分高い周波数、例えばｆ　ｃ　＝　Ｉ　
ＭＨｚに選定すれば良い。この場合高域通過フィルタ（
１９）は低域カットオフ周波数を１００ｋＨｚより高く
、且つ周波数ｆｃ、例えばＩ　Ｍｌｌｚより低い例えば
５００ｋＨｚに選んでお（ものとする。しかして、高域
通過フィルタの出力を前述したように整流器（２０）に
よって整流して後、カットオフ周波数が１００ｋｌｌｚ
の低域通過フィルタ（２１）を通すことにより、出力端
子（１５）にＯ〜１００ｋＨｚの帯域の信号が得られる
。This output is then passed through a high-pass filter (preamplifier) that passes the above-mentioned frequency fc component, as shown in Figure 4.
(19) is supplied to a rectifier (20) for rectification, and the rectified output is supplied to a low-pass filter (21). In this way, the signal magnetic field H from the magnetic medium
A signal output corresponding to 5 can be extracted. In this case, the frequency rc of the alternating current IA is now, for example, the final output terminal (15
), if the band of output obtained from 0 to 100kHz is required, a frequency sufficiently higher than this, for example f
It is sufficient to select MHz. In this case, a high-pass filter (
19) selects the low-pass cutoff frequency to be higher than 100 kHz and lower than the frequency fc, eg I ), the cutoff frequency is 100kllz
By passing the signal through a low-pass filter (21), a signal in a band of 0 to 100 kHz is obtained at the output terminal (15).

１ このような構成による磁気ヘッド装置においては、第６
図Ａに示す外部磁界（信号磁界子バイアス磁界）がＭＲ
感磁部（５）に与えられた場合、第４図における点Ｂに
おいては第６図Ｂに示すように、周波数ｆｃのキャリア
を信号で振幅変調した出力が得られ、第６図Ｃに示すよ
うに出力端子（１５）においては、信号磁界に応じた出
力がとり出される。1 In a magnetic head device having such a configuration, the sixth
The external magnetic field (signal magnetic field bias magnetic field) shown in Figure A is MR
When applied to the magnetic sensing part (5), at point B in Fig. 4, an output is obtained in which the carrier of frequency fc is amplitude-modulated with a signal, as shown in Fig. 6B, and as shown in Fig. 6C. Thus, at the output terminal (15), an output corresponding to the signal magnetic field is taken out.

かかる磁気ヘッド装置によれば、ＭＲ感磁部（５）の磁
界対抵抗２次特性曲線による動作特性の微分に相当する
直線的動作特性による出力がとり出されるので、歪のな
い再生信号をとり出すことができるものである。According to such a magnetic head device, an output with a linear operating characteristic corresponding to the differentiation of the operating characteristic by the magnetic field vs. resistance quadratic characteristic curve of the MR magnetic sensing section (5) is extracted, so that a reproduced signal without distortion can be obtained. It is something that can be released.

又、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定分について温度依存
性が大であっても、ＭＲ感磁部（５）の動作特性曲線を
微分した特性によっているので、この抵抗の固定分の温
度ドリフトによる影響を格段に低減することができる。Furthermore, even if the fixed portion of the resistance of the MR magnetic sensing section (5) has a large temperature dependence, the fixed portion of this resistance depends on the characteristics obtained by differentiating the operating characteristic curve of the MR magnetic sensing section (5) The influence of temperature drift can be significantly reduced.

更に、上述したようにＭＲ感磁部（５）の抵抗固定分の
温度依存性による影響を排除したことにょっ３ ２ て、ＭＲ型磁気ヘッド部の前述した磁気媒体との摺動に
よるノイズの発生を少なくすることができる。Furthermore, by eliminating the influence of the temperature dependence of the fixed resistance of the MR magnetic sensing section (5) as described above, the noise caused by the sliding of the MR magnetic head section with the magnetic medium described above can be reduced. occurrence can be reduced.

又、かかる磁気ヘッド装置におけるコンデンサ（１６）
は、周波数ｆＣの成分を通過させれば良いから、例えば
ｆ　ｃ　−５００ｋＨｚとすると、このコンデンサ（１
Ｂ）の容量Ｃは、Ｃ＝　２６００ｐＦで良いことになる
。そして、この周波数ｆ’ｃを更に上げれば、この容量
Ｃは更に小さくできるものである。Also, a capacitor (16) in such a magnetic head device
Since it is sufficient to pass the component of frequency fC, for example, if f c -500kHz, this capacitor (1
The capacitance C of B) should be C=2600pF. If this frequency f'c is further increased, this capacitance C can be further reduced.

第７図は先に提案したＭＲ型磁気ヘッド装置の他の例を
示し、第７図において第４図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。FIG. 7 shows another example of the previously proposed MR type magnetic head device. In FIG. 7, parts corresponding to those in FIG. 4 are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.

この場合は、バイアス導体（３）には、直流バイアス電
流は流されずに、交流バイアス電流１７４のみを流すよ
うにする。この動作を模式的に示したのが第８図である
。この図において、実線の曲線が、実際のＭＲ感磁部の
磁界対抵抗の動作特性曲線であるが、この特性の２次曲
線部分を外挿すると破線図示のようになり、これによる
最小抵抗値Ｒｍｉｎに対応する磁界を＋Ｈｏ及び−Ｈｏ
とする。この４ 例では信号磁界Ｈ３に重畳して交流バイアス磁界ＨＡが
与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対応し且つ交流
バイアス磁界に応したＭＲ感磁部（５）の抵抗変化が得
られる。In this case, only an alternating current bias current 174 is allowed to flow through the bias conductor (3), and no direct current bias current is passed through the bias conductor (3). FIG. 8 schematically shows this operation. In this figure, the solid line curve is the operating characteristic curve of the magnetic field vs. resistance of the actual MR magnetic sensing part, but if the quadratic curve part of this characteristic is extrapolated, it becomes as shown by the broken line, and the minimum resistance value obtained by this is The magnetic field corresponding to Rmin is +Ho and -Ho
shall be. In these four examples, an alternating current bias magnetic field HA is applied superimposed on the signal magnetic field H3, and a resistance change of the MR magnetic sensing part (5) is obtained that corresponds to the polarity and magnitude of the signal magnetic field and corresponds to the alternating current bias magnetic field.

この場合の動作特性曲線は２次曲線で、このＭＲ感磁部
（５）の抵抗値Ｒは、次のように表される。The operating characteristic curve in this case is a quadratic curve, and the resistance value R of this MR magnetic sensing part (5) is expressed as follows.

ここに、ΔＲｍａｘはΔＲｍａｘ　＝Ｒｍａｘ　−Ｒｍ
ｌｎで与えられる。ＭＲ感磁部（５）に与えられる磁界
Ｈは、次式に示すようにバイアス磁界ＨＡ（ｔｌと、信
号磁界Ｈｓ（ｔｌとの和で表される。Here, ΔRmax is ΔRmax = Rmax − Rm
It is given by ln. The magnetic field H applied to the MR magnetic sensing section (5) is expressed as the sum of the bias magnetic field HA (tl) and the signal magnetic field Hs (tl), as shown in the following equation.

Ｈ（ｔｌ＝　ＨＡ　（ｔｌ＋　Ｈｓ　Ｔｔｌ　”　”（
５）ここに磁界ＨＡ（ｔ）は、バイアス導体（３）に流
される電流によって得られ、 ＨＡ　（ｔｌ＝　ＨＡＯ−ｓｌｎ　（ωｃ　ｔ　）　＝
　＝＋６１の如く表される。但し、角周波数ωＧは次式
のように表される。H(tl= HA (tl+ Hs Ttl ” ”(
5) Here, the magnetic field HA(t) is obtained by the current flowing in the bias conductor (3), and HA (tl=HAO−sln(ωct)=
It is expressed as =+61. However, the angular frequency ωG is expressed as in the following equation.

ωｃ＝２πｆｃ　・・・・（７） ｆ　ＭＲ感磁部（５）の出力電圧Ｖ　（ｔｌは、ＭＲ検
出電流をＩとすると、 Ｖ［ｔ）＝　Ｉ　−Ｒ・・・・（８） であり、上記（４）、（５）、（６）式から次のように
表される。ωc=2πfc (7) f The output voltage V of the MR magnetic sensing section (5) (tl is the MR detection current I, V[t)=I −R (8) From equations (4), (5), and (6) above, it can be expressed as follows.

Ｘ５ｉｎωＧ　＋　（Ｈｓ　（ｔ））　２）・・・・（
９） 次に、この出力電圧Ｖ　（ｔ）と、交流バイアス磁界Ｈ
Ａと同相同周波数の信号、例えばｓｉｎ　（ωａｔ）を
乗算器（２２）によって乗算する。その出力Ｖ　ｚ　（
ｔｌは、次式のように表される。X5inωG + (Hs (t)) 2)・・・(
9) Next, this output voltage V (t) and the AC bias magnetic field H
A signal having the same phase and frequency as A, for example, sin (ωat) is multiplied by a multiplier (22). Its output V z (
tl is expressed as in the following equation.

Ｖｚ　１ｌ＝Ｖ（ｔｌ・ｓｉｎ　（ωａｔ）＋　２　Ｈ
ＡＯ・Ｈｓ　（ｔｌ　・ｓｉｎ　（ωｃ　Ｌ）　＋　（
Ｈｓ（１１）　２）　・ｓｉｎ　（ωａｔ）・・・・０
０＋ そして、これを低域通過フィルタ（２１）に通ずると、
次００）においてωＧ酸成分有する項１　・Ｒｍａｘ−
ｓｉｎ　（ωｃ　ｔ）　＝０　・・・・（１１）　３ Ｉ（Ａ♂・５ｉｎ２（ωａｔ） ＨＡＯ ＝　−（ｓｉｎ　（ωｔ　）　−ｃｏｓ　（２ωｊ）Ｘ
ｓｉｎ（ωｔ）　）　＝０・・・・（１り ２　ＨＡＯ−Ｈｓ　（ｔｌ　・５ｉｎ２（ωｔ　）＝Ｈ
Ａｏ−Ｈｓ（ｔｉ　（１−ｃｏｓ（２ωｔ））＝　ＨＡ
Ｏ−Ｈｓ　（ｔｌ　・・＝　（１３）（Ｈｓ（ｔｌ）　
２・５ｉｎ（ωｔ）　＝０　”　（１４）となる。従っ
て、端子（１５）で得られる出力電圧Ｖ　ｏ　（ｔｌは
、 ・・・・（１５） となり、信号磁界Ｈｓ（ｔｌに比例する電圧が得られる
。尚、この場合、乗算器（２２）への入力に、信号磁界
成分Ｈｓ（ｔ）が含まれていても、出力に混入する虞は
少ないので、高域通過フィルタ（１９）を省略すること
もできる。Vz 1l=V(tl・sin (ωat)+2H
AO・Hs (tl ・sin (ωc L) + (
Hs(11) 2) ・sin (ωat)・・・0
0+ Then, when this is passed through the low-pass filter (21),
Term 1 having ωG acid component in the following 00) ・Rmax−
sin (ωct) = 0 ... (11) 3 I(A♂・5in2(ωat) HAO = −(sin (ωt) −cos (2ωj)X
sin(ωt) ) =0...(1ri2 HAO-Hs (tl ・5in2(ωt)=H
Ao-Hs(ti(1-cos(2ωt))=HA
O-Hs (tl...= (13) (Hs(tl)
2.5in(ωt) = 0'' (14). Therefore, the output voltage V o (tl) obtained at the terminal (15) becomes... (15), and the signal magnetic field Hs (voltage proportional to tl In this case, even if the signal magnetic field component Hs(t) is included in the input to the multiplier (22), there is little possibility that it will be mixed into the output, so the high-pass filter (19) is used. It can also be omitted.

かかるＭＲ型磁気ヘッド装置によれば、外部磁界の極性
に応じた出力をとり出せることになり、７ ６ 先の例と同様の利点に加えて、ダイナミックレンジが大
となるという利点がある。また、この場合、磁気的バイ
アスを交流成分のみとすることによって直流バイアスに
よる磁気回路の透磁率低下を回避できる利益もある。According to such an MR type magnetic head device, it is possible to extract an output according to the polarity of an external magnetic field, and in addition to the same advantages as the previous example, there is an advantage of a wide dynamic range. Further, in this case, there is an advantage that by using only the AC component as the magnetic bias, it is possible to avoid a decrease in the magnetic permeability of the magnetic circuit due to the DC bias.

先に提案したＭＲ型磁気ヘッド装置によれば、直線性に
すぐれた歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改善され
、有効トラック幅が大で、狭トラツク化可能であり、更
にコンデンサの容量を小さくできるなどの利益を有する
と共に、更に第７図で説明した構成とするときは、ダイ
ナミックレンジを大きくとることができ、また成る場合
は磁気回路の透磁率低下を回避することもできる。According to the previously proposed MR type magnetic head device, it is possible to obtain output with excellent linearity and low distortion, DC reproduction is possible, temperature drift is small, sliding noise is improved, and the effective track width is widened. It has the advantages of being large, narrowing the track, and reducing the capacitance of the capacitor. Furthermore, when the configuration shown in FIG. 7 is used, the dynamic range can be widened; It is also possible to avoid a decrease in permeability of the magnetic circuit.

ところで、例えば第７図のＭＲ型磁気ヘッド装置の出力
端子（１５）の出力の周波数特性は、磁気テープの走行
速度が４．８ｃｍ　／　ｓｅｃの場合、第９図に曲線ａ
として示す如く、周波数が１　ｋｌｌｚ付近でレスポン
スが最大で、周波数がこれより漸次大又は小になるにつ
れて、次第にレスポンスが減少ず８ る特性を有している。上述した他の種々の方式のＭＲ型
磁気ヘッド装置に於いても、出力の周波数特性に略同様
な傾向が見られる。By the way, for example, the frequency characteristic of the output of the output terminal (15) of the MR type magnetic head device shown in FIG. 7 is as shown by the curve a in FIG. 9 when the magnetic tape running speed is 4.8 cm/sec.
As shown, the response is maximum at a frequency of around 1 kllz, and as the frequency becomes larger or smaller than this, the response does not gradually decrease. Approximately the same tendency is observed in the frequency characteristics of the outputs of the various other types of MR magnetic head devices described above.

そこで、ＭＲ型磁気ヘッド装置の出力の周波数特性を平
坦にするには、第９図に曲線すにて示す如く、曲線ａに
対し逆の周波数特性を有するイコライザ回路を出力側に
縦続接続することが考えられる。Therefore, in order to flatten the frequency characteristics of the output of the MR type magnetic head device, an equalizer circuit having a frequency characteristic opposite to that of curve a should be connected in cascade on the output side, as shown by the curve in FIG. 9. is possible.

ところが、ＭＲ型磁気ヘッド装置では、出力レベルが大
になるにつれて歪が増加し、出力レベルが小になるにつ
れてＳ／Ｎが低下するという特性を呈する。従って、Ｍ
Ｒ型磁気ヘッド装置の出力側に上述の如きイコライザ回
路を縦続接続したのでは、出力のレスポンスが最大とな
る周波数付近の歪を減少させようとすると、高域のＳ／
Ｎが低下するし、高域のＳ／Ｎを増大させようとすると
、出力のレスポンスが最大となる周波数付近の歪が増加
してしまう。However, the MR type magnetic head device exhibits a characteristic that distortion increases as the output level increases, and S/N decreases as the output level decreases. Therefore, M
If equalizer circuits such as those described above are connected in cascade on the output side of an R-type magnetic head device, high-frequency S/
N decreases, and if an attempt is made to increase the S/N in the high range, distortion around the frequency where the output response is maximum will increase.

発明の目的 かかる点に鑑み、本発明は出力の周波数特性が９ 平坦になると共に、歪が減少し、Ｓ／Ｎが増大する磁気
抵抗効果型磁気ヘッド装置を提案しようとするものであ
る。Purpose of the Invention In view of these points, the present invention proposes a magnetoresistive magnetic head device in which the output frequency characteristics are flattened, distortion is reduced, and S/N is increased.

発明の概要 本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置は、信号磁
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、磁気抵抗効果感
磁部の出力から信号磁界に応じた信号出力を取出す信号
取出し手段と、イコライザ回路と、信号取出し手段から
の信号出力をイコライザ回路に供給して得たイコライザ
出力に応じた負帰還磁界を磁気抵抗効果感磁部に与える
負帰還磁界発生手段とを有し、信号出力の周波数特性を
平坦にするようにしたことを特徴とするものである。Summary of the Invention A magnetoresistive magnetic head device according to the present invention includes a magnetoresistive magnetic sensing section to which a signal magnetic field is applied, and a signal extraction means for extracting a signal output according to the signal magnetic field from the output of the magnetoresistive magnetic sensing section. , an equalizer circuit, and a negative feedback magnetic field generating means for supplying the signal output from the signal extraction means to the equalizer circuit and applying a negative feedback magnetic field to the magnetoresistive magnetic sensing part according to the equalizer output obtained, and the signal output This is characterized by flattening the frequency characteristics.

かかる本発明によれば、出力の周波数特性が平坦になる
と共に、歪が減少し、Ｓ／Ｎが増大する磁気抵抗効果型
磁気ヘッド装置を得ることができる。According to the present invention, it is possible to obtain a magnetoresistive magnetic head device in which output frequency characteristics are flattened, distortion is reduced, and S/N is increased.

実施例 以下に、第１０図を参照して、本発明の一実施例を説明
する。この実施例は、第７図の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に本発明を通用した場合で、第１Ｏ図に於いて第
７図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略する。即ち、低域通過フィルタ（２１）よりの信号出
力を第９図の曲線ａの周波数特性を有するイコライザ回
路（２３）に供給し、これよりの電流をバイアス導体（
３）に流して、このバイアス導体（３）（別個のバイア
ス導体を設けて、これに電流を流すこともできる）から
負帰還磁界）１ｐｓを発生させて、ＭＲ感磁部（５）に
与えるようにする。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. This embodiment is a case in which the present invention is applied to the magnetoresistive magnetic head device shown in FIG. 7. In FIG. 1O, parts corresponding to those in FIG. do. That is, the signal output from the low-pass filter (21) is supplied to the equalizer circuit (23) having the frequency characteristic of curve a in FIG. 9, and the current from this is supplied to the bias conductor (
3) to generate a negative feedback magnetic field of 1 ps from this bias conductor (3) (a separate bias conductor can be provided and a current can be passed through it) and applied to the MR magnetic sensing part (5). Do it like this.

かかるイコライザ回路（２３）の回路例を第１３図に示
す。（２４）　、（２５）は夫々入出力端子、（３１）
は演算増幅器で、入力端子（２４）を、抵抗器（２６）
及びコンデンサ（２７）の直列回路、抵抗器（２８）及
びコンデンサ（２９）の直列回路並びに抵抗器（３０）
の並列回路を通じて演算増幅器（３１）の反転入力端子
に接続し、その非反転入力端子を接地する。出力端子（
２５）及び演算増幅器（３１）の反転入力端子間に、抵
抗器（３２）及びコンデンサ（３３）の直列回路並びに
抵抗器（３４）の並列回路１ ０ を接続する。尚、回路素子の定数例は第１３図に図示の
通りであるが、磁気テープの走行速度、その磁性材料、
磁気ヘッド装置の方式の如何によって異なる。A circuit example of such an equalizer circuit (23) is shown in FIG. (24) and (25) are input/output terminals, (31)
is an operational amplifier, and the input terminal (24) is connected to the resistor (26).
and a series circuit of a capacitor (27), a series circuit of a resistor (28) and a capacitor (29), and a resistor (30).
It is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier (31) through a parallel circuit, and its non-inverting input terminal is grounded. Output terminal (
25) and the inverting input terminal of the operational amplifier (31), a series circuit of a resistor (32) and a capacitor (33) and a parallel circuit 10 of a resistor (34) are connected. Examples of the constants of the circuit elements are shown in FIG. 13, and the running speed of the magnetic tape, its magnetic material,
It differs depending on the type of magnetic head device.

尚、本発明を上述の第４図及び第２図の方式のＭＲ型磁
気ヘッド装置に適用した場合を、夫々第１１図及び第１
２図に示す。この場合も第１０図と同様に、低域通過フ
ィルタ（２１）又は増幅器（１４）よりの信号出力を第
９図の曲線ａの周波数特性を有するイコライザ回路（２
３）に供給し、これよりの電流をバイアス導体（３）に
流して、このバイアス導体（３）から負帰還磁界Ｉ（ｐ
ｓを発生させて、ＭＲ感磁部（５）に与えるようにする
。その他差動式、バーバーポール式、無バイアス式ＭＲ
型磁気ヘッド装置にも本発明を適用できる。尚、これら
の詳細説明は省略する。Incidentally, the case where the present invention is applied to the MR type magnetic head device of the above-mentioned method shown in FIG. 4 and FIG. 2 is shown in FIG. 11 and FIG. 1, respectively.
Shown in Figure 2. In this case, as in FIG. 10, the signal output from the low-pass filter (21) or amplifier (14) is converted into an equalizer circuit (2) having the frequency characteristic of curve a in FIG.
3), the current from this is passed through the bias conductor (3), and a negative feedback magnetic field I(p
s is generated and applied to the MR magnetic sensing part (5). Other differential type, barber pole type, non-bias type MR
The present invention can also be applied to type magnetic head devices. Note that detailed explanations of these will be omitted.

上述せる本発明によれば、出力の周波数特性が平坦にな
ると共に、歪が減少し、Ｓ／Ｎが増大する磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置を得ることができる。According to the present invention described above, it is possible to obtain a magnetoresistive magnetic head device in which output frequency characteristics are flattened, distortion is reduced, and S/N is increased.

２ 尚、再生信号はデジタルオーディオ信号に限らず、デジ
タルビデオ信号、アナログオーディオ／ビデオ信号等も
可能である。2. Note that the reproduction signal is not limited to a digital audio signal, but may also be a digital video signal, an analog audio/video signal, etc.

発明の効果 上述せる本発明によれば、出力の周波数特性が平坦にな
ると共に、歪が減少し、Ｓ／Ｎが増大する磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置を得ることができる。Effects of the Invention According to the present invention described above, it is possible to obtain a magnetoresistive magnetic head device in which the frequency characteristics of the output are flattened, distortion is reduced, and S/N is increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の説明に供する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の路線的拡大断面図、第２図は従来の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の構成図、第３図は磁気抵抗効果型
感磁部の特性曲線図、第４図は先に提案した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の一例の構成図、第５図Ａ及びＢは
その動作特性曲線図、第６図はその動作の説明に供する
波形図、第７図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の他の例の構成図、第８図はその説明に供する特
性曲線図、第９図は本発明の説明に供する特ｆ　性向線
図、第１０図〜第１２図は本発明による磁気紙３ 抗効果型磁気ヘッド装置の各実施例を示す構成図、第１
３図はそのイコライザ回路の具体例を示す回路図である
。 ｈは磁気ヘッド部、＋１１は基板、（３）はバイアス導
体、（５）は磁気抵抗効果感磁部、（７）及び（８）は
磁性層、（１９）は高域通過フィルタ、（２０）は整流
器、（２１）は低域通過フィルタ、（２２）は乗算器、
（２３）はイコライザ回路である。 ４ ９　飄 第６図 第８図 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５９年特許願第１１９５０１号 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 伏表取締役　大　賀　典　雄 ４、代理人 １１−FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a magnetoresistive magnetic head device used to explain the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional magnetoresistive magnetic head device, and FIG. 3 is a diagram showing a magnetoresistive magnetic head device. FIG. 4 is a diagram of the characteristic curve of the magnetic part; FIG. 4 is a configuration diagram of an example of the magnetoresistive magnetic head device proposed earlier; FIGS. 5A and B are diagrams of its operating characteristic curve; 7 is a configuration diagram of another example of the magnetoresistive magnetic head device proposed earlier, FIG. 8 is a characteristic curve diagram for explaining the same, and FIG. 9 is a characteristic curve diagram for explaining the present invention. f Tendency diagram, FIGS. 10 to 12 are magnetic paper 3 according to the present invention. Configuration diagram 1 showing each embodiment of the anti-effect type magnetic head device.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of the equalizer circuit. h is a magnetic head part, +11 is a substrate, (3) is a bias conductor, (5) is a magnetoresistive effect magnetic part, (7) and (8) are magnetic layers, (19) is a high-pass filter, (20 ) is a rectifier, (21) is a low-pass filter, (22) is a multiplier,
(23) is an equalizer circuit. 4 9 Figure 6 Figure 8 Procedural Amendment (formality) 1. Display of the case 1982 Patent Application No. 119501 3, Person making the amendment Relationship with the case Patent applicant Undisclosed Director Norio Ohga 4, Agent 11-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 信号磁界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、上記磁気
抵抗効果感磁部の出力から上記信号磁界に応じた信号出
力を取出す信号取出し手段と、イコライザ回路と、上記
信号取出し手段からの信号出力を上記イコライザ回路に
供給して得たイコライザ出力に応じた負帰還磁界を上記
磁気抵抗効果感磁部に与える負帰還磁界発生手段とを有
し、上記信号出力の周波数特性を平坦にするようにした
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。a magnetoresistive magnetic sensing section to which a signal magnetic field is applied; a signal extraction means for extracting a signal output according to the signal magnetic field from the output of the magnetoresistive magnetic sensing section; an equalizer circuit; and a signal output from the signal extraction means. and negative feedback magnetic field generating means for supplying the magnetoresistive effect magnetic sensing section with a negative feedback magnetic field corresponding to the equalizer output obtained by supplying the equalizer circuit to the equalizer circuit, so as to flatten the frequency characteristic of the signal output. A magnetoresistive magnetic head device characterized by: