JPH0376536B2 - - Google Patents
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- JPH0376536B2 JPH0376536B2 JP57220744A JP22074482A JPH0376536B2 JP H0376536 B2 JPH0376536 B2 JP H0376536B2 JP 57220744 A JP57220744 A JP 57220744A JP 22074482 A JP22074482 A JP 22074482A JP H0376536 B2 JPH0376536 B2 JP H0376536B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘツドに係る。
背景技術とその問題点
従来の磁気抵抗効果（以下MRという）型再生
磁気ヘツドとしてそのMR素子が磁気媒体との対
接面より後退した位置に配置されるようにしたい
わゆるリア型磁気ヘツドがある。このリア型の
MR再生磁気ヘツドは、例えば第１図にその要部
の拡大略線的平面図を示し、第２図にそのＡ−Ａ
線上の拡大略線的断面図を示すように例えばNi
−Zn系フエライトよりなる絶縁性の磁性基体１
が設けられ、これの上に例えばNi−Co系合金薄
膜等よりなる磁気抵抗効果を有するMR素子２が
帯状に披着形成される。このMR素子２下には
SiO2等の絶縁層３を介してMR素子２に対して例
えば電磁誘導によつてバイアス磁界を与えるため
の電流通路となる帯状導電膜４が基体１上に被着
される。またMR素子２上には絶縁層５を介して
例えばNi−Fe系合金よりなる対の磁性層６及び
７が、素子２を横切る方向に且つ素子２上におい
て所要の間隔Ｇを保持するように対向披着され、
一方の磁性層６の外端部が絶縁層３及び５の少く
ともいずれか一方を介して基体１と対向すること
によつて作動磁気ギヤツプｇが形成されるように
なされ、他方の磁性層７の外端（後端）が絶縁層
３及び５に穿設された窓を通じて基体１に直接的
に連接するようになされる。そしてこれら導電層
４、MR素子２、磁性層６及び７を覆つて非磁性
保護層８が被覆され、これの上に接着剤層９によ
つて保護基体１０が接着されてなる。そして両基
体１及び１０に差し渡つて磁気記録媒体との対接
面１１が形成され、この対接面１１に磁気ギヤツ
プｇが臨むようになされ、この磁気ギヤツプｇ及
びMR素子２を含む磁路、すなわち磁性基体１−
作動磁気ギヤツプｇ−磁性層６−MR素子２−磁
性層７−磁性基体１の磁路が形成されるようにな
される。この場合、MR素子２は、その磁性層６
及び７の間隔Ｇに対応する部分が実効動作部分と
なるものであり、その異方性方向、すなわち磁化
容易軸方向は、長手方向に選ばれている。
磁気ヘツドとしてそのMR素子が磁気媒体との対
接面より後退した位置に配置されるようにしたい
わゆるリア型磁気ヘツドがある。このリア型の
MR再生磁気ヘツドは、例えば第１図にその要部
の拡大略線的平面図を示し、第２図にそのＡ−Ａ
線上の拡大略線的断面図を示すように例えばNi
−Zn系フエライトよりなる絶縁性の磁性基体１
が設けられ、これの上に例えばNi−Co系合金薄
膜等よりなる磁気抵抗効果を有するMR素子２が
帯状に披着形成される。このMR素子２下には
SiO2等の絶縁層３を介してMR素子２に対して例
えば電磁誘導によつてバイアス磁界を与えるため
の電流通路となる帯状導電膜４が基体１上に被着
される。またMR素子２上には絶縁層５を介して
例えばNi−Fe系合金よりなる対の磁性層６及び
７が、素子２を横切る方向に且つ素子２上におい
て所要の間隔Ｇを保持するように対向披着され、
一方の磁性層６の外端部が絶縁層３及び５の少く
ともいずれか一方を介して基体１と対向すること
によつて作動磁気ギヤツプｇが形成されるように
なされ、他方の磁性層７の外端（後端）が絶縁層
３及び５に穿設された窓を通じて基体１に直接的
に連接するようになされる。そしてこれら導電層
４、MR素子２、磁性層６及び７を覆つて非磁性
保護層８が被覆され、これの上に接着剤層９によ
つて保護基体１０が接着されてなる。そして両基
体１及び１０に差し渡つて磁気記録媒体との対接
面１１が形成され、この対接面１１に磁気ギヤツ
プｇが臨むようになされ、この磁気ギヤツプｇ及
びMR素子２を含む磁路、すなわち磁性基体１−
作動磁気ギヤツプｇ−磁性層６−MR素子２−磁
性層７−磁性基体１の磁路が形成されるようにな
される。この場合、MR素子２は、その磁性層６
及び７の間隔Ｇに対応する部分が実効動作部分と
なるものであり、その異方性方向、すなわち磁化
容易軸方向は、長手方向に選ばれている。
このような構成において、導電層４にバイアス
磁界発生用の電流iBを通じてMR素子２に所要の
バイアス磁界を与え、MR素子２の長手方向に検
出電流ｉを流すことによつてその磁気ギヤツプｇ
に対接ないしは対向する磁気記録媒体よりこの媒
体に記録された信号磁界をMR素子２に与えるこ
とによる抵抗変化によつて電気的信号すなわち、
出力信号がMR素子２の両端から得られる。
磁界発生用の電流iBを通じてMR素子２に所要の
バイアス磁界を与え、MR素子２の長手方向に検
出電流ｉを流すことによつてその磁気ギヤツプｇ
に対接ないしは対向する磁気記録媒体よりこの媒
体に記録された信号磁界をMR素子２に与えるこ
とによる抵抗変化によつて電気的信号すなわち、
出力信号がMR素子２の両端から得られる。
ところがこのようなMR磁気ヘツド、特にリア
型のこの種のMR型磁気ヘツドのようにMR素子
の両側端縁に磁性体（磁性層６及び７）が近接し
て配置される磁気ヘツドにおいては、その磁気抵
抗特性の非線形が問題となる。すなわち、この種
の磁気ヘツドでは、そのMR素子の磁界Ｈ−抵抗
Ｒ特性が第３図に示すように２次曲線を呈する。
従つてこの場合同図に示すようにこのMR素子２
にバイアス磁界HBが与えられた状態で符号１２
で示す信号磁界HSが素子２に与えられたとする
と、MR素子２における抵抗変化による出力信号
は、同図中に符号１３を付して示すような歪んだ
信号となる。因みにMR素子に磁性体が近接して
いない場合の磁気特性は第４図に示されるように
その裾が広がるような特性を示し、その特性に直
線性に優れた部分が存在するので所要のバイアス
磁界HB′を与えることによつて信号磁界１２′に
対して歪のほとんどない対称性に優れた出力信号
１３′を得ることができる。これはMR素子の両
側端縁に顕著に生じる反磁界の影響によるもので
あるが、第１図及び第２図で説明したいわゆるリ
ア型構成のもののようにMR素子２を含んで磁路
を形成するための対の磁性層６及び７がMR素子
２の両側端縁に近接して配置されるものにおいて
は、このような反磁界の発生がほとんどなく、こ
れによる特性への影響が小さくなり第３図で説明
した２次曲線を示す。
型のこの種のMR型磁気ヘツドのようにMR素子
の両側端縁に磁性体（磁性層６及び７）が近接し
て配置される磁気ヘツドにおいては、その磁気抵
抗特性の非線形が問題となる。すなわち、この種
の磁気ヘツドでは、そのMR素子の磁界Ｈ−抵抗
Ｒ特性が第３図に示すように２次曲線を呈する。
従つてこの場合同図に示すようにこのMR素子２
にバイアス磁界HBが与えられた状態で符号１２
で示す信号磁界HSが素子２に与えられたとする
と、MR素子２における抵抗変化による出力信号
は、同図中に符号１３を付して示すような歪んだ
信号となる。因みにMR素子に磁性体が近接して
いない場合の磁気特性は第４図に示されるように
その裾が広がるような特性を示し、その特性に直
線性に優れた部分が存在するので所要のバイアス
磁界HB′を与えることによつて信号磁界１２′に
対して歪のほとんどない対称性に優れた出力信号
１３′を得ることができる。これはMR素子の両
側端縁に顕著に生じる反磁界の影響によるもので
あるが、第１図及び第２図で説明したいわゆるリ
ア型構成のもののようにMR素子２を含んで磁路
を形成するための対の磁性層６及び７がMR素子
２の両側端縁に近接して配置されるものにおいて
は、このような反磁界の発生がほとんどなく、こ
れによる特性への影響が小さくなり第３図で説明
した２次曲線を示す。
このようなMR素子における非線型型分を解消
するものとしては、差動型構成を採るものが提案
されている。この差動型MRヘツドは、第５図に
示すように一端が共通に接続され夫々長手方向に
異方性方向HKを有する２個のMR素子MR1及び
MR2よりなり、各MR素子MR1及びMR2の各他
端から導出した端子t1及びt2が夫々独立の定電流
源S1及びS2に接続すると共に差動増幅器Ampの
入力側に接続されてなる。そして両MR素子MR1
及びMR2の接続中点から導出した共通の端子t3に
所定電位例えば接池電位を与え、各MR素子MR1
及びMR2に定電流ｉを逆向きに与え、これと直
交する方向に各MR素子MR1及びMR2にバイア
ス磁界HBを与えるようになす。各MR素子MR1
及びMR2に磁気媒体から共通の信号磁界を与え
る。このような構成による差動型磁気ヘツドによ
れば、各MR素子MR1及びMR2に共通の信号磁
界が磁気記録媒体から与えられた場合、第６に示
す互いに極性の異なる出力信号１４1及び１４2が
えられることから増幅器Ampの出力端子tputから
は、これらの信号の合成による正負対称性を有す
る、すなわち非線形線分が相殺されたた信号１４
が得られる。
するものとしては、差動型構成を採るものが提案
されている。この差動型MRヘツドは、第５図に
示すように一端が共通に接続され夫々長手方向に
異方性方向HKを有する２個のMR素子MR1及び
MR2よりなり、各MR素子MR1及びMR2の各他
端から導出した端子t1及びt2が夫々独立の定電流
源S1及びS2に接続すると共に差動増幅器Ampの
入力側に接続されてなる。そして両MR素子MR1
及びMR2の接続中点から導出した共通の端子t3に
所定電位例えば接池電位を与え、各MR素子MR1
及びMR2に定電流ｉを逆向きに与え、これと直
交する方向に各MR素子MR1及びMR2にバイア
ス磁界HBを与えるようになす。各MR素子MR1
及びMR2に磁気媒体から共通の信号磁界を与え
る。このような構成による差動型磁気ヘツドによ
れば、各MR素子MR1及びMR2に共通の信号磁
界が磁気記録媒体から与えられた場合、第６に示
す互いに極性の異なる出力信号１４1及び１４2が
えられることから増幅器Ampの出力端子tputから
は、これらの信号の合成による正負対称性を有す
る、すなわち非線形線分が相殺されたた信号１４
が得られる。
また非線形の改善を図つた他のMR磁気ヘツド
としては、例えば第７図示すようにMR素子１２
の長手方向に異方性方向、すなわち磁化容易軸方
向HKが形成されたものにおいて、これに対して
45°の角度をもつて帯状の例えばAuよりなる導電
細線１５を所要の間隔を保持して形成したバーバ
ーポール型MRヘツドがある。この場合、Au導
線１５は、その抵抗が低いのでこれらはほぼ同電
位となり、このとき電流は互いに隣り合うAu導
線に向かつて最短距離をもつて流れるのでこの検
出電流ｉの流れる方向はHKに対して45°となる。
このときの磁気抵抗特性は、第８図に示すように
なり、このとき直線性を示す部分の中心点Ｑにバ
イアス点をとるときリニア特性が得られることに
なる。
としては、例えば第７図示すようにMR素子１２
の長手方向に異方性方向、すなわち磁化容易軸方
向HKが形成されたものにおいて、これに対して
45°の角度をもつて帯状の例えばAuよりなる導電
細線１５を所要の間隔を保持して形成したバーバ
ーポール型MRヘツドがある。この場合、Au導
線１５は、その抵抗が低いのでこれらはほぼ同電
位となり、このとき電流は互いに隣り合うAu導
線に向かつて最短距離をもつて流れるのでこの検
出電流ｉの流れる方向はHKに対して45°となる。
このときの磁気抵抗特性は、第８図に示すように
なり、このとき直線性を示す部分の中心点Ｑにバ
イアス点をとるときリニア特性が得られることに
なる。
しかしながら、上述した差動型構成を採るもの
においてはその構造が複雑となり、またバーバー
ポール型構成を採るものにおいては、そのMR素
子１２の縮小化を図る場合、そのAu導線１５の
間隔を狭める必要が生じ、これに伴つてMR素子
の実質的抵抗が小さくなつて出力信号の取り扱い
がなしにくくなるなどの欠点がある。
においてはその構造が複雑となり、またバーバー
ポール型構成を採るものにおいては、そのMR素
子１２の縮小化を図る場合、そのAu導線１５の
間隔を狭める必要が生じ、これに伴つてMR素子
の実質的抵抗が小さくなつて出力信号の取り扱い
がなしにくくなるなどの欠点がある。
発明の目的
本発明は上述した諸欠点を解消した磁気抵抗効
果型磁気ヘツドを提供するものである。
果型磁気ヘツドを提供するものである。
発明の概要
本発明においてはMR素子の異方性方向すなわ
ち磁化容易軸方向と磁界の方向とのなす角によつ
てその磁気抵抗特性が変化することに着目して、
特にその磁気抵抗効果素子の異方性方向と信号磁
界の方向とのなす角を50°85°の範囲に設
定するとき優れた直線性を得ることを見出し、こ
のような構成によつて磁気抵抗効果型磁気ヘツド
を構成する。
ち磁化容易軸方向と磁界の方向とのなす角によつ
てその磁気抵抗特性が変化することに着目して、
特にその磁気抵抗効果素子の異方性方向と信号磁
界の方向とのなす角を50°85°の範囲に設
定するとき優れた直線性を得ることを見出し、こ
のような構成によつて磁気抵抗効果型磁気ヘツド
を構成する。
実施例
本発明による磁気ヘツドは、第９図及び第１０
図に示すように、第１図及び第２図で説明したと
同様の構成を採り得るも、特にそのMR素子に関
して特殊の構成となすもので、第９図及び第１０
図において第１図及び第２図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。
図に示すように、第１図及び第２図で説明したと
同様の構成を採り得るも、特にそのMR素子に関
して特殊の構成となすもので、第９図及び第１０
図において第１図及び第２図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。
本発明においては、第９図及び第１０図に示す
ように第１図及び第２図におけるMR素子２に代
えて異方性方向HKを特定した特殊のMR素子２
２を構成する。この素子２２は、第１１図に示す
ように、前述したと同様に例えばNi−Co系合金
薄膜より構成し、その長手方向に検出電流ｉを通
じ、これと直交する方向に信号磁界HSを与える
ようになすも、特にその磁化容易軸方向すなわち
その異方性方向HKを、信号磁界HSに対してなす
角が50°85°に設定する。
ように第１図及び第２図におけるMR素子２に代
えて異方性方向HKを特定した特殊のMR素子２
２を構成する。この素子２２は、第１１図に示す
ように、前述したと同様に例えばNi−Co系合金
薄膜より構成し、その長手方向に検出電流ｉを通
じ、これと直交する方向に信号磁界HSを与える
ようになすも、特にその磁化容易軸方向すなわち
その異方性方向HKを、信号磁界HSに対してなす
角が50°85°に設定する。
尚、このMR素子における異方性方向すなわち
容易磁化方向の選定は、周知のようにその蒸着方
向熱処理態様等によつて任意の方向に選定し得る
ものであるのでこの素子の長手方向すなわち検出
電流方向に対して所要の角度をもつて異方性方向
を選定することは任意に行うことができるもので
ある。
容易磁化方向の選定は、周知のようにその蒸着方
向熱処理態様等によつて任意の方向に選定し得る
ものであるのでこの素子の長手方向すなわち検出
電流方向に対して所要の角度をもつて異方性方向
を選定することは任意に行うことができるもので
ある。
第１２図は、第１１図に示した構成によるMR
素子において異方性方向と検出電流方向とのなす
角を＝90°にした場合の磁気抵抗特性を比較
のために示したもので、この＝90°において、
その磁気抵抗特性は２次曲線を示してしまう。
素子において異方性方向と検出電流方向とのなす
角を＝90°にした場合の磁気抵抗特性を比較
のために示したもので、この＝90°において、
その磁気抵抗特性は２次曲線を示してしまう。
第１３図は本発明に用いられるMR素子２２の
磁気抵抗特性を示し、この場合＝85°とした場
合で、この場合ヒステリシス効果によつてその特
性は磁化が２個所において反転する２本の特性を
示すが各特性曲線において直線性にすぐれている
ので、この場合において、そのバイアス点を例え
ば第１３図における一方の特性曲線における点Ｐ
に設定して磁化の反転が生じない範囲の磁界が与
えられるようになせば、直線性に優れた出力を取
り出すことができる。また、第１４図、第１５
図、第１６図、第１７図及び第１８図は夫々＝
80°、＝70°、＝60°、＝50°、＝40°におけ
る同様の磁気抵抗特性を示す。これら第１２図な
いし第１８図から明らかなように本発明における
磁気ヘツドすなわち50°85°に選定したもの
においてはその磁気抵抗特性曲線において優れた
直線性を示す部分を有している。このような本発
明構成によるときに直線性に優れた特性が得られ
るのは次に示す解析によつて裏付けられる。すな
わち今第１１図に示したように、磁化の方向をＭ
とし、これと検出電流ｉの方向の角度をθとし、
磁化Ｍと異方性方向HKとのなす角をαとすると
き、この磁化の向きは、この系の下記(1)式で与え
られる異方性エネルギーとポテンシヤルエネルギ
ーの和が極小となる方向で安定する。
磁気抵抗特性を示し、この場合＝85°とした場
合で、この場合ヒステリシス効果によつてその特
性は磁化が２個所において反転する２本の特性を
示すが各特性曲線において直線性にすぐれている
ので、この場合において、そのバイアス点を例え
ば第１３図における一方の特性曲線における点Ｐ
に設定して磁化の反転が生じない範囲の磁界が与
えられるようになせば、直線性に優れた出力を取
り出すことができる。また、第１４図、第１５
図、第１６図、第１７図及び第１８図は夫々＝
80°、＝70°、＝60°、＝50°、＝40°におけ
る同様の磁気抵抗特性を示す。これら第１２図な
いし第１８図から明らかなように本発明における
磁気ヘツドすなわち50°85°に選定したもの
においてはその磁気抵抗特性曲線において優れた
直線性を示す部分を有している。このような本発
明構成によるときに直線性に優れた特性が得られ
るのは次に示す解析によつて裏付けられる。すな
わち今第１１図に示したように、磁化の方向をＭ
とし、これと検出電流ｉの方向の角度をθとし、
磁化Ｍと異方性方向HKとのなす角をαとすると
き、この磁化の向きは、この系の下記(1)式で与え
られる異方性エネルギーとポテンシヤルエネルギ
ーの和が極小となる方向で安定する。
Ｅ＝Kusin2α−HMcos（−α） ……(1)
（Kuは異方性定数）
この極小の条件は、
∂E／∂α＝Ｏ ……(2)
∂2E／∂α2＞Ｏ ……(3)
である。
まず(2)式について計算すると、
∂E／∂α＝Kusin2α−HMsin（−α） ……(4)
Ku＝１／２HKＭ ……(5)
であるので、これを(4)式に代入すると、
∂E／∂α＝MHK（１／２sin2α−Ｈ／HKsin（−α）
＝Ｏ ……(6) 一方、(3)式についてみると、 ∂E2／∂α2＝2Kucos2α＋HMcos（−α） ＝HK・Ｍ（cos2α＋Ｈ／HKcos（−α））＞Ｏ…… (7) でなければならない。すなわち、これら(6)及び(7)
式を満足する角度θで磁化Ｍが安定する。これに
ついてに対して数値計算で解くことができる。
このようにして求められる磁化Ｍのｙ成分は、い
わゆる一軸異方性膜のヒステリシスループとな
る。
＝Ｏ ……(6) 一方、(3)式についてみると、 ∂E2／∂α2＝2Kucos2α＋HMcos（−α） ＝HK・Ｍ（cos2α＋Ｈ／HKcos（−α））＞Ｏ…… (7) でなければならない。すなわち、これら(6)及び(7)
式を満足する角度θで磁化Ｍが安定する。これに
ついてに対して数値計算で解くことができる。
このようにして求められる磁化Ｍのｙ成分は、い
わゆる一軸異方性膜のヒステリシスループとな
る。
また、MR素子の抵抗値ρは、
ρ＝ρ0＋Δρcos2θ ……(8)
で表わされ、(6)(7)式の条件から求めた角θを代入
すればMR特性（磁気抵抗特性）が得られ、これ
は、第１２図ないし第１８図の特性と一致してい
る。
すればMR特性（磁気抵抗特性）が得られ、これ
は、第１２図ないし第１８図の特性と一致してい
る。
このMR特性の直線性は、＝90°では悪いが
＝85°では良好となり、＝40°では下に凸にな
るが＝50°では良好な直線性が得られている。
＝85°では良好となり、＝40°では下に凸にな
るが＝50°では良好な直線性が得られている。
発明の効果
上述したように本発明によれば単に、異方性方
向の選定によつてその磁気抵抗特性に優れた直線
性を有する部分を形成することができるようにし
たので前述したような差動型構成或いはバーバー
ポール型構成を採る場合のような構成の複雑な或
いは製造の煩雑さ、更にはMR素子の小型化を阻
害するような欠点を解消でき、実用に供してその
利益は勘大である。
向の選定によつてその磁気抵抗特性に優れた直線
性を有する部分を形成することができるようにし
たので前述したような差動型構成或いはバーバー
ポール型構成を採る場合のような構成の複雑な或
いは製造の煩雑さ、更にはMR素子の小型化を阻
害するような欠点を解消でき、実用に供してその
利益は勘大である。
第１図及び第２図は夫々本発明の説明に供する
磁気抵抗効果型磁気ヘツドの要部の略線的拡大平
面図、及び第１図におけるＡ−Ａ線上の拡大断面
図、第３図及び第４図はその特性の説明図、第５
図は差動型磁気抵抗効果型磁気ヘツドの構成図、
第６図はその特性の説明図、第７図はバーバーポ
ール型磁気抵抗効果型磁気ヘツドの略線的構成
図、第８図はその磁気抵抗特性曲線図、第９図及
び第１０図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドの一例の要部の略線的拡大平面図及びそのＡ
−Ａ線上の拡大断面図、第１１図はその磁気抵抗
効果素子の説明図、第１２図ないし第１８図は磁
気抵抗特性曲線図である。 １２，２２は、磁気抵抗効果素子、１は磁性基
体、４はバイアス導体、ｇは磁気ギヤツプ、６及
び７は対の磁性層である。
磁気抵抗効果型磁気ヘツドの要部の略線的拡大平
面図、及び第１図におけるＡ−Ａ線上の拡大断面
図、第３図及び第４図はその特性の説明図、第５
図は差動型磁気抵抗効果型磁気ヘツドの構成図、
第６図はその特性の説明図、第７図はバーバーポ
ール型磁気抵抗効果型磁気ヘツドの略線的構成
図、第８図はその磁気抵抗特性曲線図、第９図及
び第１０図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドの一例の要部の略線的拡大平面図及びそのＡ
−Ａ線上の拡大断面図、第１１図はその磁気抵抗
効果素子の説明図、第１２図ないし第１８図は磁
気抵抗特性曲線図である。 １２，２２は、磁気抵抗効果素子、１は磁性基
体、４はバイアス導体、ｇは磁気ギヤツプ、６及
び７は対の磁性層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果素子の長手方向と垂直方向に作
用する信号磁界を上記磁気抵抗効果素子の長手方
向に検出電流を流して検出する磁気抵抗効果型磁
気ヘツドにおいて、上記磁気抵抗効果素子の異方
性方向と上記信号磁界の方向とのなす角が、 50°85 とすることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220744A JPS59112422A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| CA000442632A CA1209261A (en) | 1982-12-16 | 1983-12-06 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| KR1019830005820A KR920001129B1 (ko) | 1982-12-11 | 1983-12-08 | 자기저항효과형 자기헤드 |
| DE8383307648T DE3372680D1 (en) | 1982-12-16 | 1983-12-15 | Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect |
| EP83307648A EP0113980B1 (en) | 1982-12-16 | 1983-12-15 | Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220744A JPS59112422A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112422A JPS59112422A (ja) | 1984-06-28 |
| JPH0376536B2 true JPH0376536B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16755847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57220744A Granted JPS59112422A (ja) | 1982-12-11 | 1982-12-16 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0113980B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59112422A (ja) |
| KR (1) | KR920001129B1 (ja) |
| CA (1) | CA1209261A (ja) |
| DE (1) | DE3372680D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3644388A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Sharp Kk | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| JP2790811B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1998-08-27 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| FR2715507B1 (fr) * | 1994-01-25 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Magnétorésistance multicouche polarisée. |
| EP0727645B1 (en) * | 1994-08-23 | 2001-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic signal detector |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4012781A (en) * | 1975-08-14 | 1977-03-15 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read head assembly for servo operation |
| US4130847A (en) * | 1977-03-31 | 1978-12-19 | International Business Machines Corporation | Corrosion resistant thin film head assembly and method for making |
| JPS54157610A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-12 | Sony Corp | Magnetic head |
| JPS57109121A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Sony Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
| EP0081240B1 (en) * | 1981-12-09 | 1989-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP57220744A patent/JPS59112422A/ja active Granted
-
1983
- 1983-12-06 CA CA000442632A patent/CA1209261A/en not_active Expired
- 1983-12-08 KR KR1019830005820A patent/KR920001129B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1983-12-15 EP EP83307648A patent/EP0113980B1/en not_active Expired
- 1983-12-15 DE DE8383307648T patent/DE3372680D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59112422A (ja) | 1984-06-28 |
| KR840007775A (ko) | 1984-12-10 |
| DE3372680D1 (en) | 1987-08-27 |
| CA1209261A (en) | 1986-08-05 |
| EP0113980B1 (en) | 1987-07-22 |
| EP0113980A1 (en) | 1984-07-25 |
| KR920001129B1 (ko) | 1992-02-01 |
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